JP5527344B2 - Iii族窒化物半導体結晶の成長方法およびiii族窒化物半導体結晶の成長装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 200
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 194
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 181
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 title description 33
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 100
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 30
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 8
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 5
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
してSiC基板が準備される。次に、炭素と窒素とを含む雰囲気で、得られた混合粉末を1800℃に加熱するとともに、SiC基板の温度を1700℃に昇温して、混合粉末を分解気化させることにより、SiC基板上にAlN結晶が成長される。
(実施の形態1)
図1は、本実施の形態におけるIII族窒化物半導体結晶の成長装置の構成を概略的に示す断面図である。図2は、本実施の形態におけるチャンバーの構成を概略的に示す断面図である。本実施の形態における成長装置100は、III族窒化物半導体を含む原料を昇華させ、昇華させた原料ガスを析出させることによりIII族窒化物半導体結晶を成長させるための装置である。
センサ、可視−紫外光検出器などの半導体センサ、SAWデバイス(Surface Acoustic Wave Device;表面弾性波素子)、振動子、共振子、発振器、MEMS(Micro Electro Mechanical System)部品、圧電アクチュエータ等のデバイス用の基板などに好適に用いる
ことができる。
図3は、本実施の形態におけるチャンバーの構成を概略的に示す断面図である。図3に示すように、本実施の形態における成長装置は、基本的には図2に示すチャンバーと同様の構成を備えているが、熱遮蔽部110を構成する板状部111、113の貫通孔111a、113aの位置が異なる。
図4は、本実施の形態におけるチャンバーの構成を概略的に示す断面図である。図4に示すように、本実施の形態における成長装置は、基本的には図2に示すチャンバーと同様の構成を備えているが、原料13を昇華させた原料ガスの一部を放出するための開口部101aをさらに有している。本実施の形態では、チャンバー101において第3の空間R3を構成する部分に開口部101aが設けられている。
図5は、本実施の形態におけるチャンバーの構成を概略的に示す断面図である。図5に示すように、本実施の形態における成長装置は、基本的には実施の形態3における図4に示すチャンバーを備えた成長装置と同様の構成を備えているが、板状部111、113の配置が異なっている。
図6は、本実施の形態におけるチャンバーの構成を概略的に示す断面図である。図6に示すように、本実施の形態における成長装置は、基本的には実施の形態3における図4に示すチャンバーを備えた成長装置と同様の構成を備えているが、原料13と成長させるIII族窒化物半導体結晶15とを結ぶ最短の距離を原料ガスが流れる方向と垂直な方向に対して、板状部111、113が同じ方向に傾斜して配置されている点においてのみ異なっている。
図7は、本実施の形態におけるチャンバーの構成を概略的に示す断面図である。図7に示すように、本実施の形態における成長装置は、基本的には実施の形態3における図4に示すチャンバーを備えた成長装置と同様の構成を備えているが、原料13と成長させるIII族窒化物半導体結晶15とを結ぶ最短の距離を原料ガスが流れる方向と垂直な方向に対して、板状部111、113がそれぞれ異なる方向に傾斜して配置されている点においてのみ異なっている。
図8は、本実施の形態におけるチャンバーの構成を概略的に示す断面図である。図8に示すように、本実施の形態における成長装置は、基本的には実施の形態1の成長装置と同様の構成を備えているが、熱遮蔽部が1枚の板状部111のみからなる点において異なる。
図9は、本実施の形態におけるチャンバーの構成を概略的に示す断面図である。図9に示すように、本実施の形態における成長装置は、基本的には実施の形態7の成長装置と同様の構成を備えているが、熱遮蔽部を構成する1枚の板状部111が原料13と成長させるIII族窒化物半導体結晶15とを結ぶ最短の距離を原料ガスが流れる方向と略同じ方向に配置されている点においてのみ異なる。
図10は、本実施の形態におけるチャンバーの構成を概略的に示す断面図である。図10に示すように、本実施の形態における成長装置は、基本的には実施の形態8と同様の構成を備えているが、熱遮蔽部110が板状部でなく固形の部材である点においてのみ異なる。
本実施例では、熱遮蔽部を内部に含むチャンバーでIII族窒化物半導体結晶を成長させることの効果について調べた。
Claims (3)
- III族窒化物半導体を含む原料を昇華させ、昇華させた原料ガスを析出させることによりIII族窒化物半導体結晶を成長させる方法であって、
前記原料からの熱輻射を遮るための熱遮蔽部を内部に含むチャンバーを準備する工程と、
前記チャンバー内において、前記熱遮蔽部に対して一方側に前記原料を配置する工程と、
