CN116815303B - 坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法 - Google Patents

Abstract

本发明的实施例提供了一种坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法，涉及半导体技术领域。坩埚包括坩埚本体，坩埚本体具有一顶部开口的腔室，腔室内设置有分隔部。分隔部将腔室分隔为上腔室和下腔室。上腔室用于容置碳化硅。坩埚本体的侧壁设置有多个与下腔室连通的通孔，以使下腔室与外部连通。其能够改善坩埚的温场分布不均匀的问题，从而提高长晶原料的利用率和改善形成重结晶的问题，与上坩埚件结合可延长长晶时间，增加生长晶锭的厚度。

Description

坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法。

背景技术

现有的石墨坩埚一般呈圆筒状，不能均匀的对原材料进行均匀加热，导致在实际的晶体生长中石墨坩埚中的生长原料由于温度场分布的原因在温度场中相对中间的部分温度最低，会在在晶体生长结束后往往会在坩埚的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域，这不仅大大的降低了生长原料的利用率，而且也不利于四周气相成分向籽晶的运输。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法，其能够改善坩埚的温场分布不均匀的问题，从而提高长晶原料的利用率和改善形成重结晶的问题。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体具有一顶部开口的腔室，所述腔室内设置有分隔部；

所述分隔部将所述腔室分隔为上腔室和下腔室；

所述上腔室用于容置碳化硅；

所述坩埚本体的侧壁设置有多个与所述下腔室连通的通孔，以使所述下腔室与外部连通。

在可选的实施方式中，所述分隔部靠近所述上腔室的一侧凹设有多个环形容置腔，多个所述环形容置腔间隔设置；

所述分隔部靠近所述下腔室的一侧设置有凹设有多个环形加热腔，多个所述环形加热腔与多个所述环形容置腔间隔设置。

在可选的实施方式中，所述环形加热腔的深度是所述环形容置腔深度的0.5倍-1倍。

在可选的实施方式中，多个所述通孔沿着所述坩埚本体的周向均匀设置。

在可选的实施方式中，所述下腔室的底部呈开口状。

第二方面，本发明提供一种组合坩埚，包括上坩埚件和前述实施方式中任一项所述的坩埚；

所述上坩埚件设置于所述坩埚的顶部；

所述上坩埚件包括筒壁和设置于所述筒壁的L型环台，所述L型环台的水平段的端部与所述筒壁连接，所述L型环台的竖直段与筒壁之间形成置料槽，且所述L型环台的竖直段围合形成有过流通道，由所述上腔室形成的工艺气体可经过流通道向上流动。

在可选的实施方式中，所述组合坩埚还包括控制装置，所述控制装置设置于所述坩埚和上坩埚件之间，所述控制装置可控制所述上腔室与所述上坩埚件连通和阻断连通。

在可选的实施方式中，所述控制装置包括第一转盘、第二转盘和驱动件；

所述第一转盘和所述第二转盘均对应设置有流道；

所述第一转盘安装于所述上坩埚件，所述第二转盘可转动地安装于所述第一转盘；

所述驱动件与所述第二转盘传动连接；

所述驱动件可驱动所述第二转盘相对于所述第一转盘转动，以使所述第二转盘上的流道与所述第一转盘上的流道对应连通，或，使所述第二转盘上的流道与所述第一转盘上的流道错位阻断连通。

在可选的实施方式中，所述L型环台由多孔石墨制成；

所述第一转盘与所述置料槽的所述L型环台的底壁贴合，且设置于所述第一转盘上的流道与所述L型环台的底壁对应；

在所述第二转盘转动至所述第二转盘上的所述流道与所述第一转盘的所述流道对应连通时，所述上腔室形成的工艺气体可经所第一转盘和第二转盘的所述流道和所述L型环台的底壁流入所述置料槽内；

