JP4924253B2 - 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 - Google Patents

Description

本発明は、パワーＭＯＳＦＥＴ等の素材に利用することができる炭化珪素（以下、ＳｉＣという）単結晶の製造方法および装置に関するものである。

従来より、坩堝の外周に配置させた抵抗加熱ヒータで坩堝を加熱することによって坩堝内にＳｉＣ単結晶を成長させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。具体的に、特許文献１では、黒鉛製の坩堝内に種結晶を接合すると共に、坩堝底部に配したＳｉＣ粉末原料を例えば２３００℃に加熱することで、ＳｉＣ粉末原料を昇華させ、その昇華させたガスを原料温度よりも低い温度に設定された種結晶上に結晶化させる手法が提案されている。

図３は、この昇華再析出法に用いられるＳｉＣ単結晶製造装置の模式的な断面構造を示した図である。この図に示されるように、黒鉛製の坩堝Ｊ１の蓋材Ｊ２の内壁に円筒状の突起部Ｊ３を設け、この突起部Ｊ３の端面に種結晶Ｊ４を貼り付けるようにしている。さらに、種結晶Ｊ４の成長表面に対向する面を有すると共に、種結晶Ｊ４との間に成長空間領域Ｊ５を形成する遮蔽板Ｊ６を設けている。

また、蓋材Ｊ２に種結晶Ｊ４を囲うように黒鉛で形成されたスカート状の円筒部Ｊ７を設け、当該円筒部Ｊ７および遮蔽板Ｊ６により、坩堝Ｊ１のうち種結晶Ｊ４側の径方向温度分布を小さくしている。このようにして、成長空間領域Ｊ５の均熱を保つようにして、種結晶Ｊ４の上にＳｉＣ単結晶Ｊ８を成長させる。この場合、ＳｉＣ単結晶Ｊ８の周辺に多結晶を伴う埋め込み成長も起こる。

しかしながら、このような装置においては、坩堝Ｊ１が加熱されることで円筒部Ｊ７から黒鉛の微粒子が成長空間領域Ｊ５に飛び出し、ＳｉＣ単結晶Ｊ８に不純物として混入してしまうという問題がある。

そこで、ＳｉＣ単結晶Ｊ８への黒鉛の微粒子の混入を防止するため、円筒部Ｊ７の内壁を覆うように円筒状のＴａＣ部材Ｊ９を設けたものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。図４は、図３に示される蓋材Ｊ２を遮蔽板Ｊ６側から見た図である。この図に示されるように、ＴａＣ部材Ｊ９によって円筒部Ｊ７の内壁が覆われているため、円筒部Ｊ７の内壁から黒鉛の微粒子がＳｉＣ単結晶Ｊ８側に飛び出したとしても、ＴａＣ部材Ｊ９によって黒鉛の微粒子がせき止められる。このようにして、成長中のＳｉＣ単結晶Ｊ８に黒鉛の微粒子を混入させないようにしている。

なお、上記遮蔽板Ｊ６も黒鉛で形成されている。この場合、遮蔽板Ｊ６に図示しないＴａＣのコーティング膜を形成し、遮蔽板Ｊ６から成長空間領域Ｊ５に黒鉛の微粒子が飛び出さないようにしている。
特開２００１−１１４５９８号公報 特開２００５−２２５７１０号公報

しかしながら、上記従来の技術では、図４に示されるように、ＴａＣ部材Ｊ９において坩堝Ｊ１の中心軸に垂直方向の内壁面Ｊ１０の断面形状が真円になっている。このため、加熱された坩堝Ｊ１の熱がＴａＣ部材Ｊ９に与えられると、ＴａＣ部材Ｊ９の内壁から生じた熱輻射がＴａＣ部材Ｊ９に最大に作用してしまう。

