JP4831041B2 - 炭化珪素単結晶の製造装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の第1実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成を示したものである。この図に示されるように、SiC単結晶製造装置は、有底円筒状の容器本体10と、円形状の蓋体20と、によって構成された黒鉛製の坩堝1を備えている。
本発明の第2実施形態について説明する。上記第1実施形態では、環状ひさし部25を備えた構造としているが、本実施形態では、環状ひさし部25を備えるものと異なる構造により、上記第1実施形態と同様の効果を得る場合について説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態も、環状ひさし部25を備えるものと異なる構造により、上記第1実施形態と同様の効果を得る場合について説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態も、環状ひさし部25を備えるものと異なる構造により、上記第1実施形態と同様の効果を得る場合について説明する。
上記実施形態では、環状ひさし部25を支持板23aと別部材により構成したが、これらを一体成形しても良い。
Claims (6)
- 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体(20)は、
中空筒状の側壁部(21)と、
一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
円盤状部材にて構成され、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23c)を有しており、前記円盤状部材の側面が前記側壁部(21)の内壁に接触させられる支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内側に配置され、中空部を有する円筒状をなしており、前記中空部内が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面と結合された円筒部(23b)と、を有し、
前記支持板(23a)の前記裏面には、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(25a)が形成された円環状の環状ひさし部(25)が備えられており、該環状ひさし部(25)は、前記支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも内側に位置する部分に配置されることで、前記支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも内側に位置する部分の厚みが前記環状ひさし部(25)が備えられている分、該支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも外側に位置する部分の厚みと比べて厚くされ、かつ、前記環状ひさし部(25)と前記支持板(23a)は共に黒鉛製とされていることにより、
前記支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも内側に位置する部分は、該支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも外側に位置する部分と比べて、相対的に放熱性が高くされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記環状ひさし部(25)の外径は、前記円筒部(23b)の内径よりも大きくされていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体(20)は、
中空筒状の側壁部(21)と、
一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
円盤状部材にて構成され、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23c)を有しており、前記円盤状部材の側面が前記側壁部(21)の内壁に接触させられる支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内側に配置され、中空部を有する円筒状をなしており、前記中空部内が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面と結合された円筒部(23b)と、を有し、
前記支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも内側に位置する部分(23aa)は、該支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも外側に位置する部分(23ab)と比べて、熱伝導率が高い材質にて構成されていることにより、
前記支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも内側に位置する部分は、該支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも外側に位置する部分と比べて、相対的に放熱性が高くされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体(20)は、
中空筒状の側壁部(21)と、
一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
円盤状部材にて構成され、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23c)を有しており、前記円盤状部材の側面が前記側壁部(21)の内壁に接触させられる支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内側に配置され、中空部を有する円筒状をなしており、前記中空部内が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面と結合された円筒部(23b)と、を有し、
前記支持板(23a)と前記蓋材(22)との間には、前記支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも内側に位置する部分の熱を前記蓋材(22)に放熱するための放熱部(23d)が備えられていることにより、
前記支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも内側に位置する部分は、該支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも外側に位置する部分と比べて、相対的に放熱性が高くされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記放熱部は等間隔に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体(20)は、
中空筒状の側壁部(21)と、
一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
円盤状部材にて構成され、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23c)を有しており、前記円盤状部材の側面が前記側壁部(21)の内壁に接触させられる支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内側に配置され、中空部を有する円筒状をなしており、前記中空部内が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面と結合された円筒部(23b)と、を有し、
前記支持板(23a)の前記裏面のうち前記円筒部(23b)よりも外側に位置する部分を覆うように炭化タンタルリング(26)が配置されていることにより、
前記支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも内側に位置する部分は、該支持板(23a)のうち前記円筒部(23b)よりも外側に位置する部分と比べて、相対的に放熱性が高くされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。
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