JP5696630B2 - 炭化珪素基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
炭化珪素単結晶70の主面M70へ励起光LEが入射される。これにより主面M70上においてフォトルミネッセンス光LLの発光が生じる。フォトルミネッセンス光LLのうちフィルタ434を透過したものである透過光LHが、カメラ435によって像として観測される。すなわち主面M70上において、750nm超の波長を有するフォトルミネッセンス光LLの発光領域が観測される。
以下、本発明の効果を確認するために炭化珪素基板のサンプルを形成した。
まず、シリコン小片として径が1mm以上1cm以下のシリコン小片を複数用意し、炭素粉末として平均粒径が200μmである炭素粉末を用意した。ここで、シリコン小片は、シリコン単結晶引き上げ用純度99.999999999%のシリコンチップとした。
種結晶基板用インゴットを作製するための種基板として、(000−1)面がCMP研磨された4H−SiC単結晶基板を準備した。上記単結晶基板は直径が150mm、[11−20]方向に2度オフ、厚み1mmである。また、当該単結晶基板においては、マイクロパイプ密度が7cm-2、貫通螺旋転位密度が1×104cm-2、貫通刃状転位密度が3×104cm-2、基底面転位密度が3×104cm-2であった。なお、本明細書中においては、個別の面方位を(hkil)で表わし、(hkil)およびそれに結晶幾何学的に等価な面方位を含む総称的な面方位を{hkil}で表わす。また、個別の方向を[hkil]で表わし、[hkil]およびそれに結晶幾何学的に等価な方向を含む方向を<hkil>で表わす。また、負の指数については、結晶幾何学上は「−」(バー)を指数を表す数字の上に付けて表わすのが一般的であるが、本明細書中では指数を表す数字の前に負の符号(−)を付けて表わす。
図12のように、上記種結晶基板を台座41(図12参照)に固定した。また、上記炭化珪素粉末をカーボン製の坩堝42(図12参照)の内部に配置した。そして、図12に示すように種結晶基板が固定された台座41を坩堝42上に配置するとともに、当該坩堝42を加熱装置に入れた。その後、坩堝下部温度が2400度、坩堝上部温度が2100度になるように、アルゴンと窒素の混合雰囲気として雰囲気圧力が1kPaという条件で加熱を行った。なお、アルゴンと窒素の分圧比は10:1であった。このような条件で100時間加熱を行った結果、直径150mmで高さ30mmの炭化珪素の単結晶インゴットが作製出来た。
インゴット作製後、(0001)面から[11−20]方向に4度オフするように、厚み0.7mmの基板を切出すようにインゴットをスライスした。スライス後、切出した基板の(0001)面を、研削、MP研磨、CMP研磨の順で研磨した。この結果、直径150mmで厚みが0.6mmの炭化珪素単結晶基板が得られた。
マイクロパイプ、貫通螺旋転位、貫通刃状転位、基底面転位については、炭化珪素単結晶基板の表面について溶融KOHエッチング及び顕微鏡によるエッチピット観察にて、各欠陥の密度を評価した。また、積層欠陥についても、炭化珪素単結晶基板に対して溶融KOHエッチング及び顕微鏡によるエッチピット観察により評価した。導電性不純物濃度及び残留不純物濃度についてはSIMS分析により評価した。Secondary Phase Inclusionsについては、裏面照射による顕微鏡観察にて評価した。
上述した測定の結果、炭化珪素単結晶基板においては、マイクロパイプ密度が0.1cm-2、貫通螺旋転位密度が5×103cm-2、貫通刃状転位密度が1×104cm-2、基底面転位密度が1×104cm-2、積層欠陥密度が0cm-1、導電性不純物濃度が5.0×1018cm-2、残留不純物濃度が5×1015cm-2、Secondary Phase Inclusionsが0.1個・cm-3であった。
Claims (6)
- 炭化珪素の単結晶からなり、
幅が100mm以上、マイクロパイプ密度が7cm-2以下、貫通螺旋転位密度が1×104cm-2以下、貫通刃状転位密度が1×104cm-2以下、基底面転位密度が1×104cm-2以下、積層欠陥密度が0.1cm-1以下、導電性不純物濃度が1×1018cm-2以上、残留不純物濃度が1×1016cm-2以下、Secondary Phase Inclusionsが1個・cm-3以下である、炭化珪素基板。 - 炭化珪素単結晶からなる種結晶基板を準備する工程と、
前記種結晶基板の表面に成長させる炭化珪素の原料粉末を準備する工程と、
前記種結晶基板および前記原料粉末を処理容器の内部に配置して、昇華法により前記種結晶基板の表面に炭化珪素を成長させる工程とを備え、
前記炭化珪素を成長させる工程においては、前記処理容器に加えられる振動について、前記振動の周波数の最大値が10Hzかつ振幅の最大値が1mmに設定され、
前記炭化珪素を成長させる工程では、前記種結晶基板は前記処理容器の内部においてベース部材上に固定されており、
前記ベース部材を構成する材料として、ヤング率が10GPa以上、曲げ強さが40MPa以上、引張り強さが30MPa以上となる材料を用い、
前記ベース部材の厚みは15mm以上である、炭化珪素基板の製造方法。 - 炭化珪素単結晶からなる種結晶基板を準備する工程と、
前記種結晶基板の表面に成長させる炭化珪素の原料粉末を準備する工程と、
前記種結晶基板および前記原料粉末を処理容器の内部に配置して、昇華法により前記種結晶基板の表面に炭化珪素を成長させる工程とを備え、
前記炭化珪素を成長させる工程においては、前記処理容器に加えられる振動について、前記振動の周波数の最大値が10Hzかつ振幅の最大値が1mmに設定され、
前記種結晶基板を準備する工程は、
各々が主面を有する、複数の炭化珪素単結晶を準備する工程と、
前記複数の炭化珪素単結晶の各々の前記主面のフォトルミネッセンス測定を行なうことにより、前記炭化珪素単結晶中の欠陥の密度に対応する特性値を測定する工程と、
前記測定する工程において得られた前記特性値の測定値を、予め設定されている基準と対比することにより、前記基準を満足する前記炭化珪素単結晶を前記種結晶基板に決定する工程とを含む、炭化珪素基板の製造方法。 - 炭化珪素単結晶からなる種結晶基板を準備する工程と、
前記種結晶基板の表面に成長させる炭化珪素の原料粉末を準備する工程と、
前記種結晶基板および前記原料粉末を処理容器の内部に配置して、昇華法により前記種結晶基板の表面に炭化珪素を成長させる工程とを備え、
前記炭化珪素を成長させる工程においては、前記処理容器に加えられる振動について、前記振動の周波数の最大値が10Hzかつ振幅の最大値が1mmに設定され、
前記原料粉末を準備する工程は、
炭化珪素を含む粉末を準備する工程と、
前記粉末を王水により洗浄する工程とを含み、
前記炭化珪素からなる粉末を準備する工程は、
シリコン小片と炭素粉末との混合物を加熱する工程と、
前記加熱する工程の後、混合物を粉砕することにより、前記粉末を得る工程とを有する、炭化珪素基板の製造方法。 - 前記種結晶基板を準備する工程では、主表面が(0001)面に対して傾斜しているオフ基板を前記種結晶基板として準備する、請求項2〜4のいずれか1項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 前記種結晶基板を準備する工程では、厚みが700μm以上の前記種結晶基板を準備する、請求項2〜5のいずれか1項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
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