JP5418210B2 - 窒化物半導体結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶および窒化物半導体結晶の製造装置 - Google Patents
窒化物半導体結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶および窒化物半導体結晶の製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5418210B2 JP5418210B2 JP2009293994A JP2009293994A JP5418210B2 JP 5418210 B2 JP5418210 B2 JP 5418210B2 JP 2009293994 A JP2009293994 A JP 2009293994A JP 2009293994 A JP2009293994 A JP 2009293994A JP 5418210 B2 JP5418210 B2 JP 5418210B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- crucible
- semiconductor crystal
- heating
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 146
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 106
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 60
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 81
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 53
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 23
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 23
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 13
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 43
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- LELOWRISYMNNSU-UHFFFAOYSA-N hydrogen cyanide Chemical compound N#C LELOWRISYMNNSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/38—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は、窒化物半導体結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶および窒化物半導体結晶の製造装置に関する。
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）結晶は、６．２ｅＶの広いエネルギバンドギャップ、約３．３ＷＫ-1ｃｍ-1の高い熱伝導率および高い電気抵抗を有している。このため、ＡｌＮ結晶などの窒化物半導体結晶は、光デバイスや電子デバイスなどの半導体デバイス用の基板材料として注目されている。このような窒化物半導体結晶の成長方法には、たとえば昇華法が用いられる（たとえば非特許文献１、特許文献１）。
非特許文献１には、以下の工程が実施されることが記載されている。まず、カーボン製の坩堝にＡｌＮ結晶の原料を装入する。次に、原料が昇華する温度までカーボン製の坩堝を加熱する。この加熱により、原料が昇華して昇華ガスが生成され、粉状または粒状程度の微小なＡｌＮ結晶を成長することができる。
また、特許文献１には、以下の製造装置により窒化物単結晶が製造されることが記載されている（たとえば図４）。すなわち、製造装置は、加熱手段である誘導加熱コイルと、誘導加熱コイルの内側に配置された加熱炉本体と、加熱炉本体の内側下部に配置された窒化物単結晶の原料を収容する坩堝とを備えている。坩堝は、黒鉛製であることが記載されている。
Jounal of Crystal Growth 34, pp263-279 (1976)
しかしながら、窒化物半導体結晶を成長する際に、上記非特許文献１ではカーボン製の坩堝、特許文献１では黒鉛製の坩堝を用いている。窒化物半導体結晶の原料を昇華するように坩堝を加熱すると、カーボンおよび黒鉛は、昇華してしまう場合がある。この場合、昇華したカーボンまたは黒鉛が、成長する窒化物半導体結晶に混入する。このため、成長した窒化物半導体結晶に不純物が混入されるという問題があった。
したがって、本発明は、不純物の混入を抑制した窒化物半導体結晶を製造するための窒化物半導体結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶および窒化物半導体結晶の製造装置を提供することである。
本発明の窒化物半導体結晶の製造方法は、以下の工程が実施される。まず、原料を内部に配置するための坩堝を準備する。坩堝内において、原料を加熱することにより昇華させて、原料ガスを析出させることにより窒化物半導体結晶を成長する。準備する工程では、原料の融点よりも高い金属よりなる坩堝を準備する。上記窒化物半導体結晶の製造方法は、坩堝を準備する工程と、成長する工程との間に、坩堝の外周を覆う被覆部を形成する工程をさらに備えている。被覆部は、原料の融点よりも高い金属よりなる。
本発明の窒化物半導体結晶の製造装置は、窒化物半導体を含む原料を昇華させ、昇華させた原料ガスを析出させることにより窒化物半導体結晶を成長させる装置であって、坩堝と、加熱部とを備えている。坩堝は、原料を内部に配置する。加熱部は、坩堝の外周に配置され、坩堝の内部を加熱する。坩堝は、原料の融点よりも高い金属よりなる。上記窒化物半導体結晶の製造装置は、坩堝と加熱部との間に配置された被覆部をさらに備えている。被覆部は、原料の融点よりも高い金属よりなる。
