JP2006124247A - 炭化珪素単結晶および炭化珪素基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 タングステン、ニオブおよびモリブデンの群から選択された少なくとも1種類の金属を含有するSiC単結晶である。ここで、SiC単結晶中におけるこれらの金属の含有量が1×1014個/cm3以上1×1017個/cm3以下であることが好ましい。さらに、このSiC単結晶からなるSiC基板である。
【選択図】 図1
Description
図1に示すSiC単結晶成長装置を用いてSiC単結晶を製造した。まず、SiC結晶粉末中にタングステン(W)をSiC結晶粉末中のSiの物質量に対して4.0×10-2mol%となるように混合して原料2を作製した。そして、この原料2を坩堝7に充填した後にSiCからなる種結晶基板1が取り付けられている蓋8を被せ、種結晶基板1が坩堝7の内部に設置されるようにした。続いて、坩堝7の内部の圧力が10-5Paになるまで一旦減圧した後に、坩堝7にArガスを導入することによって坩堝7の内部を圧力1×105PaのArガス雰囲気とした。
図1に示す原料2中におけるWの混合量をSiC結晶粉末中のSiの物質量に対して4.0×10-5mol%としたこと以外は実施例1と同様にしてSiC基板を製造した。そして、実施例1と同様にして、このSiC基板中のWの含有量および抵抗率を測定した。その結果を表1に示す。表1に示すように、このSiC基板中のWの含有量は1.0×1014個/cm3であり、SiC基板の抵抗率は1.0×1010Ωcmであった。
図1に示す原料2中におけるWの混合量をSiC結晶粉末中のSiの物質量に対して4.4×10-2mol%としたこと以外は実施例1と同様にしてSiC基板を製造した。そして、実施例1と同様にして、このSiC基板中のWの含有量および抵抗率を測定した。その結果を表1に示す。表1に示すように、このSiC基板中のWの含有量は1.1×1017個/cm3であり、SiC基板の抵抗率は1.0×109Ωcmであった。
図1に示す原料2中におけるWの混合量をSiC結晶粉末中のSiの物質量に対して3.96×10-5mol%としたこと以外は実施例1と同様にしてSiC基板を製造した。そして、実施例1と同様にして、このSiC基板中のWの含有量および抵抗率を測定した。その結果を表1に示す。表1に示すように、このSiC基板中のWの含有量は9.9×1013個/cm3であり、SiC基板の抵抗率は1.0×109Ωcmであった。
Wの代わりにニオブ(Nb)を図1に示す原料2中に混合したこと以外は実施例1と同様にしてSiC基板を製造した。そして、実施例1と同様にして、このSiC基板中のNbの含有量および抵抗率を測定した。その結果を表2に示す。表2に示すように、このSiC基板中のNbの含有量は1.0×1017個/cm3であり、SiC基板の抵抗率は1.0×1011Ωcmであった。
Wの代わりにモリブデン(Mo)を図1に示す原料2中に混合したこと以外は実施例1と同様にしてSiC基板を製造した。そして、実施例1と同様にして、このSiC基板中のMoの含有量および抵抗率を測定した。その結果を表2に示す。表2に示すように、このSiC基板中のMoの含有量は1.0×1017個/cm3であり、SiC基板の抵抗率は1.0×1011Ωcmであった。
図1に示す原料2中に、SiC結晶粉末中のSiの物質量に対してWを2.0×10-2mol%となるように混合し、Nbを2.0×10-2mol%となるように混合したこと以外は実施例1と同様にしてSiC基板を製造した。そして、実施例1と同様にして、このSiC基板中のWとNbの総含有量および抵抗率を測定した。その結果を表2に示す。表2に示すように、このSiC基板中のWとNbの総含有量は1.0×1017個/cm3であり、SiC基板の抵抗率は1.0×1011Ωcmであった。
図1に示す原料2中に、SiC結晶粉末中のSiの物質量に対してWを2.0×10-2mol%となるように混合し、Moを2.0×10-2mol%となるように混合したこと以外は実施例1と同様にしてSiC基板を製造した。そして、実施例1と同様にして、このSiC基板中のWとMoの総含有量および抵抗率を測定した。その結果を表2に示す。表2に示すように、このSiC基板中のWとMoの総含有量は1.0×1017個/cm3であり、SiC基板の抵抗率は1.0×1011Ωcmであった。
図1に示す原料2中に、SiC結晶粉末中のSiの物質量に対してNbを2.0×10-2mol%となるように混合し、Moを2.0×10-2mol%となるように混合したこと以外は実施例1と同様にしてSiC基板を製造した。そして、実施例1と同様にして、このSiC基板中のNbとMoの総含有量および抵抗率を測定した。その結果を表2に示す。表2に示すように、このSiC基板中のNbとMoの総含有量は1.0×1017個/cm3であり、SiC基板の抵抗率は1.0×1011Ωcmであった。
図1に示す原料2中に、SiC結晶粉末中のSiの物質量に対してWを2.0×10-2mol%となるように混合し、Nbを1.0×10-2mol%となるように混合し、Moを1.0×10-2mol%となるように混合したこと以外は実施例1と同様にしてSiC基板を製造した。そして、実施例1と同様にして、このSiC基板中のWとNbとMoの総含有量および抵抗率を測定した。その結果を表2に示す。表2に示すように、このSiC基板中のWとNbとMoの総含有量は1.0×1017個/cm3であり、SiC基板の抵抗率は1.0×1011Ωcmであった。
Wの代わりにバナジウム(V)を図1に示す原料2中に混合したこと以外は実施例1と同様にしてSiC基板を製造した。そして、実施例1と同様にして、このSiC基板中のVの含有量および抵抗率を測定した。その結果を表2に示す。表2に示すように、このSiC基板中のVの含有量は1.0×1015個/cm3であり、SiC基板の抵抗率は1.0×103Ωcmであった。
Claims (8)
- タングステン、ニオブおよびモリブデンの群から選択された少なくとも1種類の金属を含有することを特徴とする、炭化珪素単結晶。
- 前記金属がタングステンとニオブであることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素単結晶。
- 前記金属がタングステンとモリブデンであることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素単結晶。
- 前記金属がニオブとモリブデンであることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素単結晶。
- 前記金属がタングステンとニオブとモリブデンであることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素単結晶。
- 前記金属の含有量が1×1014個/cm3以上1×1017個/cm3以下であることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の炭化珪素単結晶。
- ホウ素および窒素の少なくとも一方を含有することを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の炭化珪素単結晶。
- 請求項1から7のいずれかに記載の炭化珪素単結晶からなる、炭化珪素基板。
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