具体的には、坩堝Ｊ１が加熱されることでＴａＣ部材Ｊ９が加熱されると、当該ＴａＣ部材Ｊ９の内壁面Ｊ１０から熱エネルギーが発せられる。上述のように、ＴａＣ部材Ｊ９において坩堝Ｊ１の中心軸に垂直方向の内壁面Ｊ１０の形状は真円であるので、熱エネルギーは内壁面Ｊ１０から坩堝Ｊ１の径方向に発せられ、真円の中心すなわち坩堝Ｊ１の中心軸を経由して反対側の内壁面Ｊ１０に達し、当該内壁面Ｊ１０の加熱に寄与することとなる。この場合、ＴａＣ部材Ｊ９の内壁面Ｊ１０すべてで発せられた熱エネルギーが、坩堝Ｊ１の中心軸を中心に対称の内壁面Ｊ１０すべてに達し、各場所の加熱に寄与すると共に反射して再び元の場所に戻ってきてしまう。このため、ＴａＣ部材Ｊ９の内壁面Ｊ１０全体が繰り返し何度も熱輻射によって加熱され、ＴａＣ部材Ｊ９の中空部分である成長空間領域Ｊ５の均熱が維持できなくなって高温になってしまう。

このように、成長空間領域Ｊ５において、坩堝Ｊ１の中心軸付近における温度よりもＴａＣ部材Ｊ９の内壁面Ｊ１０の温度が高くなってしまうと、温度が低い坩堝Ｊ１の中心軸付近の結晶成長が加速することによってＳｉＣ単結晶Ｊ８の口径拡大と凸成長が急速に進行してしまう。特に、ＳｉＣ単結晶Ｊ８のｃ面オフ成長では成長表面に形成されるファセットと呼ばれる（０００１）の平らな面が坩堝Ｊ１の中心軸に移動しやすくなるという問題点と、ＳｉＣ単結晶Ｊ８に大きな歪みが生じ、ＳｉＣ単結晶Ｊ８が割れてしまうという問題が生じる。

なお、円筒部Ｊ７において坩堝Ｊ１の中心軸に垂直方向の内壁面Ｊ１０の断面形状は真円であるので、円筒部Ｊ７の内壁面Ｊ１０にＴａＣをコーティングした場合にも熱輻射による上記と同様の問題が生じる。

本発明は、上記点に鑑み、埋め込み成長において、熱輻射によって成長空間領域の均熱が保たれなくなることを防止し、ひいては炭化珪素単結晶の割れを防止することができる製造装置および製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は、蓋体（２０）は、板状であって、当該板の面が坩堝（１）の中心軸に対して垂直に配置される支持板（２３ａ）と、円筒状をなしており、支持板（２３ａ）の一面に円筒の開口端の一方が一体化されることで支持板（２３ａ）から炭化珪素原料（５０）側に突出した形態とされる円筒部（２３ｂ）と、円筒部（２３ｂ）の中空部分に配置される筒形状のものであって、当該筒の中空部分が成長空間領域（６０）とされて昇華ガスが供給される円筒部被覆部材（２３ｃ）とを備え、円筒部被覆部材（２３ｃ）は、坩堝（１）の中心軸を中心にして、当該中心軸から坩堝（１）の径方向に異なる距離の面を有し構成される内壁面（２３ｅ）を備えていることを特徴とする。

これによると、坩堝（１）の中心軸を中心に坩堝（１）の径方向に広がる熱エネルギーのうち、一定範囲の内壁面（２３ｅ）で反射して再び坩堝（１）の中心軸に戻ってくる内壁面（２３ｅ）の場所が一点あったとしても、一定範囲の内壁面（２３ｅ）のうち他の場所では内壁面（２３ｅ）に対する入射角に従った反射角で反射する。このため、坩堝（１）の中心軸から坩堝（１）の径方向に進む熱エネルギーを分散することができ、円筒部被覆部材（２３ｃ）の内壁面（２３ｅ）が受ける熱輻射による影響を低減することができる。したがって、円筒部（２３ｂ）の中空部分における温度勾配を小さくすることができ、炭化珪素単結晶（７０）が成長する成長空間領域（６０）を均熱に保つことができる。以上により、炭化珪素単結晶（７０）の口径拡大や凸成長を防止することができ、ひいては炭化珪素単結晶（７０）の割れを防止することができる。

この場合、当該円筒部被覆部材（２３ｃ）において、坩堝（１）の中心軸に対して垂直方向の内壁面（２３ｅ）の形状が多角形になっていることを特徴とする。

これにより、円筒部被覆部材（２３ｃ）の内壁面（２３ｅ）から坩堝（１）の径方向に発せられる熱エネルギーを多角形の各辺に入射する入射角に従った反射角でそれぞれ反射させることができ、熱エネルギーを分散させることができる。