本発明の窒化物半導体結晶の製造方法および製造装置によれば、原料の融点よりも高い金属よりなる坩堝内で窒化物半導体結晶を成長している。これにより、原料を昇華させる温度において坩堝が昇華されることを抑制できる。また、金属は昇華ガスとの反応性が低い。このため、成長する窒化物半導体結晶に坩堝を構成する材料が混入することを抑制できる。したがって、不純物の混入を抑制した窒化物半導体結晶を製造することができる。被覆部の外部から坩堝の内部へ不純物が混入することを抑制できる。このため、不純物の混入をより抑制した窒化物半導体結晶を製造することができる。被覆部が昇華されることを抑制できるので、不純物の混入をより一層抑制した窒化物半導体結晶を製造することができる。
上記窒化物半導体結晶の製造方法において好ましくは、被覆部の外周に加熱体を配置する工程と、加熱体を加熱するためのＲＦ（radio frequency）コイルを加熱体の外周に配置する工程とをさらに備えている。
上記窒化物半導体結晶の製造装置において好ましくは、加熱部がＲＦコイルであり、被覆部と加熱部との間に配置された加熱体をさらに備えている。
ＲＦコイルが発生する熱は、金属には吸収されにくい。このため、ＲＦコイルから発生した熱を坩堝の外周に配置した加熱体に吸収させることにより、加熱体が吸収した熱により坩堝を加熱することができる。これにより、原料を昇華することができる。したがって、上記と同様に、不純物の混入を抑制した窒化物半導体結晶を製造することができる。
上記窒化物半導体結晶の製造方法において好ましくは、加熱体の外周に、加熱体よりも空孔の少ない材料よりなる断熱材を配置する工程をさらに備えている。
上記窒化物半導体結晶の製造方法において好ましくは、加熱体とＲＦコイルとの間に配置され、加熱体よりも空孔の少ない材料よりなる断熱材をさらに備えている。
加熱体よりも空孔の少ない材料よりなる断熱材を加熱体の外周に配置しているので、加熱体が吸収した熱が断熱材の外周に逃げることを抑制することができる。これにより、坩堝を効率よく加熱することができる。したがって、上記と同様に、不純物の混入を抑制した窒化物半導体結晶を製造することができる。
本発明の窒化物半導体結晶は、上記いずれかの窒化物半導体結晶の製造方法により製造されている。
本発明の窒化物半導体結晶によれば、坩堝の昇華を抑制して製造されているので、不純物の混入を抑制した窒化物半導体結晶を実現することができる。
上記窒化物半導体結晶は、１０ｍｍ以上の直径を有し、不純物として含まれる珪素および炭素の濃度の合計が２ｐｐｍ以下であるＡｌＮ結晶である。
上記ＡｌＮ結晶は昇華法により製造されているので、１０ｍｍ以上の大きな直径を有する結晶を実現することができる。また、坩堝の昇華を抑制して製造されているので、不純物として含まれる珪素および炭素の濃度の合計が２ｐｐｍ以下の低い不純物濃度のＡｌＮ結晶を実現することができる。したがって、大面積で、かつ低い不純物濃度のＡｌＮ結晶を実現できる。
以上より、本発明の窒化物半導体結晶の製造方法および製造装置によれば、原料の融点よりも高い金属よりなる坩堝を用いている。このため、坩堝の昇華による不純物が、成長する窒化物半導体結晶に混入することを抑制できる。したがって、不純物の混入を抑制した窒化物半導体結晶を製造することができる。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には、同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。
まず、図１を参照して、本発明の一実施の形態における窒化物半導体結晶１０について説明する。窒化物半導体結晶１０は、たとえば１０ｍｍ以上の直径Ｒと、たとえば１００μｍ以上の厚みＨを有している。窒化物半導体結晶１０の不純物濃度は、たとえば２ｐｐｍ以下である。この不純物濃度を構成する不純物は、たとえばＣ（炭素）、Ｓｉ（シリコン）などである。窒化物半導体結晶１０のＣ濃度はたとえば１ｐｐｍ以下であり、Ｓｉ濃度はたとえば１ｐｐｍ以下である。
窒化物半導体結晶１０は、窒素（Ｎ）を含む半導体結晶であれば特に限定されないが、たとえばＩｎ(1-x-y)ＡｌxＧａyＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）であり、ＡｌＮ、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）などであることが好ましく、ＡｌＮであることがより好ましい。
続いて、図２および図３を参照して、本発明の一実施の形態における窒化物半導体結晶１０の製造装置１００について説明する。製造装置１００は、窒化物半導体を含む原料を昇華させ、昇華させた原料ガスを析出させることにより窒化物半導体結晶１０を成長させるための装置である。
図２および図３に示すように、本実施の形態における製造装置１００は、坩堝１０１と、被覆部としての被覆管１１０と、加熱体１２１と、断熱材１２７と、反応容器１２３と、加熱部１２５とを主に備えている。
坩堝１０１は、原料１７および下地基板１１を内部に配置する。坩堝１０１は、原料１７の融点よりも高い金属よりなる。このような金属として、たとえばタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、それらの合金などが挙げられる。つまり、坩堝１０１は、Ｃ原子を含まない。これにより、坩堝１０１を構成する材料が原料を昇華させる温度において昇華されることを抑制できる。また、金属は昇華ガスとの反応性が低い。さらに、このような金属は、輻射率が高く、耐熱性が高く、工業的に利用可能である点で有利である。特に、窒化物半導体との反応性が低く、高温での耐熱性に優れているので、坩堝１０１はＴａであることが好ましい。ここで、上記「融点」とは、１気圧での融点を意味する。
