JP6335716B2 - 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 - Google Patents
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Description
(1)炭化珪素単結晶からなる種結晶上に、昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させて製造した炭化珪素単結晶インゴットであって、少なくとも該インゴットの直径方向中心部における前記種結晶と成長させた成長炭化珪素単結晶との界面近傍において、成長炭化珪素単結晶領域で発生した貫通刃状転位密度が、種結晶領域に存在する貫通刃状転位密度の100倍未満であることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。
(2)前記炭化珪素単結晶インゴットの直径方向中心部が、該インゴットの直径方向中心から外周方向に向かって直径比で70%以内の領域であり、また、前記種結晶と成長炭化珪素単結晶との界面近傍が、該界面を挟んで種結晶側に厚さ0.2mm以内であると共に成長炭化珪素単結晶側に厚さ1mm以内の領域であることを特徴とする(1)に記載の炭化珪素単結晶インゴット。
(3)成長炭化珪素単結晶領域で発生した貫通刃状転位密度が、種結晶領域に存在する貫通刃状転位密度の50倍未満であることを特徴とする(1)又は(2)に記載の炭化珪素単結晶インゴット。
(4)成長炭化珪素単結晶領域で発生した貫通刃状転位密度が、種結晶領域に存在する貫通刃状転位密度の10倍未満であることを特徴とする(1)又は(2)に記載の炭化珪素単結晶インゴット。
(6)前記珪素ガス供給容器に収容される珪素材料は、昇華原料の0.01質量%以上0.5質量%以下に相当する量であることを特徴とする(5)に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
(7)前記珪素材料は、昇華原料の0.01質量%以上0.1質量%以下であることを特徴とする(6)に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
(8)前記珪素化合物が窒化珪素化合物(Si3N4)であることを特徴とする(5)〜(7)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶のインゴットの製造方法。
(9)前記珪素ガス供給容器が黒鉛製であることを特徴とする(5)〜(8)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
(10)前記珪素ガス供給容器の少なくとも内壁が炭化タンタル(TaC)又は炭化タングステン(WC)、或いはこれらの両方で覆われていることを特徴とする(5)〜(9)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
(11)前記珪素ガス供給容器が蓋体と容器本体とを有し、いずれか一方が雄ねじ部を備え、他方が雌ねじ部を備えて、雄ねじ部と雌ねじ部とが螺合する隙間にガス流路が形成され、珪素ガス供給容器内で気化した珪素ガスが結晶成長空間に漏れるようにしたことを特徴とする(5)〜(10)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
本発明の目的は、昇華再結晶法により種結晶上にSiC単結晶を成長させる際に、種結晶と成長SiC単結晶との界面部分で転位増大を引き起こさないことである。先に述べたように、本発明者らは、SiC単結晶の結晶成長環境下において、成長直前のエッチング現象を種結晶全面で起こすことで、転位増大の抑制が可能であることを見出した。例えば、成長前に予め種結晶表面に溶融KOHエッチング処理を行った場合では、成長界面における転位密度の増大は抑制できない。これは、詳細は明らかではないが、予めエッチング処理していても、SiC単結晶を成長させるための昇温過程で転位密度の増大につながる要因が発生してしまうためと考えられる。このことから、昇温後の成長直前における種結晶表面のエッチングが必要であると言える。
図1は、本発明の実施例に係るSiC単結晶インゴットを製造するための装置であって、改良レーリー法(昇華再結晶法)による単結晶成長装置の一例を示す。結晶成長は、SiCの昇華原料1を誘導加熱により昇華させ、SiC種結晶2上に再結晶させることにより行われる。種結晶2は黒鉛蓋3の内面に取り付けられており、昇華原料1は黒鉛坩堝4の内部に充填される。この黒鉛坩堝4及び黒鉛蓋3は、熱シールドのために黒鉛製フェルト5で被膜されており、二重石英管6内部の黒鉛支持棒7の上に設置される。石英管6の内部を真空排気装置8によって真空排気した後、高純度Arガス及び窒素ガスを、配管9を介してマスフローコントローラ10で制御しながら流入させ、石英管内圧力(成長雰囲気圧力)を真空排気装置8で調整しながら、ワークコイル11に高周波電流を流し、黒鉛坩堝4を加熱することで結晶成長を行った。
比較例1では、種結晶の結晶成長面のエッチングを行わずにSiC単結晶を成長させた。すなわち、窒化珪素化合物が収容された珪素ガス供給容器15を配置しなかった以外は実施例1と同様にして、比較例1に係るSiC単結晶インゴットを製造した。得られたSiC単結晶インゴットは実施例1と同様に(0001)面に種結晶と反対方向にオフ角を持つように切り出して、評価用基板Bを得て、実施例1と同様にKOHエッチングを行ない、光学顕微鏡で転位密度を計測した。結果を表2に示す。表2に示した結果から分かるように、測定点iiiとivによれば、種結晶から成長SiC単結晶への転位増大は、貫通刃状転位(TED)で約120倍であった。
比較例2では、特許文献1に示された、雰囲気圧力80kPaで、珪素ガス雰囲気下において炭化珪素原料の温度が種基板の温度よりも低い状態を維持したまま種基板表面の昇華を行なった後、炭化珪素原料を昇華温度まで加熱して、10時間加熱を継続し、その後、30分かけて雰囲気圧力を1.3kPaに減圧して昇華再結晶させる方法により、SiC単結晶を成長させた。すなわち、この比較例2においては、種結晶表面の昇華後、種結晶上で結晶成長が起こるまでに長時間加熱を行なっている点が実施例と異なっている。昇温条件の変更以外は実施例1と同様にして、比較例2に係るSiC単結晶インゴットを製造した。
Claims (7)
- 黒鉛坩堝内の結晶成長空間に昇華原料を昇華させ、炭化珪素単結晶からなる種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させて炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法において、珪素又は珪素化合物からなる珪素材料が収容されて、該珪素材料が気化した珪素ガスが結晶成長空間に連通したガス流路を介して結晶成長空間に供給可能にする珪素ガス供給容器を黒鉛坩堝内のいずれかに配置し、少なくとも昇華原料の昇華が開始する時点で珪素材料が珪素ガス供給容器内に残存して、珪素ガス供給容器から珪素ガスが供給されるようにし、珪素材料が枯渇して珪素ガス供給容器からの珪素ガスの供給が終わった後に種結晶上への炭化珪素単結晶の成長が始まるようにしたことを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記珪素ガス供給容器に収容される珪素材料は、昇華原料の0.01質量%以上0.5質量%以下に相当する量であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記珪素材料は、昇華原料の0.01質量%以上0.1質量%以下であることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記珪素化合物が窒化珪素化合物(Si3N4)であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素単結晶のインゴットの製造方法。
- 前記珪素ガス供給容器が黒鉛製であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記珪素ガス供給容器の少なくとも内壁が炭化タンタル(TaC)又は炭化タングステン(WC)、或いはこれらの両方で覆われていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
- 前記珪素ガス供給容器が蓋体と容器本体とを有し、いずれか一方が雄ねじ部を備え、他方が雌ねじ部を備えて、雄ねじ部と雌ねじ部とが螺合する隙間にガス流路が形成され、珪素ガス供給容器内で気化した珪素ガスが結晶成長空間に漏れるようにしたことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
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