在所述第二转盘转动至所述第二转盘上的所述流道与所述第一转盘上的流道错位时，所述第二转盘可阻挡上腔室与所述上坩埚件的连通。

在可选的实施方式中，所述控制装置包括伸缩件和封堵盘，所述伸缩件设置于所述坩埚，所述封堵盘设置于所述伸缩件，所述伸缩件可带动所述封堵盘移动；

所述L型环台的竖直段由多孔石墨制成，所述L型环台的水平段呈密封的环状；

所述封堵盘可移动地设置于所述过流通道；

在所述封堵盘移动至与所述L型环台的水平段对应时，所述封堵盘可阻挡所述上腔室与所述上坩埚件的连通；

在所述伸缩件伸长使所述封堵盘向上移动越过所述L型环台的水平段时，所述上腔室形成的工艺气体可经所述过流通道和所述L型环台的竖直段补充至所述置料槽。

第三方面，本发明提供一种长晶装置，包括第一石墨加热器、第二石墨加热器和前述实施方式中任一项所述的组合坩埚；

所述第一石墨加热器对应设置于所述坩埚的外周，所述第二石墨加热器对应设置于所述上坩埚件的外周缘。

在可选的实施方式中，所述长晶装还包括有坩埚托盘和吸气组件，所述坩埚托盘设置有换热流道，所述组合坩埚承载于所述坩埚托盘，所述换热流道与所述下腔室连通，所述吸气组件可使工艺气体由所述通孔流入所述下腔室内。

第四方面，本发明提供一种长晶方法，应用前述实施方式所述的长晶装置，所述方法包括：

组装阶段：将内含籽晶与粉料的组合坩埚放入长晶装置中；

除杂阶段：抽真空至压力在第一预设压力以下，再以预设速率充入Ar气使压力回至第二预设压力，持续几次后，再使籽晶温度维持在第一预预设温度；

第一长晶阶段：使第二石墨加热器运行，并持续第一预设时间；

第二长晶阶段：控制第一石墨加热器和第二石墨加热器同时运行，并持需第二预设时间。

本发明实施例提供的坩埚、组合坩埚、长晶装置和长晶方法的有益效果包括，例如：

本实施例通过设置分隔部将坩埚的腔室分隔为上腔室和下腔室，利用上腔室来容置长晶用的碳化硅，而在坩埚本体的侧壁设置有多个与下腔室连通的通孔，以使下腔室与外部连通，这样在坩埚承载在坩埚托盘上时，通孔可使热气流流入下腔室内，实现对上腔体的底壁进行加热，以改善坩埚的温场分布不均匀的问题，从而可以提高长晶原料的利用率和改善形成重结晶的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提供的长晶装置的结构剖视示意图；

图2为本发明实施例提供的组合坩埚的结构剖视示意图；

图3为本发明实施例提供的组合坩埚中第二转盘转动至于第一转盘上的流道连通时的剖视结构示意图；

图4为本发明实施例提供的组合坩埚中第二转盘转动至于第一转盘上的流道错位时的剖视结构示意图；

图5为本发明实施例提供的组合坩埚中封堵盘在最大打开位置处时的剖视结构示意图；

图6为本发明实施例提供的组合坩埚中封堵盘在关闭位置处时的剖视结构示意图；

图7为本发明实施例提供的坩埚的结构剖视示意图。

图标：100-坩埚；110-坩埚本体；111-腔室；113-分隔部；115-上腔室；117-下腔室；119-通孔；121-环形容置腔；123-环形加热腔；300-组合坩埚；310-上坩埚件；311-置料槽；313-过流通道；315-筒壁；317-L型环台；319-导向斜面；321-封盖；330-过滤板；350-控制装置；351-第一转盘；352-流道；353-第二转盘；355-驱动件；357-伸缩件；359-封堵盘；361-第一限位盘；363-第二限位盘；365-安装孔；367-限位台；500-长晶装置；510-本体；511-容置腔；530-第一石墨加热器；550-第二石墨加热器；590-坩埚托盘；591-换热流道。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。

实施例

请参照图1，本实施例提供一种长晶装置500，其能够为长晶提供环境条件，例如，温场条件和压力场条件等。

在本实施例中，长晶装置500包括本体510、第一石墨加热器530、第二石墨加热器550和组合坩埚300。本体510具有一容置腔511，第一石墨加热器530和第二石墨加热器550设置于容置腔511内，且第二石墨加热器550位于第一石墨加热器530的上方。坩埚托盘590上承载有组合坩埚300。第一石墨加热器530和第二石墨加热器550对应设置在组合坩埚300的外周缘，以对组合坩埚300进行加热。

