JP4967808B2 - 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 - Google Patents
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Description
図1に、本発明の第1実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成を示す。以下、図1に基づいてSiC単結晶製造装置の構成についての説明を行う。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態のSiC単結晶製造装置は、第1実施形態に対してヒータの構成およびそれに関連する部分を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態のSiC単結晶製造装置は、第2実施形態に対して誘導コイルの構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態のSiC単結晶製造装置は、第1実施形態に対して加熱機構を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態のSiC単結晶製造装置は、第1実施形態に対して仕切壁部6fを変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
上記第1実施形態では、2つの誘導コイル8、9にてそれぞれ対応するヒータ4、5の温度制御を行っているが、1つの誘導コイルにより2つのヒータ4、5の両方を共に制御しても良い。また、第1〜第3実施形態では、ヒータもしくは誘導コイルを1つまたは2つで構成したが、当然、これらのいずれか一方もしくは双方を3つ以上の個数で構成しても良い。
Claims (20)
- 有底円筒状の容器本体(1a)と該容器本体(1a)を蓋閉めするための蓋部(1b)を有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(1b)に炭化珪素基板からなる種結晶(2)を配置すると共に前記容器本体(1a)に炭化珪素原料(3)を配置し、前記炭化珪素原料(3)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(2)と前記炭化珪素原料(3)との間の空間にて構成される成長空間領域において前記種結晶(2)上に炭化珪素単結晶(30)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記坩堝(1)の外周に配置され、前記坩堝(1)を加熱することで、前記炭化珪素原料(3)を加熱すると共に前記種結晶(2)を加熱するヒータ(4、5、40)と、
前記ヒータ(4、5、40)のうち前記炭化珪素原料(3)を加熱する部位と前記種結晶(2)を加熱する部位との間において、前記坩堝(1)の外周を囲むように配置された断熱材料にて構成された仕切壁部(6f)と、を有し、
前記ヒータ(4、5、40)と対向するように誘導コイル(8、9、41)が備えられ、前記誘導コイル(8、9、41)への通電により前記ヒータ(4、5、40)を誘導加熱にて自己発熱させる構成とされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記仕切壁部(6f)は、前記坩堝(1)のうち前記成長空間領域と対応する場所の外周を囲むように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記仕切壁部(6f)は、前記ヒータ(40)に埋め込まれるように配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記ヒータは、前記炭化珪素原料(3)を加熱するための第1ヒータ(4)および前記種結晶(2)を加熱するための第2ヒータ(5)とを含み、
前記仕切壁部(6f)は、前記第1ヒータ(4)および前記第2ヒータ(5)の間に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記仕切壁部(6f)は、前記坩堝(1)の外周面から離間するように配置されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記仕切壁部(6f)は、前記坩堝(1)の外周面に接するように配置されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記誘導コイル(8、9、41)への通電により、前記坩堝(1)は誘導加熱による自己発熱が生じず、前記ヒータ(4、5、40)のみが誘導加熱にて自己発熱させられることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記ヒータ(40)1つに対して前記誘導コイル(41a、41b)が複数個対向するように配置され、該複数個の前記誘導コイル(41a、41b)により前記ヒータ(40)を誘導加熱させる構成とされていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記ヒータ(4、5)および前記誘導コイル(8、9)は共に同数の複数個配置されており、1つの前記ヒータ(4、5)に対して1つの前記誘導コイル(8、9)が対向するように配置され、複数個の前記ヒータ(4、5)それぞれを1つずつの前記誘導コイル(8、9)にて誘導加熱させる構成とされていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記ヒータ(4、5、40)は黒鉛にて構成されていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1つのいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記ヒータ(4、5、40)と前記誘導コイル(8、9、41)との間を絶縁する絶縁材(7)が備えられていることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1つのいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記絶縁材は石英管(7)にて構成されていることを特徴とする請求項11に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 