前記原料を加熱することにより昇華させて、前記チャンバー内の前記熱遮蔽部に対して他方側に、前記原料ガスを析出させることにより前記III族窒化物半導体結晶を成長させる工程とを備え、
前記III族窒化物半導体結晶はAlN結晶であり、
前記熱遮蔽部は、前記III族窒化物半導体結晶の熱輻射率よりも低い熱輻射率を有し、
前記熱遮蔽部は、複数の板状部を含み、
前記複数の板状部は、前記原料を配置するための第1の空間と、前記III族窒化物半導体結晶を成長させるための第2の空間との間に位置し、かつ前記第1および第2の空間の各々に対して仕切られた第3の空間を設けるよう配置され、前記原料ガスを通すための貫通孔を有している、III族窒化物半導体結晶の成長方法。 - 前記III族窒化物半導体結晶を成長させる工程は、
前記第3の空間に前記原料ガスを他のIII族窒化物半導体結晶として析出させる工程と、
前記他のIII族窒化物半導体結晶を昇華することにより、前記第2の空間に前記III族窒化物半導体結晶を成長させる工程とを含む、請求項1に記載のIII族窒化物半導体結晶の成長方法。 - III族窒化物半導体を含む原料を配置するための第1の空間と、前記III族窒化物半導体結晶を成長させるための第2の空間と、前記第1の空間と前記第2の空間との間に配置され、前記原料からの熱輻射を遮るための熱遮蔽部とを含むチャンバーと、
前記第1の空間に配置された前記原料を昇華させるための加熱部とを備え、
前記熱遮蔽部は、前記III族窒化物半導体結晶の熱輻射率よりも低い熱輻射率を有し、
前記熱遮蔽部は、複数の板状部を含み、
前記複数の板状部は、前記第1の空間と前記第2の空間との間に位置し、かつ前記第1および第2の空間の各々に対して仕切られた第3の空間を設けるよう配置され、前記原料ガスを通すための貫通孔を有している、III族窒化物半導体結晶の成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012063654A JP5527344B2 (ja) | 2012-03-21 | 2012-03-21 | Iii族窒化物半導体結晶の成長方法およびiii族窒化物半導体結晶の成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012063654A JP5527344B2 (ja) | 2012-03-21 | 2012-03-21 | Iii族窒化物半導体結晶の成長方法およびiii族窒化物半導体結晶の成長装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007332141A Division JP4992703B2 (ja) | 2007-12-25 | 2007-12-25 | Iii族窒化物半導体結晶の成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012140325A JP2012140325A (ja) | 2012-07-26 |
JP5527344B2 true JP5527344B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=46677017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012063654A Active JP5527344B2 (ja) | 2012-03-21 | 2012-03-21 | Iii族窒化物半導体結晶の成長方法およびiii族窒化物半導体結晶の成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5527344B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3231050B2 (ja) * | 1991-06-24 | 2001-11-19 | シャープ株式会社 | 化合物半導体の結晶成長法 |
JP3419144B2 (ja) * | 1995-04-21 | 2003-06-23 | 株式会社豊田中央研究所 | 単結晶成長装置 |
US7704324B2 (en) * | 2005-01-25 | 2010-04-27 | General Electric Company | Apparatus for processing materials in supercritical fluids and methods thereof |
JP4600160B2 (ja) * | 2005-06-02 | 2010-12-15 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶の成長方法 |
US8361226B2 (en) * | 2006-03-29 | 2013-01-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | III-nitride single-crystal growth method |
JP4751373B2 (ja) * | 2007-07-09 | 2011-08-17 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶の合成方法 |
-
2012
- 2012-03-21 JP JP2012063654A patent/JP5527344B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012140325A (ja) | 2012-07-26 |
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