JPH051069Y2 - - Google Patents
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- JPH051069Y2 JPH051069Y2 JP1985064569U JP6456985U JPH051069Y2 JP H051069 Y2 JPH051069 Y2 JP H051069Y2 JP 1985064569 U JP1985064569 U JP 1985064569U JP 6456985 U JP6456985 U JP 6456985U JP H051069 Y2 JPH051069 Y2 JP H051069Y2
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- molecular beam
- beam source
- cylindrical member
- epitaxial growth
- furnace
- Prior art date
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- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
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- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔概要〕
分子線エピタキシヤル成長装置には、高温に保
持される分子線源を囲んでフアーナスシユラウド
が設けられるが、このフアーナスシユラウドに分
子線や残留ガスが吸着されて堆積し、その堆積物
が剥離・脱落して分子線源を汚染し、この分子線
エピタキシヤル成長装置中で成長される半導体の
品質を低下させるという欠点がある。本考案は、
この欠点を解消するものであり、フアーナスシユ
ラウドの内面に、これをライニングして着脱可能
な筒状部材を設けておき、この筒状部材の内面に
堆積をさせ、この剥離・脱落が発生する前に、筒
状部材を交換することとして、堆積の発生を完全
に防止することは出来ないにしても、その実害の
発生を防止することとしたものである。
持される分子線源を囲んでフアーナスシユラウド
が設けられるが、このフアーナスシユラウドに分
子線や残留ガスが吸着されて堆積し、その堆積物
が剥離・脱落して分子線源を汚染し、この分子線
エピタキシヤル成長装置中で成長される半導体の
品質を低下させるという欠点がある。本考案は、
この欠点を解消するものであり、フアーナスシユ
ラウドの内面に、これをライニングして着脱可能
な筒状部材を設けておき、この筒状部材の内面に
堆積をさせ、この剥離・脱落が発生する前に、筒
状部材を交換することとして、堆積の発生を完全
に防止することは出来ないにしても、その実害の
発生を防止することとしたものである。
本考案は、分子線エピタキシヤル成長装置の改
良に関する。特に、分子線源を囲むシユラウドの
改良に関する。
良に関する。特に、分子線源を囲むシユラウドの
改良に関する。
第２図は、従来技術に係る分子線エピタキシヤ
ル成長装置の構成図である。図において、１は真
空容器よりなる成長室であり、２はPBN等より
なる分子線源（フアーナス）であり、その中に
Ga，As，In，Ｐ，Al等分子線の材料とされる元
素が入れられ、その気化点（昇華点）またはこれ
をいくらか超える温度に加熱・保持される。３は
フアーナスシユラウドであり、分子線源２の熱を
成長室１に伝達しないように、通常液体窒素温度
付近に冷却・保持される。５はシヤツタであり、
必要に応じて開閉される。６は基板支持装置であ
り、その上に分子線エピタキシヤル成長がなされ
る半導体基板７を支持する。
ル成長装置の構成図である。図において、１は真
空容器よりなる成長室であり、２はPBN等より
なる分子線源（フアーナス）であり、その中に
Ga，As，In，Ｐ，Al等分子線の材料とされる元
素が入れられ、その気化点（昇華点）またはこれ
をいくらか超える温度に加熱・保持される。３は
フアーナスシユラウドであり、分子線源２の熱を
成長室１に伝達しないように、通常液体窒素温度
付近に冷却・保持される。５はシヤツタであり、
必要に応じて開閉される。６は基板支持装置であ
り、その上に分子線エピタキシヤル成長がなされ
る半導体基板７を支持する。
図は、４個の分子線源を具備する例を示す。４
個のうち、１個だけ大きい分子線源はAs用であ
り、これだけ大きい理由は、Asの使用量が他に
比して大きいのが一般だからである。
個のうち、１個だけ大きい分子線源はAs用であ
り、これだけ大きい理由は、Asの使用量が他に
比して大きいのが一般だからである。
フアーナスシユラウド３は、上記せるとおり、
液体窒素温度に保持されているので、分子線や残
留ガスがこのフアーナスシユラウド３の壁に接触
すると、吸着され、ここに堆積して、薄膜を形成
する。この堆積薄膜は次第に厚くなる。そして、
分子線源の補充や保守等フアーナスシユラウドの
中で分子線源２を移動するようなとき、剥離して
成長室１中や分子線源２中に落下し、分子線源２
を汚染し、基板７上に成長される半導体の品質を
低下させるおそれがある。
液体窒素温度に保持されているので、分子線や残
留ガスがこのフアーナスシユラウド３の壁に接触
すると、吸着され、ここに堆積して、薄膜を形成
する。この堆積薄膜は次第に厚くなる。そして、
分子線源の補充や保守等フアーナスシユラウドの
中で分子線源２を移動するようなとき、剥離して
成長室１中や分子線源２中に落下し、分子線源２
を汚染し、基板７上に成長される半導体の品質を
低下させるおそれがある。
本考案の目的は、この欠点を解消することに
り、上記せる分子線エピタキシヤル成長装置にお
いて、分子線や残留ガスがフアーナスシユラウド
の内壁に吸着されここに堆積しても、分子線源を
