JP7024622B2 - 炭化珪素単結晶およびその製造方法 - Google Patents
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Description
まず、本実施形態にかかるSiC単結晶の製造に用いるSiC単結晶製造装置について説明する。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSiC単結晶6中にn型不純物を添加するものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1、第2実施形態に対して重金属元素を添加する場所を特定したものであり、その他に関しては第1、第2実施形態と同様であるため、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
3a 供給ガス
5 種結晶
6 SiC単結晶
9 加熱容器
10 台座
11 回転引上機構
12、13 第1、第2加熱装置
20 ウェハ
Claims (6)
- 炭化珪素単結晶であって、
少なくとも外周部(H2)において、鉄以上の比重を有する重金属元素が添加されており、前記重金属元素の添加密度が1×1015cm-3以上かつ5.0×10 18 cm -3 以下となっていて、さらに、軽金属元素としてホウ素が添加されており、前記ホウ素の添加量が5.0×1015cm-3以下であるいる炭化珪素単結晶。 - 炭化珪素単結晶であって、
少なくとも外周部(H2)において、鉄以上の比重を有する重金属元素が添加されており、前記重金属元素の添加密度が1×1015cm-3以上かつ5.0×10 18 cm -3 以下となっていて、さらに、軽金属元素としてアルミニウムが添加されており、前記アルミニウムの添加量が5.0×1017cm-3以下である炭化珪素単結晶。 - 前記重金属元素の添加密度が1×1016cm-3以上である請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶。
- 前記重金属元素がタンタルもしくはニオブである請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶。
- 窒素が添加されており、前記窒素の添加密度が1×1018cm-3以上とされている請求項1ないし4のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶。
- 前記重金属元素の添加密度が最も高い位置において、前記窒素の添加密度と前記重金属元素の添加密度の比となる窒素の添加密度/重金属元素の添加密度が2.0以上である請求項5に記載の炭化珪素単結晶。
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