本实施例通过设置独立的第一石墨加热器530和第二石墨加热器550可对组合坩埚300进行高度方向温场的调节。

请参照图1和图2，在本实施例中，组合坩埚300包括坩埚100和上坩埚件310。上坩埚件310设置于坩埚100的顶部。上坩埚件310内侧壁设置环形的置料槽311，且中心形成有过流通道313，由坩埚100形成的工艺气体可经过流通道313向上流动。在填料时可在坩埚100内和置料槽311内添加长晶原材料。第一石墨加热器530对应设置于坩埚100的外周，第二石墨加热器550对应设置于上坩埚件310的外周缘。

具体地，上坩埚件310包括筒壁315和设置于筒壁315的L型环台317，L型环台317的水平段的端部与筒壁315连接，竖直段与筒壁315之间形成置料槽311。

在本实施例中，为了避免上坩埚件310对坩埚100内形成工艺气体阻挡，L型环台317的下表面设置有导向斜面319，该导向斜面319可将坩埚100内形成的工艺气体导至过流通道313内。

在本实施例中，置料槽311的开口处设置有可拆卸的封盖321，L型环台317的竖直段上设置有许多微孔。置料槽311内添加长晶原材料后可将封盖321安装在置料槽311的开口出，对置料槽311的开口进行封堵，这样置料槽311形成的工艺气体可经L型环台317的竖直段上设置的微孔过滤后进入过流通道313，再经过流通道313向上传输。

请参照图1和图2，在本实施例中，组合坩埚300还包括多孔石墨制成的过滤板330，过滤板330安装在坩埚100的开口，可对坩埚100内形成的工艺气体进行过滤。

请参照图1和图7，在本实施例中，坩埚100包括坩埚本体110，坩埚本体110具有一顶部开口的腔室111，腔室111内设置有分隔部113。分隔部113将腔室111分隔为上腔室115和下腔室117。坩埚本体110的侧壁设置有多个与下腔室117连通的通孔119，以使下腔室117与外部连通。

本实施例通过设置分隔部113将坩埚100的腔室111分隔为上腔室115和下腔室117，而在坩埚本体110的侧壁设置有多个与下腔室117连通的通孔119，以使下腔室117与外部连通，这样在坩埚100承载在坩埚托盘590上时，通孔119可使热气流流入下腔室117内，实现对上腔体的底壁进行加热，以改善坩埚100的温场分布不均匀的问题，从而可以提高长晶原料的利用率和改善形成重结晶的问题。

请参照图1、图2和图3，在本实施例中，分隔部113靠近上腔室115的一侧凹设有多个环形容置腔121，多个环形容置腔121间隔设置。分隔部113靠近下腔室117的一侧设置有凹设有多个环形加热腔123，多个环形加热腔123与多个环形容置腔121间隔设置。

本实施例通过在分隔部113的两侧分别设置环形容置腔121和环形加热腔123，并将环形加热腔123和环形容置腔121间隔设置，这样可以利用环形加热腔123增加换热面积，从而在热工艺气体经通孔119进入下腔室117的空气可有更大的换热面积与环形容置腔121的长晶原材料进行换热。且这样可保证每一个环形容置腔121的温度相对来说更加均匀，所有的环形容置腔121的温度相对更加均匀，可以让坩埚100的长晶原料区形成一个均匀的热场，从而可以避免形成重结晶的问题，提高长晶原材料的利用率。

在本实施例中，环形加热腔123和环形容置腔121在高度方向上有重叠，这样环形加热腔123的侧壁和顶壁均可实现加热。

在本实施例中，环形加热腔123的深度是环形容置腔121深度的0.5倍-1倍。

在本实施例中，多个通孔119沿着坩埚本体110的周向均匀设置。

本实施例将通孔119沿着坩埚本体110的周向均匀设置可以实现均匀的进气。

请参照图1、图2和图3，在本实施例中，下腔室117的底部呈开口状。长晶装还包括吸气组件，坩埚托盘590设置有换热流道591，组合坩埚300承载于坩埚托盘590，换热流道591与下腔室117连通，吸气组件可使工艺气体由通孔119流入下腔室117内。

