JP2006124246A - 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】 効率的に高抵抗率のSiC単結晶を製造することができるSiC単結晶の製造方法とその方法により得られた高抵抗率のSiC基板を提供する。
【解決手段】 シリコンを含む材料と炭素を含む材料とから炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法であって、シリコンを含む材料および炭素を含む材料の少なくとも一方に遷移金属を添加する工程と、シリコンを含む材料および炭素を含む材料を加熱してシリコンと炭素とを含むガスを生成する工程と、シリコンと炭素とを再結晶させる工程とを含む炭化珪素単結晶の製造方法である。また、この製造方法により得られたSiC単結晶を所定の厚みに切断して得られたSiC基板である。
【選択図】 図1

Description

本発明は、炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法とその方法により得られたSiC基板に関する。
SiCはシリコン(Si)と炭素(C)とからなる化合物であるが、SiCはSiに比べてバンドギャップが約3倍、絶縁破壊電圧が約10倍、電子飽和速度が約2倍、さらに熱伝導率が約3倍大きく、Siにない特性を有している。また、SiCは熱的かつ化学的に安定な半導体材料であり、これらの特性を生かして、近年ではSiデバイスの物理的な限界を打破するパワーデバイスや高温で動作する耐環境デバイスなどへの応用が期待されている。
一方、光デバイス研究においては短波長化を目指した窒化ガリウム(GaN)系の材料開発がなされているが、SiCはGaNに対する格子不整合が他の化合物半導体に比べて格段に小さいので、SiCをGaN層のエピタキシャル成長用の基板として用いることが注目されている。
半導体デバイス分野においては、使用目的に応じて半導体デバイスの製造に用いられる基板の電気伝導特性を制御する必要がある。例えば、半導体レーザ用の基板としては低抵抗率の基板が必要とされ、高周波デバイス用の基板としては寄生容量低減および素子分離等の理由から高抵抗率の基板が必要とされている。
特許文献1には、従来の高抵抗率のSiC基板の製造方法が開示されている。この方法においては、二酸化珪素と黒鉛からなる混合材料に高純度バナジウムを添加して高温炉で反応させることによってバナジウム添加SiC結晶を製造し、このバナジウム添加SiC結晶から、改良レーリー法を用いて、SiC単結晶が製造される。そして、このSiC単結晶を所定の厚みに切り出して高抵抗率のSiC基板が製造される。
しかしながら、この方法においては、バナジウム添加SiC結晶を製造する工程において、高純度バナジウムが添加された二酸化珪素と黒鉛とからなる混合材料を2000℃以上の高温で30時間以上加熱する必要がある。そして、このように加熱された混合原料は改良レーリー法において再度2000℃以上に加熱される。それゆえ、この方法においては、大量のエネルギを消費し、また、製造コストも増大するため、効率的にSiC単結晶を製造することができないという問題があった。
特開2003−104798号公報
本発明の目的は、効率的に高抵抗率のSiC単結晶を製造することができるSiC単結晶の製造方法とその方法により得られた高抵抗率のSiC基板を提供することにある。
本発明は、Siを含む材料とCを含む材料とからSiC単結晶を製造するSiC単結晶の製造方法であって、Siを含む材料およびCを含む材料の少なくとも一方に遷移金属を添加する工程と、Siを含む材料およびCを含む材料を加熱してSiとCとを含むガスを生成する工程と、SiとCとを再結晶させる工程とを含むSiC単結晶の製造方法である。
ここで、本発明のSiC単結晶の製造方法において、上記遷移金属は、バナジウムであることが好ましい。
また、本発明のSiC単結晶の製造方法において、上記ガスは、Siを含む材料とCを含む材料とを混合した後に加熱することによって生成され得る。
また、本発明のSiC単結晶の製造方法において、上記ガスは、Siを含む材料を加熱して得られたSiを含むガスと、Cを含む材料を加熱して得られたCを含むガスとを混合することによって生成され得る。
また、本発明のSiC単結晶の製造方法においては、上記遷移金属の物質量が、Siの物質量の0.04%以上0.4%以下であることが好ましい。
さらに、本発明は、上記のSiC単結晶の製造方法により得られたSiC単結晶を所定の厚みに切断することによって得られたSiC基板である。
また、本発明のSiC基板中の上記遷移金属の含有量が1.0×1017個/cm3以上1.0×1019個/cm3以下であることが好ましい。
また、本発明のSiC基板は、半導体デバイス用の基板として用いられることが好ましい。
本発明によれば、効率的に高抵抗率のSiC単結晶を製造することができ、また、そのSiC単結晶を所定の厚みに切断することによって高抵抗率のSiC基板を効率的に得ることができる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本明細書において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
(実施の形態1)
図1に、本実施の形態のSiC単結晶の製造方法のフローチャートを示す。図1を参照して、本実施の形態の概要について説明する。最初に、ステップS1においてSiを含む材料である固形の二酸化珪素粉末(SiO2粉末)中に遷移金属としての固形の金属バナジウム粉末が添加される。次に、ステップS2において、金属バナジウム粉末が添加された後のSiO2粉末と、固形の黒鉛粉末とを混合する。そして、ステップS3において、これらの混合した材料を加熱して気化させてSiとCとを含むガスを生成する。最後に、ステップS4において、SiとCとを含むガスを再結晶させることによってSiC単結晶を成長させて、SiC単結晶が製造される。
図2には、本発明に用いられるSiC単結晶成長装置の好ましい一例の模式的な断面図が示されている。この成長装置5は、石英管6の内部に設置された黒鉛製の坩堝7と、坩堝7の上端開口部を閉鎖する蓋8と、坩堝7と蓋8の周囲に設置された熱シールドのための黒鉛製のフェルト9と、石英管6の外周を取り巻くように設置されたワークコイル10とを含む。そして、SiCからなる種結晶基板1が蓋8の下面中央に取り付けられている。
この成長装置5の坩堝7内には、金属バナジウム粉末が添加されたSiO2粉末と黒鉛粉末とを混合して得られた原料2が導入される。そして、この原料2が導入された後、坩堝7の内部をアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気とし、ワークコイル10に高周波電流を流すことによって種結晶基板1および原料2が例えば2000℃以上に加熱される。そして、坩堝7の内部を減圧して原料2を昇華させることにより原料2が気化して原料2の昇華ガス11が発生する。この原料2の昇華ガス11には、SiとCの他に、バナジウムが含まれている。
ここで、上記加熱は、原料2が充填されている坩堝7の下部側から種結晶基板1がある坩堝7の上部側にかけて次第に低温となるように温度勾配をつけて行われているため、種結晶基板1の表面近傍に到達した原料2の昇華ガス11は、種結晶基板1の表面で過飽和状態となって種結晶基板1上で再結晶し、種結晶基板1上にバナジウムを含有するSiC単結晶2aが成長して、SiC単結晶インゴッド3が得られる。
そして、SiC単結晶インゴッド3を成長装置5から取り出した後、任意の厚みに切断することによって、図3の模式的斜視図に示すSiC基板4を得ることができる。
このSiC基板4上に半導体層が積層等されてダイオード、トランジスタまたはサイリスタ等の半導体デバイスが作製される。
ここで、SiC基板4中におけるバナジウムの含有量が、1.0×1017個/cm3以上1.0×1019個/cm3以下であることが好ましい。バナジウムの含有量が1.0×1017個/cm3未満である場合にはSiC基板4中におけるバナジウムの含有量が少なすぎてSiC基板4が高抵抗率を示さない傾向にあり、バナジウムの含有量が1.0×1019個/cm3よりも多い場合にはSiC基板4中におけるバナジウムの含有量が多すぎてSiC基板4中の欠陥数が増加してSiCの特性が悪化する傾向にある。
また、Siを含む材料であるSiO2粉末中に添加されるバナジウムの物質量が、SiO2粉末中のSiの物質量の0.04%以上0.4%以下であることが好ましい。添加されるバナジウムの物質量がSiの物質量の0.04%未満である場合にはバナジウムの添加量が少なすぎてSiC基板が高抵抗率を示さない傾向にあり、添加されるバナジウムの物質量がSiの物質量の0.4%よりも多い場合にはバナジウムの添加量が多すぎてSiC基板4中の欠陥数が増加してSiCの特性が悪化する傾向にある。
このように本発明においてはSiC単結晶の原料を加熱する機会は1回であるため、製造工程の短縮化を図ることができる。それゆえ、本発明においては、消費エネルギおよび製造コストの観点から効率的にSiC単結晶およびSiC基板を製造することができるのである。
(実施の形態2)
図4に、本実施の形態のSiC単結晶の製造方法のフローチャートを示す。図4を参照して、本実施の形態の概要について説明する。最初に、ステップS1においてSiを含む材料である固形のSiO2粉末中に固形の金属バナジウム粉末が添加される。次に、ステップS2において、金属バナジウム粉末が添加された後のSiO2粉末と、固形の黒鉛粉末とをそれぞれ別々に加熱することによってSiを含むガスと、Cを含むガスとを別々に生成する。そして、ステップS3において、Siを含むガスとCを含むガスとを容器内に別々に導入して混合し、SiとCとを含むガスを生成する。最後に、ステップS4において、SiとCとを含むガスを再結晶させることによってSiC単結晶を成長させて、SiC単結晶が製造される。
図5には、本発明に用いられるSiC単結晶成長装置の好ましい他の例の模式的な断面図が示されている。この成長装置5においては、坩堝7の内部とガス導入管14a、14bによってそれぞれ連結されている加熱室12、13が設置されていることに特徴がある。
この加熱室12には金属バナジウム粉末が添加されたSiO2粉末15が導入されており、加熱室13には黒鉛粉末16が導入されている。そして、加熱室12、13において、金属バナジウム粉末が添加されたSiO2粉末15および黒鉛粉末16がそれぞれ同時に加熱されて、Siを含む昇華ガス11a、Cを含む昇華ガス11bが生成し、昇華ガス11a、11bがガス導入管14a、14bをそれぞれ通過して別々に坩堝7の内部に導入されることによって、SiとCとを含むガスが生成される。
