JP2017202957A - SiC単結晶及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Si−C溶液が、Si、Cr、Al、及びBを含み、
Alが、Si、Cr、Al、及びBの合計量を基準として、10at%以上の量でSi−C溶液に含まれ、
Bが、Si、Cr、Al、及びBの合計量を基準として、0.00at%超1.00at%以下の量でSi−C溶液に含まれる、
SiC単結晶の製造方法を対象とする。
温度勾配(℃/cm)=(B−A)/D
によって算出することができる。
y≧0.15789x+21.52632 (1)
(式中、xはSi−C溶液中のAl含有量(at%)を示す)
を満たす範囲にする。
直径が15mm、厚みが700μmの円盤状4H−SiC単結晶であって、下面が(000−1)面を有する昇華法により作製したn型SiC単結晶を用意して、種結晶基板として用いた。種結晶基板は20mΩ・cmの抵抗率を有していた。種結晶保持軸として黒鉛軸を用意し、種結晶基板の上面を、円柱形状の黒鉛軸の端面の略中央部に、黒鉛の接着剤を用いて接着した。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Al/B)を53.94/35.96/10.00/0.10(at%)とし、5時間保持して結晶を成長させたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Al/B)を53.82/35.88/10.00/0.30(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Al/B)を53.40/35.60/10.00/1.00(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Al/B)を47.40/31.60/20.00/1.00(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Al/B)を41.40/27.60/30.00/1.00(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Al/B)を54.00/36.00/10.00/0.00(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Al/B)を59.40/39.60/1.00/0.00(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Al/B)を58.20/38.80/3.00/0.00(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Al/B)を48.00/32.00/20.00/0.00(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。
10 坩堝
12 種結晶保持軸
14 種結晶基板
18 断熱材
22 高周波コイル
22A 上段高周波コイル
22B 下段高周波コイル
24 Si−C溶液
26 石英管
34 メニスカス
40 SiC成長結晶
42 切り出した成長結晶
Claims (4)
- 内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi−C溶液にSiC種結晶基板を接触させてSiC単結晶を成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、
前記Si−C溶液が、Si、Cr、Al、及びBを含み、
前記Alが、前記Si、Cr、Al、及びBの合計量を基準として、10at%以上の量で前記Si−C溶液に含まれ、
前記Bが、前記Si、Cr、Al、及びBの合計量を基準として、0.00at%超1.00at%以下の量で前記Si−C溶液に含まれる、
SiC単結晶の製造方法。 - 前記Bが、前記Si、Cr、Al、及びBの合計量を基準として、0.03at%以上1.00at%以下の量で前記Si−C溶液に含まれる、請求項1に記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記Bが、前記Si、Cr、Al、及びBの合計量を基準として、0.03at%以上0.30at%以下の量で前記Si−C溶液に含まれる、請求項1または2に記載のSiC単結晶の製造方法。
- 9〜29mΩ・cmの抵抗率を有し、且つ1.0mm以上の成長厚みを有する、p型SiC単結晶。
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