また、坩堝１０１は、排気口１０１ａを有している。排気口１０１ａは、坩堝１０１内部の不純物を坩堝１０１の外部に排出する。排気口１０１ａを設けることにより、異常成長を抑制して、単結晶の窒化物半導体結晶を容易に成長することができる。
この坩堝１０１の外周には、坩堝１０１を覆うように被覆管１１０が配置されている。本実施の形態では、被覆管１１０は、反応容器１２３の導入口１２３ｃおよび排出口１２３ｄで反応容器１２３の外部と通気を保ち、それ以外の領域では坩堝１０１を密閉している。つまり、被覆管１１０は坩堝１０１と間隔を隔てて配置され、導入口１２３ｃおよび排出口１２３ｄ以外で被覆管１１０と反応容器１２３とで坩堝１０１を密閉している。このように、被覆管１１０は、被覆管１１０の外部の加熱体１２１、断熱材１２７、反応容器１２３などから坩堝１０１へ不純物が侵入することを防止している。
なお、被覆管１１０は、坩堝１０１を密閉する上記構造に限定されない。すなわち、被覆管１１０が坩堝１０１を密閉していなくても上記効果を有する。たとえば、図７に示すように、被覆管１１０は、製造装置１００において上方および下方に開口部を有していてもよい。また、被覆管１１０は、製造装置において上方または下方に開口部を有していてもよい（図示せず）。これらの場合には、被覆管１１０の内部にガスを流すことにより、上記密閉構造と同様の作用が働くので、被覆管１１０の外部の加熱体１２１、断熱材１２７、反応容器１２３などから坩堝１０１へ不純物が侵入することを防止できる。
被覆管１１０は、原料の融点よりも高い金属よりなることが好ましい。このような金属として、たとえば坩堝１０１を構成する材料と同様に、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、それらの合金などが挙げられ、Ｔａよりなることが好ましい。ＴａはＣと反応しにくいため、加熱体１２１および断熱材１２７がＣを含む場合であっても、被覆管１１０は加熱体１２１および断熱材１２７から昇華して混入したＣとの反応を抑制できる。また反応容器１２３がＳｉを含む場合であっても、被覆管１１０は反応容器から昇華して混入したＳｉとの反応を抑制できる。被覆管１１０は、坩堝１０１と同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよい。なお、被覆管１１０は省略されてもよい。
加熱体１２１は、被覆管１１０の外周に配置され、本実施の形態では被覆管１１０に接して設けられている。加熱体１２１は、緻密体であり、加熱部１２５からの熱を吸収し、坩堝１０１の内部を加熱する。加熱体１２１は、たとえば耐熱性が優れている観点からＣを含み、たとえばグラファイトよりなる。なお、加熱体１２１は省略されてもよい。
断熱材１２７は、加熱体１２１の外周に配置され、本実施の形態では加熱体１２１の全外周を覆うように、加熱体１２１に接して設けられている。断熱材１２７は、加熱体１２１よりも空孔（空孔率）の少ない材料よりなる。断熱材１２７は、加熱体１２１が吸収した熱を外部に逃がすことを抑制する。なお、断熱材１２７自体は、加熱部１２５から熱を吸収しにくい。断熱材１２７は、たとえば耐熱性が優れている観点からＣを含み、たとえば同心円状に巻き付けられたカーボンフェルトよりなる。なお、断熱材１２７は省略されてもよい。
この断熱材１２７の外周には、反応容器１２３が設けられている。反応容器１２３の一方端部（本実施の形態では下端）に形成され、かつ反応容器１２３内へたとえば窒素ガス（Ｎ2）などのキャリアガスを流すための導入口１２３ａ、１２３ｃと、反応容器１２３の他方端部（本実施の形態では上端）に形成され、かつ反応容器１２３の外部へキャリアガスを排出するための排出口１２３ｂ、１２３ｄとを、製造装置１００は有している。導入口１２３ａおよび排出口１２３ｂは、反応容器１２３内において被覆管１１０の外部に配置されている。導入口１２３ｃおよび排出口１２３ｄは、反応容器１２３内において被覆管１１０の内部に配置されている。つまり、導入口１２３ｃは、反応容器１２３内に配置された坩堝１０１へキャリアガスを流す。また、排出口１２３ｄは、坩堝１０１から反応容器１２３の外部へキャリアガス、不純物などを排出する。なお、反応容器１２３は省略されてもよい。
加熱部１２５は、坩堝１０１の外周に配置され、坩堝１０１の内部を加熱する。本実施の形態では、坩堝１０１は反応容器１２３内の中央部に位置しているので、加熱部１２５は反応容器１２３の外側中央部に配置されている。加熱部１２５は、たとえばＲＦコイル、抵抗加熱コイルなどを用いることができる。ＲＦコイルを用いる場合には、加熱体１２１を加熱することで、坩堝１０１の内部を加熱する。抵抗加熱コイルを用いる場合には、直接坩堝１０１の内部を加熱する。このため、加熱部１２５として抵抗加熱コイルを用いる場合には、加熱体１２１および断熱材１２７は省略されてもよい。
また、反応容器１２３の上部および下部には、坩堝１０１の上方（下地基板１１１側の温度）および下方の温度（原料１７側の温度）を測定するための放射温度計１２９ａ、１２９ｂが設けられている。なお、放射温度計１２９ａ、１２９ｂは省略されてもよい。
なお、上記製造装置１００は、上記以外の様々な要素を含んでいてもよいが、説明の便宜上、これらの要素の図示および説明は省略する。
続いて、本実施の形態における窒化物半導体結晶１０の製造方法について説明する。本実施の形態における窒化物半導体結晶１０は、図２および図３に示す製造装置１００を用いて昇華法により製造される。
まず、図２および図３に示すように、原料１７を内部に配置し、原料１７の融点よりも高い金属よりなる坩堝１０１を準備する。次に、坩堝１０１の外周を覆う被覆部としての被覆管１１０を形成する。被覆管１１０は、原料１７の融点よりも高い金属よりなることが好ましい。次に、被覆管１１０の外周に加熱体１２１を配置する。次に、加熱体１２１の外周に、加熱体１２１よりも空孔の少ない材料よりなる断熱材１２７を配置する。次に、断熱材１２７の外周に反応容器１２３を配置する。次に、反応容器１２３の外周に加熱部１２５を配置する。つまり、図４を参照して、本実施の形態では、図２および図３に示す製造装置１００を準備する（ステップＳ１）。
