JP4962186B2 - 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4962186B2 JP4962186B2 JP2007189329A JP2007189329A JP4962186B2 JP 4962186 B2 JP4962186 B2 JP 4962186B2 JP 2007189329 A JP2007189329 A JP 2007189329A JP 2007189329 A JP2007189329 A JP 2007189329A JP 4962186 B2 JP4962186 B2 JP 4962186B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- side wall
- silicon carbide
- plate
- wall
- cylindrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 142
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 117
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 115
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 6
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 49
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 49
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 43
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 41
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 32
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
Images
Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の第1実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成を示したものである。この図に示されるように、SiC単結晶製造装置は、有底円筒状の容器本体10と、円形状の蓋体20によって構成されたグラファイト製の坩堝1を備えている。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第1実施形態では、仕切り板23cの外周端は側壁部21の内壁に接しているが、本実施形態では、当該外周端が側壁部21の内壁から離れていることが特徴となっている。
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。第2実施形態では、遮蔽部23と側壁部21とによって構成される空間23eが、仕切り板23cの外周端と側壁部21の内壁との間の隙間23hによって他の空間と繋がった状態とされているが、本実施形態では、遮蔽部23に貫通穴を設けることで空間23eを他の空間と繋げることが特徴となっている。
本実施形態では、第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第3実施形態では、空間23e内の空気を逃がすために遮蔽部23の支持板23aに貫通穴23iを設けていたが、本実施形態では側壁部21に貫通穴を設けることが特徴となっている。
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、成長空間領域60に温度勾配が生じないようにするために、遮蔽部23と側壁部21とで構成される空間23e内に断熱部材を設けることが特徴となっている。
第1実施形態では、仕切り板23cは坩堝1の中心軸に垂直方向の面に平行に配置されているが、仕切り板23cの配置はこれに限らず、例えば坩堝1の中心軸方向において仕切り板23cの外周端が内周端よりも容器本体10側に位置するように配置しても構わない。
Claims (8)
- 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体(20)は、
中空筒状の側壁部(21)と、
板状であって、前記板の一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
板状であって、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23d)を有しており、前記板の側面が前記側壁部(21)の内壁に一体化される支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内壁よりも径が小さい中空筒状をなしており、当該中空筒の中空部分が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面に前記中空筒の開口端の一方が一体化された円筒部(23b)と、
前記昇華ガスが前記側壁部(21)の内壁と前記円筒部(23b)の外壁との間の空間(23e)に流れ込むことを抑制するドーナツ状のものであって、前記ドーナツ部の内周端が前記円筒部(23b)の開口端の他方に一体化され、前記ドーナツ部の外周端が前記側壁部(21)の内壁側に配置される仕切り板(23c)とを有しており、
前記仕切り板(23c)の外周端(23g)は、前記側壁部(21)の内壁に接しておらず、前記仕切り板(23c)の外周端と前記側壁部(21)の内壁との間に隙間(23h)が設けられていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体(20)は、
中空筒状の側壁部(21)と、
板状であって、前記板の一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
板状であって、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23d)を有しており、前記板の側面が前記側壁部(21)の内壁に一体化される支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内壁よりも径が小さい中空筒状をなしており、当該中空筒の中空部分が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面に前記中空筒の開口端の一方が一体化された円筒部(23b)と、
前記昇華ガスが前記側壁部(21)の内壁と前記円筒部(23b)の外壁との間の空間(23e)に流れ込むことを抑制するドーナツ状のものであって、前記ドーナツ部の内周端が前記円筒部(23b)の開口端の他方に一体化され、前記ドーナツ部の外周端が前記側壁部(21)の内壁側に配置される仕切り板(23c)とを有しており、
前記仕切り板(23c)の外周端(23g)が前記側壁部(21)の内壁に接しており、前記支持板(23a)には、前記支持板(23a)と前記蓋材(22)との間の空間と前記側壁部(21)と前記円筒部(23b)との間の前記空間(23e)とを繋ぐ貫通穴(23i)が設けられていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体(20)は、
中空筒状の側壁部(21)と、
板状であって、前記板の一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
板状であって、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23d)を有しており、前記板の側面が前記側壁部(21)の内壁に一体化される支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内壁よりも径が小さい中空筒状をなしており、当該中空筒の中空部分が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面に前記中空筒の開口端の一方が一体化された円筒部(23b)と、
前記昇華ガスが前記側壁部(21)の内壁と前記円筒部(23b)の外壁との間の空間(23e)に流れ込むことを抑制するドーナツ状のものであって、前記ドーナツ部の内周端が前記円筒部(23b)の開口端の他方に一体化され、前記ドーナツ部の外周端が前記側壁部(21)の内壁側に配置される仕切り板(23c)とを有しており、
前記仕切り板(23c)の外周端(23g)が前記側壁部(21)の内壁に接しており、前記側壁部(21)には、当該側壁部(21)と前記円筒部(23b)との間の前記空間(23e)と前記坩堝(1)の外部とを繋ぐ貫通穴(23j)が設けられていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記蓋体(20)は、
