JP2015098420A - 炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】固定砥粒方式によるワイヤーソーを用いて切断した場合に基板の反りを抑えることが可能な炭化珪素インゴットおよび当該炭化珪素インゴットを用いて実施される炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴット１は、端面１ａと端面１ａと反対側の端面である端面１ｂとを有している。炭化珪素インゴット１では、端面１ａと端面１ｂとが対向する方向である成長方向における窒素濃度の勾配が１×１０^１６ｃｍ^−４以上１×１０^１８ｃｍ^−４以下になっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法に関し、より特定的には、固定砥粒方式によるワイヤーソーを用いて切断した場合に基板の反りを抑えることが可能な炭化珪素インゴットおよび当該炭化珪素インゴットを用いて実施される炭化珪素基板の製造方法に関する。

従来、炭化珪素インゴットは遊離砥粒方式によるワイヤーソーを用いて切断されていた。たとえば特開２０１０−２３２０８号公報には、ＧＣ砥粒を含むスラリーを用いたワークの切断方法が開示されている。一方で、近年では固定砥粒方式によるワイヤーソーを用いた炭化珪素インゴットの切断も実施されている。これにより、遊離砥粒方式を採用する場合に比べて炭化珪素インゴットの切断工程におけるコストを大幅に削減することができる。

特開２０１０−２３２０８号公報

上述のように固定砥粒方式を採用して炭化珪素インゴットを切断することにより基板を得た場合には、大口径の基板においても反りの発生をある程度抑えることができる。しかし、一つの炭化珪素インゴットから得られた複数枚の基板に反りが小さいものと反りが大きくて実用に適さないものとが含まれる場合がある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、固定砥粒方式によるワイヤーソーを用いて切断した場合に基板の反りを抑えることが可能な炭化珪素インゴットおよび当該炭化珪素インゴットを用いて実施される炭化珪素基板の製造方法を提供することである。

本発明に従った炭化珪素インゴットは、第１の端面と第１の端面と反対側の端面である第２の端面とを有している。上記炭化珪素インゴットでは、第１の端面と第２の端面とが対向する方向である成長方向における窒素濃度の勾配が１×１０^１６ｃｍ^−４以上１×１０^１８ｃｍ^−４以下になっている。

本発明によれば、固定砥粒方式によるワイヤーソーを用いて切断した場合に基板の反りを抑えることが可能な炭化珪素インゴットおよび当該炭化珪素インゴットを用いて実施される炭化珪素基板の製造方法を提供することができる。

本実施形態に係る炭化珪素インゴットを示す概略正面図である。 本実施形態に係る炭化珪素基板を示す概略斜視図である。 本実施形態に係る炭化珪素インゴットにおける窒素濃度の勾配の算出方法を説明するための概略図である。 本実施形態に係る炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法を概略的に示すフローチャートである。 本実施形態に係る炭化珪素インゴットの製造方法を説明するための概略断面図である。 本実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法において用いられるワイヤーソーの構造を示す概略斜視図である。

[本願発明の実施形態の説明]
まず、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。

（１）本実施形態に係る炭化珪素インゴット（１）は、第１の端面（１ａ）と第１の端面（１ａ）と反対側の端面である第２の端面（１ｂ）とを有している。炭化珪素インゴット（１）では、第１の端面（１ａ）と第２の端面（１ｂ）とが対向する方向である成長方向における窒素濃度の勾配が１×１０^１６ｃｍ^−４以上１×１０^１８ｃｍ^−４以下になっている。

上記炭化珪素インゴット（１）では、上記成長方向における窒素濃度の勾配が１×１０^１６ｃｍ^−４以上にまで高くなっている。そのため、砥粒が固定されたワイヤを炭化珪素インゴット（１）の上記成長方向に沿って配置された複数の切断部に接触させつつ走行させることにより当該炭化珪素インゴット（１）を切断した場合に、上記複数の切断部のどの部分を切断した場合においても基板の反りを抑えることができる。また、上記炭化珪素インゴット（１）では、上記成長方向における窒素濃度の勾配が１×１０^１８ｃｍ^−４以下に抑えられている。そのため、窒素濃度の勾配が過大になることで結晶内にクラックが発生することを抑制することができる。したがって、上記炭化珪素インゴット（１）によれば、固定砥粒方式によるワイヤーソーを用いて切断した場合に基板の反りを抑えることができる。