また、円筒部被覆部材（２３ｃ）を、複数の板材を筒状に組み合わせて構成することができる。これにより、坩堝（１）の中心軸に対して垂直方向の内壁面（２３ｅ）の断面形状が多角形となる円筒部被覆部材（２３ｃ）を容易に構成することができる。

上記では、炭化珪素単結晶の製造装置について述べたが、炭化珪素単結晶の製造方法についても同様のことが言える。すなわち、円筒部被覆部材（２３ｃ）として、坩堝（１）の中心軸を中心にして、当該中心軸から坩堝（１）の径方向に異なる距離の面を有し構成される内壁面（２３ｅ）を備えたものを用いることができる。これにより、熱エネルギーを内壁面（２３ｅ）の各点に対する入射角に従った反射角で反射させて分散させることができるので、円筒部被覆部材（２３ｃ）の内壁面（２３ｅ）における熱輻射の影響を低減することができる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係るＳｉＣ単結晶製造装置の断面構成を示したものである。この図に示されるように、ＳｉＣ単結晶製造装置は、有底円筒状の容器本体１０と、円形状の蓋体２０とによって構成されたグラファイト製の坩堝１を備えている。

坩堝１のうち容器本体１０の底部には、台座１１が配置され、この台座１１にシャフト１２が立てられている。当該シャフト１２の先端には、種結晶４０の成長表面に対向する面を有する遮蔽板１３が取り付けられている。

さらに、容器本体１０には、昇華ガスの供給源となるＳｉＣの粉末原料５０が配置されている。そして、坩堝１内の空間のうち種結晶４０と遮蔽板１３との間を成長空間領域６０として、粉末原料５０からの昇華ガスが種結晶４０の表面上に再結晶化して、種結晶４０の表面にＳｉＣ単結晶７０が成長させられる構成とされている。

蓋体２０は、円筒状の側壁部２１と、側壁部２１の開口部の一方を塞ぐ円板状の蓋材２２と、側壁部２１に収納される遮蔽部２３とを備えて構成されている。蓋材２２には円筒状の突起部２２ａが設けられ、当該突起部２２ａの開口端に当該開口端を閉じるように例えば円形状のＳｉＣの種結晶４０が貼り付けられている。また、遮蔽板１３には図示しないＴａＣ材がコーティングされており、坩堝１の加熱によって遮蔽板１３から生じる粉が不純物としてＳｉＣ単結晶７０の成長に寄与しないようにしている。

遮蔽部２３は、支持板２３ａと、円筒部２３ｂと、円筒部被覆部材２３ｃとを有している。支持板２３ａは、当該板が貫通する窓部２３ｄが設けられたものであり、蓋材２２の突起部２２ａが窓部２３ｄに差し込まれた状態で側面が側壁部２１の内壁に固定されている。円筒部２３ｂは、スカート状、すなわち筒状をなしており、筒の一端側が支持板２３ａの一面に一体化されている。この円筒部２３ｂは、種結晶４０周辺の径方向温度分布を小さくする、すなわち成長空間領域６０を均熱にする役割を果たす。また、この円筒部２３ｂにより、種結晶４０の成長表面が他の部位よりも低温となる。

また、円筒部被覆部材２３ｃは、坩堝１が加熱されることで円筒部２３ｂから黒鉛の微粒子が成長空間領域６０に飛び出し、ＳｉＣ単結晶７０に不純物として混入することを防止する役割を果たすものである。円筒部被覆部材２３ｃは筒状をなしており、一端側が支持板２３ａの一面に一体化されている。この場合、円筒部被覆部材２３ｃの他端側が円筒部２３ｂの他端側よりも粉末原料５０側に突出している。これにより、円筒部２３ｂの内壁すべてが円筒部被覆部材２３ｃに覆われ、ＳｉＣ単結晶７０への黒鉛の微粒子の移動を阻止できるようになっている。