次に、図２〜図４に示すように、下地基板１１を配置する（ステップＳ２）。下地基板は特に限定されないが、成長させる窒化物半導体結晶と同一の組成比を有する基板であることが好ましい。この下地基板１１は、坩堝１０１の上部に設置する。なお、このステップＳ２は省略されてもよい。この場合は、自発核生成により、窒化物半導体結晶を成長させる。
次に、原料１７を配置する（ステップＳ３）。原料１７は特に限定されないが、純度が高いことが好ましい。たとえば、成長させる窒化物半導体結晶がＡｌＮ結晶の場合には、原料１７は焼結したＡｌＮ原料を用いることが好ましい。この場合、原料１７には、焼結助剤は含まれていない。この原料１７は、下地基板１１と互いに向かい合うように、坩堝１０１の下部に設置する。
次に、図４および図５に示すように、原料１７を加熱することにより昇華させて、坩堝１０１内の原料１７と対向する領域に、原料ガスを析出させることにより、窒化物半導体結晶１０を成長する(ステップＳ４）。本実施の形態では、昇華した原料ガスを下地基板１１上に析出させることにより、窒化物半導体結晶１０を成長している。
このステップＳ４では、窒化物半導体結晶１０としてＡｌＮ結晶を成長する場合には、たとえば下地基板１１側の温度を１４００℃〜１８００℃とし、原料１７側の温度を１８５０℃〜２１５０℃となるように加熱部１２５を制御する。窒化物半導体結晶１０としてＧａＮ結晶を成長する場合には、たとえば下地基板１１側の温度を１４５０℃〜１５５０℃とし、原料１７側の温度を１６００℃〜１７００℃となるように加熱部１２５を制御する。
このステップＳ４において、坩堝１０１の外周に被覆管１１０を配置して窒化物半導体結晶１０を成長することが好ましい。昇華法では上記のように高温で窒化物半導体結晶１０を成長するので、被覆管１１０の外部に位置する加熱体１２１、断熱材１２７および反応容器１２３を構成する材料が昇華しやすい。しかし、被覆管１１０を配置することにより、昇華した不純物が坩堝１０１の内部に混入することを抑制できる。
坩堝１０１の外周に被覆管１１０を配置して窒化物半導体結晶１０を成長する場合には、被覆管１１０の内周側に流すキャリアガス（導入口１２３ｃから流し、排出口１２３ｄから排出するガス）と、被覆管１１０の外周側に流すキャリアガス（導入口１２３ａから流し、排出口１２３ｂから排出するガス）とは、同じであっても、異なっていてもよい。反応容器１２３内における被覆管１１０の内周側に窒素ガスを流し、反応容器１２３内における被覆管１１０の外周側に窒素ガス以外のガスを流すことが好ましい。被覆管１１０の外周側に流すガスとしては、アルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスを流すことが好ましい。この場合、シアン化水素（ＨＣＮ）ガスの発生を抑制できるので、除害装置が不要になる。
なお、下地基板１１を用いて窒化物半導体結晶１０を成長した場合には、下地基板１１を除去する工程を実施してもよい。
以上のステップＳ１〜Ｓ４により、図１に示す窒化物半導体結晶１０を製造することができる。本実施の形態では、坩堝１０１を構成する材料が昇華することが抑制された状態で窒化物半導体結晶１０が製造される。このため、製造する窒化物半導体結晶１０に不純物が混入することを抑制できる。特に、坩堝１０１の外周に被覆管１１０を配置して窒化物半導体結晶１０を成長することにより、坩堝１０１の外周に配置された部材を構成する材料が昇華した不純物が製造する窒化物半導体結晶１０に混入することを抑制できる。また、昇華法により窒化物半導体結晶１０を製造しているので、大面積の窒化物半導体結晶１０を製造することができる。その結果、たとえば、１０ｍｍ以上の直径を有し、２ｐｐｍ以下の不純物濃度を有する窒化物半導体結晶１０を製造することができる。
したがって、本実施の形態における窒化物半導体結晶の製造方法および製造装置１００により製造された不純物濃度の低い窒化物半導体結晶１０は、たとえば発光ダイオード、レーザダイオードなどの発光素子、整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor；高電子移動度トランジスタ）などの電子素子、微小電子源（エミッタ）、温度センサ、圧力センサ、放射線センサ、可視−紫外光検出器などの半導体センサ、ＳＡＷデバイス（Surface Acoustic Wave Device；表面弾性波素子）、振動子、共振子、発振器、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）部品、圧電アクチュエータ等のデバイス用の基板などに好適に用いることができる。特に、低欠陥、低転位密度、および高い光透過特性を有する窒化物半導体結晶１０を製造できるので、発光素子に用いると有利である。
本実施例では、原料の融点よりも高い金属よりなる坩堝を用いて窒化物半導体結晶を製造する効果について調べた。
（本発明例１）
本発明例１の窒化物半導体結晶１０は、図１および図２に示す製造装置１００を用いて、上述した実施の形態にしたがって製造した。
本発明例１の窒化物半導体結晶１０は、図１および図２に示す製造装置１００を用いて、上述した実施の形態にしたがって製造した。
具体的には、まず、Ｔａよりなる坩堝１０１を備えた製造装置１００を準備した（ステップＳ１）。なお、加熱体１２１はグラファイトよりなり、断熱材１２７はカーボンフェルトよりなっていた。また、反応容器１２３は石英管を用いた。また、被覆管１１０はＴａよりなっていた。
次に、坩堝１０１の内部に、原料１７としてＡｌＮを配置した（ステップＳ３）。坩堝１０１を構成する材料であるＴａの融点は、２９９０℃であり、原料であるＡｌＮの融点は２２００℃であり、坩堝１０１の融点は原料１７の融点よりも高かった。
次に、坩堝１０１の内部に原料１７に対向するように、下地基板１１としてＡｌＮ基板を配置した（ステップＳ２）。
次に、キャリアガスとしてＮ2ガスを流して、Ｎ2雰囲気で、成長温度を２０００℃として、窒化物半導体結晶１０としてＡｌＮ結晶を成長した（ステップＳ４）。