（２）上記炭化珪素インゴット（１）は、上記成長方向から見たときの幅が１００ｍｍ以上である。上記炭化珪素インゴット（１）の幅が大きい場合には、切断して得られる炭化珪素基板（１０）の幅も大きくなる。そして、炭化珪素基板（１０）の幅が大きい場合には基板の反りがより発生し易くなる。そのため、上記炭化珪素インゴット（１）の成長方向から見たときの幅が１００ｍｍ以上である場合には、基板の反りの抑制効果がより大きくなる。

（３）上記炭化珪素インゴット（１）においては、上記成長方向において窒素濃度が単調に変化している。これにより、上記炭化珪素インゴット（１）の製造時に窒素ガスの流量調節がより容易になる。なお「上記成長方向における窒素濃度が単調に変化する」とは、上記成長方向において窒素濃度が一定の傾きを有するように直線的に増加する場合または減少する場合などを意味する。

（４）上記炭化珪素インゴット（１）においては、第１の端面（１ａ）および第２の端面（１ｂ）のうち一方の端面は、（０００−１）面を含む面である。これにより、上記炭化珪素インゴット（１）の製造時に炭化珪素単結晶をｃ軸方向に沿って容易に成長させることができる。

（５）本実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法は、上記炭化珪素インゴット（１）を準備する工程と、炭化珪素インゴット（１）を切断して炭化珪素基板（１０）を得る工程とを備えている。

上記炭化珪素インゴット（１）では、上記成長方向における窒素濃度の勾配が１×１０^１６ｃｍ^−４以上にまで高くなっている。そのため、砥粒が固定されたワイヤを炭化珪素インゴット（１）の上記成長方向に沿って配置される複数の切断部に接触させつつ走行させることにより当該炭化珪素インゴット（１）を切断した場合に、上記複数の切断部のどの部分を切断した場合でも基板の反りを抑えることができる。また、上記炭化珪素インゴット（１）では、上記成長方向における窒素濃度の勾配が１×１０^１８ｃｍ^−４以下にまで抑えられている。そのため、上記炭化珪素インゴット（１）を切断して得られる基板においてクラックの発生を抑制することができる。したがって、本実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法によれば、固定砥粒方式によるワイヤーソーを用いて炭化珪素インゴットを切断した場合に基板の反りを抑えることができる。

（６）上記炭化珪素基板の製造方法において、炭化珪素基板（１０）を得る工程では、表面に砥粒が固定されたワイヤ（３４）を炭化珪素インゴット（１）の上記成長方向に沿って配置された複数の切断部に接触させつつ走行させることにより炭化珪素インゴット（１）が切断される。このように固定砥粒方式を採用して炭化珪素インゴット（１）を切断した場合には、上述のように基板の反りを抑えることができる。

（７）上記炭化珪素基板の製造方法では、炭化珪素インゴット（１）において第２の端面（１ｂ）側の部分の窒素濃度は第１の端面（１ａ）側の部分の窒素濃度よりも高くなっている。そして、上記複数の切断部のうち第２の端面（１ｂ）側に位置する第２の切断部には、上記複数の切断部のうち第１の端面（１ａ）側に位置する第１の切断部よりもワイヤ（３４）の走行方向における下流側の部分が接触する。

ワイヤ（３４）の下流側の部分は上流側の部分に比べて劣化の度合いが大きく、当該下流側のワイヤ部分により切断して得られた基板は反りがより発生し易い。これに対して、当該下流側のワイヤ部分を窒素濃度が高い第２の端面（１ｂ）側に位置する切断部と接触させることにより、基板の反りをより抑えることができる。

（８）上記炭化珪素基板の製造方法において、砥粒はダイヤモンド砥粒を含んでいる。このように硬質砥粒が固定されたワイヤを用いることにより、炭化珪素インゴット（１）をより効率的に切断することができる。