本实施例通过设置吸气组件和换热流道591，这样在组合坩埚300承载在坩埚托盘590时，可通过换气组件吸气实现下腔室117内工艺气体的对流，从而实现换热。

当然，在本申请的另外一些实施例中，也可单独使用坩埚100。

请参照图4和图5，在本实施例中，为避免短时间形成工艺气体较多，超出沉积的速度，在本实施例中，组合坩埚300还包括控制装置350，控制装置350设置于坩埚100和上坩埚件310之间，控制装置350可控制上腔室115与置料槽311连通和阻断连通。

一般情况下，控制装置350与第一石墨加热器530和第二石墨加热器550联动控制，例如在长晶初期只利用第一石墨加热器530对上坩埚件310加热，控制装置350阻断上腔室115与上坩埚100的连通。随着长晶时间的进行，可控制第一石墨加热器530和第二石墨加热器550同时加热，并使上腔体与上坩埚件310连通。

请参照图3和图4，在一优选的实施例中，控制装置350包括第一转盘351、第二转盘353和驱动件355。第一转盘351和第二转盘353均设置有流道352；第一转盘351安装于坩埚100或上坩埚件310，第二转盘353可转动地安装于第一转盘351。驱动件355与第二转盘353传动连接。驱动件355可驱动第二转盘353相对于第一转盘351转动，以使第二转盘353上的流道352与第一转盘351上的流道352对应连通，或，使第二转盘353上的流道352与第一转盘351上的流道352错位阻断连通。本实施例通过利用驱动组件驱动第二转盘353相对第一转盘351转动，从而可以实现坩埚100和上坩埚件310连通和阻断连通，控制更加方便。

具体地，L型环台317由多孔石墨制成。第一转盘351与置料槽311的L型环台317的底壁贴合，且设置于第一转盘351上的流道352与L型环台317的底壁对应。即第一转盘351与L型环台317的底壁投影重合的部位设置有流道352。请参照图3，在第二转盘353转动至第二转盘353上的流道352与第一转盘351的流道352对应连通时，上腔室115形成的工艺气体可经所第一转盘351和第二转盘353的流道352和L型环台317的底壁流入置料槽311内。请参照图4，在第二转盘353转动至第二转盘353上的流道352与第一转盘351上的流道352错位时，第二转盘353可阻挡上腔室115与上坩埚件310的连通。这样设置可以使上腔室115形成的工艺气体可补充至置料槽311内，这样就会是工艺气体按照之前的设置的流动方向流动至籽晶区，避免上腔室115和置料槽311形成的工艺气体相互干扰。

请参照图5和图6，当然，在另一优选的实施例中，控制装置350包括伸缩件357和封堵盘359，伸缩件357设置于坩埚100，封堵盘359设置于伸缩件357，伸缩件357可带动封堵盘359移动。L型环台317的竖直段由多孔石墨制成，L型环台317的水平段呈密封的环状。封堵盘359可移动地设置于过流通道313。请参照图6，在封堵盘359移动至与L型环台317的水平段对应时，封堵盘359可阻挡上腔室115与上坩埚件310的连通。请参照图5，在伸缩件357伸长使封堵盘359向上移动越过L型环台317的水平段时，上腔室115形成的工艺气体可经过流通道313和L型环台317的竖直段补充至置料槽311。这样设置可以使上腔室115形成的工艺气体可补充至置料槽311内，这样就会是工艺气体按照之前的设置的流动方向流动至籽晶区，避免上腔室115和置料槽311形成的工艺气体相互干扰。

进一步，控制装置350还包括第一限位盘361和第二限位盘363，上腔体的中心形成有一安装孔365第一限位盘361和第二限位盘363安装在伸缩件357上，且与安装孔365的内壁可移动连接。安装孔365的内壁凸设有限位台367，当伸缩件357伸长至第一限位盘361与限位凸台抵接时，则封堵盘359处于最大开度。当伸缩件357缩回至第二限位盘363与上腔室115的底壁抵接时，此处，封堵盘359处于关闭状态。

本实施例利用伸缩件357带动封堵盘359上下移动实现连通使用更加方便。

本实施例还提供一种长晶方法，应用于上述实施例的长晶装置500。

方法包括：

组装阶段：将内含籽晶与粉料的组合坩埚300放入长晶装置500中；

除杂阶段：抽真空至压力第一预设压力以下，再以预设速率充入Ar气使压力回至第二预设压力，持续几次后，使第二石墨加热器550运行，使籽晶温度维持在第一预预设温度。

第一长晶阶段：利用控制装置350控制上腔室115和上坩埚件310阻断连通，使第二石墨加热器550加热运行，加热至温度在2000-2500℃，并持续第一预设时间；

第二长晶阶段：利用控制装置350控制上腔室115和上坩埚件310连通，并控制第一石墨加热器530和第二石墨加热器550同时运行，并持需第二预设时间。

在本实施例中，第一预设压力为10^-6Mbar以下，充入Ar气的预设速率为50～500mL/mim。第二预设压力的取值范围为300～500mbar，第一预设温度为1400～1800℃。

在本实施例中，利用控制装置350控制上腔室115和上坩埚件310连通的步骤包括：

控制第二转盘353以每小时0.0007～0.005转的速度转动,直至第二转盘353上的流道352与第一转盘351上的流道352完全对应连通。或，控制伸缩件357以每小时0.1cm-0.5cm的速度伸长，直至伸长到预设长度结束。

在本实施例中，方法还包括：在第二长晶阶段控制吸气组件运行。

综上，本发明实施例提供的坩埚100、组合坩埚300、长晶装置500和长晶方法的工作原理和有益效果包括：

本实施例通过设置分隔部113将坩埚100的腔室111分隔为上腔室115和下腔室117，在坩埚本体110的侧壁设置有多个与下腔室117连通的通孔119，以使下腔室117与外部连通，这样在坩埚100承载在坩埚托盘590上时，通孔119可使热气流流入下腔室117内，实现对上腔体的底壁进行加热，以改善坩埚100的温场分布不均匀的问题，从而可以提高长晶原料的利用率和改善形成重结晶的问题，与上坩埚件310结合可延长长晶时间，增加生长晶锭的厚度。

以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种坩埚，其特征在于，包括坩埚本体（110），所述坩埚本体（110）具有一顶部开口的腔室（111），所述腔室（111）内设置有分隔部（113）；

所述分隔部（113）将所述腔室（111）分隔为上腔室（115）和下腔室（117）；

所述上腔室（115）用于容置碳化硅；

所述坩埚本体（110）的侧壁设置有多个与所述下腔室（117）连通的通孔（119），以使所述下腔室（117）与外部连通；

所述分隔部（113）靠近所述上腔室（115）的一侧凹设有多个环形容置腔（121），多个所述环形容置腔（121）间隔设置；

所述分隔部（113）靠近所述下腔室（117）的一侧设置有凹设有多个环形加热腔（123），多个所述环形加热腔（123）与多个所述环形容置腔（121）间隔设置。

2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述环形加热腔（123）的深度是所述环形容置腔（121）深度的0.5倍-1倍；和/或，

所述下腔室（117）的底部呈开口状。

3.一种组合坩埚，其特征在于，包括上坩埚件（310）和权利要求1-2中任一项所述的坩埚；

所述上坩埚件（310）设置于所述坩埚的顶部；

所述上坩埚件（310）包括筒壁（315）和设置于所述筒壁（315）的L型环台（317），所述L型环台（317）的水平段的端部与所述筒壁（315）连接，所述L型环台（317）的竖直段与筒壁（315）之间形成置料槽（311），且所述L型环台（317）的竖直段围合形成有过流通道（313），由所述上腔室（115）形成的工艺气体可经过流通道（313）向上流动。

