KR20210151151A - 소스 배열, 증착 장치 및 소스 재료를 증착하기 위한 방법 - Google Patents

소스 배열, 증착 장치 및 소스 재료를 증착하기 위한 방법 Download PDF

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막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.
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Abstract

본 발명은 소스 요소의 소스 표면 상으로 가열 파워를 인가하기 위한 직접 표면 히터를 가지는 증착 장치를 위한 소스 배열에 관한 것이고, 소스 배열은 지지체를 갖는 지지 구조와 지지체에 배열되는 적어도 하나의 소스 요소를 포함하고, 소스 요소는 소스 표면과 소스 표면의 반대편에 있는 제2 표면을 포함하고, 증착 장치의 표면 히터에 의해 가열될 때 소스 재료가 소스 표면의 소스 영역으로부터 기화 및/또는 승화될 수 있다. 또한 본 발명은 이러한 소스 배열을 포함하는 증착 장치 및 증착 장치에서 타겟 재료 상에 소스 재료를 증착하기 위한 방법에 관한 것이며, 여기서 증착 장치는 표면 히터와 이러한 소스 배열을 포함한다.

Description

소스 배열, 증착 장치 및 소스 재료를 증착하기 위한 방법
본 발명은 지지체와 지지체에 배열된 적어도 하나의 소스 요소를 포함하는, 소스 요소의 소스 표면 상에 가열 파워를 인가하기 위한 직접 표면 히터를 갖는 증착 장치(deposition apparatus)를 위한 소스 배열(source arrangement)에 관한 것이고, 여기서 소스 요소는 소스 표면 및 이 소스 표면의 반대편에 있는 제2 소스 표면을 포함하고, 소스 재료는 증착 장치의 표면 히터에 의해 가열될 때 소스 표면 상의 소스 영역으로부터 기화 및/또는 승화될 수 있다. 나아가, 본 발명은 소스 요소를 갖는 소스 배열, 타겟 요소를 갖는 타겟 배열, 벽을 포함하고 반응 분위기를 포함하는 반응 챔버, 반응 분위기를 제어하도록 구성된 분위기 컨트롤러 그리고 소스 요소의 소스 표면 상의 소스 영역을 가열하도록 구성된 표면 히터를 포함하고, 그에 의해 소스 배열 및 타켓 배열이, 소스 재료가 표면 히터의 사용에 의해 소스 표면 상의 가열 스팟 상에 가열 파워를 적용하여 소스 영역을 가열하는 것에 의해 제어된 방식으로 타겟 요소 상에 증착될 수 있도록, 반응 챔버에서 반응 분위기 내에 위치된다. 추가적으로, 본 발명은 증착 장치에서 타겟 재료 상에 소스 재료를 증착하기 위한 방법에 관한 것이고, 증착 장치는 표면 히터와 표면 배열을 포함한다.
타겟 재료의 소스 재료의 증착은 예를 들어 전자 소자용 특수 반도체의 제조와 같은 현대 기술에서 널리 사용되는 기술이다. 특히 압력 및/또는 반응 분위기의 조성과 관련된 고도로 제어된 환경은 타겟 재료 상의 소스 재료의 높은 및/또는 최고 품질의 증착을 제공하기 위해 필수적이다. 심지어 소스 재료의 단일 원자 층(single atomic layer)의 증착도 달성될 수 있다.
증착 장치에서, 소스 재료는 직접 표면 히터를 사용하여 소스 영역으로부터 기화 및/또는 승화될 수 있다. 고품질의 소스 재료의 증착을 달성하기 위해서는, 반응 분위기뿐만 아니라 소스 재료가 타겟 재료 상에 증착되는 속도도 제어하는 것이 필요하다.
전술한 증착 속도를 제어하기 위해, 예를 들어 전자 빔 소스와 같은 직접 표면 히터(direct surface heater)의 에너지 소비를 측정하고 이 측정에 기초하여 소스 재료의 표면 영역 상에 가해진 에너지의 양을 계산하는 것이 본 기술분야에 공지되어 있다. 이에 의해 소스 물질의 증착 속도가 적어도 간접적인 방법으로 계산될 수 있고 직접 표면 히터에 의해 소비되는 에너지를 조정함으로써 적어도 간접적인 증착의 제어가 달성될 수 있다.
불행하게도 최신 기술에 따른 이 방법은 부정확과 오류에 대한 여러 원인을 포함한다. 예를 들어, 직접 표면 히터에 의해 제공되는 에너지가 반응 분위기 내로 소실되면, 증착 속도가 저감될 수 있다. 또한, 직접 표면 히터의 오정렬은 표면 재료에 쌓이는 에너지를 감소시키고 그에 따라 증착 속도도 감소시킨다. 요약하면, 우수한 증착 결과를 달성하기 위해 필요한 고품질 표준을 제공할 수 없는 경우가 많다.
상기한 관점에서, 본 발명의 목적은 증착 장치를 위한 개선된 소스 배열, 증착 장치 및 앞에서 언급한 최신 기술의 단점을 가지지 않는 증착 장치에서 타겟 재료 상에 소스 재료를 증착하는 방법을 제공하는 것이다. 특히, 최소한의 오염으로 소스 재료의 간단하고 순수한 기화 및/또는 승화를 가능하게 하는 소스 배열, 증착 장치 및 방법, 그리고 추가로 특히 쉽고 비용 효율적인 방법으로 높은 정확도의 증착 속도의 제어를 제공하는 것이다.
이 목적은 청구항에 의해 충족된다. 특히, 이 목적은 청구항 제1항에 따른 증착 장치를 위한 소스 배열에 의해, 청구항 제20항에 따른 증착 장치에 의해, 그리고 청구항 제27항에 따른 증착 장치에서 타겟 재료 상에 소스 재료를 증착하는 방법에 의해 충족된다. 종속항은 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 본 발명의 제1 측면에 따른 소스 배열과 관련하여 설명된 세부사항 및 장점은, 기술적 의미에서, 본 발명의 제2 측면에 따른 증착 장치 및 본 발명의 제3 측면에 따른 타겟 재료 상에 소스 재료를 증착하는 방법에 대해서도 마찬가지이며 그 반대도 마찬가지이다.
본 발명의 제1 측면에 따르면, 상기 목적은 소스 요소의 소스 표면 상에 가열 파워를 인가하기 위한 직접 표면 히터를 갖는 증착 장치를 위한 소스 배열에 의해 충족되고, 소스 배열은 지지체와 이 지지체에 배열되는 적어도 하나의 소스 요소를 갖는 지지 구조를 포함하고, 소스 요소는 소스 표면과 이 소스 표면에 반대편에 있는 제2 표면을 포함하고, 소스 재료는 증착 장치의 표면 히터에 의해 가열될 때 소스 표면의 소스 영역에 의해 기회 및/또는 승화될 수 있고, 소스 요소는 소스 재료로 이루어지고 지지체에 자체 지지되게 배열된다.
본 발명의 제1 측면에 따른 소스 배열은 직접 표면 히터를 갖는 증착 장치에서의 사용을 위한 것이다. 다시 말해, 소스 배열은 증착 장치의 반응 챔버 내에 배치될 수 있고 본 발명의 제1 측면에 따른 소스 배열에 의해 제공되는 소스 재료는 증착 장치의 직접 표면 히터에 의해 기화 및/또는 승화될 수 있다. 이 목적을 위해, 소스 배열은 지지체를 갖는 지지 구조 및 소스 재료로 이루어지는 적어도 하나의 소스 요소를 포함한다. 소스 요소는 지지체에 자체 지지되게, 바람직하게는 지지체에 직접 배열된다. 다시 말해, 지지 구조의 지지체를 제외하고는, 본 발명의 따른 소스 배열에서 소스 요소를 배열하고 지지하고 고정하기 위해, 더 이상의 지지 요소가 필요하지 않다. 소스 재료가 소스 요소에 존재하는 유일한 재료이기 때문에, 이것은 간단하고 순수한 증발 및/또는 승화가 가능하게 한다. 또한, 증발 및/또는 승화에 사용되지 않는 소스 요소의 표면은 추가 요소에 의해 덮이지 않고 그에 따라 예를 들어 복사 냉각을 위해 사용될 수 있다. 이것은 예를 들어 몰리브덴, 탄탈륨 또는 텅스텐과 같이 낮은 증기압을 가지는 소스 재료에 특히 유리하다.
또한, 본 발명에 따른 소스 배열은 홀더와 소스 요소가 도가니 없이 구성되는 것을 포함할 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 소스 요소는 소스 재료로 구성되고 지지체에 자체 지지되게 배열된다. 따라서 소스 요소는 지지체에 직접 닿는다. 특히, 소스 재료가 삽입되는 도가니가 존재하지 않거나 필요하지 않다. 즉, 소스 재료를 포함하는 도가니를 피할 수 있다. 도가니 재료에 의한 기화 및/또는 승화된 재료의 오염 또는 이러한 도가니의 재료와 소스 재료의 반응이 방지될 수 있다.
본 발명에 따른 소스 배열의 추가 실시예에서, 적어도 하나의 소스 요소가 세 개 이상의, 바람직하게는 세 개의 지지 위치에서 지지체에 의해 지지되고, 지지 위치에서 지지체와 소스 요소 사이의 접촉 영역은 점 형태 또는 적어도 본질적으로 점 형태의 접촉 영역이다. 다시 말해, 이 바람직한 실시예에서, 소스 요소는 지지체와의 물리적 접촉을 최소화하면서 소스 재료로 만들어진 일체형 바디 요소를 갖는 자체 지지 구조이다. 기본적으로, 단일 또는 한 쌍의 지지 위치가 가능하지만, 이러한 솔루션은 지지체에 대한 소스 요소의 안정성을 위한 균형 문제와 연관된다.