汚染したり、この分子線エピタキシヤル成長装置
によつて成長される半導体の品質を低下させるこ
とのないようにする改良を提供することにある。
り、上記せる分子線エピタキシヤル成長装置にお
いて、分子線や残留ガスがフアーナスシユラウド
の内壁に吸着されここに堆積しても、分子線源を
汚染したり、この分子線エピタキシヤル成長装置
によつて成長される半導体の品質を低下させるこ
とのないようにする改良を提供することにある。
本考案は、第１ａ図、第１ｂ図に示すように、
分子線の材料となる元素が入れられて加熱される
分子線源２と、この分子線源２を冷却するために
分子線源２を取り囲んで設けられるフアーナスシ
ユラウド３と、このフアーナスシユラウド３と前
記の分子線源２との間に、前記のフアーナスシユ
ラウド３に直接対接して前記の分子線源２を囲ん
で配設され、かつ、着脱可能とされている筒状部
材４とを有する分子線エピタキシヤル成長装置に
ある。この筒状部材４の材料は、高純度にするこ
とができ、高温に耐え、熱線を反射しやすい材料
であることが望ましいので、TaやMo等の高融点
金属が適当である。
分子線の材料となる元素が入れられて加熱される
分子線源２と、この分子線源２を冷却するために
分子線源２を取り囲んで設けられるフアーナスシ
ユラウド３と、このフアーナスシユラウド３と前
記の分子線源２との間に、前記のフアーナスシユ
ラウド３に直接対接して前記の分子線源２を囲ん
で配設され、かつ、着脱可能とされている筒状部
材４とを有する分子線エピタキシヤル成長装置に
ある。この筒状部材４の材料は、高純度にするこ
とができ、高温に耐え、熱線を反射しやすい材料
であることが望ましいので、TaやMo等の高融点
金属が適当である。
上記の欠点は、フアーナスシユラウドが低温に
保持されているので、分子線や残留ガスがフアー
ナスシユラウドの壁面に接触すると、この壁面に
吸着されて堆積し、この堆積物が予期しない時に
剥離・脱落することにあるから、フアーナスシユ
ラウドの内面を直接ライニングし、着脱可能な構
造の筒状部材を設けておき、この筒状部材をフア
ーナスシユラウドと同程度の低温に保持しておき
上記の堆積はこの筒状部材の内面にさせ、この堆
積物が剥離・脱落することのないような適当な期
間をおいて、筒状部材を取り出し、新しい筒状部
材と交換すれば、堆積はやむを得ないとしても、
これがエピタキシヤル層の成長に不具合を及ぼす
ことは避けうるという作用を利用したものであ
る。
保持されているので、分子線や残留ガスがフアー
ナスシユラウドの壁面に接触すると、この壁面に
吸着されて堆積し、この堆積物が予期しない時に
剥離・脱落することにあるから、フアーナスシユ
ラウドの内面を直接ライニングし、着脱可能な構
造の筒状部材を設けておき、この筒状部材をフア
ーナスシユラウドと同程度の低温に保持しておき
上記の堆積はこの筒状部材の内面にさせ、この堆
積物が剥離・脱落することのないような適当な期
間をおいて、筒状部材を取り出し、新しい筒状部
材と交換すれば、堆積はやむを得ないとしても、
これがエピタキシヤル層の成長に不具合を及ぼす
ことは避けうるという作用を利用したものであ
る。
以下、図面を参照しつゝ、本考案の一実施例に
係る分子線エピタキシヤル成長装置について説明
する。
係る分子線エピタキシヤル成長装置について説明
する。
第１ａ図、第１ｂ図参照
図において、１は真空容器よりなる成長室であ
り、２はPBN等よりなる分子線源（フアーナス）
であり、その中にGa，As，In，Ｐ，Al等分子線
の材料とされる元素が入れられ、その温度は、上
記の分子線材料の気化点（昇華点）をいくらか超
える温度に制御される。２１はヒータ端子であ
り、２２はサーモカツプル端子である。３はフア
ーナスシユラウドであり、通常Ta等をもつて製
造され、分子線源２の熱を成長室１に伝達しない
ように通常液体窒素温度付近に制御される。３１
は冷却用液体窒素供給・排出口である。４は本考
案の要旨に係る筒状部材であり、Ta，Mo等、高
純度にすることができ、高温に耐え、熱線を反射
しやすい材料をもつて作られる。５はシヤツタで
あり、必要に応じて開閉される。６は基板支持装
置であり、その上に分子線エピタキシヤル成長が
なされる半導体基板７を支持する。
り、２はPBN等よりなる分子線源（フアーナス）
であり、その中にGa，As，In，Ｐ，Al等分子線
の材料とされる元素が入れられ、その温度は、上
記の分子線材料の気化点（昇華点）をいくらか超
える温度に制御される。２１はヒータ端子であ
り、２２はサーモカツプル端子である。３はフア
ーナスシユラウドであり、通常Ta等をもつて製
造され、分子線源２の熱を成長室１に伝達しない
ように通常液体窒素温度付近に制御される。３１
は冷却用液体窒素供給・排出口である。４は本考
案の要旨に係る筒状部材であり、Ta，Mo等、高
純度にすることができ、高温に耐え、熱線を反射
しやすい材料をもつて作られる。５はシヤツタで
あり、必要に応じて開閉される。６は基板支持装
置であり、その上に分子線エピタキシヤル成長が
なされる半導体基板７を支持する。
以上の構造を有する分子線エピタキシヤル成長
装置においては、液体窒素温度付近の低温に冷却
保持されるフアーナスシユラウド３の内面を直接
ライニングするように、Ta・Mo等をもつて製造
された筒状部材４が設けられており、この筒状部
材４の温度はフアーナスシユラウド３の温度と
おゝむね同程度の低温となるから、堆積はフアー
ナスシユラウド３の上になされず、もつぱらこの
筒状部材４の上になされる。そこで、この筒状部
材４を適当な時期（堆積が十分に成長して脱落が
発生するより前の時期）に取り出して交換すれば
よい。
装置においては、液体窒素温度付近の低温に冷却
保持されるフアーナスシユラウド３の内面を直接
ライニングするように、Ta・Mo等をもつて製造
された筒状部材４が設けられており、この筒状部
材４の温度はフアーナスシユラウド３の温度と