4.根据权利要求3所述的组合坩埚，其特征在于，所述组合坩埚还包括控制装置（350），所述控制装置（350）设置于所述坩埚和上坩埚件（310）之间，所述控制装置（350）可控制所述上腔室（115）与所述上坩埚件（310）连通和阻断连通。

5.根据权利要求4所述的组合坩埚，其特征在于，所述控制装置（350）包括第一转盘（351）、第二转盘（353）和驱动件（355）；

所述第一转盘（351）和所述第二转盘（353）均对应设置有流道（352）；

所述第一转盘（351）安装于所述上坩埚件（310），所述第二转盘（353）可转动地安装于所述第一转盘（351）；

所述驱动件（355）与所述第二转盘（353）传动连接；

所述驱动件（355）可驱动所述第二转盘（353）相对于所述第一转盘（351）转动，以使所述第二转盘（353）上的流道（352）与所述第一转盘（351）上的流道（352）对应连通，或，使所述第二转盘（353）上的流道（352）与所述第一转盘（351）上的流道（352）错位阻断连通。

6.根据权利要求5所述的组合坩埚，其特征在于，所述L型环台（317）由多孔石墨制成；

所述第一转盘（351）与所述置料槽（311）的所述L型环台（317）的底壁贴合，且设置于所述第一转盘（351）上的流道（352）与所述L型环台（317）的底壁对应；

在所述第二转盘（353）转动至所述第二转盘（353）上的所述流道（352）与所述第一转盘（351）的所述流道（352）对应连通时，所述上腔室（115）形成的工艺气体可经所第一转盘（351）和第二转盘（353）的所述流道（352）和所述L型环台（317）的底壁流入所述置料槽（311）内；

在所述第二转盘（353）转动至所述第二转盘（353）上的所述流道（352）与所述第一转盘（351）上的流道（352）错位时，所述第二转盘（353）可阻挡上腔室（115）与所述上坩埚件（310）的连通。

7.根据权利要求4所述的组合坩埚，其特征在于，所述控制装置（350）包括伸缩件（357）和封堵盘（359），所述伸缩件（357）设置于所述坩埚，所述封堵盘（359）设置于所述伸缩件（357），所述伸缩件（357）可带动所述封堵盘（359）移动；

所述L型环台（317）的竖直段由多孔石墨制成，所述L型环台（317）的水平段呈密封的环状；

所述封堵盘（359）可移动地设置于所述过流通道（313）；

在所述封堵盘（359）移动至与所述L型环台（317）的水平段对应时，所述封堵盘（359）可阻挡所述上腔室（115）与所述上坩埚件（310）的连通；

在所述伸缩件（357）伸长使所述封堵盘（359）向上移动越过所述L型环台（317）的水平段时，所述上腔室（115）形成的工艺气体可经所述过流通道（313）和所述L型环台（317）的竖直段补充至所述置料槽（311）。

8.一种长晶装置，其特征在于，包括第一石墨加热器（530）、第二石墨加热器（550）和权利要求6-7中任一项所述的组合坩埚；

所述第一石墨加热器（530）对应设置于所述坩埚的外周，所述第二石墨加热器（550）对应设置于所述上坩埚件（310）的外周缘。

9.根据权利要求8所述的长晶装置，其特征在于，所述长晶装还包括有坩埚托盘（590）和吸气组件，所述坩埚托盘（590）设置有换热流道（591），所述组合坩埚承载于所述坩埚托盘（590），所述换热流道（591）与所述下腔室（117）连通，所述吸气组件可使工艺气体由所述通孔（119）流入所述下腔室（117）内。

10.一种长晶方法，应用权利要求8或9所述的长晶装置，其特征在于，所述方法包括：

组装阶段：将内含籽晶与粉料的组合坩埚放入长晶装置中；

除杂阶段：抽真空至压力在第一预设压力以下，再以预设速率充入Ar气使压力回至第二预设压力，持续几次后，再使籽晶温度维持在第一预设温度；

第一长晶阶段：使第二石墨加热器（550）运行，并持续第一预设时间；

第二长晶阶段：控制第一石墨加热器（530）和第二石墨加热器（550）同时运行，并持续第二预设时间。