JP2016052961A - 炭化珪素単結晶、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】P型の炭化珪素単結晶において、低欠陥密度化及び低抵抗率化を実現可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置の製造方法は、炭化珪素、アルミニウム及びホウ素を含む原料2を調整する工程と、窒素を含むN型SiC種結晶1上に、調整された原料2から、アルミニウム及びホウ素を含むP型SiC単結晶4を成長させる工程とを備える。N型SiC種結晶1の窒素濃度と、P型SiC単結晶4のアルミニウム濃度及びホウ素濃度とが、予め定められた関係式を満たす。【選択図】図1
Description
本発明は、炭化珪素単結晶、及び、炭化珪素単結晶の製造方法に関する。
炭化珪素(SiC)は、熱的・化学的に優れた特性を有し、また、禁制帯幅が珪素(Si)半導体に比べ大きく電気的にも優れた特性を有する半導体材料として知られている。特に4H型の炭化珪素は、絶縁破壊電界、電子移動度や飽和電子速度が大きいことから、低損失パワーデバイス向け半導体材料として実用化が始まっている。また、近年の電力需要の増加と省エネルギー化というニーズを満足するために、発電所または変電所などの大電力を扱う設備においてもSiCパワーデバイスの適用が検討されている。このような大電力設備では耐圧10kV以上の超高耐圧デバイスが必要であることから、SiCからなるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等のバイポーラデバイスを用いることが必要となると考えられる。
SiCパワーデバイスの材料であるSiC単結晶を得る方法として、SiCを含む原料を加熱して昇華し、種結晶上にSiCの単結晶を成長(結晶化)させる改良レイリー法(昇華法)が広く用いられている。その単結晶をスライスして基板を形成することにより、現在、直径100mmまでの基板が市販されており、直径150mmの基板も製品化されつつある。しかしながら、高品質な半導体デバイス用途として用いるためには、単結晶(基板)の欠陥密度をより低減することが望まれている。
さて、上述のようなSiCパワーデバイスを作成するためにはデバイス構造にもよるが、N型単結晶(基板)のみならず、P型単結晶(基板)も必要となることがある。そして、いずれの伝導型でも低抵抗率、かつ低欠陥密度であることが望まれている。
このうち、N型SiC単結晶については製造が容易であることから、すでに多くの研究が進められており、低欠陥密度化の方法、低コスト化の方法、低抵抗率化などについて数多く報告されている。例えば、昇華法などにおいてN型SiC単結晶の成長中に、N型ドーパントとして働く窒素ガスを混入すると欠陥密度を高くしてしまうが、窒素に加えてヒ素も混入することにより結晶多形を安定化する技術が開示されている。このような技術によれば、N型4H−SiCを容易に製造することができ、結晶欠陥が少ないN型4H−SiC単結晶や種結晶を形成することが可能となっている。
なお、P型SiC単結晶の製造方法については、例えば特許文献2などの技術が開示されている。
しかしながら、P型SiC単結晶の製造方法については、十分に研究が進められておらず、低欠陥密度化及び低抵抗率化が十分ではないという問題がある。
具体的には、P型SiC単結晶を製造する際のP型ドーパントとしては、Si原子を置換するアルミニウム(Al)が好適であると考えられる。これは、Alのアクセプタ準位が浅いため、少ないドーピング濃度でも低抵抗率のP型SiC単結晶を形成することができるためである。しかしながら、従来技術では、AlがドーピングされたP型4H−SiCの結晶多形の安定性が低いことから、低抵抗率化は可能であっても、結晶欠陥の少ないP型4H−SiC単結晶を形成することは困難であった。
そこで、本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、P型の炭化珪素単結晶において、低欠陥密度化及び低抵抗率化を実現可能な技術を提供することを目的とする。
本発明に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、(a)炭化珪素、アルミニウム及びホウ素を含む原料を調整する工程と、(b)窒素を含むN型の炭化珪素種結晶上に、前記工程(a)で調整された前記原料から、アルミニウム及びホウ素を含むP型の炭化珪素単結晶を成長させる工程とを備え、前記炭化珪素種結晶の窒素濃度をD1Nとし、前記工程(b)で成長した前記炭化珪素単結晶の予め定められた高さよりも低い部分において、アルミニウム濃度及びホウ素濃度をそれぞれD1Al及びD1Bとした場合に、
D1Al=a×D1B+b×D1N
ただし、1.5≦a≦2.5、0.1≦b≦0.6
を満たすように前記工程(a)及び前記工程(b)を実施する。
D1Al=a×D1B+b×D1N
ただし、1.5≦a≦2.5、0.1≦b≦0.6
を満たすように前記工程(a)及び前記工程(b)を実施する。
本発明によれば、P型の炭化珪素単結晶において、低欠陥密度化及び低抵抗率化を実現することができる。
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態1に係るP型の炭化炭素(SiC)単結晶の製造方法を示す図である。この図1では、4H型のP型SiC単結晶4がインゴットとしてSiC種結晶1(炭化珪素種結晶)上に形成される昇華法が示されている。
図1は、本発明の実施の形態1に係るP型の炭化炭素(SiC)単結晶の製造方法を示す図である。この図1では、4H型のP型SiC単結晶4がインゴットとしてSiC種結晶1(炭化珪素種結晶)上に形成される昇華法が示されている。
まず、SiC粉末、アルミニウム(Al)及びホウ素(B)を含む原料2を調整する工程を実施する。本実施の形態1では、この工程にて、原料2のAl濃度を100ppm以上350ppm以下に調整し、原料2のB濃度を0.01%以上0.1%以下に調整する。実際に実施した工程では、原料2のAl濃度を200ppm、B濃度を0.05%に調整した。
昇華法では、原料2の調整工程の際に、原料2とSiC種結晶1とを離間させて坩堝3内に配置する。図1では、これらの配置の一例として、原料2が、坩堝3内の空間下側に配置され、SiC種結晶1が、当該空間上側に配置されることによって、これらが対向配置されている。
SiC種結晶1は、窒素(N)を含むN型のSiC結晶である(以下、SiC種結晶1を「N型SiC種結晶1」と記す)。本実施の形態1では、N型SiC種結晶1の窒素濃度は1×1018/cm3以上である。実際に実施した工程では、N型SiC種結晶1の窒素濃度は3×1019/cm3とした。
また、本実施の形態1では、N型SiC種結晶1がN型SiC種結晶1はAl及びBをさらに含んでいる場合であっても、N型SiC種結晶1のAl濃度は、1×1017/cm3未満であり、そのB濃度は、5×1017/cm3未満であるものとする。また、N型SiC種結晶1には、例えば4H−SiCを用い、N型SiC種結晶1の、P型SiC単結晶4が成長する面には(000−1)カーボン面を用いるものとする。
坩堝3の材質には、高周波誘導加熱によって加熱されるように導電性を有し、かつ高温に耐えうる材質(例えばグラファイト)を用いる。坩堝3の形状には、上記誘導加熱による表皮効果に起因する温度不均一を抑制可能にするとともに、加工が容易である形状(例えば円筒状)を用いる。
以上のようにN型SiC種結晶1及び原料2を坩堝3内に配置した後、断熱材(図示せず)で坩堝3を覆う。この断熱材は、後の加熱工程において坩堝3からの熱輻射を抑制し、効率よく坩堝3を加熱するためのものである。断熱材には、導電性が低く、かつ高温に耐えうる断熱材(例えばグラファイト断熱材)を用いる。
次に、断熱材で覆われた坩堝3を結晶成長炉内に配置する。そして、結晶成長炉内を8.0×10−5Paまで真空引きした後、炉内を不活性ガスであるアルゴン(Ar)で満たすパージを行う。実際に実施した工程では、このArパージの工程を3回繰り返した。
それから、誘導コイル(図示せず)からの高周波によって坩堝3を誘導加熱し、それによって原料2を加熱して原料2を昇華させる。なお、坩堝3と誘導コイルとの位置関係を予め調整しておくことにより、坩堝3の下部を最も高温にする。これにより、坩堝3のN型SiC種結晶1側の上部と、坩堝3の原料2側の下部との間に温度勾配が形成される。
次に、上述の昇華を行うための加熱の一例について説明する。まず、坩堝3の下部の温度が1200℃になるまで、炉内圧力を1Pa程に維持した後、炉内にArを充填して80kPaまで炉内圧力を増加させる。炉内圧力を維持したまま、坩堝3の下部の温度が2350℃(パイロメーターにより測定)になるまで坩堝3を加熱する。以上により、SiC等を含む原料2が昇華する。
以上の原料2の昇華後に、N型SiC種結晶1上に、昇華された原料2(調整された原料2)から、P型SiC単結晶4を成長させる。実際に実施した工程では、上述のように坩堝3の下部の温度を2350℃にした後、炉内圧力を徐々に減圧し、炉内圧力が2.6kPaとなった時点で、P型SiC単結晶4の成長が開始した。
一定時間(例えば40時間)の結晶成長工程を実施した後、炉内圧力を例えば90kPaにまで昇圧し、その圧力を維持したまま坩堝3の温度を室温まで下げる。その後、坩堝3を結晶成長炉から取り出し、坩堝3を解体してインゴット(P型SiC単結晶4)を取り出す。実際に実施した工程では、中心部の高さが10mmほどのインゴットが成長していた。このインゴットとN型SiC種結晶1との境界面と平行方向に、インゴットを厚さ1mmでスライスすることにより、ウェハー5a,5bを形成する。ウェハー5aはN型SiC種結晶1に最も近いウェハーであり、ウェハー5bはSiCから最も離れたウェハーである。