（９）上記炭化珪素基板の製造方法において、炭化珪素基板（１０）を得る工程では、炭化珪素基板（１０）の厚みが１ｍｍ以下になるように炭化珪素インゴット（１）が切断される。

炭化珪素基板（１０）の厚みが小さい場合には、基板の反りがより発生し易くなる。そのため、炭化珪素基板（１０）の厚みが１ｍｍ以下になるように炭化珪素インゴット（１）が切断される場合には、基板の反りの抑制効果がより大きくなる。

[本願発明の実施形態の詳細]
次に、本発明の実施形態の具体例を図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。また、本明細書中においては、個別方位を[]、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示す。また、負の指数については、結晶学上、”−”（バー）を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。

まず、本実施形態に係る炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板について説明する。図１を参照して、炭化珪素インゴット１はポリタイプが４Ｈ型である炭化珪素からなり、種基板１１と炭化珪素層１３とを主に有している。炭化珪素インゴット１は、種基板１１側の端面１ａ（第１の端面）と、炭化珪素層１３側の端面１ｂ（第２の端面）とを有している。炭化珪素層１３は窒素（Ｎ）原子を含んでおり、昇華再結晶法により種基板１１の表面１１ａ上に成長させることにより形成されている。炭化珪素層１３の成長方向（端面１ａと端面１ｂとが対向する方向）は＜０００１＞方向になっており、成長面である端面１ｂは（０００−１）面からなっている。また図２を参照して、本実施形態に係る炭化珪素基板１０は、炭化珪素インゴット１（図１参照）を任意の方向に切断することにより得られる。なお、図１では種基板１１と炭化珪素層１３とを有する炭化珪素インゴット１を示したが、炭化珪素インゴット１において種基板１１は除去されていてもよい。

図１を参照して、炭化珪素インゴット１の成長方向における厚みは、たとえば１０ｍｍ以上である。炭化珪素インゴット１の成長方向から見たときの幅は１００ｍｍ以上であり、好ましくは１５０ｍｍ以上である。図２を参照して、炭化珪素基板１０の厚みは１ｍｍ以下である。炭化珪素基板１０の幅は、炭化珪素インゴット１の幅と同様に１００ｍｍ以上（４インチ以上）であり、好ましくは１５０ｍｍ以上（６インチ以上）である。

図１を参照して、炭化珪素層１３における窒素濃度は、たとえば１×１０^１４ｃｍ^-３以上３×１０^１９ｃｍ^-３以下となっており、好ましくは１×１０^１７ｃｍ^-３以上２×１０^１９ｃｍ^-３以下となっている。炭化珪素層１３においては成長方向における窒素濃度の勾配が１×１０^１６ｃｍ^−４以上１×１０^１８ｃｍ^−４以下となっており、好ましくは１×１０^１７ｃｍ^−４以上１×１０^１８ｃｍ^−４以下となっており、より好ましくは５×１０^１７ｃｍ^−４以上１×１０^１８ｃｍ^−４以下となっている。

炭化珪素インゴット１の成長方向における窒素濃度の勾配は、以下のようにして算出することができる。図３を参照して、まず炭化珪素層１３において端面１ｂから成長方向に２ｍｍ離れた点を第１測定点２１とし、当該第１測定点２１から成長方向に５ｍｍ離れた点を第２測定点２２とする。第１測定点２１および第２測定点２２は、炭化珪素インゴット１の径方向における中心部を含んでいる。次に、第１測定点２１および第２測定点２２のそれぞれにおいて、窒素濃度（ｃｍ^−３）を測定する。窒素濃度の測定は、たとえば二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ；Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により実施される。そして、第１測定点２１および第２測定点２２のそれぞれにおいて測定された窒素濃度の差分（ｃｍ^−３）の絶対値を、当該第１測定点２１と第２測定点２２との間の距離（０．５ｃｍ）で除する。このようにして、炭化珪素インゴット１の成長方向における窒素濃度の勾配（ｃｍ^−４）を算出することができる。