이와 관련하여 포인트 또는 포인트 형태는 지지체가 니들 형태의 부분, 즉 테이퍼되어 팁이 되는 부분을 가지며 소스 요소가 지지체의 이 팁에 위치된다는 것을 의미할 수 있다.
소스 요소와 지지 구조의 지지체 사이의 접촉 영역은 항상 오염원이기 때문에, 이러한 접촉 영역은 최소화되는 것이 바람직하다. 이것은 포인트 형태 또는 적어도 근본적으로 포인트 형태의 접촉 영역을 제공함으로써 이 바람직한 실시예에서 달성될 수 있다. 이러한 접촉 영역 중 세 개는 소스 요소의 안전하고 안정적인 포지셔닝 및 지지를 제공하는 최소 개수이다. 따라서 포인트 형태의 접촉 영역을 갖는 세 개의 지지 위치를 제공하는 것에 의해, 지지 구조 내에서 소스 요소의 안전하고 안정적인 지지를 희생하지 않으면서, 지지 구조의 재료에 의한 소스 재료의 오염의 위험이 최소화된다.
소스 재료의 오염을 방지하는 것 외에도, 접촉 영역의 감소 및 특히 이들 접촉 영역에서의 온도 감소는 소스 재료와 지지체 재료 사이의 가능한 화학적 반응을 방지하는데 도움이 된다. 특히, 예를 들어 지지체 재료 및 소스 재료 모두보다 낮은 융점을 갖는 공융 혼합물(eutectic mixture)을 형성하는 것에 의한 합금 형성이 방지될 수 있다. 특히 지지체 및 소스 요소 모두에 사용되는 금속 재료의 경우에, 이러한 공융 혼합물의 형성은 소스 재료 또는 지지체 재료의 개별 융점 미만의 온도에서 지지체의 용융 및 파손으로 이어질 수 있다.
또한 온도 센서 그리고 지지체와 소스 요소 사이의 접촉 영역을 표면 히터에 의해 가열되는 소스 영역으로부터 근본적으로 수직인 방향에 위치시킴으로써, 온도 오프셋 그리고 소스 영역으로부터 온도 센서 및 지지체로의 열 흐름이 독립적으로 최적화될 수 있다. 예를 들어, 소소 표면의 중심에 위치되는 소스 영역을 갖는 근본적으로 디스크 형태의 소스 요소에서, 각 온도 센서는 제2 표면과 디스크의 반경방향 테두리에 위치되는 지지체와 소스 요소 사이의 접촉 영역의 중심에 배치될 수 있고, 근본적으로 축방향으로의 디스크의 두께가 소스 표면, 특히 소스 영역과 온도 센서에 의한 온도 측정을 위해 사용되는 제2 표면 사이의 온도 오프셋을 결정하고, 반면에 디스크의 직경이 소스 표면, 특히 소스 영역과 지지체 사이의 온도 오프셋을 결정한다. 두께와 직경의 특정 치수가 서로에 대해 직교이기 때문에, 이들이 독립적으로 선택될 수 있다. 따라서, 소스 영역으로부터 예를 들어 온도 센서에 의한 온도 측정을 위해 사용되는 제2 표면까지의 온도 강하, 및 소스 영역으로부터 지지체까지의 온도 강하 양자가 각각 독립적으로 최적화될 수 있다.
이 최적화에 의해 달성되는 목표는, 최소한의 가열 파워에 의해 소스 영역에서 가능한 가장 높은 온도를 달성할 수 있도록 그리고 많은 양의 재료를 증발시킬 수 있도록 큰 소스 재료의 부피를 유지하도록, 소스 요소의 바디의 전체 표면을 가능한 작게 유지하는 것이고, 또한 이와 동시에 순수한 요소로 위상 다이어그램으로부터 일반적으로 그 온도를 알 수 있는 온도 센서와 지지체에 대한 접촉 영역에서의 합금(alloy)/공융(eutectic)의 형성을 피하도록 하는 것이다.
일반적으로 소스 재료는 균질한 초순수 단일 화학 요소이므로, 소스 요소의 본체의 기하학적 구조가 잘 결정되며, 예를 들어 회전 대칭으로 결정되며, 방출 표면은 적어도 낮은 압력에서 깨끗하고 열 방출은 고온에서 복사에 의해 크게 지배되고, 이 최적화는 각 소스 재료에 대한 수치 해석, 특히 유한 요소 수치 시뮬레이션을 통해 신뢰성 있게 수행될 수 있다. 각 소스 재료는 서로 다른 벌크 열 전도율과 표면 방사율 값을 가지고 그에 따라 최적화 목표를 달성하기 위해 다르게 모양을 만들고 개별적으로 최적화해야 하기 때문에, 이것은 시간과 노력을 절약할 수 있다. 완전히 테스트 실험을 통해 이 작업을 수행하려면 상당한 노력이 필요하다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 소스 배열은 적어도 하나의 소스 요소 및/또는 지지체가 지지체와 적어도 하나의 소스 요소 사이의 포인트 형태 또는 적어도 본질적으로 포인트 형태의 접촉 영역을 제공하는 콘 형상의 돌출부를 포함하는 것에 의해 개선된다. 콘은 기초와 포인트 형태의 팁을 제공한다. 콘 형태의 돌출부의 사용에 의해 콘의 이러한 특징은 포인트 형태 또는 적어도 본질적으로 포인트 형태의 접촉 영역을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 콘 형태의 돌출부가 소스 요소 및/또는 지지체에 의해 제공되기 때문에, 포인트 형태 또는 적어도 본질적으로 포인트 형태의 접촉 영역을 제공하기 위한 추가 요소가 필요하지 않다.
본 발명의 소스 배열의 추가 실시예에 따르면, 적어도 하나의 소스 요소는 적어도 하나의 소스 요소 내에서 열 전도율의 저감을 위해 소스 표면에서 제2 표면까지 소스 요소에서 연장되는 적어도 하나의 저감 개구를 포함한다. 증착 장치의 직접 표면 히터는 소스 요소의 소스 표면의 소스 영역 상으로 및/또는 소스 영역 내로 가열 파워를 투여한다. 소스 요소 내의 열 분산은 소스 요소 내에서 가열 파워를 분배한다. 특히 큰 열 전도율을 가지는 소스 재료 내에서 이것은 표면 히터의 가열 파워가 전체적으로 소스 요소 내에서 분배되기 때문에 한편으로는 불필요한 높은 에너지 소모를 유발할 수 있다. 다른 한편으로 이것은 소스 영역의 국지화의 손실로 이어질 수 있다. 소스 표면에서 제2 표면까지 소스 요소를 통해 연장되는 소스 요소의 저감 개구는 이 문제를 회피할 수 있게 한다. 이들 저감 개구는 소스 요소에서 시작하는 반경방향에 수직인 전체 소스 요소를 통해 연장되고 이에 따라 소스 영역에서 방출되는 열 흐름에 수직이다. 다시 말해, 이 열 흐름에 대한 소스 요소의 유효 단면적이 감소될 수 있으며, 결과적으로 소스 영역의 더 나은 국지화 및 동시에 접촉 영역에서 더 낮은 온도로 이어진다. 필요하다면, 저감 개구는 소스 요소의 구조적 무결성을 제공하기 위해 하나 이상, 바람직하게는 좁은 브릿지 섹션을 제외하고, 소스 영역까지의 특정 반경 거리에서 전체 원주를 덮을 수 있다. 따라서 소스 요소에서 반경방향의 열 소산이 방해되고 감소된다. 따라서, 직접 표면 히터의 가열 파워의 소산은 소스 영역에 국한된 상태로 유지된다. 따라서 소산되는 가열 파워의 제어의 향상 및 그에 따른 본 발명에 따른 소스 배열로 달성될 수 있는 증착 속도의 향상이 제공될 수 있다.
본 발명에 따른 소스 배열의 추가 실시예에서, 적어도 하나의 소스 요소가 제1 파트 및 제1 파트와 별개인 적어도 하나의 제2 파트로 분할되고, 여기서 제1 파트는 소스 표면을 포함하고, 제1 파트와 적어도 하나의 제2 파트가 소스 요소를 형성하도록 적층되고, 이에 의해 제1 파트는 세 개 이상, 바람직하게는 세 개의 지지 위치에서 적어도 하나의 제2 파트에 의해 지지되고, 지지 위치에서 제1 파트와 적어도 하나의 제2 파트 사이의 접촉 영역은 포인트 형태 또는 적어도 본질적으로 포인트 형태의 영역이고, 특히 제1 파트 및/또는 적어도 하나의 제2 파트는 제1 파트와 적어도 하나의 제2 파트 사이의 포인트 형태 또는 적어도 본질적으로 포인트 형태의 접촉 영역을 제공하기 위해 콘 형태의 돌출부를 포함한다. 다시 말해, 이들 적층된 제1 및 적어도 하나의 제2 파트는, 반경방향 뿐만 아니라 전체 소스 요소에 걸쳐, 전술된 저감 개구와 유사하게 소스 요소의 서로 다른 파트의 분리를 제공한다. 예를 들어, 제1 파트 및 적어도 하나의 제2 파트가 평면 요소인 경우, 분리는 전술된 반경방향에 대해 수직이다.
다른 실시예에서, 제1 파트 및 적어도 하나의 제2 파트는 구형 하프-쉘(spherical half-shell)로 형상화되고, 상이한 파트들의 구형으로 방사상의 분리가 제공될 수 있다. 포인트 형태 또는 적어도 본질적으로 포인트 형태의 접촉 영역의 사용은 지지체와 소스 재료 사이의 연결 영역과 관련하여 전술한 것과 동일한 이점을 제공한다. 특히, 이들 포인트 형태 또는 적어도 근본적으로 포인트 형태의 영역에서의 물리적 접촉에 의한 온도 전도율이 최소화될 수 있다. 요약하면, 그에 따라 소스 요소 내의 온도 구배가 최적화될 수 있다. 특히, 소스 요소 전체에서의 열 배치가 낮아질 수 있고, 소스 영역에 도달한 온도와 무관하게, 지지체와 접촉하는 소스 요소의 위치에서 특히 낮은 온도를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 소스 배열의 추가 실시예에서, 적어도 하나의 소스 요소는 열 에너지의 방출을 위한 적어도 하나의 방출 섹션을 포함하고, 여기서 적어도 하나의 방출 섹션은 소스 영역에 대해 소스 요소에 반경방향으로 배열되는 방출 영역에 의해 제공되고/제공되거나 제2 표면으로부터 돌출되는 돌출부로 형상화되고, 특히 여기서 적어도 하나의 방출 섹션은 제2 표면으로부터 돌출되는 돌출부로 형상화되고, 그에 의해 돌출부는 프리즘과 같이, 특히 비스듬한 프리즘과 같이 및/또는 콘과 같이 및/또는 이들 형상들의 적어도 두 개의 교차(intersection)와 같이 형상화된다.
위에서 이미 언급한 바와 같이, 오염, 화학 반응 또는 합금 형성의 원인 중 하나는 소스 요소와 지지 구조의 지지체 사이의 접촉 영역이다. 이들 오염, 화학 반응 또는 합금 형성의 심각성은 이들 접촉 영역에서의 소스 요소의 온도에 특히 의존한다. 대부분의 경우에 이들 접촉 영역은 근본적으로 소스 요소의 외측 테두리 또는 그 근처에 위치되기 때문에, 소스 영역에 대해 소스 요소에 방사상으로 배열되는 방출 영역은 접촉 영역에서 소스 요소의 온도를 줄이는데 도움이 될 수 있다. 열 에너지가 방출 영역에서 소스 요소로부터 방출되고 그에 따라 접촉 영역에서의 온도가 더 낮고, 특히 오염, 화학 반응 또는 합금 형성이 덜 발생하도록 충분히 낮다. 최선의 결과를 달성하기 위해, 방출 영역은 바람직하게는 소스 영역을 둘러싼다. 추가적으로, 방출 영역은 방출 방향에 수직인 작은 두께를 포함하고, 그에 의해 반경방향의 온도 전도율을 더 감소시킨다. 이에 의해 접촉 영역의 온도가 더 낮아질 수 있다.
제2 표면으로부터 돌출되는 돌출부로 형상화되는 방출 섹션에 의해 유사한 이점이 달성된다. 이들 돌출부는 제2 표면의 전체 면적을 증가시키고 그에 의해 열 복사에 의한 열 에너지의 방출 가능성을 증가시킨다. 프리즘 형상의 돌출부 및/또는 콘 형상의 돌출부는 이들 돌출부의 바람직한 예들이고, 이는 특히 이들 형상이 축 대칭 방식으로 제공될 수 있기 때문이다.
다른 실시예에서, 본 발명에 따른 소스 배열은 소스 배열이 증착 장치의 표면 히터에 의해 가열될 때 소스 표면 상에서 소스 영역의 위치의 가변을 위해 소스 배열 내에서 소스 요소의 상대 위치를 변경하기 위한 액추에이터를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. 다시 말해, 이 액추에이터는 소스 요소를 전체적으로 소스 배열에 대해 그리고 따라서 반응 챔버 및 표면 히터의 가열 스팟에 대해 각각 이동시킬 수 있다.
특히, 액추에이터는 지지 구조 및/또는 지지체의 일부이다. 바람직하게는, 액추에이터는 각 증착 장치의 반응 챔버의 외측에 배치될 수 있고, 벽의 밀봉된 개구를 통해 반응 챔버로 제공된다. 소스 배열 내에서 전체적으로 소스 재료의 상대 위치를 변경함으로써 가열 스팟의 위치, 즉 직접 표면 히터의 열 에너지의 영향 지점이 소스 표면 상에서 변경된다. 따라서 소스 표면 상의 소스 영역의 위치가 또한 변경된다. 소스 요소의 소스 표면 상으로의 가열 파워의 더 좋은 분배 및 그에 따른 소스 표면으로부터의 기화 또는 승화에 의한 소스 재료의 제거의 더 좋은 분배가 제공될 수 있다. 따라서 소스 요소의 소스 재료의 근본적으로 균일한 소스 표면이 유지될 수 있다. 증착 속도가 증착 중 소스 표면, 특히 소스 영역 및 타겟 표면의 상대 배향에 따라 달라지기 때문에, 이것이 타겟 상의 소스 재료의 일정하고 재현 가능한 증착 속도에 중요하다.
예를 들어, 바람직한 실시예에서, 소스 요소의 몸체는 근본적으로 회전 대칭이고, 온도 측정을 위한 온도 센서가 제2 표면에서 대칭 축 상에 위치될 수 있고, 소스 영역은 이상적으로 원형 가열 스팟으로 형상화되고 소스 표면의 대칭 축으로부터 고정된 반경방향 거리에 위치된다. 동시에, 소스 요소는 그 대칭 축을 중심으로 액추에이터에 의해 이동 가능하다. 이것이 원형 경로 상에서 대칭 축을 중심으로 소스 영역을 이동시킨다. 이 이동 동안, 소스 요소의 열 분포는 대칭 축을 중심으로 회전하나, 이 회전하는 기준 프레임에서 그 형상은 근본적으로 변하지 않는다. 특히, 소스 영역과 온도 센서 사이의 거리 및 그에 따른 소스 영역과 온도 센서 사이의 온도 차이는 변하지 않는다. 온도 센서의 온도가 일정하므로, 증발 속도가 회전 운동에도 변하지 않으며, 이에 의해 증발 속도의 신뢰할 수 있는 제어가 가능하다. 레이저 방사선이 표면 히터에 의해 사용되는 경우, 이 방사선은 온도 센서 및 지지체 각각에서 큰 온도 차이를 달성하기 위해 강하게 집속될 수 있다. 여전히, 소스 표면의 더 넓은 영역이 고르게 제거되고, 이에 의해 타겟에 대한 소스 영역의 국부적 기울기에 큰 영향을 미치지 않으면서 소스 재료의 더 많은 양의 증발 및 그에 따른 타겟 상의 증착이 가능하다.
또한, 본 발명에 따른 소스 배열은 본 발명에 따른 소스 배열이 소스 요소에서의 온도 측정을 위한 온도 센서를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. 다시 말해, 소스 배열의 온도 센서는 소스 요소의 소스 재료의 직접 온도 측정을 제공할 수 있다. 이것은 소스 요소의 온도에 대한 직접 표면 히터의 가열 파워의 조정의 기반을 마련하는 것을 허용하고 또한 피드백 메커니즘을 능동적으로 설정하는 것을 허용하고, 그에 의해 소스 요소의 온도가 입력 변수로 사용될 수 있고 직접 표면 히터의 가열 파워가 그에 따라 조정될 수 있다. 특히 직접 표면 히터의 가열 파워에 대한 폐루프 제어가 소스 요소의 측정된 온도를 기초로 설정될 수 있다. 요약하면, 소스 재료가 소스 요소의 소스 표면 상에서 소스 영역으로부터 기화 및/또는 승화되도록 하는 속도가 소스 요소의 온도에 직접적으로 의존하기 때문에, 증착 장치에서 기화 및/또는 승화된 소스 재료의 타겟 재료 상으로의 증착 속도가 높은 정확도와 일관성으로 제공될 수 있다.
특히, 온도 센서가 소스 요소의 제2 표면에 배열되고, 특히 온도 센서는 제2 표면의 대칭 중심에, 또는 소스 요소의 대칭 중심에, 또는 제2 표면과 소스 요소의 공통 대칭 중심에 배열된다. 제2 표면이 소스 표면의 반대편에 위치되는 소스 요소의 제2 표면에서의 온도 센서의 이러한 배열은 쉽게 제공될 수 있으며, 이는 소스 요소가 바람직하게는 예를 들어 도가니와 같은 다른 추가 지지 요소 없이 지지 구조의 지지체에 의해 직접 지지되기 때문이다. 다시 말해, 소스 표면에 추가로 소스 요소의 제2 표면은 적어도 부분적으로 직접 접근 가능하다. 또한, 제2 표면은 직접 표면 히터에 의해 가열되지 않으며 이에 따라 증발 및/또는 기화된 소스 재료에 의한 온도 센서의 오염이 방지될 수 있다. 그러면 다시 소스 요소가 소스 표면과 제2 표면 사이의 작은 두께를 포함하기 때문에, 전체 소스 요소의 충분히 정확한 온도 분포가 달성될 수 있도록 하는 소스 요소의 온도 측정이 소스 요소의 제2 표면에서의 온도 센서의 배치에 의해 제공될 수 있다.
대부분의 경우에 소스 재료의 기화 및/또는 승화가 일어나는 소스 영역이 또한 소스 표면이 아니라 소스 요소의 대칭 중심에 또는 그 근처에 배치되기 때문에, 전체적으로 제2 표면 및/또는 소스 요소의 대칭 중심에 또는 그 근처에 온도 센서를 배치하는 것은 유리하다. 이에 따라 소스 요소의 가장 뜨거운 부분인 소스 영역까지의 온도 센서의 위치의 거리가 최소화될 수 있고 온도 측정의 정확도가 향상될 수 있다.
이와 관련하여 대칭 중심은 기하학적 중심, 즉 원의 중심, 타원의 두 초점 사이의 라인의 중심이라는 점에 유의해야 한다.
또한 본 발명에 따른 소스 배열은 제2 표면이 온도 중심을 그 위치로 안내하기 위한 인렛 가이드 섹션, 특히 적어도 부분적으로 콘 형태 및/또는 실린더 형태의 인렛 가이드 섹션을 포함하는 것에 의해 개선될 수 있으며, 이때 인렛 가이드 섹션은 제2 표면 및/또는 소스 요소의 대칭 중심에서 소스 요소에 배치되고, 바람직하게는 소스 요소 내로 연장된다. 이러한 인렛 가이드 섹션은 온도 센서를 그 지정된 위치에 기계적으로 가이드 하기 위해 사용될 수 있다. 특히, 온도 센서를 제거한 후에도, 다음 포지셔닝 시에 인렛 가이드 섹션은 온도 센서의 동일한 배치를 보장한다. 적어도 부분적으로 콘 형태 및/또는 실린더 형태의 인렛 가이드 섹션이, 이들이 회전적으로 대칭이고 그에 따라 어떤 반경방향도 바람직하지 않고 박탈되지 않기 때문에, 바람직하다. 전체적으로 제2 표면 및/또는 소스 요소의 대칭 중심에서 소스 요소에 인렛 가이드 섹션을 배치하는 것은 온도 센서를 이 대칭 중심에 배치하는 특히 쉬운 방법을 허용한다. 바람직하게는, 인렛 가이드 섹션은 방출 섹션으로 사용되는 전술한 돌출부에 통합되고/통합되거나 일부일 수 있다.
추가적으로, 인렛 가이드 섹션은 소스 요소 내측으로 연장될 수 있고 그에 따라 온도 센서와 소스 표면 상의 표면 영역 사이의 거리를 감소시킬 수 있고, 이에 의해 소스 영역에서 제1 재료의 증발 및/또는 승화가 발생한다. 위에서 기술된 바와 같이, 특히 소스 영역에 가까운 거리에 위치되는 소스 요소 내의 위치에서의 온도 측정은 온도 측정의 정확성 및 직접 표면 히터의 가열 파워의 대응하는 제어를 개선하는데 도움이 된다.
또한 본 발명에 따른 소스 배열은 온도 센서가 제2 표면과 직접 접촉하도록 배열되는 것을 특징으로 할 수 있으며, 특히 온도 센서는 써모커플(thermocouple) 요소를 포함한다. 제2 표면과 직접 접촉하도록 배열된 온도 센서는 소스 요소의 예상되는 온도가 온도 센서가 견딜 수 있는 온도보다 낮은 모든 상황에서 바람직한 실시예이다. 이는 소스 요소와 온도 센서 사이의 공융(eutectic)의 형성과 같은 가능한 반응에 의해 설정되는 한계를 포함한다. 써모커플 요소는 이 경우들에 바람직한 온도 센서이다.
대안으로서, 본 발명에 따른 소스 배열은 온도 센서가 제2 표면에서 이격되게 배치되는 것을 특징으로 할 수 있으며, 특히 온도 센서는 고온계(pyrometer) 요소를 포함한다. 소스 재료의 예상되는 최대 온도가 온도 센서가 견딜 수 있는 온도보다 높은 경우에, 예를 들어 텅스텐과 같은 매우 높은 융점을 갖는 소스 재료가 사용되면, 온도 센서와 소스 요소의 직접 접촉을 피해야 한다. 그렇지 않으면, 온도 센서가 손상되고/되거나 파괴될 수 있다. 이러한 경우에 소스 요소의 제2 표면에서 이격된 온도 센서의 배치가 유리하다. 고온계는 이러한 경우들에 바람직한 온도 센서이다.
본 발명의 제2 양태에 따르면 목적이 소스 요소를 갖는 소스 배열, 타겟 요소를 갖는 타겟 배열, 벽과 반응 분위기를 포함하는 반응 챔버, 반응 분위기를 제어하도록 구성되는 분위기 컨트롤러, 그리고 소스 요소의 소스 표면 상의 소스 영역을 가열하도록 구성되는 표면 히터를 포함하는 증착 장치에 의해 달성되고, 이에 의해 소스 배열과 타겟 배열이 반응 분위기로 반응 챔버 내에 배치되어 소스 재료가 소스 표면 상의 가열 스팟 상으로의 가열 파워를 인가하는 것에 의해 표면 히터의 사용에 의해 소스 영역을 가열하는 것에 의해 제어된 방식으로 타겟 요소에 증착되도록 하며, 여기서 소스 배열은 본 발명의 첫 번째 양태에 따라 구성된다. 본 발명의 두 번째 양태에 따른 증착 장치는 본 발명의 첫 번째 양태에 따른 소스 배열을 포함한다. 따라서, 본 발명의 첫 번째 양태에 따른 소스 배열과 관련하여 위에서 기술된 모든 유리한 점들은 본 발명의 두 번째 양태에 따른 증착 장치에 의해서도 달성될 수 있다.
추가적으로, 본 발명에 따른 증착 장치는 타겟의 온도를 제어하기 위한 컨트롤러를 포함할 수 있다. 이 컨트롤러는 타겟 재료의 온도를 감지하기 위한 온도 센서, 그리고 타겟 재료의 온도를 조절하기 위한 타겟 히터를 포함할 수 있다. 특히 타겟 온도의 폐루프 제어가 설정될 수 있다. 온도 센서는 써모커플과 같은 접촉 센서, 또는 고온계와 같은 비접촉 센서일 수 있다. 바람직하게는 타겟 히터는 타겟 재료를 가열하기 위해 적절한 레이저 빔을 사용할 수 있다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 증착 장치는 표면 히터가 반응 챔버 내로 레이저 광을 방출하기 위한 레이저 광 소스 및/또는 레이저 광을 반응 챔버 내로 결합하기 위해 반응 챔버의 벽에 형성되는 개구를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있으며, 이에 의해 레이저 광이 소스 요소의 소스 표면 상에 소스 영역 상으로 지향되고, 특히 여기서 레이저 광은 UV 레이저 및/또는 가시 레이저 광 및/또는 IR 레이저 광일 수 있으며, 및/또는 반응 챔버는 반응 챔버 및/또는 반응 분위기를 냉각하기 위한 쿨러, 특히 능동 쿨러를 포함하며, 여기서 바람직하게는 쿨러는 반응 챔버에 및/또는 반응 챔버의 벽에 배열되고, 및/또는 분위기 컨트롤러는 10-11 mbar 내지 1 mbar의 압력을 갖는 반응 분위기를 제공하기 위한 진공 펌프를 포함한다.
레이저 광을 기초로 하는 직접 표면 히터를 사용하는 것은 몇 가지 장점을 갖는다. 우선, 예를 들어 전자 빔 소스를 사용하는 표면 가열에 필요한 것과 같은 반응 챔버 내의 전기 부품의 양이 크게 감소될 수 있다. 따라서 반응 분위기, 예를 들어 부식 가스(corroding gas) 및/또는 반응 분위기의 압력의 상한에 대한 제한을 피할 수 있다. 추가적으로, 레이저 광은 넓은 범위의 에너지에 걸쳐 제공될 수 있으며, 바람직하게는 IR 광으로부터 UV 광까지의 레이저 광이 제공될 수 있다. 특히, 서로 다른 소스 재료에 대해, 그에 따라 조정된 레이저 광이 선택될 수 있다. 또한, 전자 빔 가열과 달리, 소스 재료의 전도성이 필요하지 않고 추가로 증발되거나 승화된 증기가 전자 충격에 의해 이온화되지 않는다.
반응 챔버를 냉각하면 반응 분위기의 품질을 더 개선할 수 있다. 한편으로, 반응 분위기의 불순물은 이 쿨러에서 얼어붙을 수 있고 그에 따라 반응 분위기의 압력의 하한을 낮출 수 있다. 쿨러에서 흡수되는 열 에너지가 퍼지되고 흡수된 에너지의 누적 효과가 발생하지 않기 때문에, 능동 쿨러가 바람직하다. 다른 한편으로, 쿨러는 반사된 레이저 광이 이 쿨러로 향하고 그에 의해 반사된 레이저에 의해 야기되는 반응 챔버의 원하지 않는 가열 및 손상을 피할 수 있도록 위치될 수 있다. 반응 챔버에 또는 반응 챔버의 벽 내에 배치되는 것이 이 목적을 위해 특히 효과적이라는 것이 입증되었다.
반응 챔버에 10-11 mbar까지의 압력 강하가 가능한 진공 펌프를 제공하여 반응 분위기 압력의 넓은 범위를 사용할 수 있게 하는 것이 제공될 수 있다.
본질적으로, 위에서 설명된 모든 바람직한 실시예들은 본 발명에 따른 증착 장치의 가능한 적용 분야를 확장한다.
본 발명의 제3 양태에서, 목적은 표면 히터와 본 발명의 제1 양태에 따른 소스 배열을 포함하는 증착 장치에서, 특히 본 발명의 제2 양태에 따른 증착 장치에서 타겟 재료 상에 소스 재료를 증착하기 위한 방법에 의해 해결되며, 방법은 다음 단계를 포함한다.
a) 소스 배열을 배열하여 반응 챔버 내에 소스 요소를 제공하는 단계
b) 소스 재료를 기화 및/또는 승화하기 위해 표면 상의 가열 스팟 상으로 가열 파워를 인가하여 표면 히터에 의해 소스 요소의 소스 표면의 소스 영역을 가열하는 단계
c) 소스 배열의 온도 센서에 의해 소스 요소의 온도를 측정하는 단계
d) 단계 c)에서 측정된 온도에 따라 표면 히터에 의해 소스 영역의 가열을 조정하는 단계
따라서 본 발명에 따른 방법은 본 발명의 제1 양태에 따른 소스 배열을 사용하여, 특히 본 발명의 제2 양태에 따른 증착 장치에서 수행될 수 있다. 따라서 본 발명의 제1 양태에 따른 소스 배열 및/또는 본 발명의 제2 양태에 따른 증착 장치와 관련하여 위에서 기술한 모든 유리한 점들은 본 발명의 제3 양태에 따른 소스 재료를 증착하기 위한 방법에 의해서도 달성될 수 있다.
본 발명에 따른 방법의 첫 번째 단계 a)에서 소스 배열이 반응 챔버에 배열된다. 본 발명의 제1 양태에 따른 소스 배열은 소스 재료로 만들어진 소스 요소를 포함한다. 따라서 단계 a) 후에 반응 챔버 내에 배열된 소스 재료로 만들어진 소스 요소가 있다. 추가적으로, 본 발명의 제1 양태에 따른 소스 배열은 또한 온도 센서를 포함한다. 따라서 소스 요소의 온도 측정을 제공하기 위한 추가 요소가 필요하지 않다.
다음 단계 b)는 표면 히터에 의해 소스 요소의 소스 표면 상의 소스 영역의 가열을 포함한다. 이것은, 특히 레이저 광을 사용하여, 표면 히터에 의해 소스 표면 상의 가열 스팟 상으로 가열을 인가함으로써 제공될 수 있다. 따라서 소스 재료의 증발 및/또는 승화가 제공될 수 있다.
특히, 단계 c)에서 소스 요소의 온도는 소스 배열의 온도 센서에 의해 측정된다. 따라서, 단계 c) 후에 측정된 온도로 나타나는 소스 요소의 상태에 대한 정보가 제공될 수 있다.
이 정보는 단계 c)에서 측정된 온도에 기초하여 표면 히터에 의해 소스 영역의 가열을 조정하는 다음 단계 d)에서 사용될 수 있다. 특히 폐루프 제어가 설정될 수 있다. 증착 장치에서 타겟 재료 상의 소스 물질의 고도로 제어 가능한 증착 속도가 제공될 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 단계 d)가 소스 영역 상으로 표면 히터에 의해 제공되는 가열 파워의 조정을 포함하는 것에 의해 개선될 수 있으며, 특히 여기서 가열 파워의 조정은 적어도 하나의 교대하는 온-페이즈 및 오프-페이즈에 의한 표면 히터의 펄스 작동을 포함하고, 이에 의해 가열 파워는 적어도 하나의 온-페이즈 및 오프-페이즈의 적절한 지속시간을 선택하는 것에 의해, 특히 적어도 하나의 온-페이즈와 오프-페이즈의 지속시간의 적절한 비율을 선택하는 것에 의해 조정된다.
표면 히터에 의한 소스 영역의 가열의 조정의 첫 번째 가능성은 소스 영역에서 표면 히터에 의해 제공되는 가열 파워를 직접적으로 조정하는 것에 의해 제공될 수 있다. 레이저 광이 소스 영역 상으로 가열 파워를 제공하기 위해 사용될 때, 이 조정은 전자 제어 인터페이스를 통해 레이저의 출력을 조정하는 것에 의해 이루어질 수 있다. 또한 그에 따라 사용되는 커버, 슬릿 및/또는 다른 광 쉐이드(shade) 요소가 가능하다.
바람직하게는, 가열 파워의 조정은 표면 히터, 특히 레이저 소스의 펄스 작동을 포함한다. 교대하는 온-페이즈와 오프-페이즈를 제공함으로써 시간 평균 가열 파워가 제공될 수 있다. 온-페이즈와 오프-페이즈의 지속시간의 조정, 특히 온-페이즈와 오프-페이즈의 지속시간의 적절한 비율의 조정은 가열 파워의 제어된 조정을 제공하기 위한 특히 적합한 방법이다.
추가적으로 또는 대안적으로, 본 발명에 따른 방법은 단계 d)가 소스 요소의 소스 표면에서 소스 영역의 위치의 공간적 변화를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있으며, 특히 여기서 소스 영역의 위치의 공간적 변화는 표면 요소에 대한 표면 히터의 가열 스팟의 위치를 변경하는 것 및/또는 특히 소스 배열의 액추에이터에 의해 제공되는, 가열 스팟의 위치에 대한 소스 요소의 위치를 변경하는 것에 의해 발생한다. 평균 가열 파워를 조정하기 위해 시간 평균이 사용되는 본 발명에 따른 방법의 전술한 실시예와 대조적으로, 이 실시예에서는 동일한 이점을 달성하기 위해 공간 평균, 즉 낮은 평균 파워와 결합된 피크에서 높은 표면 온도를 위한 시간적 또는 공간적 피크 파워 분포가 사용된다. 소스 요소의 소스 표면에서 소스 영역의 위치를 변경함으로써, 승화 및/또는 기화가 일어나는 소스 표면에서의 실제 위치가 변한다. 따라서 소스 표면 상으로의 가열 파워의 분배 및 그에 따른 소스 요소의 소스 재료의 기화 및/또는 승화의 분배가 제공될 수 있다.
소스 영역의 위치의 이러한 공간적 변화는 예를 들어 소스 요소에 대한 표면 히터의 가열 스팟의 위치의 변경에 의해 제공될 수 있다. 다시 말해, 소스 요소는 공간적으로 고정되게 유지되고 가열 스팟의 위치가 변경된다.
이와 대조적으로, 가열 스팟의 공간적 위치가 고정되게 유지되고 가열 스팟의 위치에 대한 소스 요소의 위치가, 특히 소스 배열의 액추에이터에 의해, 변경된다. 또한 이 실시예에서 전체 제공 가열 파워의 분배 및 그에 따른 소스 요소의 소스 표면에서의 기화 및/또는 승화가 제공될 수 있다.
또한 전술한 두 개의 실시예의 조합, 가열 스폿의 위치의 변경 및 추가적으로 가열 스폿의 위치에 대한 소스 요소의 상대 위치의 변경이 타겟 상의 증발 플럭스(evaporation flux)의 균질화의 평균화를 추가로 강화하기 위해 제공될 수 있다.
이하에서 본 발명이 첨부된 도면에서 보여지는 기술된 실시예들을 참조하여 더 상세히 설명된다.
도 1은 증착 장치를 도시한다.
도 2는 두 개의 가능한 소스 배열의 실시예를 도시한다.
도 3은 소스 배열의 두 개의 추가 실시예를 도시한다.
도 4는 온도 센서의 가능한 배열을 도시한다.
도 5는 방출 섹션으로서 돌출부의 가능한 실시예들을 도시한다.
도 6은 방출 영역을 갖는 소스 배열을 도시한다.
도 7은 저감 개구(reducing openings)를 구비하는 소스 배열을 도시한다.
도 8은 여러 개의 부분으로 분할된 소스 요소를 갖는 소스 배열의 가능한 실시예들을 도시한다.
도 9는 가열 파워의 시간적 분포를 도시한다.
도 10은 소스 표면 상의 가열 파워의 공간적 변화의 가능한 실시예들을 도시한다.
도 1은 본 발명에 따른 증착 장치(deposition apparatus)(60)의 가능한 실시예를 도시한다. 증착 장치(60)에서 본 발명에 따른 소스 배열(source arrangement)(10)이 배치된다. 특히 소스 배열(10)은 지지체(14)를 갖는 지지 구조(12)를 포함하고, 지지체(14)는 실제 소스 요소(20)를 지지한다. 본 발명에 따르면, 소스 요소(20)는 소스 재료(42)로 구성되고 지지체(14)에 자체 지지되도록 배열된다. 도시된 바와 같이, 지지체(14) 및 소스 요소(20)는 도가니 없이 구성된다. 이 실시예에서 레이저 광원인 직접 표면 히터(62)가 소스 요소(20)의 가열 스팟(66) 상으로 지향되는 레이저 광(64)을 제공하고, 이에 의해 가열 스팟(66)은 소스 표면(28)의 소스 영역(30)에 대응한다. 소스 재료(42)는 기화 및/또는 승화되고 각 증기(44)는 반응 챔버(70) 내에서 타겟 배열(68)에 의해 지지되는 타겟(80) 상에 증착된다. 반응 챔버(70)는 분위기 컨트롤러(78), 예를 들어 진공 펌프에 의해 제어되는 반응 분위기(76)로 채워진다. 반응 챔버(70)의 벽(72) 내에 심어지거나 벽(72) 근처에 배치되는 쿨러(74)는 반응 분위기(76)를 제어하는 것을 돕고 반사된 레이저 광(64)을 추가로 흡수한다.
본 발명에 따른 방법에 따르면, 첫 번째 단계 a)에서 소스 배열(10)이 반응 챔버(70) 내에 배열된다. 다음 단계 b)는 소스 요소(20) 상의 가열 스팟(66) 상에 가열 파워(82)를 인가함으로써 소스 영역(30)을 가열하는 것을 포함한다. 특히, 다음 단계 c)에서 소스 요소(20)의 온도가 본 발명에 따른 소스 배열(10)의 온도 센서(18)에 의해 측정된다. 본 발명에 따른 방법의 마지막 단계 d)에서, 이것은 단계 c)에서 온도 센서(18)에 의해 측정된 온도에 기초하여 표면 히터(62)에 의해 소스 영역(30)의 가열의 조정을 허용한다. 다시 말해서, 이것은 소스 요소(20)의 측정된 온도에 기초하는 가열 파워(82)의 폐루프 제어를 구현하는 것을 허용한다.
추가적으로, 도 1에 도시된 증착 장치는 타겟(80)의 온도를 제어할 수 있는 온도 컨트롤러(87)를 포함한다. 이 온도 컨트롤러(87)는 타겟(80)의 재료의 온도를 측정하기 위한 온도 센서(88), 그리고 타겟(80)의 재료의 온도를 조정하기 위한 타겟 히터(88)를 포함할 수 있다. 특히 타겟(80)의 재료의 온도의 폐루프 제어가 구현될 수 있다. 온도 센서(88)는 예를 들어 열전대(thermocouples)와 같은 접촉 센서 또는 예를 들어 고온계(pyrometers)와 같은 비접촉 센서일 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 바람직하게는 타겟 히터(89)는 타겟(80)의 재료를 가열하기 위한 적절한 레이저 빔을 사용할 수 있다.
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 소스 배열(10)의 가능한 실시예들을 도시한다. 모든 실시예들에서 지지 구조(12)는 각각의 소스 배열(10)의 각각의 소스 요소(20)에 대한 지지 위치(50)에서 포인트 형태의 접촉 영역(52)을 제공하기 위해 원뿔형(cone-shaped) 돌출부를 갖는 지지체(14)를 포함한다. 소스 요소(20) 각각은 자제 지지되고 특히 도가니 없이 구성된다. 나아가, 소스 배열(10) 각각은 각각의 소스 요소(20)의 제2 표면(32)에, 특히 제2 표면(32)의 대칭 중심(26)에 직접 연결되는 온도 센서(18)를 포함한다. 제2 표면(32)은 도면들에 도시된 모든 실시예들에서 레이저 광(64)의 가열 스팟(66)에 의해 가열되는 소스 영역(30)을 그 중심에 포함하는 소스 표면(28)의 반대편에 위치된다. 기화 및/또는 승화된 소스 재료(42)로 만들어진 증기(44)가 화살표로 지시되어 있다.
도 2의 좌측에 도시된 실시예는 본 발명에 따른 소스 배열(10)에 사용되는 소스 요소(20)의 설계의 초기 지점이다. 소스 요소(20)는 자체 지지되고 특히 회전 대칭이다. 포인트 형태의 접촉 영역(52)을 제외한 모든 표면은 접근 가능하고 복사 냉각에 의해 소스 요소(20)의 열 조절을 위해 사용될 수 있다. 소스 영역(30)에서 소스 재료(42)는 용융되고 기화 및/또는 승화되어 증기(44)가 된다.
도 2의 우측에 도시된 실시예는 재료 활용과 관련되어 최적화된다. 소스 배열(10)의 사용 동안, 소스 재료(42)는 기화 및/또는 승화되고 그에 따라 소스 요소(20)는 점점 작아진다. 이 실시예에서 소스 요소(20)는 본질적으로 반구형으로 형성되고 그에 따라 기화 및/또는 승화에 실제 사용 가능한 소스 요소(20)의 부분의 비율이 최대화된다.
도 3의 좌측에 도시된 실시예는 본질적으로 전체 표면 영역(28)이 소스 영역(30)으로 사용 가능해야 하는 위치 설정에 특히 적합하다. 따라서, 소스 요소(20)는 지지체(14) 위에서 충분히 연장되고 그에 따라 소스 표면(28)의 전체의 기화 및/또는 승화가 제공될 수 있다. 이 실시예에서 바람직하게는 지지체는 소스 영역(30)과 타겟(80) 사이의 일정한 거리를 제공하기 위해 수직 방향으로 또한 이동 가능하다.
도 3의 우측에 도시된 실시예는 높은 열 전도율을 갖는 소스 재료(42)를 포함하는 소스 요소(20)에 적합한다. 제2 표면(32) 및 특히 수직 방향으로 연장된 소스 요소(20)의 부분은 열 에너지를 방출할 수 있으며 그에 따라 소스 영역(30)은 소스 표면(28) 상에 더 잘 포함될 수 있다. 열 에너지의 복사가 없으면, 소스 요소(20)의 용융은 대체로 위험하다.
도 4는 제2 표면(32)에서 온도 센서(18)의 두 개의 가능한 배열을 도시하고, 여기서 양 실시예는 온도 센서(18)를 소스 요소(20)의 대칭 중심(26)에서 그 원하는 위치로 안내하는 인렛 가이드 섹션(34)을 포함한다.
도 4의 좌측에 도시된 바와 같이, 예를 들어 온도 센서(18)로 사용되는 열전대 요소를 위한 직접 접촉이 원뿔형 인렛 가이드 섹션(34)에 의해 쉽게 제공될 수 있다.
도 4의 우측에 도시된 바와 같이, 원통형 인렛 가이드 섹션(34)이 또한 사용될 수 있다. 이것은, 소스 요소(20)의 온도가 온도 센서(18)가 견딜 수 있는 것보다 높을 것으로 예상되는 경우, 매우 높은 융점 및 매우 낮은 증기압을 갖는 소스 재료(42)에 대해 바람직하게 설정될 수 있다. 이 경우, 온도 센서(18)와 소스 요소(20) 사이의 직접적인 접촉이 이루어질 필요가 없다. 도시된 온도 센서(18)의 선단은 소스 요소(20)의 표면에 의해 6개의 직교 공간 방향 중 5개의 방향에서 둘러싸여 있어 소스 요소(20)의 온도에 강한 복사 결합을 일으킨다. 특히, 고온계 요소가 이 실시예들에서 온도 센서(18)로 사용될 수 있다.
다음의 두 개의 도 5 및 도 6은 열복사가 소스 요소(20)로부터 방출되어야 한다는 요건과 관련하여 도 3의 우측에 도시된 실시예와 유사한 소스 배열(10)의 다른 가능한 실시예들을 도시한다. 도 5 및 도 6에 도시된 소스 배열(10)의 다른 모든 요소에 대해서는 도 2 및 도 3을 참조하면 된다.
도 5의 좌측에 도시된 실시예에서, 방출 섹션(38)이 기본적으로 제2 표면(32)에서 돌출되는 돌출부로서 제공된다. 이 실시예에서 돌출부는 원뿔형이고 소스 표면에서 멀어지도록 연장된다. 따라서, 특히 큰 제2 표면(32) 및 특히 효과적인 복사 냉각이 제공될 수 있다.
도 5의 우측에 다른 돌출부가 제2 표면(32)에서 방출 섹션(38)으로 사용되며, 여기서 이 실시예에서 돌출부는 프리즘(prism) 형상을 갖는다. 예를 들어, 이러한 돌출부는 에칭(etching) 및/또는 밀링(milling)에 의해 제공될 수 있으며 특히 쉬운 방법으로 제2 표면(32)을 효과적으로 확대할 수 있다.
도 6은 방출 섹션(38)의 다른 실시예를 도시하고, 이 방출 섹션(38)은 소스 영역(30)이 반경방향 주위에 배열되는 방출 영역(40)에 의해 제공된다. 접촉 영역(52)에서 근본적으로 온도 의존적인 소스 요소(20)와 지지체(14) 사이의 화학적 반응 또는 합금, 특히 공융의 형성이, 방출 영역(40)에 의해 열 에너지를 방출함으로써, 효과적으로 회피될 수 있기 때문에, 이 실시예는 높은 열 전도율을 갖는 소스 재료(42)에 특히 유리하다.
이와 반대로, 다른 경우에, 열 에너지는 소스 영역(30)에 수용되어야 한다. 도 7은 소스 표면(28)과 제2 표면(32) 사이에서 연장되는 저감 개구(36)를 포함하는 소스 요소(20)를 도시한다. 이들 저감 개구(36)는 소스 요소(20) 내의 반경방향으로의 열 전도율을 효과적으로 감소시킨다. 따라서 소스 영역(30) 상에 투사되는 가열 파워(82)는 소스 요소(20)의 중간에 수용된 상태로 유지되고 전체적으로 소스 요소(20)에 걸쳐 분배되지 않거나 적어도 덜 분배된다.