二次イオン質量分析法(SIMS)により、実際の工程で形成されたウェハー5a,5bの不純物濃度を測定した。ウェハー5aにおける、Al濃度は1.1×1019/cm3であり、B濃度は1×1018/cm3であった。ウェハー5bにおける、Al濃度は8.0×1018/cm3であり、B濃度は8.5×1017/cm3であった。ウェハー5a,5bの窒素濃度はいずれも5×1016/cm3未満であった。
ラマン散乱分光法でウェハー5a,5bの結晶多形を評価したところ、いずれも4H−SiCであることが確認できた。また、ホール効果測定により、ウェハー5bの抵抗率を算出したところ、600〜800mΩcmであり、抵抗率が小さいことが確認できた。
次に、溶解KOH(水酸化カリウム)エッチングを行い、転位密度を評価した。ウェハー5a,5bの(0001)シリコン面を研削加工して、CMP(Chemical Mechanical Polishing)加工した後、約500℃に加熱した溶解KOHの中に5分間浸すことにより、エッチピットを形成し、その数より密度を算出した。その結果、ウェハー5aでの転位密度は約5000/cm2であり、ウェハー5bでの転位密度は3500/cm2であった。ウェハー5aよりもウェハー5bの転位密度が少なくなったのは、N型SiC種結晶1から離れるにつれて、N型SiC種結晶1とP型SiC単結晶4との格子定数の差に起因する応力(以下「格子定数起因応力」と記す)が小さくなるためであると考えられる。
すなわち、4H型のP型SiC単結晶が不安定になって欠陥密度が高くなる原因は、P型SiC単結晶4の原料ガスに、ドーパント原子であるAl組成の存在によりSiC中のSiの割合が小さくなること、あるいは、ドーパント原子であるAlと、Alに置換されるSiとの原子半径の差により結晶内に応力が発生するためであると考えられる。
例えば、窒素原子はC原子より格子定数が小さいため、窒素のドーピング濃度が増加すると、格子定数が短くなる。一方、Al原子はSi原子より格子定数が大きいため、Alのドーピング濃度が増加すると、格子定数が長くなる。このため、窒素を含むN型SiC種結晶上に、Alを含むP型SiC単結晶を成長させると、大きな格子定数差に応じた大きな応力が発生し、4H型のP型SiC単結晶の欠陥密度が高くなると考えられる。本実施の形態1によれば、以下で説明するように、応力を抑制することが可能となっている。
まず、ドーパント原子がSiCの各原子を置換する場合において、体積変化により発生する応力Fは、古典弾性理論から導出される次式(1)により算出することが可能である。
F=2.78×D×(Rs 3−Rh 3) ・・・(1)
RsはSiCと置換されるドーパント原子の共有結合半径であり、Rhはドーパント原子に置換されるSiCの原子の共有結合半径であり、Dは不純物原子の濃度である。
RsはSiCと置換されるドーパント原子の共有結合半径であり、Rhはドーパント原子に置換されるSiCの原子の共有結合半径であり、Dは不純物原子の濃度である。
各原子の共有結合半径は文献によると、Si:0.111nm、C:0.077nm、N:0.071nm、Al:0.121nm、B:0.084nmと報告されている。
このため、SiをAlに置換した場合に生じる応力FAlは、上式(1)において、DにAlの濃度DAlを、Rsに0.121nmを、Rhに0.111nmを代入したFとして算出される。AlはSiよりも共有結合半径が大きいので、応力FAlはSiCの格子定数を小さくするように作用する。
同様に、SiをBに置換した場合に生じる応力FBは、上式(1)において、DにBの濃度DBを、Rsに0.084nmを、Rhに0.111nmを代入したFとして算出される。BはSiよりも共有結合半径が小さいので、応力FBはSiCの格子定数を大きくするように作用する。
同様に、Cを窒素に置換した場合に生じる応力FNは、上式(1)において、Dに窒素の濃度DNを、Rsに0.071nmを、Rhに0.077nmを代入したFとして算出される。窒素はCよりも共有結合半径が小さいので、応力FNはSiCの格子定数を大きくするように作用する。
N型SiC種結晶1の応力とP型SiC単結晶4の応力とが打ち消し合って、格子定数起因応力がキャンセルする、つまり、次式(2)が満たされれば、P型SiC単結晶4における欠陥密度の低減が期待できる。
FAl=FB+FN ・・・(2)
この式(2)に、各ドーピングの共有結合半径の値と、各ドーピングの濃度(DAl、DB、DN)の値とを適用した応力FAl,FB,FNを代入すれば、次式(3)が得られる。
DAl=1.86×DB+0.24×DN ・・・(3)
原料2を調整したり、坩堝3の温度分布を調整したりすることにより、P型SiC単結晶4のAl濃度DAl及びB濃度DBを調整することができる。そこで、本実施の形態1では、N型SiC種結晶1の窒素濃度をD1Nとし、成長工程で成長したP型SiC単結晶4の予め定められた高さよりも低い部分において、Al濃度及びB濃度をそれぞれD1Al及びD1Bとした場合に、次式(4)を満たすように、原料2の調整工程とP型SiC単結晶4の成長工程とを実施する。なお、ここでいう予め定められた高さは、N型SiC種結晶1の厚みの3倍の高さ(例えば10mm)である。また、本実施の形態1では、P型SiC単結晶4は、予め定められた高さよりも低い部分のみからなる。
D1Al=a×D1B+b×D1N ・・・(4)
ただし、1.5≦a≦2.5、0.1≦b≦0.6
ただし、1.5≦a≦2.5、0.1≦b≦0.6
理論的にはa=1.86、b=0.24であることが好ましく、現実的にはa=2、b=0.3であることが好ましい。しかしながら、実際の製造工程ではドーピング濃度の精密制御が困難であることから、D1Bの係数a、D1Nの係数bに幅を持たせている。
なお、上述のウェハー5aのAl濃度(1.1×1019/cm3)、B濃度(1×1018/cm3)、N型SiC種結晶1の窒素濃度(3×1019/cm3)を、それぞれD1Al、D1B、D1Nとした場合には、D1Al=2×D1B+0.3×D1Nであり、上式(4)が満たされている。また、上述のウェハー5bのAl濃度(8.0×1018/cm3)、B濃度(8.5×1017/cm3)、N型SiC種結晶1の窒素濃度(3×1019/cm3)を、それぞれD1Al、D1B、D1Nとした場合には、D1Al=2×D1B+0.21×D1Nであり、上式(4)が満たされている。
<実施の形態1のまとめ>
以上のような本実施の形態1に係る炭化珪素単結晶の製造方法によれば、上式(4)を満たす4H型のP型SiC単結晶4を形成することができる。したがって、ドーパント原子の半径の差により生じる格子定数起因応力を低減することができるので、低欠陥密度のP型SiC単結晶4を形成することが可能となる。また、AlをP型ドーパントとして用いるので、低抵抗率化も実現することができる。
以上のような本実施の形態1に係る炭化珪素単結晶の製造方法によれば、上式(4)を満たす4H型のP型SiC単結晶4を形成することができる。したがって、ドーパント原子の半径の差により生じる格子定数起因応力を低減することができるので、低欠陥密度のP型SiC単結晶4を形成することが可能となる。また、AlをP型ドーパントとして用いるので、低抵抗率化も実現することができる。
なお、成長するインゴット(P型SiC単結晶4)の口径が大きくなるほど、成長中のP型SiC単結晶4において熱応力が大きくなりやすいので、格子定数起因応力を低減するために、断面における係数a,bのばらつきは抑制されることが好ましい。
また、本実施の形態1によれば、N型SiC種結晶1のAl濃度は1×1017/cm3未満であり、B濃度は5×1017/cm3未満である。このようにN型SiC種結晶1の不純物を少なくすることにより、格子定数起因応力を低減することができるので、低欠陥密度のP型SiC単結晶4を形成することが可能となる。
また、本実施の形態1によれば、N型SiC種結晶1の窒素濃度は1×1018/cm3以上である。N型SiC種結晶1の窒素濃度を高くすれば、4H−SiCを安定して成長させることができるので、低欠陥密度のP型SiC単結晶4を形成することが可能となる。また、例えば、P型SiC単結晶4のAlドーピング濃度を高くすることにより低抵抗率化も可能となる。
また、本実施の形態1によれば、調整工程にて、原料2のAl濃度を100ppm以上350ppm以下に調整し、原料2のB濃度を0.01%以上0.1%以下に調整する。これらの範囲においては、上式(4)を満たすP型SiC単結晶4を形成する可能性を高めることができる。なお、P型SiC単結晶4の不純物濃度は、原料2だけでなく、坩堝3の材料からの影響も受けるので、坩堝3の材料からの影響を事前に考慮して原料2の不純物濃度を決定することが好ましい。
なお、ウェハー5a及びウェハー5bのAl濃度が、それぞれ1.1×1019/cm3及び8.0×1018/cm3であったことから、インゴットにおいて高さ方向に沿ったAl濃度の変化は、3.0×1018/cm4であった。また、ウェハー5a及びウェハー5bのB濃度が、それぞれ1×1018/cm3及び8.5×1017/cm3であったことから、インゴットにおいて高さ方向に沿ったB濃度の変化は、1.5×1017/cm4であった。
つまり、P型SiC単結晶4において、高さ方向に沿ったAl濃度の変化は6×1018/cm4未満であり、そのB濃度の変化は3×1017/cm4未満であった。このようにインゴット(P型SiC単結晶4)、ひいては当該インゴットから切り出したウェハー内におけるドーピング原子の濃度変化(濃度勾配)を少なくすることにより、インゴット及びウェハーにおける格子定数起因応力を緩和することが可能となる。なお、格子定数起因応力を緩和する観点から、高さ方向だけでなく、インゴットの径方向及びその他の任意の方向においても同様に、ドーピング原子の濃度変化を上記値未満で制御することが好ましい。