図２は、図１に示される蓋体２０を遮蔽板１３側から見た図である。図２では、ＳｉＣ単結晶７０等を省略してある。本実施形態では、円筒部被覆部材２３ｃは、坩堝１の中心軸を中心にして、当該中心軸から坩堝１の径方向に異なる距離の面を有し構成される内壁面２３ｅを備えている。具体的には、図２に示されるように、円筒部被覆部材２３ｃにおいて、坩堝１の中心軸に対して垂直方向の内壁面２３ｅの断面形状が真円ではなく、多角形になっている。これにより、坩堝１の中心軸に対して面する入射角が内壁面２３ｅの場所によって異なっている。

上記円筒部被覆部材２３ｃとして、ＴａＣ材が採用される。円筒部被覆部材２３ｃの材質としては、Ｔａを含んだものであれば良く、例えばＴａの炭化品やＴａ材を採用することができる。Ｔａ材は、ＳｉＣ単結晶７０の成長中に加熱されてＴａＣとなる。

このような円筒部被覆部材２３ｃの中空部分が埋め込み成長空間、すなわち成長空間領域６０とされ、昇華ガスが供給される。

そして、坩堝１の外周を囲むように図示しない抵抗加熱ヒータが配置されている。以上が、本実施形態に係るＳｉＣ単結晶製造装置の構成である。

次に、上記ＳｉＣ単結晶製造装置を用いてＳｉＣ単結晶を製造する方法について、図を参照して説明する。まず、図１に示されるように、蓋材２２の突起部２２ａの開口端に種結晶４０を貼り付け、遮蔽部２３が取り付けられた側壁部２１に当該蓋材２２を取り付ける。他方、容器本体１０に台座１１を配置してシャフト１２を介して遮蔽板１３を取り付け、容器本体１０に粉末原料５０を配置する。

なお、遮蔽板１３にＴａＣをコーティングしておき、遮蔽板１３から粉が発生してＳｉＣ単結晶７０に混入しないようにする。

続いて、坩堝１を図示しない加熱チャンバに設置し、図示しない排気機構を用いてガス排出を行うことで、坩堝１内を含めた外部チャンバ内を真空にし、抵抗加熱ヒータに通電することで位置が固定されたヒータを加熱し、その輻射熱により坩堝１を加熱することで坩堝１内を所定温度にする。このとき、各ヒータへの通電のパワーを異ならせることにより、ヒータで温度差を発生させられるようにしている。

加熱チャンバ内には例えば不活性ガス（Ａｒガス等）や水素、結晶へのドーパントとなる窒素などの混入ガスを流入させる。この不活性ガスは排気配管を介して排出される。種結晶４０の成長面の温度およびＳｉＣ粉末原料５０の温度を目標温度まで上昇させるまでは、加熱チャンバ内は大気圧に近い雰囲気圧力にして粉末原料５０からの昇華を抑制し、目標温度になったところで、減圧し所定の雰囲気圧力とする。例えば、成長結晶を４Ｈ−ＳｉＣとする場合、粉末原料５０の温度を２１００〜２３００℃とし、成長結晶表面の温度をそれよりも１０〜２００℃程度低くして、雰囲気圧力は０．１〜２０Ｔｏｒｒとする。

このようにして、粉末原料５０を加熱することで粉末原料５０が昇華し、粉末原料５０から昇華ガスが発生する。この昇華ガスは、成長空間領域６０内を通過して種結晶４０に供給され、ＳｉＣ単結晶７０が成長する。なお、この場合、ＳｉＣ単結晶７０の周辺に多結晶４５を伴う埋め込み成長も起こる。

上記のようにしてＳｉＣ単結晶７０を成長させるに際し、坩堝１を加熱すると、円筒部被覆部材２３ｃも加熱されるため、当該円筒部被覆部材２３ｃの内壁面２３ｅから熱エネルギーが発せられる熱輻射が生じる。当該熱エネルギーが坩堝１の中心軸を経由して反対側の内壁面２３ｅに達すると、当該内壁面２３ｅの加熱に少なからず寄与する。

しかしながら、円筒部被覆部材２３ｃにおいて、坩堝１の中心軸に対して垂直方向の内壁面２３ｅは多角形状になっているため、坩堝１の中心軸を中心に坩堝１の径方向に広がる放射線つまり熱エネルギーのうち、多角形の一辺で反射して再び坩堝１の中心軸に戻ってくる場所は一辺のうち一点しかない。すなわち、当該多角形の各辺の一点を除いた場所では、熱エネルギーは各辺に対する入射角に従った反射角で反射するため、坩堝１の中心軸から坩堝１の径方向に進む熱エネルギーは多角形の各辺で分散される。こうして、熱エネルギーが発せられた場所に当該熱エネルギーが再び戻ってくることはなく、各一辺における熱輻射の効果が弱められる。つまり、円筒部被覆部材２３ｃの内壁面２３ｅにおける熱輻射の影響が低減され、熱輻射による円筒部被覆部材２３ｃの内壁面２３ｅの温度上昇を防止することができる。

もちろん、多角形の一辺から発せられた熱エネルギーが坩堝１の中心軸を経由して坩堝１の径方向に進み、円筒部被覆部材２３ｃの内壁面２３ｅで反射して再び坩堝１の中心軸に戻ってくる経路もあるが、当該経路の数は少なく、円筒部被覆部材２３ｃの内壁面２３ｅの温度上昇を抑制することができる。

以上のように、円筒部被覆部材２３ｃにおいて、坩堝１の中心軸に対して垂直方向の内壁面２３ｅを多角形状とすることで、円筒部被覆部材２３ｃの内壁面２３ｅに対する熱輻射の影響を低減できることから、円筒部被覆部材２３ｃで囲まれた成長空間領域６０が均熱に保たれる。これにより、ＳｉＣ単結晶７０の口径拡大および凸成長の進行が抑制され、ＳｉＣ単結晶７０に歪みが生じず、ＳｉＣ単結晶７０の割れを防止することができる。この場合、ＳｉＣ単結晶７０のｃ面オフ成長においては、ファセットが坩堝１の中心軸への移動することも抑制できる。

以上説明したように、本実施形態では、円筒部２３ｂの中空部分に配置した円筒部被覆部材２３ｃにおいて、坩堝１の中心軸に対して垂直方向の内壁面２３ｅの断面形状を多角形状としたことが特徴となっている。

これにより、円筒部被覆部材２３ｃの内壁面２３ｅから坩堝１の径方向に発せられる熱エネルギーを多角形の各辺に入射する入射角に従った反射角でそれぞれ反射させることができる。これにより、円筒部被覆部材２３ｃの内壁面２３ｅを構成する各面で熱エネルギーを分散させることができ、内壁面２３ｅ全体が熱輻射による影響を何度も受けないようにすることができる。このようにして、熱輻射の効果を低減することができる。つまり、成長空間領域６０において、坩堝１の径方向の温度勾配の拡大を抑制することができ、成長空間領域６０を均熱に維持することが可能となる。

この結果、坩堝１の径方向に温度差が小さくされた状態でＳｉＣ単結晶７０は成長するため、ＳｉＣ単結晶７０内の応力を小さくでき、ＳｉＣ単結晶７０の凸成長を抑制することができる。したがって、ＳｉＣ単結晶７０の歪みを抑制することができ、ひいてはＳｉＣ単結晶７０の割れを防止することができる。

（他の実施形態）
上記実施形態では、円筒部被覆部材２３ｃをＴａＣ材で構成しているが、板材にＴａＣをコーティングしたもので円筒部被覆部材２３ｃを構成することもできる。また、ＴａＣ材で構成された板を複数組み合わせることで円筒部被覆部材２３ｃを構成しても良い。さらに、円筒部被覆部材２３ｃとして、耐熱性が高い板を複数組み合わせてＴａＣをコーティングしたものでも良い。

上記実施形態では、円筒部被覆部材２３ｃにおける坩堝１の中心軸に対して垂直方向の内壁面２３ｅの形状を多角形とすることで熱輻射の効果を低減しているが、内壁面２３ｅが粗面になっていても良い。この場合、熱エネルギーは粗面によって乱反射するため、熱輻射の効果を低減することができ、円筒部被覆部材２３ｃの内壁の高温化を抑制することができる。

本発明の第１実施形態に係るＳｉＣ単結晶製造装置の断面構成図である。 図１に示される蓋体を遮蔽板側から見た図である。 従来のＳｉＣ単結晶製造装置の模式的な断面構造図である。 図３に示される蓋材を遮蔽板側から見た図である。

