JP4751373B2 - GaN単結晶の合成方法 - Google Patents
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Description
分解によるパーティクルの問題もなくなり、十分なGa源を供給できる。これにより、CVDにおけるGaの供給律速の問題を解決でき、高速成長が可能となる。
きる。
でもGaと反応せず、優れたシールドとなる。一方、高融点金属としては、例えばタンタル、モリブデンまたはタングステン等が適している。
面の拡散層が薄くなり、拡散の駆動力が大きくなるためである。これにより、サンドイッチ法のような近接法を用いなくても成長速度を上げることができる。
でさらによい。
支持台4の上面に固設されており、坩堝支持台4の下面中心部には、図示を省略した駆動源に接続された円筒状の支持軸5が固設されている。つまり、この支持軸5の上下動に伴って、Ga収容用の坩堝3は軸方向に移動可能になっている。また、支持軸5は中空の円筒状であるので、坩堝3の底面の温度を2温度パイロメータで測定することができる。
ア供給孔7が軸方向に貫通して穿設されている。
いる。そして、この基板ホルダ12の下面には、GaNの基板13がグルコースを高温融解させたペーストまたはSiO2系のゾルーゲルにより固着されている。基板ホルダ支持棒11は、中空の円筒状であるので、基板13の温度を2温度パイロメータで測定することができる。また、基板ホルダ支持棒11は、軸回りに1500rpmまで回転できるように設けられている。さらに、蓋2の外周には、ガスを排気するための複数のガス排気
孔14が軸方向に貫通して設けられている。
5はその隙間が径方向に重ならないように設けられている。また、熱シールド15は、一般に良く用いられる不純物汚染の原因となる炭素繊維や多孔質グラファイトにより形成されていないので、不純物汚染の心配がない。
側には、ホットウォール1などを高周波加熱できるように、RFワークコイル17が配設されている。
を1時間行った。次に、Arガスを装置内に流入して常圧(760Torr)にし、石英筒16内に冷却水を流しながら、ホットウォール1を1500℃にして、1時間空焼きを行い、ガス出しを行った。
3を1100℃、Ga源8を800℃とした。このような常圧で温度設定を行うことで、結晶性の悪い結晶が成長することを防止できる。
機金属の分解によるパーティクルの問題もなく、十分なGaを供給することができ、高速成長が可能となる。
Claims (7)
- 窒素原子を含むガス中に2つの温度領域T1、T2を形成するとともに、各領域の温度をT1<T2とし、低温領域T1に高純度Ga原料、高温領域T2にGaNの種結晶またはGaN単結晶基板をそれぞれ設置して、前記低温領域T1からGaを蒸発させ、その蒸発したGaをキャリアガスによって輸送して前記ガス中の窒素成分と反応させてGaN形成ガスを形成し、前記GaN形成ガスを前記高温領域T2の種結晶またはGaN単結晶基板に到達させてGaN単結晶を合成することを特徴とするGaN単結晶の合成方法。
- 前記キャリアガスとして、アルゴンガスまたは窒素ガスを用いることを特徴とする、請求項1記載のGaN単結晶の製造方法。
- 前記低温領域T1における液相のGaと気相のGaとの界面に、炭素、タンタル、モリブデン、タングステン、石英またはGaNからなるシールド材を設けて前記Gaの蒸気圧を制御することを特徴とする請求項1又は2記載のGaN単結晶の合成方法。
- 前記高温領域T2の種結晶またはGaN単結晶基板を、100rpm以上で高速回転させながら合成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載のGaN単結晶の合成方法。
- 前記低温領域T1および高温領域T2を形成する容器が炭素、石英、タンタル、モリブデン又はタングステンからなり、前記容器の内面がダイヤモンドライクカーボンまたはガラス状炭素からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載のGaN単結晶の合成方法。
- 前記低温領域T1および高温領域T2を形成する容器の外側に、グラファイトからなる熱シールドを配置したことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載のGaN単結晶の合成方法。
- 前記熱シールドを、複数の短冊状のグラファイト板を隙間を設けて隣接配置して全体形状が略円筒形状となるように形成し、前記容器の径方向に複数配置したことを特徴とする請求項6記載のGaN単結晶の合成方法。
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