中空筒状の側壁部(21)と、
板状であって、前記板の一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
板状であって、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23d)を有しており、前記板の側面が前記側壁部(21)の内壁に一体化される支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内壁よりも径が小さい中空筒状をなしており、当該中空筒の中空部分が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面に前記中空筒の開口端の一方が一体化された円筒部(23b)と、
前記昇華ガスが前記側壁部(21)の内壁と前記円筒部(23b)の外壁との間の空間(23e)に流れ込むことを抑制するドーナツ状のものであって、前記ドーナツ部の内周端が前記円筒部(23b)の開口端の他方に一体化され、前記ドーナツ部の外周端が前記側壁部(21)の内壁側に配置される仕切り板(23c)とを有しており、
前記側壁部(21)と前記円筒部(23b)との間の前記空間(23e)に断熱部材(23k)が配置されていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記蓋体(20)として、
中空筒状の側壁部(21)と、
板状であって、前記板の一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
板状であって、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23d)を有しており、前記板の側面が前記側壁部(21)の内壁に一体化される支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内壁よりも径が小さい中空筒状をなしており、当該中空筒の中空部分が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面に前記中空筒の開口端の一方が一体化された円筒部(23b)と、
前記昇華ガスが前記側壁部(21)の内壁と前記円筒部(23b)の外壁との間の空間(23e)に流れ込むことを抑制するドーナツ状のものであって、前記ドーナツ部の内周端が前記円筒部(23b)の開口端の他方に一体化され、前記ドーナツ部の外周端が前記側壁部(21)の内壁側に配置される仕切り板(23c)とを有するものを用意し、
さらに、前記蓋体(20)として、前記仕切り板(23c)の外周端(23g)が、前記側壁部(21)の内壁に接しておらず、前記仕切り板(23c)の外周端(23g)と前記側壁部(21)の内壁との間に隙間(23h)が設けられたものを用意し、
前記容器本体(10)に前記炭化珪素原料(50)を配置させて前記蓋体(20)にて前記容器本体(10)を蓋閉めして前記坩堝(1)を構成した後、前記坩堝(1)を加熱することで、前記炭化珪素原料(50)から前記昇華ガスを発生させ、当該昇華ガスを前記成長空間領域(60)に供給することにより前記種結晶(40)に前記炭化珪素単結晶(70)を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記蓋体(20)として、
中空筒状の側壁部(21)と、
板状であって、前記板の一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
板状であって、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23d)を有しており、前記板の側面が前記側壁部(21)の内壁に一体化される支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内壁よりも径が小さい中空筒状をなしており、当該中空筒の中空部分が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面に前記中空筒の開口端の一方が一体化された円筒部(23b)と、
前記昇華ガスが前記側壁部(21)の内壁と前記円筒部(23b)の外壁との間の空間(23e)に流れ込むことを抑制するドーナツ状のものであって、前記ドーナツ部の内周端が前記円筒部(23b)の開口端の他方に一体化され、前記ドーナツ部の外周端が前記側壁部(21)の内壁側に配置される仕切り板(23c)とを有するものを用意し、
さらに、前記蓋体(20)として、前記仕切り板(23c)の外周端(23g)が前記側壁部(21)の内壁に接しており、前記支持板(23a)には、前記支持板(23a)と前記蓋材(22)との間の空間と前記側壁部(21)と前記円筒部(23b)との間の前記空間(23e)とを繋ぐ貫通穴(23i)が設けられたものを用意し、
前記容器本体(10)に前記炭化珪素原料(50)を配置させて前記蓋体(20)にて前記容器本体(10)を蓋閉めして前記坩堝(1)を構成した後、前記坩堝(1)を加熱することで、前記炭化珪素原料(50)から前記昇華ガスを発生させ、当該昇華ガスを前記成長空間領域(60)に供給することにより前記種結晶(40)に前記炭化珪素単結晶(70)を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記蓋体(20)として、
中空筒状の側壁部(21)と、
板状であって、前記板の一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
板状であって、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23d)を有しており、前記板の側面が前記側壁部(21)の内壁に一体化される支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内壁よりも径が小さい中空筒状をなしており、当該中空筒の中空部分が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面に前記中空筒の開口端の一方が一体化された円筒部(23b)と、
前記昇華ガスが前記側壁部(21)の内壁と前記円筒部(23b)の外壁との間の空間(23e)に流れ込むことを抑制するドーナツ状のものであって、前記ドーナツ部の内周端が前記円筒部(23b)の開口端の他方に一体化され、前記ドーナツ部の外周端が前記側壁部(21)の内壁側に配置される仕切り板(23c)とを有するものを用意し、
さらに、前記蓋体(20)として、前記仕切り板(23c)の外周端(23g)が前記側壁部(21)の内壁に接しており、前記側壁部(21)には、当該側壁部(21)と前記円筒部(23b)との間の前記空間(23e)と前記坩堝(1)の外部とを繋ぐ貫通穴(23j)が設けられたものを用意し、
前記容器本体(10)に前記炭化珪素原料(50)を配置させて前記蓋体(20)にて前記容器本体(10)を蓋閉めして前記坩堝(1)を構成した後、前記坩堝(1)を加熱することで、前記炭化珪素原料(50)から前記昇華ガスを発生させ、当該昇華ガスを前記成長空間領域(60)に供給することにより前記種結晶(40)に前記炭化珪素単結晶(70)を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 有底円筒状の容器本体(10)と当該容器本体(10)を蓋閉めするための蓋体(20)とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(20)に炭化珪素基板からなる種結晶(40)を配置すると共に前記容器本体(10)に炭化珪素原料(50)を配置し、前記炭化珪素原料(50)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(40)上に炭化珪素単結晶(70)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記蓋体(20)として、
中空筒状の側壁部(21)と、
板状であって、前記板の一面側に前記種結晶(40)が配置されると共に、前記種結晶(40)が前記側壁部(21)の中空部分に収納されるように前記側壁部(21)の開口端の一方に取り付けられる蓋材(22)と、
板状であって、前記種結晶(40)が差し込まれる貫通した窓部(23d)を有しており、前記板の側面が前記側壁部(21)の内壁に一体化される支持板(23a)と、
前記側壁部(21)の内壁よりも径が小さい中空筒状をなしており、当該中空筒の中空部分が成長空間領域(60)とされて前記昇華ガスが供給されるようになっており、前記支持板(23a)のうち前記蓋材(22)に対向する面とは反対側の面に前記中空筒の開口端の一方が一体化された円筒部(23b)と、