ここで、ワークコイル10に高周波電流を流すことによって坩堝7の内部と種結晶基板1とは例えば2000℃以上に加熱される。また、加熱室12、13が連結されている坩堝7の下部側から種結晶基板1がある坩堝7の上部側にかけて次第に低温となるように温度勾配をつけて加熱されているため、種結晶基板1の表面近傍に到達したSiとCとを含むガスは、種結晶基板1の表面で過飽和状態となって種結晶基板1上で再結晶し、種結晶基板1上にSiC単結晶2aがバルク成長して、SiC単結晶インゴッド3が得られる。
そして、SiC単結晶インゴッド3を成長装置5から取り出した後、任意の厚みに切断することによって、実施の形態1と同様にSiC基板を得ることができる。
(その他)
上記実施の形態においては、金属バナジウム粉末をSiO2粉末中に添加したが、金属バナジウム粉末を黒鉛粉末のみに添加してもよく、SiO2粉末と黒鉛粉末の双方に添加してもよい。
また、上記実施の形態においては、遷移金属としてバナジウムを添加したが、チタン等を添加してもよい。
(実施例1)
図2に示す成長装置5の坩堝7内に、金属バナジウム粉末を添加したSiO2粉末と黒鉛粉末とを混合した原料2を導入した。ここで、金属バナジウム粉末はバナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.4%となるように添加した。
そして、坩堝7内に原料2を導入した後、坩堝7の内部を1.0×105Paのアルゴンガス雰囲気とし、ワークコイル10に高周波電流を流すことによって種結晶基板1を2000℃、原料2を2300℃に加熱した。そして、坩堝7の内部を5.0×104Paまで減圧して原料2を昇華させた後、種結晶基板1上で再結晶させて、種結晶基板1上にバナジウムを含有するSiC単結晶2aをバルク成長させて、SiC単結晶インゴッド3を得た。
そして、SiC単結晶インゴッド3を成長装置5から取り出した後、任意の厚みに切断することによって、SiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を製造した。このSiC基板中のバナジウムの含有量と抵抗率(25℃)を表1に示す。
表1に示すように、実施例1のSiC基板中のバナジウムの含有量は1.0×1019個/cm3であって、抵抗率(25℃)は1.0×1010Ω・cmであった。
(実施例2)
バナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.04%となるように金属バナジウム粉末を添加したこと以外は実施例1と同様にして、SiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を製造した。このSiC基板中のバナジウムの含有量と抵抗率(25℃)を表1に示す。
表1に示すように、実施例2のSiC基板中のバナジウムの含有量は1.0×1017個/cm3であって、抵抗率(25℃)は1.0×109Ω・cmであった。
(実施例3)
バナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.03%となるように金属バナジウム粉末を添加したこと以外は実施例1と同様にして、SiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を製造した。このSiC基板中のバナジウムの含有量と抵抗率(25℃)を表1に示す。
表1に示すように、実施例3のSiC基板中のバナジウムの含有量は7.5×1016個/cm3であって、抵抗率(25℃)は1.0×103Ω・cmであった。
(実施例4)
図5に示す成長装置5の加熱室12に金属バナジウム粉末が添加されたSiO2粉末15を導入し、加熱室13には黒鉛粉末16を導入した。ここで、金属バナジウム粉末はバナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.4%となるように添加した。
続いて、加熱室12、13において、金属バナジウム粉末が添加されたSiO2粉末15および黒鉛粉末16をそれぞれ同時に加熱して、Siとバナジウムとを含む昇華ガス11a、Cを含む昇華ガス11bを生成させて、それぞれの昇華ガス11a、11bを別々に坩堝7の内部に導入した。
そして、これらの昇華ガス11a、11bを種結晶基板1上で再結晶させて、種結晶基板1上にバナジウムを含有するSiC単結晶2aをバルク成長させて、SiC単結晶インゴッド3を得た。
そして、SiC単結晶インゴッド3を成長装置5から取り出した後、任意の厚みに切断することによって、SiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を製造した。
このSiC基板中のバナジウムの含有量と抵抗率(25℃)を表1に示す。
表1に示すように、実施例4のSiC基板中のバナジウムの含有量は1.0×1019個/cm3であって、抵抗率(25℃)は1.0×1010Ω・cmであった。
(実施例5)
バナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.04%となるように金属バナジウム粉末を添加したこと以外は実施例5と同様にして、SiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を製造した。このSiC基板中のバナジウムの含有量と抵抗率(25℃)を表1に示す。
表1に示すように、実施例5のSiC基板中のバナジウムの含有量は1.0×1017個/cm3であって、抵抗率(25℃)は1.0×109Ω・cmであった。
(実施例6)
バナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.03%となるように金属バナジウム粉末を添加したこと以外は実施例5と同様にして、SiC基板(厚さ400μm、口径2インチ)を製造した。このSiC基板中のバナジウムの含有量と抵抗率(25℃)を表1に示す。
表1に示すように、実施例6のSiC基板中のバナジウムの含有量は7.5×1016個/cm3であって、抵抗率(25℃)は1.0×103Ω・cmであった。
Figure 2006124246
表1に示すように、バナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.04%以上0.4%以下となるように金属バナジウム粉末を添加した実施例1および実施例2のSiC基板は、バナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.03%となるように金属バナジウム粉末を添加した実施例3のSiC基板よりも高抵抗率を示した。
また、表1に示すように、バナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.04%以上0.4%以下となるように金属バナジウム粉末を添加した実施例4および実施例5のSiC基板は、バナジウムの物質量がSiO2粉末中のSiの物質量の0.03%となるように金属バナジウム粉末を添加した実施例6のSiC基板よりも高抵抗率を示した。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
上述したように本発明によれば、高抵抗率を示すSiC単結晶とSiC基板とを効率的に製造することができる。本発明のSiC基板は高抵抗率を示すことから、本発明のSiC基板は、高周波デバイス、特にスイッチングダイオードまたはスイッチングトランジスタ等の動作周波数の高いスイッチング素子用の基板として好適に利用される。
本発明のSiC単結晶の製造方法の好ましい一例のフローチャートである。 本発明において用いられるSiC単結晶成長装置の好ましい一例の模式的な断面図である。 本発明において製造されるSiC基板の好ましい一例の模式的な斜視図である。 本発明のSiC単結晶の製造方法の好ましい他の例のフローチャートである。 本発明において用いられるSiC単結晶成長装置の好ましい他の例の模式的な断面図である。
符号の説明
1 種結晶基板、2 原料、2a SiC単結晶、3 SiC単結晶インゴッド、4 SiC基板、5 成長装置、6 石英管、7 坩堝、8 蓋、9 フェルト、10 ワークコイル、11,11a,11b 昇華ガス、12,13 加熱室、14a,14b ガス導入管、15 SiO2粉末、16 黒鉛粉末。

Claims (8)

  1. シリコンを含む材料と炭素を含む材料とから炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記シリコンを含む材料および前記炭素を含む材料の少なくとも一方に遷移金属を添加する工程と、前記シリコンを含む材料および前記炭素を含む材料を加熱して前記シリコンと前記炭素とを含むガスを生成する工程と、前記シリコンと前記炭素とを再結晶させる工程とを含む、炭化珪素単結晶の製造方法。
  2. 前記遷移金属は、バナジウムであることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
  3. 前記ガスは、前記シリコンを含む材料と前記炭素を含む材料とを混合した後に加熱することによって生成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
  4. 前記ガスは、前記シリコンを含む材料を加熱して得られたシリコンを含むガスと、前記炭素を含む材料を加熱して得られた炭素を含むガスとを混合することによって生成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
  5. 前記遷移金属の物質量が、前記シリコンの物質量の0.04%以上0.4%以下であることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
  6. 請求項1から5のいずれかに記載の炭化珪素単結晶の製造方法により得られた炭化珪素単結晶を所定の厚みに切断することによって得られた、炭化珪素基板。
  7. 前記遷移金属の含有量が、1.0×1017個/cm3以上1.0×1019個/cm3以下であることを特徴とする、請求項6に記載の炭化珪素基板。
  8. 半導体デバイス用の基板として用いられることを特徴とする、請求項6または7に記載の炭化珪素基板。
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