JP2014189419A - インゴット、炭化珪素基板およびインゴットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インゴット1は、炭化珪素からなる種基板11と、種基板11上に成長した窒素原子を含む炭化珪素層13とを備えている。炭化珪素層13は、成長方向において15mm以上の厚みを有している。炭化珪素層13では、成長方向における窒素原子の濃度勾配が5×1017個/cm4以下となっている。
【選択図】図1
Description
実施例1では、成長開始から1時間後(時刻t1)における窒素ガスの流量N(t1)を5.0×10−2(Pa・m3/s)、アルゴンガスの流量C(t1)を1.7×10−1(Pa・m3/s)とし、25時間後(時刻t2)における窒素ガスの流量N(t2)を2.5×10−2(Pa・m3/s)、アルゴンガスの流量C(t2)を1.7×10−1(Pa・m3/s)とした。よって、実施例1では、{G(t1)C(t1)/N(t1)}/{G(t2)C(t2)/N(t2)}の値が1であった。
また、実施例2では、成長開始から1時間後(時刻t1)における窒素ガスの流量N(t1)を5.0×10−2(Pa・m3/s)、アルゴンガスの流量C(t1)を1.7×10−1(Pa・m3/s)とし、25時間後(時刻t2)における窒素ガスの流量N(t2)を5.0×10−2(Pa・m3/s)、アルゴンガスの流量C(t2)を3.4×10−1(Pa・m3/s)とした。よって、実施例2では、{G(t1)C(t1)/N(t1)}/{G(t2)C(t2)/N(t2)}の値が、上記実施例1と同様に1であった。
また、比較例では、成長開始から1時間後(時刻t1)における窒素ガスの流量N(t1)を5.0×10−2(Pa・m3/s)、アルゴンガスの流量C(t1)を1.7×10−1(Pa・m3/s)とし、25時間後(時刻t2)における窒素ガスの流量N(t2)を5.0×10−2(Pa・m3/s)、アルゴンガスの流量C(t2)を1.7×10−1(Pa・m3/s)とした。よって、比較例では、{G(t1)C(t1)/N(t1)}/{G(t2)C(t2)/N(t2)}の値が1/2であった。
Claims (6)
- 炭化珪素からなる種基板と、
前記種基板上に成長した窒素原子を含む炭化珪素層とを備え、
前記炭化珪素層は、成長方向において15mm以上の厚みを有し、
前記炭化珪素層では、前記成長方向における前記窒素原子の濃度勾配が5×1017個/cm4以下である、インゴット。 - 前記成長方向から見たときの幅が100mm以上である、請求項1に記載のインゴット。
- ポリタイプが4H型である、請求項1または2に記載のインゴット。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のインゴットを切断することにより得られる、炭化珪素基板。
- 式(1)が満たされるように、前記窒素ガスの流量を変化させる、請求項5に記載のインゴットの製造方法。
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