おゝむね同程度の低温となるから、堆積はフアー
ナスシユラウド３の上になされず、もつぱらこの
筒状部材４の上になされる。そこで、この筒状部
材４を適当な時期（堆積が十分に成長して脱落が
発生するより前の時期）に取り出して交換すれば
よい。
以上説明せるとおり、本考案においては、フア
ーナスシユラウドの内壁が着脱可能な筒状部材で
ライニングしてあるので、この筒状部材の温度は
フアーナスシユラウドの温度と同程度の低温とな
り、堆積はフアーナスシユラウドの上にはなされ
ず、もつぱらこの筒状部材の内面に発生する。そ
こで、適当な時期にこれを交換すれば、予期しな
い時に堆積物が剥離・脱落して分子線源を汚染
し、この分子線エピタキシヤル成長装置中で成長
される半導体の品質を低下させることはない。
ーナスシユラウドの内壁が着脱可能な筒状部材で
ライニングしてあるので、この筒状部材の温度は
フアーナスシユラウドの温度と同程度の低温とな
り、堆積はフアーナスシユラウドの上にはなされ
ず、もつぱらこの筒状部材の内面に発生する。そ
こで、適当な時期にこれを交換すれば、予期しな
い時に堆積物が剥離・脱落して分子線源を汚染
し、この分子線エピタキシヤル成長装置中で成長
される半導体の品質を低下させることはない。
第１ａ図、第１ｂ図は、それぞれ本考案に係る
分子線エピタキシヤル成長装置と分子線源部との
構成図である。第２図は、従来技術に係る分子線
エピタキシヤル成長装置の構成図である。 １……真空容器よりなる成長室、２……分子線
源、２１……ヒータ端子、２２……サーモカツプ
ル端子、３……フアーナスシユラウド、３１……
冷却用液体窒素供給・排出口、４……本考案の要
旨に係る筒状部材、５……シヤツタ、６……基板
支持装置、７……半導体基板。
分子線エピタキシヤル成長装置と分子線源部との
構成図である。第２図は、従来技術に係る分子線
エピタキシヤル成長装置の構成図である。 １……真空容器よりなる成長室、２……分子線
源、２１……ヒータ端子、２２……サーモカツプ
ル端子、３……フアーナスシユラウド、３１……
冷却用液体窒素供給・排出口、４……本考案の要
旨に係る筒状部材、５……シヤツタ、６……基板
支持装置、７……半導体基板。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ［１］ 分子線の材料となる元素が入れられ、加
熱される分子線源２と、 該分子線源２を冷却するフアーナスシユラウ
ド３と、 該フアーナスシユラウド３と前記分子線源２
との間に、前記フアーナスシユラウド３に直接
対接し、前記分子線源２を囲んで配設され、か
つ、着脱可能とされてなる筒状部材４と を有することを特徴とする分子線エピタキシヤ
ル成長装置。 ［２］ 前記筒状部材４は、タンタル、モリブデ
ン等の高融点金属をもつて製造されてなること
を特徴とする実用新案登録請求の範囲第［１］
項記載の分子線エピタキシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985064569U JPH051069Y2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985064569U JPH051069Y2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182029U JPS61182029U (ja) | 1986-11-13 |
| JPH051069Y2 true JPH051069Y2 (ja) | 1993-01-12 |
Family
ID=30595779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985064569U Expired - Lifetime JPH051069Y2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH051069Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001323431A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Nippon Steel Corp | 重防食ポリウレタン被覆鋼材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5732500A (en) * | 1980-08-05 | 1982-02-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Voice recognizing device |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP1985064569U patent/JPH051069Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5732500A (en) * | 1980-08-05 | 1982-02-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Voice recognizing device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001323431A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Nippon Steel Corp | 重防食ポリウレタン被覆鋼材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61182029U (ja) | 1986-11-13 |
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