JP6237869B2 - インゴット - Google Patents
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- ポリタイプが4H型の炭化珪素からなる種基板と、
前記種基板上に成長した炭化珪素層とを備え、
前記炭化珪素層は、成長方向において15mm以上の厚みを有し、
前記炭化珪素層では、前記成長方向に沿って存在し、隣接する2点間の距離が5mmである複数の測定点において六方格子構造における<0001>方向の格子定数を測定した場合に、前記格子定数の最大値と前記格子定数の最小値との差が0.004nm以下であり、
前記成長方向からみたときの幅が125mm以上175mm以下である、インゴット。 - 前記測定点は、前記炭化珪素層における前記種基板側とは反対側の成長表面上の点を含む、請求項1に記載のインゴット。
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