冷却後、本発明例１のＡｌＮ結晶を製造装置１００から取り出した。その結果、下地基板１１上に、１ｍｍの厚みを有する本発明例１のＡｌＮ結晶が形成されていた。
（比較例１）
比較例１の窒化物半導体結晶は、基本的には本発明例１と同様に製造したが、坩堝１０１を構成する材料がカーボンであった点および被覆管１１０を備えていなかった点において異なっていた。
比較例１の窒化物半導体結晶は、基本的には本発明例１と同様に製造したが、坩堝１０１を構成する材料がカーボンであった点および被覆管１１０を備えていなかった点において異なっていた。
具体的には、図６に示す製造装置を用いて比較例１のＡｌＮ結晶を製造した。。つまり、比較例１で用いた製造装置は、カーボン製の坩堝２０１と、坩堝２０１の外周を覆う加熱体１２１と、加熱体１２１の外周を覆う断熱材１２７とを備えていた。これにより、下地基板１１上に、１ｍｍの厚みを有する比較例１のＡｌＮ結晶を製造した。
（比較例２）
比較例２の窒化物半導体結晶は、基本的には本発明例１と同様に製造したが、坩堝１０１を構成する材料がＴａＣ（炭化タンタル）であった点および被覆管１１０を備えていなかった点において異なっていた。
比較例２の窒化物半導体結晶は、基本的には本発明例１と同様に製造したが、坩堝１０１を構成する材料がＴａＣ（炭化タンタル）であった点および被覆管１１０を備えていなかった点において異なっていた。
具体的には、比較例１で用いた図６に示す製造装置において、坩堝１０１の材料がＴａ：Ｃ＝１：１のＴａＣよりなる坩堝を用いた。これにより、下地基板１１上に、１ｍｍの厚みを有する比較例２のＡｌＮ結晶を製造した。
（測定方法）
本発明例１、比較例１および２のＡｌＮ結晶について、ＳＩＭＳを用いて不純物濃度としてＳｉ濃度、Ｃ濃度、およびＯ濃度を測定した。その結果を下記の表１に示す。
本発明例１、比較例１および２のＡｌＮ結晶について、ＳＩＭＳを用いて不純物濃度としてＳｉ濃度、Ｃ濃度、およびＯ濃度を測定した。その結果を下記の表１に示す。
（測定結果）
表１に示すように、Ｃを含まず、かつ原料１７の融点よりも高い金属よりなる坩堝１０１を用いて製造した本発明例１のＡｌＮ結晶では、Ｃ濃度およびＳｉ濃度がそれぞれ１ｐｐｍ以下で、不純物濃度が２ｐｐｍ以下と非常に低かった。
表１に示すように、Ｃを含まず、かつ原料１７の融点よりも高い金属よりなる坩堝１０１を用いて製造した本発明例１のＡｌＮ結晶では、Ｃ濃度およびＳｉ濃度がそれぞれ１ｐｐｍ以下で、不純物濃度が２ｐｐｍ以下と非常に低かった。
一方、Ｃよりなる坩堝を用いて製造した比較例１のＡｌＮ結晶では、Ｃ濃度およびＳｉ濃度が１０ｐｐｍで、不純物濃度が２０ｐｐｍと非常に高かった。
ＴａＣよりなる坩堝を用いて製造した比較例２のＡｌＮ結晶では、比較例１のＡｌＮ結晶よりもＣ濃度、Ｓｉ濃度および不純物濃度が低かったものの、本発明例１のＡｌＮ結晶の不純物濃度よりは全て高かった。
なお、Ｃは、坩堝２０１、加熱体１２１および断熱材１２７を構成する材料が昇華して、坩堝１０１の排気口１０１ａからＡｌＮ結晶に混入した。Ｓｉは、反応容器１２３を構成する材料が昇華して、坩堝１０１の排気口１０１ａからＡｌＮ結晶に混入した。このため、Ｃ濃度の結果より、坩堝１０１を構成する材料により、Ｃ濃度を低減できたことがわかった。Ｓｉ濃度の結果より、被覆管１１０を備えることにより、Ｓｉ濃度を低減できたことがわかった。
ここで、坩堝１０１の排気口１０１ａを設けずに、坩堝１０１内を完全に密閉すると、結晶が単結晶に成長せずに、異常成長するという知見を発明者は得ている。このため、坩堝１０１に排気口１０１ａを形成することは必要である。したがって、坩堝１０１を構成する材料が比較例と異なっていることにより、異常成長しないＡｌＮ結晶において、不純物濃度を低減できたことがわかった。
以上より、本実施例によれば、原料の融点よりも高い金属よりなる坩堝１０１を用いて窒化物半導体結晶１０としてのＡｌＮ結晶を製造することにより、製造したＡｌＮ結晶に含まれる不純物濃度を低減できることが確認できた。
本実施例では、窒化物半導体結晶１０としてＡｌＮ結晶を例に挙げて説明した。しかし、ＡｌＮ結晶以外の窒化物半導体結晶１０についても、坩堝１０１を構成する材料を同様にすることにより、原料１７を昇華させる温度において坩堝１０１が昇華されることを抑制できる。また、金属は昇華ガスとの反応性が低い。このため、ＡｌＮ結晶以外の窒化物半導体結晶１０についても、成長する窒化物半導体結晶に坩堝１０１を構成する材料が混入することを同様に抑制できる。したがって、本発明例１と同様に、不純物の混入を抑制した窒化物半導体結晶１０を製造することができる。
本実施例では、被覆部を備えた製造装置において、被覆部の外周側に窒素を含まないガスを流す効果について調べた。
（試料１〜３）
本実施例の試料１〜３では、基本的には本発明例１の製造装置１００を用いてＡｌＮ結晶を製造したが、キャリアガスとして、反応容器１２３内における被覆管１１０の内周側にＮ2ガスを流し、反応容器１２３内における被覆管１１０の外周側にヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、Ａｒガスをそれぞれ流した点において異なっていた。
本実施例の試料１〜３では、基本的には本発明例１の製造装置１００を用いてＡｌＮ結晶を製造したが、キャリアガスとして、反応容器１２３内における被覆管１１０の内周側にＮ2ガスを流し、反応容器１２３内における被覆管１１０の外周側にヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、Ａｒガスをそれぞれ流した点において異なっていた。
各々のキャリアガスを流した各々のＡｌＮ結晶の製造において、反応容器１２３内部のシアン化水素ガス濃度をシアン化水素ガスセンサにより測定した。また、本発明例１において被覆管１１０の外周側および内周側ともにＮ2ガスを流したＡｌＮ結晶の製造においても、反応容器１２３内部のシアン化水素ガス濃度を同様に測定した。その結果を下記の表２に示す。