また、上述のように、P型SiC単結晶4の成長前における真空引きは、炉内圧力が1×10−5Pa未満となるまで実施し、Arパージを数回実施してから、1200℃まで真空で昇温することが好ましい。このような工程によれば、炉内に残留する窒素の密度を低減することができるので、P型SiC単結晶4の不純物濃度を制御性良く制御することが可能となる。
また、N型SiC種結晶1の窒素濃度は比較的高いので、P型SiC単結晶4の成長前の昇温工程等においてN型SiC種結晶1がエッチングされると、炉内雰囲気に窒素が放出され、P型SiC単結晶4に取り込まれ、P型SiC単結晶4の応力を増加させることになる。このため、P型SiC単結晶4を形成する際には、N型SiC種結晶1のエッチングをなるべく防止することが望ましい。
<実施の形態2>
図2は、本発明の実施の形態2に係るP型のSiC単結晶の製造方法を示す図である。なお、本実施の形態2に係るP型SiC単結晶の製造方法において、実施の形態1で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ参照符号を付し、異なる部分について主に説明する。
図2は、本発明の実施の形態2に係るP型のSiC単結晶の製造方法を示す図である。なお、本実施の形態2に係るP型SiC単結晶の製造方法において、実施の形態1で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ参照符号を付し、異なる部分について主に説明する。
本実施の形態2では、原料2のAl濃度及びB濃度の少なくともいずれか1つを含む不純物濃度が、坩堝3内の位置に応じて二段階で異なっている。ここでは、原料2の高温部分から原料2が優先的に昇華することに鑑みて、原料2の調整工程の際に、加熱されやすい坩堝3の低部側にAl濃度及びB濃度が低い原料2(以下「原料2a」と記す)を配置し、加熱されにくい原料2aの上(原料2aよりもN型SiC種結晶1側)にAl濃度及びB濃度が高い原料2(以下「原料2b」と記す)を配置する。実際に実施した工程では、原料2aのAl濃度を200ppmとし、B濃度を0.05%とし、原料2bのAl濃度を240ppmとし、B濃度を0.08%とした。
ここで、通常であれば、Al蒸気圧はSiCが昇華して発生するSiの分圧より高いため、P型SiC単結晶4が成長するにつれて、Al蒸気圧が不足する。この結果、P型SiC単結晶4のうち工程時間の終盤に成長した部分では、Al濃度が不足する。これに対して、本実施の形態2では、上述のように原料2のAl濃度及びB濃度が坩堝3内の位置に応じて異なるので、長尺インゴット成長時のAl濃度の不足を抑制することができる。
原料2のドーピング濃度の変更、N型SiC種結晶1の厚み、及び、結晶成長時間(例えば70時間)以外は、実施の形態1と同様の条件でP型SiC単結晶4を成長させる。それによって実際に得られたP型SiC単結晶4は、上述の予め定められた高さ、つまりN型SiC種結晶1の厚みの3倍の高さ(例えば10mm)よりも高い部分を有していた。
結晶成長後、実施の形態1と同様にして、坩堝3を結晶成長炉から取り出し、坩堝3を解体してインゴット(P型SiC単結晶4)を取り出す。実際に実施した工程では、中心部の高さが16mmほどのインゴットが成長していた。このインゴットを実施の形態1と同様にスライスすることにより、ウェハー5a,5bを得た。
ウェハー5aのAl濃度は1.1×1019/cm3であり、そのB濃度は1×1018/cm3であった。実施の形態1に係るウェハー5bよりもN型SiC種結晶1から離れた本実施の形態2に係るウェハー5bのAl濃度は、7.0×1018/cm3であり、そのB濃度は1.8×1018/cm3であった。このことから分かるように、P型SiC単結晶4のB濃度は、工程時間の後側に成長した部分のほうが増加していた。なお、ウェハー5a,5bの窒素濃度はいずれも5×1016/cm3未満であった。
ラマン散乱分光法でウェハー5a,5bの結晶多形を評価したところ、いずれも4H−SiCであることが確認できた。また、ホール効果測定により、ウェハー5bの抵抗率を算出したところ、600〜900mΩcmと小さいことが確認できた。
比較のために、Al濃度及びB濃度が坩堝3内の位置に関わらず均一なSiCの原料(Al濃度:200ppm、B濃度:0.05%)を用いて、中心部の高さが16mmほどのインゴットを成長した。このインゴットのトップ部分(ウェハー5bに対応する部分)のAl濃度は3.0×1018/cm3、B濃度は8.7×1017/cm3であり、抵抗率は1500〜2300mΩcmと大きかった。これらの比較から分かるように、原料2のドーパント濃度が部分的に異なる本実施の形態2に係る製造方法によれば、インゴットのトップ部分(長尺部分)におけるAl濃度低下の抑制に有効であることが確認できた。
次に、エッチピットの密度を、実施の形態1と同様の方法で確認した。ウェハー5bでの転位密度は3500/cm2であり、実施の形態1と同様に欠陥密度が低いことが確認できた。
インゴット(P型SiC単結晶4)のうち、上述の予め定められた高さよりも高い部分(トップ部分)では、N型SiC種結晶1の窒素濃度による格子定数の変化の影響がほぼなくなる。そこで、本実施の形態2では、成長工程で成長したP型SiC単結晶4のトップ部分において、アルミニウム濃度及びホウ素濃度をそれぞれD2Al及びD2Bとした場合に、上式(4)を変形した次式(5)を満たすように、原料2の調整工程とP型SiC単結晶4の成長工程とを実施する。
D2Al=c×D2B ・・・(5)
ただし、0.8≦c≦4.0
ただし、0.8≦c≦4.0
この式(5)は、インゴット内のみで格子定数起因応力を緩和することを意味する。このため、長尺化時において格子定数起因応力を緩和することが可能である。本実施の形態2では、N型SiC種結晶1の厚みは2mmであり、この5倍の厚み以上の高さを有するインゴット(P型SiC単結晶4)を、上式(5)を満たすように成長させた。なお、実際の工程においてドーピング濃度の精密制御が困難であることから、D2Bの係数cに幅を持たせているが、c=2であることが好ましい。
<実施の形態2のまとめ>
以上のような本実施の形態2に係る炭化珪素単結晶の製造方法によれば、トップ部分が上式(5)を満たす4H型のP型SiC単結晶4を形成することができる。したがって、長尺化されたP型SiC単結晶4においても、低欠陥密度化を実現することが可能である。
以上のような本実施の形態2に係る炭化珪素単結晶の製造方法によれば、トップ部分が上式(5)を満たす4H型のP型SiC単結晶4を形成することができる。したがって、長尺化されたP型SiC単結晶4においても、低欠陥密度化を実現することが可能である。
また、本実施の形態2では、原料2の調整工程にて、原料2の不純物濃度が坩堝3内の位置に応じて異なるように、原料2が坩堝3内に配置されている。そして、例えば、加熱されやすい坩堝3の低部側に不純物濃度が低い原料2aを配置し、加熱されにくい原料2aの上(原料2aよりもN型SiC種結晶側)に不純物濃度が高い原料2bを配置することによって、不純物濃度が高くなる順に原料2を加熱して昇華する。このような製造方法によれば、長尺化されたP型SiC単結晶4を形成する際に、P型SiC単結晶4のトップ部分におけるAl濃度(Al蒸気圧)の不足を解消することができる。
なお、以上の説明では、原料2の不純物濃度が、坩堝3内の位置に応じて二段階で異なっていた。しかし、原料2の不純物濃度が、坩堝3内の位置に応じて段階的に異なっていればよく、例えば三段階以上で異なってもよい。また、原料2の不純物濃度が、坩堝3内の位置に応じて連続的に異なってもよい。また、図3に示すように、不純物濃度が低い原料2aを坩堝3内の側壁側にも配置してもよい。いずれの場合にも、高温になる箇所に低ドーピング濃度の原料2を配置し、低温になる箇所に高ドーピング濃度の原料2を配置すればよい。
なお、加熱時における原料2の温度分布を実測することは困難であるが、シミュレーションにより詳細な解析が可能であり、この解析結果に基づき、ドーピング濃度が異なる原料2の配置箇所を決定することが好ましい。また、長尺化時に十分なAl濃度を維持するために、各段階の原料2の不純物濃度の差は15%以上であることが好ましい。このように構成した場合には、長尺化時に十分なAl蒸気圧を維持することができる。
なお、P型SiC単結晶4の成長中に、誘導コイルと坩堝3との相対位置を変化させて、原料2の加熱箇所を変更することにより、Al濃度及びB濃度が高くなる順に原料2を加熱してもよい。これにより、Al濃度(Al蒸気圧)を制御することができ、P型SiC単結晶4のAl濃度の均一化が期待できる。
<その他>
以上の説明では、P型SiC単結晶4として、P型4H−SiC単結晶を製造する方法について説明した。しかしこれに限ったものではなく、P型SiC単結晶4として、他の結晶多形の単結晶を製造することも可能である。例えば、N型SiC種結晶1に6H−SiCのシリコン面を用い、温度、圧力などの成長条件を変更すれば、P型6H−SiC単結晶を製造することが可能である。
以上の説明では、P型SiC単結晶4として、P型4H−SiC単結晶を製造する方法について説明した。しかしこれに限ったものではなく、P型SiC単結晶4として、他の結晶多形の単結晶を製造することも可能である。例えば、N型SiC種結晶1に6H−SiCのシリコン面を用い、温度、圧力などの成長条件を変更すれば、P型6H−SiC単結晶を製造することが可能である。
また、以上に説明した製造方法は、昇華法に限ったものではなく、例えば、高温CVD(Chemical Vapor Deposition)法または溶液成長法などの他の結晶成長方法においても同様に適用することができる。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
1 N型SiC種結晶、2,2a,2b 原料、3 坩堝、4 P型SiC単結晶。
Claims (9)
- (a)炭化珪素、アルミニウム及びホウ素を含む原料を調整する工程と、
(b)窒素を含むN型の炭化珪素種結晶上に、前記工程(a)で調整された前記原料から、アルミニウム及びホウ素を含むP型の炭化珪素単結晶を成長させる工程と
を備え、
前記炭化珪素種結晶の窒素濃度をD1Nとし、前記工程(b)で成長した前記炭化珪素単結晶の予め定められた高さよりも低い部分において、アルミニウム濃度及びホウ素濃度をそれぞれD1Al及びD1Bとした場合に、
D1Al=a×D1B+b×D1N
ただし、1.5≦a≦2.5、0.1≦b≦0.6
を満たすように前記工程(a)及び前記工程(b)を実施する、炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記工程(b)で成長した前記炭化珪素単結晶の前記予め定められた高さよりも高い部分において、アルミニウム濃度及びホウ素濃度をそれぞれD2Al及びD2Bとした場合に、
D2Al=c×D2B
ただし、0.8≦c≦4.0
を満たすように前記工程(a)及び前記工程(b)を実施する、炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記炭化珪素種結晶がアルミニウム及びホウ素をさらに含んでいる場合であっても、前記炭化珪素種結晶のアルミニウム濃度は1×1017/cm3未満であり、ホウ素濃度は5×1017/cm3未満である、炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1から請求項3のうちいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記炭化珪素種結晶の窒素濃度は1×1018/cm3以上である、炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1から請求項4のうちいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記工程(a)にて、前記原料のアルミニウム濃度を100ppm以上350ppm以下に調整し、前記原料のホウ素濃度を0.01%以上0.1%以下に調整する、炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1から請求項5のうちいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記工程(b)で成長した前記炭化珪素単結晶において、予め定められた方向に沿ったアルミニウム濃度の変化は6×1018/cm4未満であり、ホウ素濃度の変化は3×1017/cm4未満である、炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1から請求項6のうちいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記工程(a)にて、前記原料のアルミニウム濃度及びホウ素濃度の少なくともいずれか1つを含む不純物濃度が坩堝内の位置に応じて異なるように、前記原料を前記坩堝内に配置し、
前記工程(b)にて、前記不純物濃度が高くなる順に前記原料を加熱する、炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項7に記載の炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記工程(a)にて、前記不純物濃度が坩堝内の位置に応じて段階的に異なるように、前記原料を配置し、
各段階の前記原料の前記不純物濃度の差は15%以上である、炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1から請求項8のうちいずれか1項に記載の炭化珪素単結晶の製造方法によって形成された、4H型の炭化珪素単結晶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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---|---|---|---|---|
JP2017202957A (ja) * | 2016-05-12 | 2017-11-16 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶及びその製造方法 |
WO2018128797A1 (en) * | 2017-01-04 | 2018-07-12 | Cree, Inc. | Stabilized, high-doped silicon carbide |
JP2020090416A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶の評価用サンプル取得方法 |
KR102195325B1 (ko) * | 2020-06-16 | 2020-12-24 | 에스케이씨 주식회사 | 탄화규소 잉곳, 웨이퍼 및 이의 제조방법 |
US12006591B2 (en) | 2020-09-23 | 2024-06-11 | Ii-Vi Advanced Materials, Llc | Method for preparing an aluminum doped silicon carbide crystal by providing a compound including aluminum and oxygen in a capsule comprised of a first and second material |
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017202957A (ja) * | 2016-05-12 | 2017-11-16 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶及びその製造方法 |
KR20170128081A (ko) * | 2016-05-12 | 2017-11-22 | 도요타 지도샤(주) | SiC 단결정 및 그 제조 방법 |
US11371163B2 (en) | 2017-01-04 | 2022-06-28 | Wolfspeed, Inc. | Stabilized, high-doped silicon carbide |
CN110268104A (zh) * | 2017-01-04 | 2019-09-20 | 克里公司 | 稳定的高掺杂碳化硅 |
US10577720B2 (en) | 2017-01-04 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Stabilized, high-doped silicon carbide |
CN110268104B (zh) * | 2017-01-04 | 2021-11-16 | 克里公司 | 稳定的高掺杂碳化硅 |
WO2018128797A1 (en) * | 2017-01-04 | 2018-07-12 | Cree, Inc. | Stabilized, high-doped silicon carbide |
JP2020090416A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶の評価用サンプル取得方法 |
CN111272505A (zh) * | 2018-12-05 | 2020-06-12 | 昭和电工株式会社 | SiC单晶的评价用样品取得方法 |
JP7170521B2 (ja) | 2018-12-05 | 2022-11-14 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶の評価用サンプル取得方法 |
US11815437B2 (en) | 2018-12-05 | 2023-11-14 | Resonac Corporation | Method of acquiring sample for evaluation of SiC single crystal |
KR102195325B1 (ko) * | 2020-06-16 | 2020-12-24 | 에스케이씨 주식회사 | 탄화규소 잉곳, 웨이퍼 및 이의 제조방법 |
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US12006591B2 (en) | 2020-09-23 | 2024-06-11 | Ii-Vi Advanced Materials, Llc | Method for preparing an aluminum doped silicon carbide crystal by providing a compound including aluminum and oxygen in a capsule comprised of a first and second material |
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