TWI663297B - 碳化矽晶體及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種碳化矽晶體及其製造方法，碳化矽晶體包括一晶種層、一塊體層以及一形成於晶種層與塊體層之間的應力舒緩結構，其中晶種層、塊體層與應力舒緩結構均具有一摻雜物，且應力舒緩結構中摻雜物的濃度呈高低交替變化。藉此，能大幅降低晶體的缺陷。

Description

碳化矽晶體及其製造方法
本發明涉及一種磊晶結構及其製造方法，特別是涉及一種具有應力舒緩結構的碳化矽晶體及其製造方法。
諸如矽(Si)與砷化鎵(GaAs)等材料已被廣泛應用於半導體裝置中，然而其相對較小的能隙(室溫下Si為1.12eV且GaAs為1.42eV)和擊穿電壓不利於高功率及高頻率的應用。碳化矽(SiC)由於其優異的物理化學特性，例如寬能隙、高導熱性和導電性、高耐電壓性及高飽和電子飄移速度，被期待可以成為次世代半導體裝置所必須的材料。
SiC晶體並非天然即存在，目前大尺寸SiC單晶晶錠主要是利用物理氣相傳輸法(Physical Vapor Transportation,PVT)生長，此法是將SiC晶種(seed)配置於坩鍋內的低溫側區域且將含Si原料配置於高溫側區域，然後於坩鍋內填充惰性氣體，並加熱坩鍋至1450℃~2400℃，使高溫側區域的原料昇華而於低溫側區域的SiC晶種表面進行磊晶成長。
然而，SiC晶體的成長速度緩慢且非常複雜，加上以PVT法生長SiC晶體時須形成一定的溫度梯度，所以在製程控制上相當困難；一旦生長參數(如熱場均勻性、氣相組成等)不穩定，SiC晶體結構中將很容易有缺陷產生，包括微管缺陷(micro-pipe defect)及基面差排(basal planar dislocation)等。尤其微管缺陷被視為主要限制SiC應用的最大威脅。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種高品質的碳化矽晶體及其製造方法。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是：一種碳化矽晶體，其包括一晶種層(seed layer)、一塊體層(bulk layer)以及一形成於所述晶種層與所述塊體層之間的應力舒緩結構，其中所述晶種層、所述塊體層與所述應力舒緩結構均具有一摻雜物，且所述應力舒緩結構中摻雜物的濃度呈高低交替變化；其特徵在於，所述應力舒緩結構由多個緩衝層與一形成於多個所述緩衝層上的過渡層堆疊而成，其中最接近所述晶種層的所述緩衝層與最接近所述過渡層的所述緩衝層具有大致相同的摻雜物濃度變化趨勢，且所述過渡層中摻雜物的濃度與所述晶種層中摻雜物的濃度大致相同。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是：一種碳化矽晶體的製造方法，其在一晶種層(seed layer)上形成一塊體層(bulk layer)的步驟之前，預先形成一應力舒緩結構，其中所述晶種層、所述塊體層與所述應力舒緩結構均具有一摻雜物，且所述應力舒緩結構中摻雜物的濃度呈高低交替變化；其特徵在於，形成所述應力舒緩結構的步驟包括形成多個相互堆疊的緩衝層以及形成一過渡層於多個所述緩衝層上，並使最接近所述晶種層的所述緩衝層與最接近所述過渡層的所述緩衝層具有大致相同的摻雜物濃度變化趨勢，且所述過渡層中摻雜物的濃度與所述晶種層中摻雜物的濃度大致相同。
本發明的有益效果在於，本發明所提供的碳化矽晶體，其能通過“最接近晶種層的緩衝層與最接近過渡層的緩衝層具有大致相同的摻雜物濃度變化趨勢”及“過渡層中摻雜物的濃度與晶種層中摻雜物的濃度大致相同”的技術特徵，以有效降低晶體的缺陷密度與殘留應力，從而獲得高品質的晶體。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
100‧‧‧晶種層
102‧‧‧應力舒緩結構
1022‧‧‧漸變層
1022a‧‧‧第一緩衝層
1022b‧‧‧第二緩衝層
1024‧‧‧過渡層
104‧‧‧塊體層
200‧‧‧反應器
300‧‧‧氮氣源
400‧‧‧質流控制器
500‧‧‧氬氣源
M‧‧‧原料
圖1為本發明之碳化矽晶體的製造方法的步驟流程圖。
圖2為本發明之碳化矽晶體的製造過程示意圖。
圖3A及圖3B顯示本發明之碳化矽晶體的應力舒緩結構中摻雜物的濃度高低交替變化的其中一實施方式。
圖4為本發明之碳化矽晶體的剖面示意圖(一)。
圖5A及圖5B顯示本發明之碳化矽晶體的應力舒緩結構中摻雜物的濃度高低交替變化的另一實施方式。
圖6A及圖6B顯示本發明之碳化矽晶體的應力舒緩結構中摻雜物的濃度高低交替變化的再一實施方式。
圖7為本發明之碳化矽晶體的剖面示意圖(二)。
圖8顯示本發明之碳化矽晶體的應力舒緩結構中摻雜物的濃度高低變化的又一實施方式。
圖9、圖10A及圖10B顯示本發明之碳化矽晶體的應力舒緩結構中摻雜物的濃度高低交替變化的又另一實施方式。
圖11、圖12A及圖12B顯示本發明之碳化矽晶體的應力舒緩結構中摻雜物的濃度高低交替變化的又再一實施方式。
本發明公開的技術內容首先提到一種成長碳化矽晶體的創新方法，然後再提到利用此方法得到的碳化矽晶體的結構組成，與利用現有的物理氣相傳輸法得到的碳化矽晶體相比，本發明能降低晶體的缺陷密度與殘留應力，而得到高品質的大尺寸晶體。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“碳化矽晶體及其成長方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不 同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應理解，雖然本文中可能使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[實施例1]
請參閱圖1所示，本發明之碳化矽晶體的製造方法S100包括：步驟S102，設置晶種層與原料；步驟S104，形成應力舒緩結構於晶種層上，並使應力舒緩結構中摻雜物的濃度呈高低交替變化；以及步驟S106，形成塊體層於應力舒緩結構上。
步驟S102中，請參閱圖2所示，可以將晶種層100與原料M相對設置於反應器200內，例如將晶種層100置於反應器200的頂部，並將原料M置於反應器200的底部。晶種層100可採用SiC晶種層，而原料M可以是能提供晶體成長所需的Si和C元素的固體原料，例如SiC粉末或Si顆粒與碳粉末的混合物。另外，反應器200可採用石墨坩鍋，且反應器200的周邊可以用絕緣保溫材料包覆，並置於真空腔體中(圖中未顯示)。
步驟S104中，請參閱圖2、圖3A及圖3B所示，首先控制反應器200內的壓力大於300托耳(Torr)、溫度介於1900℃至2100℃之間，再將摻雜物以氣體形式送入反應器200內，並控制摻雜物的濃度反覆地在一大於晶種層100中摻雜物的濃度的第一濃度與晶種層100中摻雜物的濃度(或接近於此)之間連續漸增或漸減。若 將晶種層100中摻雜物的濃度當作是基準濃度，則本實施例所述應力舒緩結構102中摻雜物的濃度高低交替變化方式，指的是摻雜物的濃度反覆地在一段期間內，從基準濃度持續增加至第一濃度(如圖3A所示)，或者從第一濃度持續降低至基準濃度(如圖3B所示)。較佳地，每一個緩衝層1022中摻雜物的濃度最高不大於基準濃度的10倍。
雖然圖3A及圖3B中顯示，本實施例使用氮作為摻雜物，但是摻雜物可以根據實際需要而有不同的選擇，例如硼(B)、磷(P)或鋁(Al)，所以本發明並不限於此。
請參閱圖3A、圖3B及圖4所示，上述摻雜物濃度的連續漸變(continuously graded)可以根據實際需要重覆至少三次，且每經過一次摻雜物濃度的連續漸變即形成一緩衝層1022，其厚度大於0且小於0.1微米(μm)。更進一步地說，應力舒緩結構102包括多個緩衝層1022(至少三層)，且每一個緩衝層1022中摻雜物的濃度於其厚度方向上形成一濃度梯度分布，其是在第一濃度與基準濃度之間連續漸增或漸減。當完成所需重覆的次數後，須再以相當或接近於晶種層100中摻雜物的濃度形成過渡層1024；這樣便完成了應力舒緩結構102的製作。
值得注意的是，應力舒緩結構102的總厚度小於0.1毫米(mm)；應力舒緩結構102由多個緩衝層1022與一形成於緩衝層1022上的過渡層1024堆疊而成，其中最接近晶種層100的緩衝層1022與最接近過渡層1024的所述緩衝層1022具有大致相同的摻雜物濃度變化趨勢，且過渡層1024中摻雜物的濃度與晶種層100中摻雜物的濃度大致相同。
本實施例中，以摻雜「氮原子」為例，可由一氮氣源300向反應器200通入氮氣(N2)，並利用一質流控制器400(mass flow controller，MFC)來控制改變氮氣流量；質流控制器400能對氮氣流量進行更細緻的分級控制，如此通入反應器200的氮氣流量最 小可達到0.01sccm(standard cubic centimeter per minute)，最大可達到30,000sccm，所以能實現本實施例所述的摻雜物濃度變化。較佳地，晶種層100中的氮濃度介於約1×1015/cm3至約1×1019/cm3之間，而應力舒緩結構102中的氮濃度最大不超過晶種層100中的氮濃度的10倍。
另外，可以通過向反應器200通入惰性氣體使內部壓力達到設定的壓力，惰性氣體例如是氬氣(Ar)，且可以來自一與反應器200相連接的氬氣源500。反應器200並可以通過感應線圈(圖中未顯示)加熱而快速升溫至設定的溫度。
步驟S106中，請參閱圖2及圖4所示，於成長塊體層104時，須將反應器200內的條件改變為成長塊體層104所需的條件，包括降低反應器200內的壓力至小於100Torr，升高溫度至介於2100℃至2200℃之間，並維持氮氣流量不變，以相當或接近於晶種層100中摻雜物的濃度來形成塊體層104。塊體層104具有與晶種層100相同的晶體材料或材質，例如3C-SIC、4H-SiC或6H-SiC，且經過加工可用於製作半導體元件或作為新的晶種。
值得說明的是，本發明之碳化矽晶體的製造方法S100在晶種層100上形成塊體層104之前(即長晶初期)，預先形成了摻雜物濃度呈高低交替變化的應力舒緩結構102，因而能大幅減少晶種與晶體界面的缺陷和晶體內部的缺陷，降低晶體內部的殘留應力，並能縮短長晶時間。
[實施例2]
請參閱圖5A及圖5B所示，其顯示步驟S104中摻雜物的濃度高低交替變化的另一實施方式。本實施例與實施例1的差別是，控制摻雜物的濃度反覆地在一大於晶種層100中摻雜物的濃度的第一濃度與一小於晶種層100中摻雜物的濃度的第二濃度之間連續漸增或漸減；若將晶種層100中摻雜物的濃度當作是基準濃度， 則本實施例所述應力舒緩結構102中摻雜物的濃度高低交替變化方式，指的是摻雜物的濃度反覆地在一段期間內，從第二濃度持續增加至第一濃度(如圖5A所示)，或者從第一濃度持續降低至第二濃度(如圖5B所示)。
請配合參閱圖4，根據本實施例之應力舒緩結構102，其同樣是由多個緩衝層1022(至少三層)與一形成於緩衝層1022上的過渡層1024堆疊而成，其中每一個緩衝層1022中摻雜物的濃度於其厚度方向上形成一濃度梯度分布，其是在第一濃度與第二濃度之間連續漸增或漸減，每一個緩衝層1022的厚度大於0且小於0.1微米，且應力舒緩結構102的總厚度小於0.1毫米。
[實施例3]
請參閱圖6A及圖6B所示，其顯示步驟S104中摻雜物的濃度高低交替變化的再一實施方式。本實施例與上述實施例的差別是，交替地施加一大於晶種層中摻雜物的濃度的第一濃度與晶種層中摻雜物的濃度，或交替地施加一大於晶種層中摻雜物的濃度的第一濃度與一小於晶種層中摻雜物的濃度的第二濃度。若將晶種層100中摻雜物的濃度當作是基準濃度，則本實施例所述應力舒緩結構102中摻雜物的濃度高低交替變化方式，指的是摻雜物的濃度在一段期間內維持在第一濃度，且在後一段期間內則維持在基準濃度或第二濃度。
請參閱圖7所示，根據本實施例之應力舒緩結構102，其是由交互層疊的至少一第一緩衝層1022a以及至少一第二緩衝層1022b與一形成於第一和第二緩衝層1022a、1022b上的過渡層1024堆疊而成，第一和第二緩衝層1022a、1022b的層數加起來要至少三層。其中第一緩衝層1022a中摻雜物的濃度為定值且大於基準濃度，第二緩衝層1022b中摻雜物的濃度為定值且小於或等於基準濃度，第一和第二緩衝層1022a、1022b的厚度各大於0且小於0.1 μm，且應力舒緩結構102的總厚度小於0.1毫米。
[實施例4]
請參閱圖8所示，其顯示步驟S104中摻雜物的濃度高低變化的又一實施方式。本實施例與上述實施例的差別是，間歇性地施加一大於或等於晶種層中摻雜物的濃度的第一濃度。術語“間歇性”在這裡指的是每兩次施加摻雜物之間會相隔一段時間。
請配合參閱圖7所示，根據本實施例之應力舒緩結構102，其同樣是由交互層疊的至少一第一緩衝層1022a以及至少一第二緩衝層1022b與一形成於第一和第二緩衝層1022a、1022b上的過渡層1024堆疊而成，其中第一緩衝層1022a中摻雜物的濃度為定值且大於或等於基準濃度，第二緩衝層1022b中摻雜物的濃度趨近於0，第一和第二緩衝層1022a、1022b的厚度各大於0且小於0.1μm，且應力舒緩結構102的總厚度小於0.1毫米。
[實施例5]
請參閱圖9、圖10A及圖10B所示，其顯示步驟S104中摻雜物的濃度高低交替變化的又另一實施方式。本實施例與上述實施例的差別是，控制摻雜物的濃度反覆地在晶種層100中摻雜物的濃度與一設定的峰值濃度之間連續漸增及漸減。若將晶種層100中摻雜物的濃度當作是基準濃度，則本實施例所述應力舒緩結構102中摻雜物的濃度高低交替變化方式，指的是摻雜物的濃度在一段期間內，從基準濃度連續漸增至峰值濃度後，再從峰值濃度連續漸減至基準濃度；或者，先從峰值濃度連續漸減至基準濃度後，再從基準濃度連續漸增至峰值濃度。
值得說明的是，圖10A及圖10B中所示摻雜物的濃度高低交替變化方式與圖9中所示者相比，差別僅在摻雜物濃度的增加趨勢與降低趨勢較緩，其中圖9所示為摻雜物的濃度變化趨勢在層 內即發生改變，圖10A及圖10B所示為摻雜物的濃度變化趨勢在層間始發生改變。
請配合參閱圖4所示，根據本實施例之應力舒緩結構102，其可以是由多個緩衝層1022(至少三層)與一形成於緩衝層1022上的過渡層1024堆疊而成，其中每一個緩衝層1022中摻雜物的濃度於其厚度方向上形成一濃度梯度分布，其是從基準濃度連續漸增至一峰值濃度後，再從峰值濃度連續漸減至基準濃度，每一個緩衝層1022的厚度大於0且小於0.1微米，且應力舒緩結構102的總厚度小於0.1毫米。
請再配合參閱圖7所示，根據本實施例之應力舒緩結構102，其也可以是由交互層疊的至少一第一緩衝層1022a以及至少一第二緩衝層1022b與一形成於第一和第二緩衝層1022a、1022b上的過渡層1024堆疊而成，其中第一緩衝層1022a於其厚度方向上形成第一濃度梯度分布，第二緩衝層1022b於其厚度方向上形成不同於第一濃度梯度分布的第二濃度梯度分布，第一和第二緩衝層1022a、1022b的厚度各大於0且小於0.1μm，且應力舒緩結構102的總厚度小於0.1毫米。更進一步地說，若第一濃度梯度分布是從基準濃度連續漸增至一峰值濃度，則第二濃度梯度分布是從峰值濃度連續漸減至基準濃度；反之，若第一濃度梯度分布是從峰值濃度連續漸減至基準濃度，則第二濃度梯度分布是從基準濃度連續漸增至一峰值濃度。
[實施例6]
請參閱圖11、圖12A及圖12B所示，其顯示步驟S104中摻雜物的濃度高低交替變化的又再一實施方式。本實施例與上述實施例的差別是，控制摻雜物的濃度反覆地在一小於晶種層100中摻雜物的濃度的第二濃度與一設定的峰值濃度之間連續漸增及漸減，也就是說，本實施例所述應力舒緩結構102中摻雜物的濃度 高低交替變化方式，指的是摻雜物的濃度在一段期間內，從第二濃度連續漸增至峰值濃度後，再從峰值濃度連續漸減至第二濃度；或者，先從峰值濃度連續漸減至第二濃度後，再從第二濃度連續漸增至峰值濃度。
值得說明的是，圖12A及圖12B中所示摻雜物濃度的週期性變化方式與圖11中所示者相比，差別僅在摻雜物濃度的增加趨勢與降低趨勢較緩，其中圖11所示為摻雜物的濃度變化趨勢在層內即發生改變，圖12A及圖12B所示為摻雜物的濃度變化趨勢在層間始發生改變。
請配合參閱圖4所示，根據應力舒緩結構102，其可以是由多個緩衝層1022(至少三層)與一形成於緩衝層1022上的過渡層1024堆疊而成，其中每一個緩衝層1022中摻雜物的濃度於其厚度方向上形成一濃度梯度分布，其是從第二濃度連續漸增至一峰值濃度後，再從峰值濃度連續漸減至第二濃度，每一個緩衝層1022的厚度大於0且小於0.1微米，且應力舒緩結構102的總厚度小於0.1毫米。
請再配合參閱圖7所示，根據應力舒緩結構102，其也可以是由交互層疊的至少一第一緩衝層1022a以及至少一第二緩衝層1022b與一形成於第一和第二緩衝層1022a、1022b上的過渡層1024堆疊而成，其中第一緩衝層1022a於其厚度方向上形成第一濃度梯度分布，第二緩衝層1022b於其厚度方向上形成不同於第一濃度梯度分布的第二濃度梯度分布，第一和第二緩衝層1022a、1022b的厚度各大於0且小於0.1μm，且應力舒緩結構102的總厚度小於0.1毫米。更進一步地說，若第一濃度梯度分布是從第二濃度連續漸增至一峰值濃度，則第二濃度梯度分布是從峰值濃度連續漸減至第二濃度；反之，若第一濃度梯度分布是從峰值濃度連續漸減至第二濃度，則第二濃度梯度分布是從第二濃度連續漸增至一峰值濃度。
請參閱表一，其顯示在相同的成長條件(如溫度、壓力等)下，直接成長於晶種上的SiC晶體與通過應力舒緩結構成長於晶種上的SiC晶體的主要晶體缺陷密度的比較。表一中，對照例為直接成長於晶種上的SiC晶體，實施例1至6均為通過應力舒緩結構長於晶種上的SiC晶體，其中應力舒緩結構具有不同趨勢的摻雜物濃度變化，如前面所述。
從表1中可以看出，通過應力舒緩結構成長於晶種上的SiC晶體，其不論是基面差排缺陷密度還是微管缺陷密度，都遠遠低於直接成長於晶種上的SiC晶體，證明了本發明能有效降低晶體的缺陷密度與殘留應力，從而獲得高品質的晶體。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (15)

  1. 一種碳化矽晶體，其包括一晶種層(seed layer)、一塊體層(bulk layer)以及一形成於所述晶種層與所述塊體層之間的應力舒緩結構，其中所述晶種層、所述塊體層與所述應力舒緩結構均具有一摻雜物，且所述應力舒緩結構中摻雜物的濃度呈高低交替變化；其特徵在於，所述應力舒緩結構由至少三個緩衝層與一形成於至少三個所述緩衝層上的過渡層堆疊而成，其中最接近所述晶種層的所述緩衝層與最接近所述過渡層的所述緩衝層具有大致相同的摻雜物濃度變化趨勢，且所述過渡層中摻雜物的濃度與所述晶種層中摻雜物的濃度大致相同。
  2. 如請求項1所述的碳化矽晶體，其中，每一個所述緩衝層的厚度大於0且小於0.1μm。
  3. 如請求項2所述的碳化矽晶體，其中，所述應力舒緩結構的厚度小於0.1mm。
  4. 如請求項1所述的碳化矽晶體，其中，每一個所述緩衝層中摻雜物的濃度於其厚度方向上形成一濃度梯度分布。
  5. 如請求項4所述的碳化矽晶體，其中，定義所述晶種層中摻雜物的濃度為一基準濃度，所述濃度梯度分布係在一大於所述基準濃度的第一濃度與所述基準濃度之間連續漸增或漸減。
  6. 如請求項4所述的碳化矽晶體，其中，定義所述晶種層中摻雜物的濃度為一基準濃度，所述濃度梯度分布係在一大於或等於所述基準濃度的第一濃度與一小於所述基準濃度的第二濃度之間連續漸增或漸減。
  7. 如請求項4所述的碳化矽晶體，其中，定義所述晶種層中摻雜物的濃度為一基準濃度，所述濃度梯度分布係從所述基準濃度連續漸增至一峰值濃度後，再從所述峰值濃度連續漸減至所述基準濃度。
  8. 如請求項4所述的碳化矽晶體，其中，所述濃度梯度分布係從一小於所述基準濃度的第二濃度連續漸增至一峰值濃度後，再從所述峰值濃度連續漸減至所述第二濃度。
  9. 如請求項1所述的碳化矽晶體，其中，定義所述晶種層中摻雜物的濃度為一基準濃度，任一所述緩衝層中摻雜物的濃度大於所述基準濃度，另一相鄰的所述緩衝層中摻雜物的濃度小於或等於所述基準濃度。
  10. 如請求項1所述的碳化矽晶體，其中，定義所述晶種層中摻雜物的濃度為一基準濃度，任一所述緩衝層中摻雜物的濃度大於或等於所述基準濃度，另一相鄰的所述緩衝層中摻雜物的濃度趨近於0。
  11. 如請求項1所述的碳化矽晶體，其中，定義所述晶種層中摻雜物的濃度為一基準濃度，每一個所述緩衝層中摻雜物的濃度最高不大於所述基準濃度的10倍。
  12. 如請求項1至11中任一項所述的碳化矽晶體，其中，所述塊體層的微管缺陷密度小於0.2cm-2。
  13. 如請求項1至11中任一項所述的碳化矽晶體，其中，所述塊體層的基面差排缺陷密度小於500cm-2。
  14. 一種碳化矽晶體的製造方法，其在一晶種層(seed layer)上形成一塊體層(bulk layer)的步驟之前，預先形成一應力舒緩結構，其中所述晶種層、所述塊體層與所述應力舒緩結構均具有一摻雜物，且所述應力舒緩結構中摻雜物的濃度呈高低交替變化；其特徵在於，形成所述應力舒緩結構的步驟包括形成至少三個相互堆疊的緩衝層以及形成一過渡層於至少三個所述緩衝層上，並使最接近所述晶種層的所述緩衝層與最接近所述過渡層的所述緩衝層具有大致相同的摻雜物濃度變化趨勢，且所述過渡層中摻雜物的濃度與所述晶種層中摻雜物的濃度大致相同。
  15. 如請求項14所述的碳化矽晶體的製造方法，其中，所述應力舒緩結構於至少大於300torr的壓力下形成。
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