表２に示すように、被覆部の外周側に不活性ガスを流した試料では、ＡｌＮ結晶の製造において発生するシアン化水素ガス濃度は１ｐｐｍ未満となり、シアン化水素ガスがほとんど発生しなかった。一方、被覆部の外周側に窒素を流した試料は、３０ｐｐｍのシアン化水素ガスが検出された。このため、被覆部の外周側に不活性ガスを流すことによって、シアン化水素ガスを除害するための除害装置を省略できることがわかった。
以上より、本実施例によれば、被覆部を備えた製造装置において、被覆部の外周側に窒素以外のガスを流すことによって、製造装置を簡略化できることが確認できた。
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、各実施の形態および実施例の特徴を適宜組み合わせることも当初から予定している。また、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
１０ 窒化物半導体結晶、１１ 下地基板、１７ 原料、１００ 製造装置、１０１ 坩堝、１０１ａ 排気口、１１０ 被覆管、１２１ 加熱体、１２３ 反応容器、１２３ａ，１２３ｃ 導入口、１２３ｂ，１２３ｄ 排出口、１２５ 加熱部、１２７ 断熱材、１２９ａ，１２９ｂ 放射温度計、Ｈ 厚み、Ｒ 直径。
Claims (7)
- 原料を内部に配置するための坩堝を準備する工程と、
前記坩堝内において、前記原料を加熱することにより昇華させて、原料ガスを析出させることにより窒化物半導体結晶を成長する工程とを備え、
前記準備する工程では、前記原料の融点よりも高い金属よりなる前記坩堝を準備し、
前記準備する工程と、前記成長する工程との間に、前記坩堝の外周を覆う被覆部を形成する工程をさらに備え、
前記被覆部は、前記原料の融点よりも高い金属よりなる、窒化物半導体結晶の製造方法。 - 前記被覆部の外周に加熱体を配置する工程と、
前記加熱体を加熱するためのＲＦコイルを前記加熱体の外周に配置する工程とをさらに備えた、請求項１に記載の窒化物半導体結晶の製造方法。 - 前記加熱体の外周に、前記加熱体よりも空孔の少ない材料よりなる断熱材を配置する工程をさらに備えた、請求項２に記載の窒化物半導体結晶の製造方法。
- 請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体結晶の製造方法により製造され、
１０ｍｍ以上の直径を有し、不純物として含まれる珪素および炭素の濃度の合計が２ｐｐｍ以下である、ＡｌＮ結晶。 - 窒化物半導体を含む原料を昇華させ、昇華させた原料ガスを析出させることにより窒化物半導体結晶を成長させる装置であって、
前記原料を内部に配置するための坩堝と、
前記坩堝の外周に配置され、前記坩堝の内部を加熱するための加熱部とを備え、
前記坩堝は、前記原料の融点よりも高い金属よりなり、
前記坩堝と前記加熱部との間に配置された被覆部をさらに備え、
前記被覆部は、前記原料の融点よりも高い金属よりなる、窒化物半導体結晶の製造装置。 - 前記加熱部がＲＦコイルであり、
前記被覆部と前記加熱部との間に配置された加熱体をさらに備えた、請求項５に記載の窒化物半導体結晶の製造装置。 - 前記加熱体と前記ＲＦコイルとの間に配置され、前記加熱体よりも空孔の少ない材料よりなる断熱材をさらに備えた、請求項６に記載の窒化物半導体結晶の製造装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009293994A JP5418210B2 (ja) | 2009-01-16 | 2009-12-25 | 窒化物半導体結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶および窒化物半導体結晶の製造装置 |
| US13/063,937 US20110265709A1 (en) | 2009-01-16 | 2010-01-13 | Nitride Semiconductor Crystal Manufacturing Method, Nitride Semiconductor Crystal, and Nitride Semiconductor Crystal Manufacturing Apparatus |
| PCT/JP2010/050257 WO2010082574A1 (ja) | 2009-01-16 | 2010-01-13 | 窒化物半導体結晶の製造方法、窒化物半導体結晶および窒化物半導体結晶の製造装置 |
| KR1020117002960A KR20110116114A (ko) | 2009-01-16 | 2010-01-13 | 질화물 반도체 결정의 제조 방법, 질화물 반도체 결정 및 질화물 반도체 결정의 제조 장치 |
| EP10731243.1A EP2390386B1 (en) | 2009-01-16 | 2010-01-13 | Method and apparatus for producing nitride semiconductor crystal |
| CN201080002639.3A CN102159755B (zh) | 2009-01-16 | 2010-01-13 | 制造氮化物半导体晶体的方法、氮化物半导体晶体以及制造氮化物半导体晶体的装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009007394 | 2009-01-16 | ||
| JP2009007394 | 2009-01-16 | ||
| JP2009293994A JP5418210B2 (ja) | 2009-01-16 | 2009-12-25 | 窒化物半導体結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶および窒化物半導体結晶の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010184857A JP2010184857A (ja) | 2010-08-26 |
| JP5418210B2 true JP5418210B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=42339828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009293994A Active JP5418210B2 (ja) | 2009-01-16 | 2009-12-25 | 窒化物半導体結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶および窒化物半導体結晶の製造装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110265709A1 (ja) |
| EP (1) | EP2390386B1 (ja) |
| JP (1) | JP5418210B2 (ja) |
| KR (1) | KR20110116114A (ja) |
| CN (1) | CN102159755B (ja) |
| WO (1) | WO2010082574A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5418236B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2014-02-19 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体結晶の製造装置、窒化物半導体結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶 |
| JP2011256063A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Bridgestone Corp | 単結晶製造装置 |
| US20140264388A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Nitride Solutions Inc. | Low carbon group-iii nitride crystals |
| DE102016106734A1 (de) * | 2015-12-14 | 2017-06-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Träger für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement, Wafer und Lötverfahren |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW573086B (en) * | 2001-09-21 | 2004-01-21 | Crystal Is Inc | Powder metallurgy tungsten crucible for aluminum nitride crystal growth |
| US20060005763A1 (en) * | 2001-12-24 | 2006-01-12 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
| US6770135B2 (en) * | 2001-12-24 | 2004-08-03 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
| US7170095B2 (en) * | 2003-07-11 | 2007-01-30 | Cree Inc. | Semi-insulating GaN and method of making the same |
| DE10335538A1 (de) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Sicrystal Ag | Verfahren und Vorrichtung zur AIN-Einkristall-Herstellung mit gasdurchlässiger Tiegelwand |
| JP4736365B2 (ja) | 2004-07-21 | 2011-07-27 | 学校法人早稲田大学 | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
| JP2007145679A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Fujikura Ltd | 窒化アルミニウム単結晶の製造装置及びその製造方法 |
| US7524376B2 (en) * | 2006-05-04 | 2009-04-28 | Fairfield Crystal Technology, Llc | Method and apparatus for aluminum nitride monocrystal boule growth |
| JP5045232B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-10-10 | 住友電気工業株式会社 | ＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶の成長方法 |
-
2009
- 2009-12-25 JP JP2009293994A patent/JP5418210B2/ja active Active
-
2010
- 2010-01-13 US US13/063,937 patent/US20110265709A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-13 EP EP10731243.1A patent/EP2390386B1/en not_active Not-in-force
