JP5031651B2 - 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 - Google Patents
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Description
(1)坩堝内で珪素及び炭素からなるSiC原料からの昇華ガスを種結晶上に堆積させることにより単結晶を成長させる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、得られる炭化珪素単結晶をドープする目的でSiC原料に添加する不純物元素含有固体原料を坩堝の内壁側に比べて中心側が多くなるように偏在させると共に、坩堝内の上下方向に不純物元素含有固体原料の濃度が異なる層を複数重ねて坩堝底部から高さ方向に沿って不純物元素の濃度が高くなるように濃度勾配を設けたことを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、
(2)前記不純物元素含有固体原料の70%以上、100%以下が、坩堝の内壁から距離にして3mm以上離れた位置に配置されることを特徴とする(1)に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、
(3)前記不純物元素含有固体原料の70%以上、100%以下が、坩堝の内壁から距離にして6mm以上離れた位置に配置されることを特徴とする(1)に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、
(4)前記不純物元素含有固体原料の70%以上、100%以下が、坩堝の内壁から距離にして10mm以上離れた位置に配置されることを特徴とする(1)に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、
(5)前記不純物元素含有固体原料に含まれる不純物元素がホウ素又はアルミニウムであり、いずれかの不純物濃度が3×1018 atoms/cm3以上1×1022 atoms/cm3以下のインゴットを得る(1)〜(4)の何れかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、
(6)前記不純物元素含有固体原料が炭化ホウ素(B4C)である(1)〜(5)の何れかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、
である。
先ず、図4に示す単結晶成長装置について、簡単に説明する。結晶成長は、SiC結晶粉末2を昇華させ、種結晶として用いたSiC単結晶1上で再結晶化させることにより行われる。種結晶のSiC単結晶1は、高純度黒鉛製坩堝3の蓋4の内面に取り付けられる。原料のSiC結晶粉末2は、高純度黒鉛製坩堝3の内部に充填されている。このような黒鉛製坩堝3は、二重石英管5の内部に、黒鉛の支持棒6により設置される。黒鉛製坩堝3の周囲には、熱シールドのための黒鉛製フェルト7が設置されている。二重石英管5は、真空排気装置により高真空排気(10-3Pa以下)することができ、かつ、内部雰囲気をガス流量調節計10を通って導入されるArガスにより圧力制御することができる。各種ドーピングガスも、ガス流量調節計10を通して導入することができる。また、二重石英管5の外周には、ワークコイル8が設置されており、高周波電流を流すことにより黒鉛製坩堝3を加熱し、原料及び種結晶を所望の温度に加熱することができる。坩堝温度の計測は、坩堝上部及び下部を覆うフェルトの中央部に直径2〜4mmの光路を設け坩堝上部及び下部からの光を取り出し、二色温度計を用いて行う。坩堝下部の温度を原料温度、坩堝上部の温度を種温度とする。
ホウ素添加源となるB4C粉末とSiC原料とを同じ広口ビン中に入れ、そのビンを1〜2分間程度十分に振ることで両方の原料を十分均一に混合させた後に同ビンから直接原料を充填したこと以外は実施例1と全く同条件にて成長を実施したところ、結晶の厚さが1mm程度に達したところで種結晶(六方晶形)と異なる原子配置(三方晶形)を有する3Cポリタイプが発生し、そこから多結晶が発生、又は異種ポリタイプが発生した結果により、結晶粒界、マイクロパイプ欠陥等が発生して結晶性が劣化した。成長初期から結晶成長表面においてB濃度が大きいために、成長が安定化する以前の初期段階において成長が乱れ、結晶性の劣化が発生したものと推定された。
種結晶として6Hポリタイプ、直径3インチ(76.2mm)で、ウェハの面法線とc軸とのなす角度が8度、かつマイクロパイプ欠陥密度が29個/cm2であるものを使用し、また、不純物元素含有固体原料12としてB4C粉末原料(添加量はSiC原料の質量に対して0.5%分)を、次のように黒鉛坩堝のSiC原料中に図2に示したような方法により不均一分布をもつように充填した以外は実施例1と同様にして行った。具体的には、坩堝内壁の底部から6mmの距離まで(高さ方向の厚さ分)SiC原料のみを充填し、続いて坩堝内壁(側面部)から中心部方向に6mmの距離となる円周上に、B4C粉末原料の粉末を等間隔で30粒並べた。その後、高さ方向に2mm厚さ分、SiC原料のみを充填した後、再度坩堝内壁(側面部)から中心部方向に6mmの距離となる円周上に、B4C粉末原料の粉末を等間隔で40粒並べた。またその後、高さ方向に2mm厚さ分、SiC原料のみを充填した。その後同様の作業を繰り返すことで、合計6層、高さ方向にして10mmの幅に高さ方向で2mm間隔で、坩堝内壁(側面部)から中心部方向に6mmの距離となる円周上にB4C粉末原料の粉末が30、40、50、60、70、80粒、それぞれ円周方向に等間隔に並ぶようにB4C粉末原料を不均一充填した。この場合は、坩堝内壁から6mm以上の距離にてB4C粉末原料の100%(全量)が充填されたことになる。
こうして作製したp型SiCウェハに実施例1と同様の方法で100V耐圧試験を行ったところ、歩留まりとして91%と高い値となった。
ホウ素添加源となるB4C粉末を比較例1と同様にしてSiC原料に均一に混合した以外は実施例2と全く同条件にて成長を実施したところ、結晶の厚さが2mm程度に達したところで種結晶(六方晶形)と異なる原子配置(三方晶形)を有する3Cポリタイプが発生し、そこから多結晶が発生、又は異種ポリタイプが発生した結果により、結晶粒界、マイクロパイプ欠陥等が発生して結晶性が劣化した。成長初期から結晶成長表面においてB濃度が大きいために、成長が安定化する以前の初期段階において成長が乱れ、結晶性の劣化が発生したものと推定された。
こうして作製したp型SiCウェハに実施例1と同様の方法で100V耐圧試験を行ったところ、歩留まりとして29%と低い値となった。
種結晶として4Hポリタイプ、直径2インチ(50mm)で、ウェハの面法線とc軸とのなす角度が8度、かつマイクロパイプ欠陥密度が10個/cm2であるものを使用し、また、不純物元素としてAlを添加するために、不純物元素含有固体原料12としてAl4C3粉末原料(添加量はSiC原料の質量に対して48%分)を、次のように黒鉛坩堝のSiC原料中に図2に示したような方法により不均一分布をもつように充填した以外は実施例1と同様にして行った。具体的には、坩堝内壁の底部から3mmの距離まで(高さ方向の厚さ分)SiC原料のみを充填し、続いて坩堝内壁(側面部)から中心部方向に3mmの距離となる円周内に囲まれたSiC原料表面上に、全Al4C3粉末原料のうち重量にして10%分の量のAl4C3粉末原料を敷き詰めた。その後、高さ方向に3mm厚さ分、SiC原料のみを充填した後、再度坩堝内壁(側面部)から中心部方向に3mmの距離となる円周内に囲まれたSiC原料表面上に、全Al4C3粉末原料のうち重量にして20%分の量のAl4C3粉末を敷き詰めた。またその後、高さ方向に3mm厚さ分、SiC原料のみを充填した。その後同様の作業を繰り返すことで、合計4層、高さ方向にして9mmの幅に高さ方向で3mm間隔で、坩堝内壁(側面部)から中心部方向に3mmの距離となる円周内に囲まれた範囲内に、全Al4C3粉末原料のうち重量にしてそれぞれ10%、20%、30%、40%、のAl4C3粉末原料を不均一充填した。この場合は、坩堝内壁から3mm以上の距離にてAl4C3粉末原料の100%(全量)が充填されたことになる。
こうして作製したp型SiCウェハに実施例1と同様の方法で100V耐圧試験を行ったところ、歩留まりとして90%と高い値となった。
Al添加源となるAl4C3粉末を比較例1と同様にしてSiC原料に均一に混合した以外は実施例3と全く同条件にて成長を実施したところ、結晶の厚さが2mm程度に達したところで種結晶(六方晶形)と異なる原子配置(三方晶形)を有する3Cポリタイプが発生し、そこから多結晶が発生、又は異種ポリタイプが発生した結果により、結晶粒界、マイクロパイプ欠陥等が発生して結晶性が劣化した。成長初期から結晶成長表面においてAl濃度が大きいために、成長が安定化する以前の初期段階において成長が乱れ、結晶性の劣化が発生したものと推定された。
こうして作製したp型SiCウェハに実施例1と同様の方法で100V耐圧試験を行ったところ、歩留まりとして27%と低い値となった。
2 SiC結晶粉末原料
3 坩堝(黒鉛あるいはタンタル等の高融点金属)
4 黒鉛製坩堝蓋
5 二重石英管
6 支持棒
7 黒鉛製フェルト(断熱材)
8 ワークコイル
9 高純度Arガス配管
10 高純度Arガス及び不純物ガス用マスフローコントローラ
11 真空排気装置
12 不純物元素含有固体原料
Claims (6)
- 坩堝内で珪素及び炭素からなるSiC原料からの昇華ガスを種結晶上に堆積させることにより単結晶を成長させる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、得られる炭化珪素単結晶をドープする目的でSiC原料に添加する不純物元素含有固体原料を坩堝の内壁側に比べて中心側が多くなるように偏在させると共に、坩堝内の上下方向に不純物元素含有固体原料の濃度が異なる層を複数重ねて坩堝底部から高さ方向に沿って不純物元素の濃度が高くなるように濃度勾配を設けたことを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記不純物元素含有固体原料の70%以上、100%以下が、坩堝の内壁から距離にして3mm以上離れた位置に配置されることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記不純物元素含有固体原料の70%以上、100%以下が、坩堝の内壁から距離にして6mm以上離れた位置に配置されることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記不純物元素含有固体原料の70%以上、100%以下が、坩堝の内壁から距離にして10mm以上離れた位置に配置されることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記不純物元素含有固体原料に含まれる不純物元素がホウ素又はアルミニウムであり、不純物濃度が3×1018 atoms/cm3以上1×1022 atoms/cm3以下のインゴットを得る請求項1〜4の何れかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記不純物元素含有固体原料が炭化ホウ素(B4C)である請求項1〜5の何れかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
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