有底円筒状の容器本体(1a)と該容器本体(1a)を蓋閉めするための蓋部(1b)を有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(1b)に炭化珪素基板からなる種結晶(2)を配置すると共に前記容器本体(1a)に炭化珪素原料(3)を配置し、前記炭化珪素原料(3)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(2)と前記炭化珪素原料(3)との間の空間にて構成される成長空間領域において前記種結晶(2)上に炭化珪素単結晶(30)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記坩堝(1)の外周に配置され、前記坩堝(1)を自己発熱により加熱することで、前記炭化珪素原料(3)を加熱すると共に前記種結晶(2)を加熱するヒータ(4、5、40、50、51)と、
前記ヒータ(4、5、40、50、51)のうち前記炭化珪素原料(3)を加熱する部位と前記種結晶(2)を加熱する部位との間において、前記坩堝(1)の外周を囲むように配置された断熱材料にて構成された仕切壁部(6f)と、を有し、
前記坩堝(1)の外周面を覆う外周部(6a)と、前記坩堝(1)を載せて回転する台座部(6c)と、前記外周部(6a)よりも内側に配置された前記仕切壁部(6f)とを含む断熱部材(6)を有し、前記外周部(6a)には前記坩堝(1)の外周に達する孔(13、15)を含む孔(13〜17)が形成され、前記坩堝(1)の外周に達する孔(13、15)を通して前記坩堝(1)の側面を測温するための温度検出部(18、20)が備えられていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記坩堝(1)の外周面を覆う外周部(6a)と、前記坩堝(1)を載せて回転する台座部(6c)と、前記外周部(6a)よりも内側に配置された前記仕切壁部(6f)とを含む断熱部材(6)を有し、前記外周部(6a)には前記坩堝(1)の外周に達する孔(13、15)を含む孔(13〜17)が形成され、前記坩堝(1)の外周に達する孔(13、15)を通して前記坩堝(1)の側面を測温するための温度検出部(18、20)が備えられており、
前記絶縁材(7)は、前記断熱部材(6)の外側に配置されていると共に、前記孔(13〜17)と対応する位置に孔が形成されていることを特徴とする請求項11または12に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記孔(13、15)は複数個あり、前記坩堝(1)の軸方向において異なる場所に形成されていることを特徴とする請求項13または14に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記孔(13、15)は、前記坩堝(1)のうち前記炭化珪素原料(3)が配置される場所の側面に達する孔(13)と、前記坩堝(1)のうち前記種結晶(2)が配置される場所の側面に達する孔(15)とを含んでいることを特徴とする請求項15に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記坩堝(1)と前記断熱部材(6)を覆う外部チャンバ(10)と、
前記外部チャンバ(10)と前記断熱部材(6)の間の空間をガス導入室(R2)として、該ガス導入室(R2)内に雰囲気ガスを導入するガス導入管(11)と、
前記断熱部材(6)と前記坩堝(1)との間の空間をガス流動室(R1)として、前記ガス導入室(R2)と前記ガス流動室(R1)とを連通する連通通路(13〜17)と、
前記ガス導入室(R2)から前記ガス流動室(R1)に流動してきた前記雰囲気ガスを前記ガス流動室(R1)から前記外部チャンバ(10)の外部に排出するための排気配管(12)とが備えられていることを特徴とする請求項13ないし16のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記坩堝(1)と前記断熱部材(6)を覆う外部チャンバ(10)と、
前記外部チャンバ(10)と前記断熱部材(6)の間の空間をガス導入室(R2)として、該ガス導入室(R2)内に雰囲気ガスを導入するガス導入管(11)と、
前記断熱部材(6)と前記坩堝(1)との間の空間をガス流動室(R1)として、前記ガス導入室(R2)と前記ガス流動室(R1)とを連通する連通通路(13〜17)と、
前記ガス導入室(R2)から前記ガス流動室(R1)に流動してきた前記雰囲気ガスを前記ガス流動室(R1)から前記外部チャンバ(10)の外部に排出するための排気配管(12)とを含み、
前記連通通路は、前記坩堝(1)の外周に達する孔(13、15)を含む孔(13〜17)にて構成されていることを特徴とする請求項13ないし16のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 有底円筒状の容器本体(1a)と該容器本体(1a)を蓋閉めするための蓋部(1b)を有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(1b)に炭化珪素基板からなる種結晶(2)を配置すると共に前記容器本体(1a)に炭化珪素原料(3)を配置し、前記炭化珪素原料(3)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(2)と前記炭化珪素原料(3)との間の空間にて構成される成長空間領域において前記種結晶(2)上に炭化珪素単結晶(30)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記坩堝(1)の外周に配置され、前記坩堝(1)を加熱することで、前記炭化珪素原料(3)を加熱すると共に前記種結晶(2)を加熱するヒータ(4、5、40、50、51)を配置すると共に、
前記ヒータ(4、5、40、50、51)のうち前記炭化珪素原料(3)を加熱する部位と前記種結晶(2)を加熱する部位との間において、前記坩堝(1)の外周を囲むように、断熱材料にて構成された仕切壁部(6f)を配置し、
前記ヒータ(4、5、40、50、51)を自己発熱させつつ、前記仕切壁部(6f)にて前記ヒータ(4、5、40、50、51)のうち前記炭化珪素原料(3)を加熱する部位と前記種結晶(2)を加熱する部位とを断熱した状態で前記坩堝(1)を加熱するようになっており、
前記坩堝(1)の外周面を覆う外周部(6a)と、前記坩堝(1)を載せて回転する台座部(6c)と、前記外周部(6a)よりも内側に配置された前記仕切壁部(6f)とを有し、前記外周部(6a)には前記坩堝(1)の外周に達する孔(13、15)を含む孔(13〜17)が形成された断熱部材(6)を備えると共に、
前記坩堝(1)の外周に達する孔(13、15)を通して前記坩堝(1)の側面を測温するための温度検出部(18、20)を備え、
前記台座部(6c)を回転させることで前記坩堝(1)を回転させた状態で、前記孔(13、15)を通じて前記温度検出部(18、20)にて前記坩堝(1)の側面の測温を行うことで、前記坩堝(1)の温度制御を行うことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記坩堝(1)と前記断熱部材(6)を外部チャンバ(10)にて覆い、
前記外部チャンバ(10)と前記断熱部材(6)の間の空間をガス導入室(R2)として、該ガス導入室(R2)内にガス導入管(11)を通じて雰囲気ガスを導入すると共に、
前記断熱部材(6)と前記坩堝(1)との間の空間をガス流動室(R1)として、前記ガス導入室(R2)と前記ガス流動室(R1)とを連通通路(13〜17)にて連通させ、排気配管(12)を通じて前記ガス導入室(R2)から前記ガス流動室(R1)に流動してきた前記雰囲気ガスを前記ガス流動室(R1)から前記外部チャンバ(10)の外部に排出しながら前記種結晶(2)の表面に炭化珪素単結晶(30)を成長させることを特徴とする請求項19に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
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JP5544988B2 (ja) * | 2010-04-02 | 2014-07-09 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
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JP5659381B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2015-01-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
JP5423709B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2014-02-19 | 信越半導体株式会社 | SiC成長装置 |
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JP5800010B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2015-10-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
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US10724151B2 (en) * | 2014-10-31 | 2020-07-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device of manufacturing silicon carbide single crystal |
JP6458451B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2019-01-30 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法 |
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JP6398640B2 (ja) * | 2014-11-18 | 2018-10-03 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶の製造装置 |
JP6424593B2 (ja) * | 2014-12-01 | 2018-11-21 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP6428188B2 (ja) * | 2014-11-18 | 2018-11-28 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
JP6323315B2 (ja) * | 2014-12-01 | 2018-05-16 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP6376027B2 (ja) * | 2015-04-08 | 2018-08-22 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
JP6768491B2 (ja) | 2016-12-26 | 2020-10-14 | 昭和電工株式会社 | SiCウェハ及びSiCウェハの製造方法 |
JP6910168B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2021-07-28 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴットの製造装置及び製造方法 |
JP7129856B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2022-09-02 | 昭和電工株式会社 | 結晶成長装置 |
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CN111575794A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-08-25 | 南通大学 | 低应力碳化硅晶体生长温度场设置装置及晶体生长方法 |
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