- 2010-01-13 WO PCT/JP2010/050257 patent/WO2010082574A1/ja active Application Filing
- 2010-01-13 KR KR1020117002960A patent/KR20110116114A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-01-13 CN CN201080002639.3A patent/CN102159755B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102159755A (zh) | 2011-08-17 |
| WO2010082574A1 (ja) | 2010-07-22 |
| EP2390386B1 (en) | 2015-08-12 |
| JP2010184857A (ja) | 2010-08-26 |
| EP2390386A4 (en) | 2013-08-28 |
| US20110265709A1 (en) | 2011-11-03 |
| KR20110116114A (ko) | 2011-10-25 |
| CN102159755B (zh) | 2014-06-11 |
| EP2390386A1 (en) | 2011-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5053993B2 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶を調製するためのシード形成成長方法 | |
| US7056383B2 (en) | Tantalum based crucible | |
| KR101346415B1 (ko) | ＳｉＣ 단결정막의 제조 방법 및 장치 | |
| JP4992703B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法 | |
| US20160222506A1 (en) | Method and system for preparing polycrystalline group iii metal nitride | |
| WO2000039372A1 (fr) | Procede de production d'un monocristal de carbure de silicium | |
| WO2006070480A1 (ja) | 炭化珪素単結晶、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法 | |
| JP5418210B2 (ja) | 窒化物半導体結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶および窒化物半導体結晶の製造装置 | |
| WO2019171901A1 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JP5602093B2 (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
| JP4604728B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JP4460236B2 (ja) | 炭化珪素単結晶ウェハ | |
| JP5418236B2 (ja) | 窒化物半導体結晶の製造装置、窒化物半導体結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶 | |
| JP2011132079A (ja) | 窒化アルミニウム単結晶とその製造方法および製造装置 | |
| JP2010077023A (ja) | 炭化珪素単結晶及びその製造方法 | |
| JP4304783B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 | |
| JP4850807B2 (ja) | 炭化珪素単結晶育成用坩堝、及びこれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JP4595592B2 (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JP2013006739A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP5252495B2 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
| JP5310669B2 (ja) | ＡｌＮ単結晶の成長方法 | |
| JP2006124247A (ja) | 炭化珪素単結晶および炭化珪素基板 | |
| JP2015096457A (ja) | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | |
| JP2012140325A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長装置 | |
| JP2015067499A (ja) | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130711 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131003 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131022 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131104 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5418210 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |