JPH03265125A - 分子線源セル - Google Patents
分子線源セルInfo
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- JPH03265125A JPH03265125A JP6270690A JP6270690A JPH03265125A JP H03265125 A JPH03265125 A JP H03265125A JP 6270690 A JP6270690 A JP 6270690A JP 6270690 A JP6270690 A JP 6270690A JP H03265125 A JPH03265125 A JP H03265125A
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- crucible
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- molecular beam
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、分子線結晶成長装置に用いられる分子線源セ
ルに関し、 クルーシブル表面へのヒーター材料の蒸着を著しく低減
することにより、長期間に亘って交換を必要とせずに安
定した加熱効率を維持できる分子線源セルを提供するこ
とを目的とし、 蒸発させる材料を収容するセラミ・ノクス製りル−ジプ
ルと、このクルーシブルを取り囲んで配置された金属製
ヒーターと、このヒーターの外側を更に取り囲んで配置
された熱反射板とを有し、上記熱反射板で反射された熱
が上記クルーシブルに照射されるように上記ヒーターに
間隙が設けられている分子線源セルにおいて、 上記クルーシブルと上記ヒーターとの間に、上記ヒータ
ーに沿い且つ上記ヒーターの間隙と対応する位置に間隙
を有する第2の金属製熱反射板を設けて構成する。
ルに関し、 クルーシブル表面へのヒーター材料の蒸着を著しく低減
することにより、長期間に亘って交換を必要とせずに安
定した加熱効率を維持できる分子線源セルを提供するこ
とを目的とし、 蒸発させる材料を収容するセラミ・ノクス製りル−ジプ
ルと、このクルーシブルを取り囲んで配置された金属製
ヒーターと、このヒーターの外側を更に取り囲んで配置
された熱反射板とを有し、上記熱反射板で反射された熱
が上記クルーシブルに照射されるように上記ヒーターに
間隙が設けられている分子線源セルにおいて、 上記クルーシブルと上記ヒーターとの間に、上記ヒータ
ーに沿い且つ上記ヒーターの間隙と対応する位置に間隙
を有する第2の金属製熱反射板を設けて構成する。
本発明は、分子線結晶成長装置に用いられる分子線源セ
ルに関する。
ルに関する。
分子線結晶成長装置は、超高真空に保持された容器内で
、結晶成長原料を分子線源セル内で高温に加熱して蒸発
させ、得られた分子線を基板上に照射して結晶を堆積・
成長させる装置であり、結晶格子規模での組成制御を正
確に行えるので、例えば■−V族化合物半導体を用いた
高速デバイスや光デバイス等のエピタキシャル結晶成長
等に用いられている。
、結晶成長原料を分子線源セル内で高温に加熱して蒸発
させ、得られた分子線を基板上に照射して結晶を堆積・
成長させる装置であり、結晶格子規模での組成制御を正
確に行えるので、例えば■−V族化合物半導体を用いた
高速デバイスや光デバイス等のエピタキシャル結晶成長
等に用いられている。
超高真空にするのは、蒸発した物質を分子線として用い
るために、容器内空間の気体分子数を極力少なくして、
気体分子との衝突による分子線の損失を防止し、実用上
有効な分子線量を確保する必要があるから、および、高
純度の結晶を得るために、結晶の残留ガス分子のとりこ
みを抑制する必要があるからである。
るために、容器内空間の気体分子数を極力少なくして、
気体分子との衝突による分子線の損失を防止し、実用上
有効な分子線量を確保する必要があるから、および、高
純度の結晶を得るために、結晶の残留ガス分子のとりこ
みを抑制する必要があるからである。
従来の分子線源セルの典型的な構造は、第4図(A)、
(B)、および(C)にそれぞれ縦断面、横断面、およ
び断面斜視図を示したように、蒸発させる材料2を収容
するセラミックス製クルーシブル1と、クルーシブル1
を取り囲んで配置された通電加熱式の金属製ヒーター3
と、ヒーター3の外側を更に取り囲んで配置された熱反
射板4とを有して横絞されでいる。熱反射板4は通常T
a等の耐熱金属板を円筒状に何重かに巻いたものであり
、ヒーター3で発生した熱をセル外に逃がさず有効にク
ルーシブル1に照射するためのものである。ヒーター3
は、例えば第4図(C)のように細い帯状のヒータ一部
材が蛇行しながらクルーシブル1の外周を取り囲んだ形
状をしており、ヒーター3から発生した輻射熱が、直接
クルーシブル1を照射するほかに外周熱反射板4で反射
された熱が、蛇行するヒーター3の間隙6を通ってクル
ーシブル1に達するように作られている。同図中、6は
ヒーター3を保持するためのBN等のセラミックスで作
られたリング状の絶縁板にヒーター3を通すための溝を
設けた保持部であり、7はセル温度(クルーシブル温度
)を検知するための熱電対である。
(B)、および(C)にそれぞれ縦断面、横断面、およ
び断面斜視図を示したように、蒸発させる材料2を収容
するセラミックス製クルーシブル1と、クルーシブル1
を取り囲んで配置された通電加熱式の金属製ヒーター3
と、ヒーター3の外側を更に取り囲んで配置された熱反
射板4とを有して横絞されでいる。熱反射板4は通常T
a等の耐熱金属板を円筒状に何重かに巻いたものであり
、ヒーター3で発生した熱をセル外に逃がさず有効にク
ルーシブル1に照射するためのものである。ヒーター3
は、例えば第4図(C)のように細い帯状のヒータ一部
材が蛇行しながらクルーシブル1の外周を取り囲んだ形
状をしており、ヒーター3から発生した輻射熱が、直接
クルーシブル1を照射するほかに外周熱反射板4で反射
された熱が、蛇行するヒーター3の間隙6を通ってクル
ーシブル1に達するように作られている。同図中、6は
ヒーター3を保持するためのBN等のセラミックスで作
られたリング状の絶縁板にヒーター3を通すための溝を
設けた保持部であり、7はセル温度(クルーシブル温度
)を検知するための熱電対である。
クルーシブル1を高温に加熱するヒーター3は更に高温
になる。例えば■−V族化合物半導体の分子線結晶成長
においては、蒸気圧の低い■放入S(特にAl)や不純
物として用いるSl等の分子線を発生させるためには、
これら蒸発材料を1200〜1400℃程度の高温に加
熱する必要があり、そのためヒーター3はこれらよりさ
らに数百度以上も高温になる。 このような高温では、
セル作動中にヒーターの材料が蒸発して、クルーシブル
1の外周面に蒸着する。ヒーター3はTa、W、MO等
の耐熱金属で作られており、BN等のセラミックスで作
られたクルーシブル1の外周表面に蒸着すると、クルー
シブル外周表面の反射率が著しく増加し、ヒーター3か
らの輻射熱によるクルーシブル加熱効率が急速に低下す
る。
になる。例えば■−V族化合物半導体の分子線結晶成長
においては、蒸気圧の低い■放入S(特にAl)や不純
物として用いるSl等の分子線を発生させるためには、
これら蒸発材料を1200〜1400℃程度の高温に加
熱する必要があり、そのためヒーター3はこれらよりさ
らに数百度以上も高温になる。 このような高温では、
セル作動中にヒーターの材料が蒸発して、クルーシブル
1の外周面に蒸着する。ヒーター3はTa、W、MO等
の耐熱金属で作られており、BN等のセラミックスで作
られたクルーシブル1の外周表面に蒸着すると、クルー
シブル外周表面の反射率が著しく増加し、ヒーター3か
らの輻射熱によるクルーシブル加熱効率が急速に低下す
る。
ヒーター3は通常、熱電対7で検知されるクルーシブル
温度を所定値に保つように自動制御されており、加熱効
率が低下するとヒーター3への電力供給は自動的に増加
してヒーター3の温度が上昇し、これによりクルーシブ
ル1への蒸着が加速度的に増加する。このようにヒータ
ー3の温度が正帰還的に上昇するので、やがてヒーター
3の能力の上限に達したり、あるいはヒーター3からの
著しいガス放出により成長装置の真空度が所要値以下に
低下したりして、分子線源セルをこれ以上使用できなく
なる。
温度を所定値に保つように自動制御されており、加熱効
率が低下するとヒーター3への電力供給は自動的に増加
してヒーター3の温度が上昇し、これによりクルーシブ
ル1への蒸着が加速度的に増加する。このようにヒータ
ー3の温度が正帰還的に上昇するので、やがてヒーター
3の能力の上限に達したり、あるいはヒーター3からの
著しいガス放出により成長装置の真空度が所要値以下に
低下したりして、分子線源セルをこれ以上使用できなく
なる。
このように使用不能になった分子線源セルは交換しなけ
ればならないが、そのためには分子線結晶成長装置の超
高真空を破って大気中で作業せざるを得ない。しかし、
大気に晒されることは、超高真空系にとっては極めて高
い汚染を受けることになるので、セル交換の頻度は極力
少?;くすることが望ましい。
ればならないが、そのためには分子線結晶成長装置の超
高真空を破って大気中で作業せざるを得ない。しかし、
大気に晒されることは、超高真空系にとっては極めて高
い汚染を受けることになるので、セル交換の頻度は極力
少?;くすることが望ましい。
〔発明が解決しようとする課題二
本発明は、クルーシブル表面へのヒーター材料の蒸着を
著しく低減することにより、長期間に亘って交換を必要
とせずに安定した加熱効率を維持できる分子線源セルを
提供することを目的とする。
著しく低減することにより、長期間に亘って交換を必要
とせずに安定した加熱効率を維持できる分子線源セルを
提供することを目的とする。
こ課題を解決するための手段:・
上記の目的は、本発明によれば、蒸発させる材料を収容
するセラミックス製クルーシブルと、このクルーシブル
を取り囲んで配置された金属製ヒーターと、このヒータ
ーの外側を更に取り囲んで配置された熱反射板とを有し
、上記熱反射板で反射された熱が上記クルーシブルに照
射されるように上記ヒーターに間隙が設けられている分
子線源セルにおいて、上記クルーシブルと上記ヒーター
との間に、上記ヒーターに沿い且つ上記ヒーターの間隙
と対応する位置に間隙を有する第2の金属製熱反射板を
設けたことを特徴とする分子線源セルによって達成され
る。
するセラミックス製クルーシブルと、このクルーシブル
を取り囲んで配置された金属製ヒーターと、このヒータ
ーの外側を更に取り囲んで配置された熱反射板とを有し
、上記熱反射板で反射された熱が上記クルーシブルに照
射されるように上記ヒーターに間隙が設けられている分
子線源セルにおいて、上記クルーシブルと上記ヒーター
との間に、上記ヒーターに沿い且つ上記ヒーターの間隙
と対応する位置に間隙を有する第2の金属製熱反射板を
設けたことを特徴とする分子線源セルによって達成され
る。
第1図を参照して、本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明に従う分子線源セルをクルーシブル高
さの中央部付近で切った断面を部分的に示す図である。
さの中央部付近で切った断面を部分的に示す図である。
第1図中、1はセラミックス製クルーシブル、2は蒸発
材料、3は金属製ヒーター、4はヒーター3の外側を取
り囲む熱反射板である。ヒーター3とクルーシブル1と
の間に設けた本発明による第2の金属製熱反射板5が、
ヒーター3からの蒸発物質11の大部分を付着・捕捉す
るので、クルーシブル1への蒸着量を著しく低減するこ
とができる。
材料、3は金属製ヒーター、4はヒーター3の外側を取
り囲む熱反射板である。ヒーター3とクルーシブル1と
の間に設けた本発明による第2の金属製熱反射板5が、
ヒーター3からの蒸発物質11の大部分を付着・捕捉す
るので、クルーシブル1への蒸着量を著しく低減するこ
とができる。
特に、ヒーター3からクルーシブル1が見えないように
第2熱反射板5の大きさを設定すれば、クルーシブル1
への蒸着をほぼ完全に防止できる。
第2熱反射板5の大きさを設定すれば、クルーシブル1
への蒸着をほぼ完全に防止できる。
それには、第1図のようにヒーター3および第2熱反射
板5がセルの中心軸に沿って伸びた形の場合、第2熱反
射板5の幅R’S’ を、ヒーター3の両側縁部Mおよ
びNからクルーシブル1の外周面に接して引いた線分M
PおよびNPを横切るような幅とする。
板5がセルの中心軸に沿って伸びた形の場合、第2熱反
射板5の幅R’S’ を、ヒーター3の両側縁部Mおよ
びNからクルーシブル1の外周面に接して引いた線分M
PおよびNPを横切るような幅とする。
なお、第2熱反射板5の断面形状は必ずしも直線状でな
くてもよい。
くてもよい。
第2熱反射板5で反射した輻射熱12は、外側の熱反射
板4で反射し、ヒーター3の間隙8およびそれに対応し
た第2熱反射板の間隙13を通過してクルーシブル1に
到達する。輻射熱の進行経路はこれだけではないが、2
個の熱反射板4および5で複数回反射した輻射熱も間隙
8および13を通過してクルーシブル1を加熱する。
板4で反射し、ヒーター3の間隙8およびそれに対応し
た第2熱反射板の間隙13を通過してクルーシブル1に
到達する。輻射熱の進行経路はこれだけではないが、2
個の熱反射板4および5で複数回反射した輻射熱も間隙
8および13を通過してクルーシブル1を加熱する。
分子線源セルの使用経過に伴い、金属製第2熱反射板5
の外側表面には金属製ヒーター3からの蒸発物質11が
蒸着していくが、これによる蒸着膜は金属膜なので金属
製第2熱反射板と同等の反射率であり、第2熱反射板の
反射率はヒーター材料の蒸着が進行してもほとんど変化
しない。したがって、長期間に亘ってヒーター3への電
力供給をほとんど変えずに蒸発材料2の温度を所定値に
保持することができる。
の外側表面には金属製ヒーター3からの蒸発物質11が
蒸着していくが、これによる蒸着膜は金属膜なので金属
製第2熱反射板と同等の反射率であり、第2熱反射板の
反射率はヒーター材料の蒸着が進行してもほとんど変化
しない。したがって、長期間に亘ってヒーター3への電
力供給をほとんど変えずに蒸発材料2の温度を所定値に
保持することができる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
こ実施例1〕
第2図(A)および(B)に、本発明の分子線源セルの
一実施例を示す。第2図(1へ)は縦断面図であり、第
2図(B)は第2図(A>の線aa′における横断面図
である。
一実施例を示す。第2図(1へ)は縦断面図であり、第
2図(B)は第2図(A>の線aa′における横断面図
である。
同図中、1はBN製ノルーシブル、2は蒸発材料、3は
Ta製ヒーター、4はヒーター3の外側を取り囲むTa
製の熱反射板である。ヒーター3とクルーシブル1との
間に、Ta製の第2熱反射板5を設けである。
Ta製ヒーター、4はヒーター3の外側を取り囲むTa
製の熱反射板である。ヒーター3とクルーシブル1との
間に、Ta製の第2熱反射板5を設けである。
第2熱反射板5の形状はヒーター3と同様に、Ta板に
上下から交互に切り込みを入れて蛇行帯状にしたもので
ある。この帯の幅は、第1図のR゛S° で示したよう
にヒーター3のセル中心MXと平行な部分からクルーシ
ブル1が見えiよいような幅にしである。第2熱反射板
5はヒーター3と同様にBN製のリング6により保持さ
れている。
上下から交互に切り込みを入れて蛇行帯状にしたもので
ある。この帯の幅は、第1図のR゛S° で示したよう
にヒーター3のセル中心MXと平行な部分からクルーシ
ブル1が見えiよいような幅にしである。第2熱反射板
5はヒーター3と同様にBN製のリング6により保持さ
れている。
本実施例において、ヒーター3からクルーシブル1が見
えるのは、ヒーター3の折れ曲がり部分21から第2熱
反射板5の間隙の下部22を通してクルーシブル1が見
える場合と、ヒーター3の上端23からクルーシブル1
の「つば」の部分24が見える場合だけである。このう
ち、前者はヒータ−3全体に比べで部分21の割合が非
常に小さいので影響はほとんど無視できる。また後者の
「つば−1部分24は蒸発材料2の加熱に影響しない部
分なので実質的に問題にならない。したがって、本実施
例のセルは、第2熱反射板5を設けない従来のセルと比
べて、ヒーター3からクルーシブル1へのTa蒸着を著
しく低減できる。
えるのは、ヒーター3の折れ曲がり部分21から第2熱
反射板5の間隙の下部22を通してクルーシブル1が見
える場合と、ヒーター3の上端23からクルーシブル1
の「つば」の部分24が見える場合だけである。このう
ち、前者はヒータ−3全体に比べで部分21の割合が非
常に小さいので影響はほとんど無視できる。また後者の
「つば−1部分24は蒸発材料2の加熱に影響しない部
分なので実質的に問題にならない。したがって、本実施
例のセルは、第2熱反射板5を設けない従来のセルと比
べて、ヒーター3からクルーシブル1へのTa蒸着を著
しく低減できる。
第2熱反射板5の形状は、本実施例の形状以外にも、例
えば第3図(A)のように、ヒーター3のクルーシブル
1に面した側を囲むように側縁部を折り曲げたくセルの
内側に向かって凸の)形状、あるいは第3図(B)のよ
うに、逆にセルの外側に向かって凸の形状にすることが
できる。
えば第3図(A)のように、ヒーター3のクルーシブル
1に面した側を囲むように側縁部を折り曲げたくセルの
内側に向かって凸の)形状、あるいは第3図(B)のよ
うに、逆にセルの外側に向かって凸の形状にすることが
できる。
第3図(A)の形状とした場合には、第2熱反射板5の
間隙13を比較的大きくする(ヒーター3の間隙8を比
較的小さくする)ことができる。
間隙13を比較的大きくする(ヒーター3の間隙8を比
較的小さくする)ことができる。
第3図(B)の形状とした場合には、ヒーター3の内側
表面からの輻射熱を効率良く外側に(熱反射板4に向か
って)反射できる。
表面からの輻射熱を効率良く外側に(熱反射板4に向か
って)反射できる。
以上説明したように、本発明の分子線源セルは、クルー
シブル表面へのヒーター材料の蒸着を著しく低減するこ
とができるので、長期間に亘って交換を必要とせずに安
定した加熱効率を維持できる。
シブル表面へのヒーター材料の蒸着を著しく低減するこ
とができるので、長期間に亘って交換を必要とせずに安
定した加熱効率を維持できる。
第1図は本発明の詳細な説明するための部分横断面図、
第2図CA)および(B)は本発明の一実施例を示す(
A)縦断面図および(B)i断面図、第3図(A)およ
び(B)は第2図の態様に適した第2熱反射板の他の態
様を示す部分横断面図、および 第4図(A)、(B)および(C)は、従来の分子線源
セルの典型例を示す(A)縦断面図、(B)横断面図お
よび(C)断面斜視図である。 1:クルーシブル、2:蒸発材料、 3:ヒーター、4:外側熱反射板、 5:第2熱反射板、 8:ヒーター3の間隙、 13:第2熱反射板5の間隙、 X:クルーシブル1の中心軸。 第2図 本発明のト反訓板の他の形状の例 第 図 第 図
A)縦断面図および(B)i断面図、第3図(A)およ
び(B)は第2図の態様に適した第2熱反射板の他の態
様を示す部分横断面図、および 第4図(A)、(B)および(C)は、従来の分子線源
セルの典型例を示す(A)縦断面図、(B)横断面図お
よび(C)断面斜視図である。 1:クルーシブル、2:蒸発材料、 3:ヒーター、4:外側熱反射板、 5:第2熱反射板、 8:ヒーター3の間隙、 13:第2熱反射板5の間隙、 X:クルーシブル1の中心軸。 第2図 本発明のト反訓板の他の形状の例 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、蒸発させる材料を収容するセラミックス製クルーシ
ブルと、このクルーシブルを取り囲んで配置された金属
製ヒーターと、このヒーターの外側を更に取り囲んで配
置された熱反射板とを有し、上記熱反射板で反射された
熱が上記クルーシブルに照射されるように上記ヒーター
に間隙が設けられている分子線源セルにおいて、 上記クルーシブルと上記ヒーターとの間に、上記ヒータ
ーに沿い且つ上記ヒーターの間隙と対応する位置に間隙
を有する第2の金属製熱反射板を設けたことを特徴とす
る分子線源セル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6270690A JPH03265125A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 分子線源セル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6270690A JPH03265125A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 分子線源セル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03265125A true JPH03265125A (ja) | 1991-11-26 |
Family
ID=13208030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6270690A Pending JPH03265125A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 分子線源セル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03265125A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021085840A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 京セラ株式会社 | 車載用レーダ装置 |
-
1990
- 1990-03-15 JP JP6270690A patent/JPH03265125A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021085840A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 京セラ株式会社 | 車載用レーダ装置 |
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