符号の説明

１…坩堝、１０…容器本体、２０…蓋体、２３…遮蔽部、２３ａ…支持板、２３ｂ…円筒部、２３ｃ…円筒部被覆部材、２３ｅ…内壁面、４０…種結晶、５０…粉末原料、６０…成長空間領域、７０…ＳｉＣ単結晶。

Claims (6)

1. 有底円筒状の容器本体（１０）と当該容器本体（１０）を蓋閉めするための蓋体（２０）とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝（１）を有し、前記蓋体（２０）に炭化珪素基板からなる種結晶（４０）を配置すると共に前記容器本体（１０）に炭化珪素原料（５０）を配置し、前記炭化珪素原料（５０）の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶（４０）上に炭化珪素単結晶（７０）を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
   前記蓋体（２０）は、
   板状であって、当該板の面が前記坩堝（１）の中心軸に対して垂直に配置される支持板（２３ａ）と、
   円筒状をなしており、前記支持板（２３ａ）の一面に前記円筒の開口端の一方が一体化されることで前記支持板（２３ａ）から前記炭化珪素原料（５０）側に突出した形態とされる円筒部（２３ｂ）と、
   前記円筒部（２３ｂ）の中空部分に配置される筒形状のものであって、当該筒の中空部分が成長空間領域（６０）とされて前記昇華ガスが供給される円筒部被覆部材（２３ｃ）とを備え、
   前記円筒部被覆部材（２３ｃ）は、前記坩堝（１）の中心軸を中心にして、当該中心軸から前記坩堝（１）の径方向に異なる距離の面を有し構成される内壁面（２３ｅ）を備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。
2. 前記円筒部被覆部材（２３ｃ）の内壁面（２３ｅ）は、前記坩堝（１）の中心軸に対して垂直方向の断面形状が多角形になっていることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
3. 前記円筒部被覆部材（２３ｃ）は、複数の板材が筒状に組み合わされて構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
4. 有底円筒状の容器本体（１０）と当該容器本体（１０）を蓋閉めするための蓋体（２０）とを有した中空状の円柱形状をなす坩堝（１）を有し、前記蓋体（２０）に炭化珪素基板からなる種結晶（４０）を配置すると共に前記容器本体（１０）に炭化珪素原料（５０）を配置し、前記炭化珪素原料（５０）の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶（４０）上に炭化珪素単結晶（７０）を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
   前記蓋体（２０）として、
   板状であって、当該板の面が前記坩堝（１）の中心軸に対して垂直に配置される支持板（２３ａ）と、
   円筒状をなしており、前記支持板（２３ａ）の一面に前記円筒の開口端の一方が一体化されることで前記支持板（２３ａ）から前記炭化珪素原料（５０）側に突出した形態とされる円筒部（２３ｂ）と、
   前記円筒部（２３ｂ）の中空部分に配置される筒形状のものであって、当該筒の中空部分が成長空間領域（６０）とされて前記昇華ガスが供給される円筒部被覆部材（２３ｃ）とを備え、
   前記円筒部被覆部材（２３ｃ）は、前記坩堝（１）の中心軸を中心にして、当該中心軸から前記坩堝（１）の径方向に異なる距離の面を有し構成される内壁面（２３ｅ）を備えたものを用意し、
   前記容器本体（１０）に前記炭化珪素原料（５０）を配置させて前記蓋体（２０）にて前記容器本体（１０）を蓋閉めして前記坩堝（１）を構成した後、前記坩堝（１）を加熱することで、前記炭化珪素原料（５０）から前記昇華ガスを発生させ、当該昇華ガスを前記成長空間領域（６０）に供給することにより前記種結晶（４０）に前記炭化珪素単結晶（７０）を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
5. 前記円筒部被覆部材（２３ｃ）として、当該円筒部被覆部材（２３ｃ）の内壁面（２３ｅ）は、前記坩堝（１）の中心軸に対して垂直方向の断面形状が多角形になっていることを特徴とする請求項４に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
6. 前記円筒部被覆部材（２３ｃ）は、複数の板材が筒状に組み合わされて構成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。

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