도 8은 소스 요소(20)의 다른 두 개의 가능한 실시예를 도시하고, 이들 소스 요소(20)는 제1 파트(22)와 몇 개의 제2 파트(24)를 포함한다. 좌측에 도시된 실시예는 구형 셀 형태의 파트(22, 24)를 포함하고 우측에 도시된 실시예는 평면 형태의 파트(22, 24)를 포함한다. 파트(22, 24)는 지지 위치(50)와 포인트 형태의 접촉 영역(52)을 제공하는 것에 의해 지지체(14)와 소스 요소(20) 사이의 연결과 유사하게 함께 적층된다. 지지 위치(50) 및 접촉 영역(52)은 몇 개의 제2 파트(24)의 콘형 돌출부에 의해 제공된다. 각각의 제1 파트(22)는 소스 영역(30)을 제공한다. 이러한 배열은 두 개의 주요한 장점, 먼저 제1 파트(22)가 완전히 녹으면 이어지는 제2 파트(24)가 액화된 제1 파트(22)를 포획하고 소스 재료(42)의 손상이 방지될 수 있다. 또한, 이미 위에서 설명된 열적 고립으로 인해, 지지체(14)와 접촉하는 마지막 제2 파트(24)는 상대적으로 낮은 온도에 있고 그에 따라 지지 위치(50)에서 마지막 제2 파트(24)와 지지체(14) 사이의 접촉 오염, 화학 반응 및/또는 합금 및 공융 형성물(eutectic formations)이 회피될 수 있다.
도 9에 지속 시간(t)에 대한 가열 파워(82)의 시간적 변화가 도시되어 있다. 이것은 본 발명에 따른 방법의 단계 d)에서 가열 파워(82)를 조정하기 위해 사용될 수 있다. 도 9에서 그래프의 상측 부분은 표면 히터(62)에 의해 제공되는 실제 가열 파워(82)를 나타낸다. 특히, 가열 파워(82)는 서로 다른 지속 시간(94)을 갖는 온-페이즈(90) 및 오프-페이즈(92)에 제공된다. 도 9에서 그래프의 하측 부분은 소스 요소(20)의 소스 영역(30)에 존재하는 표면 온도(86)를 나타낸다. 온-페이즈(90)와 오프-페이즈(92)의 지속 시간(94)의 조절된 비율에 의해, 중간 가열 파워(82)가 제공될 수 있고, 이에 의해 예를 들어 소스 재료(42)의 기화 및/또는 승화가 온-페이즈(90) 동안 제공되나 오프-페이즈(92) 동안의 냉각에 의해 소스 요소(20)의 완전한 용융을 피할 수 있다. 온-페이즈(90)의 마지막에 표면 온도(86)가 가장 높아서 강한 기화 또는 승화로 이어지는 반면, 온도 센서(18) 및 지지체(14)로의 즉각적이지 않은 열 전도에 의해 표면 영역(30)과 균형을 이루지 못하는 평균 표면 온도(86)는 온-페이즈(90)와 오프-페이즈(92) 사이의 지속시간 비율에 따라 감소된다.
도 10은, 특히 더 효과적인 복사 냉각을 위해 소스 표면(28)의 더 큰 부분 상으로 가열 파워(82)를 공간적으로 퍼뜨리기 위해, 온도 센서(18)와 지지체(14)(도 2, 3, 4, 6 참조)에서 낮은 평균 표면 온도(86)로 소스 영역(30)에서 높은 피크 표면 온도(86)를 달성할 수 있는 다른 가능성을 도시한다. 이것은 소스 요소(20)를 가열 스팟(66)에 대해 이동시키는 것에 의해 또는 그 반대에 의해 제공될 수 있다. 또한 소스 요소(20)와 가열 스팟(66)의 결합된 이동이 사용될 수도 있다. 요약하면, 가열 파워(82)는 소스 표면(28)에 걸쳐 분포되어 소스 요소(20)의 완전한 용융을 방지하기 위해 더 분산된 복사를 제공한다. 또한 소스 재료(42)의 더 균일한 기화 및/또는 승화가 제공될 수 있다. 도 10에 도시된 세 가지 실시예는 이러한 접근의 서로 다른 가능성을 도시한다.
도 10에 도시된 상부 좌측의 실시예는 소스 요소(20)의 소스 표면(28) 상의 가열 스팟(66)의 단순한 원형 이동이다. 이것은 특히 소스 배열(10)의 액추에이터(16)를 사용하여 예를 들어 소스 요소(20)를 그 대칭 중심(26) 주위로 단순히 회전시킴으로써 제공될 수 있다. 제2 표면(28) 상의 온도 센서(18)가 대칭 중심(26)에, 그에 따라 회전 축 위에 위치되고 그에 의해 가열 스팟(66)까지의 일정한 거리를 갖는 것이 바람직한 실시예이다. 대칭 중심(26) 주위를 돌고 있는 가열 스팟(66)에도 불구하고, 열적 분포가 가열 스팟(66)의 회전하는 기준 프레임 또는 좌표 시스템에서 일정하게 유지됨에 따라, 특히 소스 영역(30)의 표면 온도(86)는 회전 동안 일정하게 유지된다.
상부 우측의 실시예는 유사하나, 이 경우 가열 스팟(66)의 움직임은 나선형이다.
도 10의 하부에 도시된 바와 같이, 직사각형 소스 요소(20)에 대해, 소스 요소의 소스 표면(28) 상의 가열 스팟(66)의 구불구불하게 휘어진 경로가 유리할 수 있다.
모든 실시예에서 가열 파워(82)는 소스 요소(20)의 소스 표면(28) 상의 더 큰 영역에 걸쳐 순차적으로 분배된다. 따라서 소스 재료(42)의 더 분배된 기화 및 승화가 쉽게 제공될 수 있다.
10 소스 배열(source arrangement)
12 지지 구조(holding structure)
14 지지체(support)
16 액추에이터(actuator)
18 온도 센서(temperature sensor)
20 소스 요소(source element)
22 제1 부분(first part)
24 제2 부분(second part)
26 대칭 중심(symmetrical center)
28 소스 표면(source surface)
30 소스 영역(source area)
32 제2 표면(second surface)
34 인렛 가이드 섹션(inlet guide section)
36 저감 개구(reducing opening)
38 방출 섹션(emission section)
40 방출 영역(emission region)
42 소스 재료(source material)
44 증기(vapour)
50 지지 위치(support position)
52 접촉 영역(contact area)
60 증착 장치(deposition apparatus)
62 표면 히터(surface heater)
64 레이저광(laser light)
66 가열 스팟(heating spot)
68 타겟 배열(target arrangement)
70 반응 챔버(reaction chamber)
72 벽(wall)
74 쿨러(cooler)
76 반응 분위기(reaction atmosphere)
78 반응 컨트롤러(atmosphere controller)
80 타겟(target)
82 가열 파워(heating power)
84 공간상 변화(spatial variation)
86 표면 온도(surface temperature)
87 온도 컨트롤러(temperature controller)
88 온도 센서(temperature sensor)
89 타겟 히터(target heater)
90 온-페이즈(on-phase)
92 오프-페이즈(off-phase)
94 지속 시간(duration)

Claims (33)

  1. 소스 요소(20)의 소스 표면(28) 상에 가열 파워를 인가하는 직접 표면 히터(62)를 갖는 증착 장치(60)를 위한 소스 배열(10)에 있어서,
    지지체(14) 및 상기 지지체(14)에 배열되는 적어도 하나의 소스 요소(20)를 갖는 지지 구조(12)를 포함하고,
    상기 소스 요소(20)는 상기 소스 표면(28) 및 상기 소스 표면(28)의 반대편에 있는 제2 표면(32)을 포함하고,
    소스 재료(42)가 상기 증착 장치(60)의 상기 표면 히터(62)에 의해 가열될 때 상기 소스 표면(28) 상의 소스 영역(30)으로부터 기화 및/또는 승화될 수 있고,
    상기 소스 요소(20)는 소스 재료(42)를 포함하고 상기 지지체(14)에 자체 지지되게 배열되는
    소스 배열(10).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지체(14) 및 상기 소스 요소(20)는 도가니 없는 구조로 구성되는 소스 배열(10).
  3. 제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 소스 요소(20)는 세 개 이상, 바람직하게는 세 개의 지지 위치(50)에서 상기 지지체(14)에 의해 지지되고, 상기 지지 위치(50)에서 상기 지지체(14)와 상기 소스 요소(20) 사이의 접촉 영역(52)은 포인트 형태 또는 적어도 본질적으로 포인트 형태의 접촉 영역(52)인 소스 배열(10).
  4. 제3항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 소스 요소(20) 및/또는 상기 지지체(14)는 상기 지지체(14)와 상기 적어도 하나의 소스 요소(20) 사이의 포인트 형태 또는 적어도 근본적으로 포인트 형태의 접촉 영역(52)을 제공하기 위한 콘 형상의 돌출부를 포함하는 소스 배열(10).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 소스 요소(20)는 상기 적어도 하나의 소스 요소(20) 내의 열 전도율의 저감을 위해 상기 소스 요소(20)에서 상기 소스 표면(28)으로부터 상기 제2 표면(32)까지 연장되는 적어도 하나의 저감 개구(36)를 포함하는 소스 배열(10).