炭化珪素インゴット１では、図３中のグラフにおいて模式的に示すように成長方向において窒素濃度が単調に変化している。より具体的には、端面１ａ側から端面１ｂ側に向かって窒素濃度が直線的に増加している。このように炭化珪素インゴット１においては、端面１ｂ側の部分の窒素濃度が端面１ａ側の部分の窒素濃度よりも大きくなっている。なお図３中のグラフにおいて、横軸は窒素濃度を示し、縦軸は成長方向を示している。

次に、本実施形態に係る炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法について説明する。本実施形態に係る炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法では、以下に説明するようにして上記炭化珪素インゴット１および炭化珪素基板１０が得られる。

図４を参照して、まず、工程（Ｓ１０）として種基板および原料準備工程が実施される。この工程（Ｓ１０）では、図５を参照して、まず炭化珪素単結晶からなる種基板１１と、多結晶の炭化珪素粉末や炭化珪素焼結体からなる原料１２とがそれぞれ準備される。そして、種基板１１および原料１２は、図５に示すようにカーボン製の坩堝２の内部において互いに対向した状態で配置される。

次に、工程（Ｓ２０）として昇温工程が実施される。この工程（Ｓ２０）では、図５を参照して、まずキャリアガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスが、坩堝２の内部へ供給される。そして、加熱コイル（図示しない）などにより坩堝２の内部が２０００℃以上２５００℃以下の温度にまで加熱される。このとき、坩堝２の内部は原料１２が配置される側から種基板１１が配置される側に向かう方向において温度が低くなるように（温度勾配が形成されるように）加熱される。

次に、工程（Ｓ３０）として結晶成長工程が実施される。この工程（Ｓ３０）では、アルゴンガスを供給しつつ坩堝２の内部を所定の圧力にまで減圧する。これにより、原料１２が昇華して炭化珪素の原料ガスが発生し、当該原料ガスが種基板１１上において固化することにより炭化珪素層１３が成長する。またドーパントガスである窒素ガスもアルゴンガスとともに坩堝２の内部に供給される。そして、窒素ガスが熱分解されて発生した窒素原子が、成長中の炭化珪素層１３にドーパントとして取り込まれる。このように工程（Ｓ３０）では、窒素ガスおよびアルゴンガスを供給しつつ原料１２を昇華させることにより、種基板１１上の表面１１ａ上において窒素原子を含む炭化珪素層１３が成長する。上記工程（Ｓ１０）〜（Ｓ３０）が実施されることにより、上記炭化珪素インゴット１が準備される。

次に、工程（Ｓ４０）として切断工程が実施される。この工程（Ｓ４０）では、図６を参照して、ワイヤーソー３を用いて炭化珪素インゴット１が所定の厚みに切断される。これにより、炭化珪素インゴット１から所定の厚みを有する複数枚の炭化珪素基板１０（図２）が得られる。まず、図６を参照してワイヤーソー３の構造について説明する。

ワイヤーソー３は、治具３０（本体部３１および保持部３２）と、一組のローラ３３と、ワイヤ３４と、切削液供給部３５とを主に有している。ローラ３３は円柱形状を有しており、他方のローラ３３との間に所定の間隔をおいて並んで配置されている。ローラ３３は、図６中矢印に示すように円柱形状の中心軸周りに回転可能になっている。

ワイヤ３４は、たとえばピアノ線などの表面に電着によってダイヤモンド砥粒が固定された電着ダイヤモンドワイヤである。ワイヤ３４の直径はたとえば２５０μｍである。ワイヤ３４は、図６に示すように一組のローラ３３の各々の外周面に複数回巻き掛けられている。ワイヤ３４の張力はたとえば４５Ｎである。これにより、ワイヤ３４は一方のローラ３３と他方のローラ３３との間を往復しつつ上流側Ｕ（図６中左側）から下流側Ｄ（図６中右側）へ走行することが可能になっている。

切削液供給部３５は、ワイヤ３４の上方において配置されている。切削液供給部３５は、ワイヤ３４の上方から切削油（クーラント）を供給する。

治具３０は本体部３１と保持部３２とを含み、当該保持部３２において被切断物である炭化珪素インゴット１を保持する。治具３０は保持部３２において炭化珪素インゴット１を保持しつつ、ワイヤ３４に接近する方向またはワイヤ３４から退避する方向に移動可能になっている。

次に、上記ワイヤーソー３を用いた炭化珪素インゴット１の切断手順について説明する。図６を参照して、まず上記工程（Ｓ１０）〜（Ｓ３０）において準備された炭化珪素インゴット１が、その外周面の一部が保持部３２に接触するように治具３０に設置される。このとき、炭化珪素インゴット１は窒素濃度が相対的に高い端面１ｂ側の部分がワイヤ３４の下流側Ｄ（図６中右側）に位置し、窒素濃度が相対的に低い端面１ａ側の部分がワイヤ３４の上流側Ｕ（図６中左側）に位置するように設置される。

次に、ローラ３３を回転させることにより、ワイヤ３４をローラ３３の間を往復させつつ上流側Ｕ（図６中左側）から下流側Ｄ（図６中右側）に向かって走行させる。これにより、ワイヤ３４が炭化珪素インゴット１の成長方向（端面１ａと端面１ｂとが対向する方向）に沿って走行する。ワイヤ３４の線速（走行速度）の平均値はたとえば１０００ｍ／ｍｉｎである。

次に、治具３０をワイヤ３４側へ下降させることにより、炭化珪素インゴット１をワイヤ３４に接触させる。このとき、ワイヤ３４はローラ３３の間を往復するように設けられているため、炭化珪素インゴット１は上記成長方向の沿って配置された複数の切断部においてワイヤ３４と接触する。ここで、炭化珪素インゴット１における切断部同士の間隔は、ローラ３３を跨ぐワイヤ３４同士の間隔に相当する。また、炭化珪素インゴット１は、上述のように窒素濃度が相対的に高い端面１ｂ側がワイヤ３４の下流側Ｄに位置し、窒素濃度が相対的に低い端面１ａ側がワイヤ３４の上流側Ｕに位置するように設置される。そのため、炭化珪素インゴット１では、上記複数の切断部のうち端面１ｂ側に位置する部分（第２の切断部）には、上記複数の切断部のうち端面１ａ側に位置する部分（第１の切断部）よりもワイヤ３４の走行方向における下流側が接触する。

次に、ワイヤ３４を炭化珪素インゴット１の上記成長方向に沿って配置された複数の切断部に接触させつつ上流側Ｕから下流側Ｄに向かって走行させ、かつ炭化珪素インゴット１をさらに下降させて切断を進行させる。切断速度の平均値はたとえば２５０μｍ／ｍｉｎである。このようにして炭化珪素インゴット１が複数の切断部において切断されることにより、複数枚の炭化珪素基板１０（図２）が得られる。炭化珪素基板１０の厚みはたとえば１ｍｍ以下である。以上の工程（Ｓ１０）〜（Ｓ４０）が実施されることにより上記本実施形態に係る炭化珪素インゴット１（図１）および炭化珪素基板１０（図２）が得られ、本実施形態に係る炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法が完了する。

固定砥粒方式によるワイヤーソーを用いて炭化珪素インゴットを切断した場合における基板の反りの抑制について、本発明の効果を確認する実験を行った。まず、上記本実施形態に係る炭化珪素インゴットを準備した。炭化珪素インゴットにおいて第１測定点２１および第２測定点２２（図３）における窒素濃度は、それぞれ８．７２×１０^１７ｃｍ^−３および８．２０×１０^１７ｃｍ^−３であった（実施例）。また比較例として、第１測定点２１および第２測定点２２における窒素濃度がそれぞれ８．０５×１０^１７ｃｍ^−３および８．０３×１０^１７ｃｍ^−３である炭化珪素インゴットも準備した。実施例および比較例の炭化珪素インゴットの厚みはそれぞれ１０ｍｍであった。そして、これらの炭化珪素インゴットを上記本実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法と同様にして切断した。これにより厚み１ｍｍの複数枚の炭化珪素基板が得られ、それぞれの炭化珪素基板の反りを測定した。表１は実施例（Ｎｏ．１〜９）および比較例（Ｎｏ．１０〜１８）における反りの測定結果を示している。なお表１において、炭化珪素基板の番号（Ｎｏ．）は炭化珪素インゴットの成長方向において順に付されており、Ｎｏ．１および１０の炭化珪素基板が種基板側を切断して得られた基板であり、Ｎｏ．９および１８の炭化珪素基板が成長面側を切断して得られた基板である。つまり、Ｎｏ．１および１０の番号に近い炭化珪素基板が上流側のワイヤで切断して得られた基板であり、Ｎｏ．９および１８の番号に近い炭化珪素基板が下流側のワイヤで切断して得られた基板である。

表１から明らかなように、比較例（Ｎｏ．１０〜１８）においては下流側のワイヤで切断して得られた基板（Ｎｏ．１８の番号に近い基板）の反りが上流側のワイヤで切断して得られた基板（Ｎｏ．１０の番号に近い基板）の反りに比べて大きく増加するのに対して、実施例（Ｎｏ．１〜９）においては反りの増加が比較例に比べてより小さくなった。したがって、炭化珪素インゴットの成長方向における窒素濃度の勾配を制御することにより、固定砥粒方式による切断時において基板の反りを抑えることが可能であることが分かった。

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の炭化珪素インゴットおよび炭化珪素基板の製造方法は、固定砥粒方式によるワイヤーソーを用いて切断した場合に基板の反りを抑えることが要求される炭化珪素インゴットおよび当該炭化珪素インゴットを用いて実施される炭化珪素基板の製造方法において、特に有利に適用され得る。

１ 炭化珪素インゴット
１ａ，１ｂ 端面
２ 坩堝
３ ワイヤーソー
１０ 炭化珪素基板
１１ 種基板
１１ａ 表面
１２ 原料
１３ 炭化珪素層
２１ 第１測定点
２２ 第２測定点
３０ 治具
３１ 本体部
３２ 保持部
３３ ローラ
３４ ワイヤ
３５ 切削液供給部

Claims (9)

1. 第１の端面と前記第１の端面と反対側の端面である第２の端面とを有し、
   前記第１の端面と前記第２の端面とが対向する方向である成長方向における窒素濃度の勾配が１×１０^１６ｃｍ^−４以上１×１０^１８ｃｍ^−４以下である、炭化珪素インゴット。
2. 前記成長方向から見たときの幅が１００ｍｍ以上である、請求項１に記載の炭化珪素インゴット。
3. 前記成長方向において窒素濃度が単調に変化している、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素インゴット。
4. 前記第１の端面および前記第２の端面のうち一方の端面は、（０００−１）面を含む面である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の炭化珪素インゴット。
5. 請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の炭化珪素インゴットを準備する工程と、
   前記炭化珪素インゴットを切断して炭化珪素基板を得る工程とを備える、炭化珪素基板の製造方法。
6. 前記炭化珪素基板を得る工程では、表面に砥粒が固定されたワイヤを前記炭化珪素インゴットの前記成長方向に沿って配置された複数の切断部に接触させつつ走行させることにより前記炭化珪素インゴットが切断される、請求項５に記載の炭化珪素基板の製造方法。
7. 前記炭化珪素インゴットにおいて前記第２の端面側の部分の窒素濃度は前記第１の端面側の部分の窒素濃度よりも高くなっており、
   前記複数の切断部のうち前記第２の端面側に位置する第２の切断部には、前記複数の切断部のうち前記第１の端面側に位置する第１の切断部よりも前記ワイヤの走行方向における下流側の部分が接触する、請求項６に記載の炭化珪素基板の製造方法。
8. 前記砥粒はダイヤモンド砥粒を含む、請求項６または請求項７に記載の炭化珪素基板の製造方法。
9. 前記炭化珪素基板を得る工程では、前記炭化珪素基板の厚みが１ｍｍ以下になるように前記炭化珪素インゴットが切断される、請求項５〜請求項８のいずれか１項に記載の炭化珪素基板の製造方法。

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