前記昇華ガスが前記側壁部(21)の内壁と前記円筒部(23b)の外壁との間の空間(23e)に流れ込むことを抑制するドーナツ状のものであって、前記ドーナツ部の内周端が前記円筒部(23b)の開口端の他方に一体化され、前記ドーナツ部の外周端が前記側壁部(21)の内壁側に配置される仕切り板(23c)とを有するものを用意し、
さらに、前記蓋体(20)として、前記側壁部(21)と前記円筒部(23b)との間の前記空間(23e)に断熱部材(23k)が配置されたものを用意し、
前記容器本体(10)に前記炭化珪素原料(50)を配置させて前記蓋体(20)にて前記容器本体(10)を蓋閉めして前記坩堝(1)を構成した後、前記坩堝(1)を加熱することで、前記炭化珪素原料(50)から前記昇華ガスを発生させ、当該昇華ガスを前記成長空間領域(60)に供給することにより前記種結晶(40)に前記炭化珪素単結晶(70)を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007189329A JP4962186B2 (ja) | 2007-07-20 | 2007-07-20 | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007189329A JP4962186B2 (ja) | 2007-07-20 | 2007-07-20 | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009023879A JP2009023879A (ja) | 2009-02-05 |
JP4962186B2 true JP4962186B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=40396042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007189329A Active JP4962186B2 (ja) | 2007-07-20 | 2007-07-20 | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4962186B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11078599B2 (en) | 2018-12-12 | 2021-08-03 | Skc Co., Ltd. | Apparatus for producing an ingot comprising a crucible body with a lid assembly having a movable core member and method for producing silicon carbide ingot using the apparatus |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7268299B2 (ja) * | 2018-08-08 | 2023-05-08 | 株式会社レゾナック | 遮蔽部材及び単結晶成長装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19917601A1 (de) * | 1998-07-14 | 2000-01-20 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung mindestens eines SiC-Einkristalls |
JP3843615B2 (ja) * | 1998-07-30 | 2006-11-08 | 株式会社デンソー | 単結晶成長装置 |
-
2007
- 2007-07-20 JP JP2007189329A patent/JP4962186B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11078599B2 (en) | 2018-12-12 | 2021-08-03 | Skc Co., Ltd. | Apparatus for producing an ingot comprising a crucible body with a lid assembly having a movable core member and method for producing silicon carbide ingot using the apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009023879A (ja) | 2009-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5392169B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP4967808B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP5659381B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP5560862B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造装置 | |
JP6338439B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
TWI570265B (zh) | Film forming apparatus, base, and film forming method | |
JP2000264795A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2009051701A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置およびその製造方法 | |
JP4962186B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JPH11268990A (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP2011213563A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
US6800136B2 (en) | Axial gradient transport apparatus and process | |
JP2011136903A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP4238450B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 | |
JP2009091173A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP2007077017A (ja) | 単結晶の成長装置および成長方法 | |
JP4766022B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP3719866B2 (ja) | 坩堝、結晶成長装置、および、結晶成長方法 | |
US9453291B2 (en) | Single crystal pulling apparatus and low heat conductive member used for single crystal pulling apparatus | |
KR101724291B1 (ko) | 역 승화법을 이용한 탄화규소 단결정 성장장치 | |
JP5333315B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP4735622B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP2012020893A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP4924253B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP4831041B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090904 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120228 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120312 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4962186 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |