JP2006124246A - 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコンを含む材料と炭素を含む材料とから炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法であって、シリコンを含む材料および炭素を含む材料の少なくとも一方に遷移金属を添加する工程と、シリコンを含む材料および炭素を含む材料を加熱してシリコンと炭素とを含むガスを生成する工程と、シリコンと炭素とを再結晶させる工程とを含む炭化珪素単結晶の製造方法である。また、この製造方法により得られたSiC単結晶を所定の厚みに切断して得られたSiC基板である。
【選択図】 図1
Description
図1に、本実施の形態のSiC単結晶の製造方法のフローチャートを示す。図1を参照して、本実施の形態の概要について説明する。最初に、ステップS1においてSiを含む材料である固形の二酸化珪素粉末(SiO2粉末)中に遷移金属としての固形の金属バナジウム粉末が添加される。次に、ステップS2において、金属バナジウム粉末が添加された後のSiO2粉末と、固形の黒鉛粉末とを混合する。そして、ステップS3において、これらの混合した材料を加熱して気化させてSiとCとを含むガスを生成する。最後に、ステップS4において、SiとCとを含むガスを再結晶させることによってSiC単結晶を成長させて、SiC単結晶が製造される。
図4に、本実施の形態のSiC単結晶の製造方法のフローチャートを示す。図4を参照して、本実施の形態の概要について説明する。最初に、ステップS1においてSiを含む材料である固形のSiO2粉末中に固形の金属バナジウム粉末が添加される。次に、ステップS2において、金属バナジウム粉末が添加された後のSiO2粉末と、固形の黒鉛粉末とをそれぞれ別々に加熱することによってSiを含むガスと、Cを含むガスとを別々に生成する。そして、ステップS3において、Siを含むガスとCを含むガスとを容器内に別々に導入して混合し、SiとCとを含むガスを生成する。最後に、ステップS4において、SiとCとを含むガスを再結晶させることによってSiC単結晶を成長させて、SiC単結晶が製造される。
上記実施の形態においては、金属バナジウム粉末をSiO2粉末中に添加したが、金属バナジウム粉末を黒鉛粉末のみに添加してもよく、SiO2粉末と黒鉛粉末の双方に添加してもよい。
図2に示す成長装置5の坩堝7内に、金属バナジウム粉末を添加したSiO2粉末と黒鉛粉末とを混合した原料2を導入した。ここで、金属バナジウム粉末はバナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.4%となるように添加した。
バナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.04%となるように金属バナジウム粉末を添加したこと以外は実施例1と同様にして、SiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を製造した。このSiC基板中のバナジウムの含有量と抵抗率(25℃)を表1に示す。
バナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.03%となるように金属バナジウム粉末を添加したこと以外は実施例1と同様にして、SiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を製造した。このSiC基板中のバナジウムの含有量と抵抗率(25℃)を表1に示す。
図5に示す成長装置5の加熱室12に金属バナジウム粉末が添加されたSiO2粉末15を導入し、加熱室13には黒鉛粉末16を導入した。ここで、金属バナジウム粉末はバナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.4%となるように添加した。
このSiC基板中のバナジウムの含有量と抵抗率(25℃)を表1に示す。
バナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.04%となるように金属バナジウム粉末を添加したこと以外は実施例5と同様にして、SiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を製造した。このSiC基板中のバナジウムの含有量と抵抗率(25℃)を表1に示す。
バナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.03%となるように金属バナジウム粉末を添加したこと以外は実施例5と同様にして、SiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を製造した。このSiC基板中のバナジウムの含有量と抵抗率(25℃)を表1に示す。
Claims (8)
- シリコンを含む材料と炭素を含む材料とから炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記シリコンを含む材料および前記炭素を含む材料の少なくとも一方に遷移金属を添加する工程と、前記シリコンを含む材料および前記炭素を含む材料を加熱して前記シリコンと前記炭素とを含むガスを生成する工程と、前記シリコンと前記炭素とを再結晶させる工程とを含む、炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記遷移金属は、バナジウムであることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記ガスは、前記シリコンを含む材料と前記炭素を含む材料とを混合した後に加熱することによって生成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記ガスは、前記シリコンを含む材料を加熱して得られたシリコンを含むガスと、前記炭素を含む材料を加熱して得られた炭素を含むガスとを混合することによって生成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記遷移金属の物質量が、前記シリコンの物質量の0.04%以上0.4%以下であることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 請求項1から5のいずれかに記載の炭化珪素単結晶の製造方法により得られた炭化珪素単結晶を所定の厚みに切断することによって得られた、炭化珪素基板。
- 前記遷移金属の含有量が、1.0×1017個/cm3以上1.0×1019個/cm3以下であることを特徴とする、請求項6に記載の炭化珪素基板。
- 半導体デバイス用の基板として用いられることを特徴とする、請求項6または7に記載の炭化珪素基板。
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JP2004316459A JP2006124246A (ja) | 2004-10-29 | 2004-10-29 | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素基板 |
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---|---|---|---|---|
JP2010150133A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sicrystal Ag | 均一ドーピングされたSiCバルク単結晶の製造方法および均一ドーピングされたSiC基板 |
JP2010248025A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-04 | Bridgestone Corp | 炭化珪素粉体の製造方法 |
JP2012030994A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
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2004
- 2004-10-29 JP JP2004316459A patent/JP2006124246A/ja active Pending
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