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 소스 요소(20)는 제1 파트(22) 및 상기 제1 파트(22)와 별개인 적어도 하나의 제2 파트(24)로 나누어지고, 상기 제1 파트(20)는 상기 소스 표면(28)을 포함하고 상기 제1 파트(22)와 상기 적어도 하나의 제2 파트(22)는 상기 소스 요소(20)를 형성하도록 적층되고, 이에 의해 상기 제1 파트(22)는 세 개 이상, 바람직하게는 세 개의 지지 위치(50)에서 상기 적어도 하나의 제2 파트(24)에 의해 지지되고, 상기 지지 위치(50)에서 상기 제1 파트(22)와 상기 적어도 하나의 제2 파트(24) 사이의 상기 접촉 영역(52)은 포인트 형태 또는 적어도 근본적으로 포인트 형태의 접촉 영역(52)인 소스 배열(10).
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 파트(22) 및/또는 상기 적어도 하나의 제2 파트(24)는 상기 제1 파트(22)와 상기 적어도 하나의 제2 파트(24) 사이의 상기 포인트 형태 또는 적어도 근본적으로 포인트 형태의 접촉 영역(52)을 제공하기 위한 콘 형태의 돌출부를 포함하는 소스 배열(10).
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 소스 요소(20)는 열 에너지의 방출을 위한 적어도 하나의 방출 섹션(38)을 포함하고, 상기 적어도 하나의 방출 섹션(38)은 상기 소스 영역(30)에 대해 상기 소스 요소(20)에 방사상으로 배열되는 방출 영역(40)에 의해 제공되고/제공되거나 상기 제2 표면(32)으로부터 돌출되는 돌출부로서 형상화되는 소스 배열(10).
  9. 제8항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 방출 섹션(38)은 상기 제2 표면(32)으로부터 돌출되는 돌출부로서 형상화되고, 이에 의해 상기 돌출부는 프리즘, 특히 경사 프리즘 및/또는 콘과 같이 및/또는 이들 형상의 적어도 두 개의 교차와 같이 형상화되는 소스 배열(10).
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소스 배열(10)은, 상기 증착 장치(60)의 상기 표면 히터(62)에 의해 가열될 때, 상기 소스 표면(28) 상의 상기 소스 영역(30)의 위치의 변화를 위해 상기 소스 배열(10) 내에서 상기 소스 요소(20)의 상대 위치의 변경을 위한 액추에이터(16)를 포함하는 소스 배열(10).
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소스 배열(10)은 상기 소스 요소(20)의 상기 제2 표면(32)에 배열된 상기 소스 요소(20)에서의 온도 측정을 위한 온도 센서(18)를 포함하는 소스 배열(10).
  12. 제11항에 있어서,
    상기 온도 센서(18)는 상기 제2 표면(32)의 대칭 중심(26)에 배열되거나, 상기 소스 요소(20)의 대칭 중심(26)에 배열되거나, 상기 제2 표면(32)과 상기 소스 요소(20)의 공통 대칭 중심(26)에 배열되는 소스 배열(10).
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 제2 표면(32)은 상기 온도 센서(18)를 상기 소스 요소(20)에 배열되는 그 위치로 상기 제2 표면(32) 및/또는 상기 소스 요소(20)의 대칭 중심(26)에 가이드 하기 위한 인렛 가이드 섹션(34)을 포함하는 소스 배열(10).
  14. 제13항에 있어서,
    상기 인렛 가이드 섹션(34)은 적어도 부분적으로 콘 형태 및/또는 실린더 형태인 소스 배열(10).
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 인렛 가이드 섹션(34)은 상기 소스 요소(20) 내로 내측으로 연장되는 소스 배열(10).
  16. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 센서(18)는 상기 제2 표면(32)과 직접 접촉하도록 배열되는 소스 배열(10).
  17. 제16항에 있어서,
    상기 온도 센서(18)는 써모커플 요소를 포함하는 소스 배열(10).
  18. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 센서(18)는 상기 제2 표면(32)으로부터 이격되게 배열되는 소스 배열.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 온도 센서(18)는 고온계 요소를 포함하는 소스 배열(10).
  20. 소스 요소(20)를 가지는 소스 배열(10), 타겟 요소를 가지는 타겟 배열(68), 벽(72)을 포함하고 반응 분위기(76)를 포함하는 반응 챔버(70), 상기 반응 분위기(76)를 제어하도록 구성된 분위기 컨트롤러(78) 그리고 상기 소스 요소(20)의 소스 표면(28) 상의 소스 영역(30)을 가열하도록 구성된 표면 히터(62)를 포함하는 증착 장치(60)에 있어서,
    상기 소스 배열(10)과 상기 타겟 배열(68)은, 상기 표면 히터(62)의 사용에 의해 상기 소스 표면(28) 상의 가열 스팟(66) 상으로 가열 파워(82)를 인가하여 상기 소스 영역(30)을 가열하는 것에 의해, 상기 소스 재료(42)가 제어된 방식으로 상기 타겟 요소 상에 증착될 수 있도록, 상기 반응 챔버(70)에서 상기 반응 분위기(76) 내에 위치되고,
    상기 소스 배열(10)이 청구항 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따라 구성되는
    증착 장치(60).
  21. 제20항에 있어서,
    상기 표면 히터(62)는 상기 반응 챔버(70) 내로 레이저 광(64)을 방출하는 레이저 광 소스 및/또는 상기 레이저 광(64)의 상기 반응 챔버(70)로의 결합을 위한 상기 반응 챔버(70)의 상기 벽에 있는 구멍을 포함하고, 상기 레이저 광(64)은 상기 소스 요소(20)의 상기 소스 표면(28) 상의 상기 소스 영역(30)으로 지향되는 증착 장치(60).
  22. 제21항에 있어서,
    상기 레이저 광(64)은 UV 레이저 광(64) 및/또는 가시 레이저 광(64) 및/또는 IR 레이저 광(64)인 증착 장치(60).
  23. 제20항 내지 제22항에 있어서,
    상기 반응 챔버(70)는 상기 반응 챔버(70) 및/또는 상기 반응 분위기(76)를 냉각하기 위한 쿨러(74)를 포함하는 증착 장치(60).
  24. 제23항에 있어서,
    상기 쿨러(74)는 능동 쿨러(74)인 증착 장치(60).
  25. 제23항 또는 제24항에 있어서,
    상기 쿨러(74)는 상기 반응 챔버(70)에 및/또는 상기 반응 챔버(70)의 벽(72) 내에 배열되는 증착 장치(60).
  26. 제20항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분위기 컨트롤러(78)는 반응 분위기(76)에 10-11 mbar 내지 1 mbar 사이의 압력을 제공하기 위한 진공 펌프를 포함하는 증착 장치(60).
  27. 표면 히터(62) 및 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 소스 배열(10)을 포함하는 증착 장치(60)에서, 특히 제20항 내지 제27항 중 어느 한 항에 따른 증착 장치에서, 타겟 재료 상에 소스 재료(42)를 증착하는 방법에 있어서,
    a) 상기 소스 배열(10)을 배열하고 그에 의해 상기 소스 요소(20)를 상기 반응 챔버(70) 내에 제공하는 단계,
    b) 상기 소스 재료(42)를 기화시키거나 승화시키기 위해 상기 표면 히터(62)에 의해 상기 소스 표면(28) 상에서 가열 스팟(66) 상으로 가열 파워(82)를 인가함으로써 상기 소스 요소(20)의 상기 소스 표면(28) 상의 상기 소스 영역(30)을 가열하는 단계,
    c) 상기 소스 배열(10)의 상기 온도 센서(18)에 의해 상기 소스 요소(20)의 온도를 측정하는 단계, 그리고
    d) 상기 단계 c)에서 측정된 온도에 따라 상기 표면 히터(62)에 의해 상기 소스 영역(30)의 가열을 조정하는 단계
    를 포함하는 방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 표면 히터(62)에 의해 상기 소스 영역(30) 상으로 제공되는 상기 가열 파워(82)의 조정을 포함하는 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 가열 파워(82)의 상기 조정은 적어도 하나의 교대하는 온-페이즈(90) 및 오프-페이즈(92)에서 상기 표면 히터(62)의 펄스 작동을 포함하고, 이에 의해 상기 가열 파워(82)는 상기 적어도 하나의 온-페이즈(90) 및 오프-페이즈(92)의 적당한 지속시간(94)을 선택함으로써 조정되는 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 온-페이즈(90)와 오프-페이즈(92)의 적당한 지속시간(94)의 선택은 상기 적어도 하나의 온-페이즈(90)와 오프-페이즈(92)의 지속시간(94)의 적당한 비율의 선택을 포함하는 방법.
  31. 제27항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 d)는 상기 소스 요소(20)의 상기 소스 표면(28) 상의 상기 소스 영역(30)의 위치의 공간적 변화(84)를 포함하는 방법.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 소스 영역(30)의 위치의 상기 공간적 변화(84)는 상기 표면 요소에 대한 상기 표면 히터(62)의 상기 가열 스팟(66)의 위치의 변경 및/또는 상기 가열 스팟(66)의 위치에 대한 상기 표면 요소의 위치의 변경에 의해 얻어지는 방법.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 소스 영역(30)의 위치의 상기 공간적 변화(84)는 상기 소스 배열(10)의 상기 액추에이터(16)에 의해 제공되는 방법.
KR1020217036440A 2019-04-16 2020-04-15 소스 배열, 증착 장치 및 소스 재료를 증착하기 위한 방법 KR20210151151A (ko)

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