CN115595657A - 生长设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种生长设备，包括坩埚，坩埚内包括自上至下依次排布的晶体生长腔、气体缓冲腔及硅源补充腔；坩埚内设置有多孔隔板及开合机构，多孔隔板设置于晶体生长腔与气体缓冲腔之间，开合机构设置于气体缓冲腔及硅源补充腔之间；坩埚外设置有第一加热构件及第二加热构件，第一加热构件对应生长腔及气体缓冲腔设置，第二加热构件对应硅源补充腔设置。在出现富碳状态时，可以开启第二加热构件，对硅源补充腔内的硅材料进行加热升华，同时打开开合机构，升华的硅材料经开合机构进入到气体缓冲腔中；第一加热构件使硅材料达到与晶体生长腔相同的温度，再通过多孔隔板缓释进晶体生长腔内，进而达到补充硅的目的，提升晶体质量。

Description

生长设备

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，特别涉及一种生长设备。

背景技术

碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点。由于4H-SiC在诸多晶型中具有更优异的电学性能，满足当今科技发展对高功率和抗辐射器件等衬底材料的需求，所以如何生长出高质量的4H-SiC晶体便成了首要问题。

目前工业上生产碳化硅单晶的生长方法主要为物理气相传输法(Physical VaporTransport,简称PVT)。由于该生长方法是在密闭的石墨坩埚中进行的，由于长时间高温下坩埚内的气体具有较多的碳元素，而气相组分碳硅比又影响着晶体形貌和晶体质量，所以合理控制生长后期的气相组分比就显得尤为重要。

目前的PVT工艺无法在生长中补充硅，为了提升晶体质量，减少缺陷密度，需要一种可以补充硅源的生长坩埚。

发明内容

本发明提供一种生长设备，能够在生长过程中补充硅材料，提升晶体质量。

本发明提供一种生长设备，用于生长碳化硅材料，包括坩埚，所述坩埚内包括自上至下依次排布的晶体生长腔、气体缓冲腔及的硅源补充腔；

所述坩埚内设置有多孔隔板及开合机构，所述多孔隔板设置于所述晶体生长腔与所述气体缓冲腔之间，所述开合机构设置于所述气体缓冲腔及硅源补充腔之间，用于控制所述气体缓冲腔及硅源补充腔之间的连通与隔离；

所述坩埚设置有第一加热构件及第二加热构件，所述第一加热构件对应所述生长腔及所述气体缓冲腔设置，所述第二加热构件对应所述硅源补充腔设置。

其中，所述晶体生长腔与气体缓冲腔的容积比为1.8:1-2.2:1，所述气体缓冲腔与所述硅源补充腔的容积比为1.8:1-2.2:1。

其中，所述第一加热构件环绕在所述坩埚的外壁；所述多孔隔板的外围区域的孔密度大于其中心区域的孔密度。

其中，所述第二加热构件绕设于所述坩埚的外壁；或者所述多孔隔板的厚度为0.5-1.5厘米。

其中，所述开合机构包括硅源隔板，所述硅源隔板上设置有开合缝，所述开合缝为沿所述硅源隔板的板面设置的多次折弯状；所述硅源隔板经所述开合缝分隔为两个子隔板，其中至少一个所述子隔板活动连接于坩埚，以使两个所述子隔板能够抵接与分离；当两个所述子隔板抵接时，所述开合缝处于闭合状态，所述气体缓冲腔与硅源补充腔相隔离；当所述第一子隔板与第二子隔板相分离时，所述气体缓冲腔与硅源补充腔经所述开合缝连通。

其中，所述开合缝为方波状、或锯齿状、或正弦波状、或梯形波状。

其中，两个所述子隔板分别为第一子隔板及第二子隔板，所述第一子隔板沿所述坩埚的轴向方向滑动设置于所述坩埚，所述第二子隔板固定于所述坩埚。

其中，所述生长设备还包括驱动杆，所述坩埚上设置有驱动孔，所述驱动孔连通所述坩埚的外壁与所述硅源补充腔，所述驱动杆穿设所述驱动孔，所述驱动杆的一端通连接所述第一子隔板、另一端连接至驱动装置；所述驱动装置设置在所述坩埚的外侧，用于带动所述驱动杆动作，以使得所述驱动杆带动所述第一子隔板沿所述坩埚的轴向方向移动。

其中，所述驱动孔设置在所述坩埚的侧壁上，所述驱动杆绕自身轴向转动连接于所述驱动孔，所述驱动杆的一端固定有凸轮，所述凸轮的周面与所述第一子隔板相抵接；所述驱动装置为电机，以带动所述驱动杆绕自身轴向转动，进而使得所述凸轮带动所述第一子隔板沿竖直向移动；或者，

所述驱动孔设置在所述坩埚的底壁上，所述驱动杆沿竖直向滑动连接于所述驱动孔，所述驱动装置为气缸，以带动所述驱动杆沿竖直向移动，进而使得所述第一子隔板沿竖直向移动。

其中，所述开合缝具有两个相对设置的开合面，两个所述开合面分别设置两个所述子隔板上；当两个所述子隔板抵接时，两个所述开合面相贴合；当两个所述子隔板相分离时，两个所述开合面相分离；

两个所述子隔板相对移动的方向为开合方向，两个所述开合面与所述开合方向之间的夹角为锐角。

本发明提供的生长设备，在出现富碳状态时，可以开启第二加热构件，对硅源补充腔内的硅材料进行加热升华，同时打开开合机构，使得硅源补充腔与气体缓冲腔相连通，升华的硅材料经开合机构进入到气体缓冲腔中；第一加热构件能够对升华的硅材料进行加热，使其达到与晶体生长腔相同的温度，再通过多孔隔板缓释进晶体生长腔内，进而达到补充硅的目的，调整富碳生长环境，避免因富碳生长造成的缺陷，提升晶体质量；通过设置气体缓冲腔可以在硅材料加热至生长温度后再进入晶体生长腔，避免由于补充硅带来的晶体晶场波动，维持晶体的稳定生长。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，下面描述中的附图仅为本发明的部分实施例相应的附图。

图1是本发明优选实施例提供的生长设备的结构剖视图；

图2是图1中生长设备的俯视图；

图3是图1中生长设备的仰视图；

图4是图1中生长设备的开合机构的结构示意图；

图5是图1中生长设备在补充硅时的结构剖视图；

图6是图4中开合机构在补充硅时的结构示意图；

图7是本发明另一实施例提供的生长设备的结构剖视图。

图8是图7中生长设备在补充硅时的结构剖视图；

图9是本发明再一实施例提供的开合机构的结构示意图；

图10是图9中开合机构在补充硅时的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明术语中的“第一”“第二”等词仅作为描述目的，而不能理解为指示或暗示相对的重要性，以及不作为对先后顺序的限制。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

请参见图1，本发明优选实施例提供了一种生长设备，包括坩埚10，坩埚10内的腔体用于生成晶体及补充硅源，坩埚10外设置加热构件，为腔体内的物质加热以提供生成温度。

坩埚10内包括自上至下依次排布的晶体生长腔101、气体缓冲腔102及用于放置硅材料的硅源补充腔103。坩埚10内设置有多孔隔板20及开合机构30。多孔隔板20设置于晶体生长腔101与气体缓冲腔102之间，多孔隔板20为多孔疏松材质，具有透气性，保证气体均匀渗入。作为优选，多孔隔板20为石墨材质。

在本实施例中，该生长设备主要应用于生长碳化硅材料，如碳化硅衬底或晶体。

晶体生长腔101内用于放置碳化硅粉料109，多孔隔板20用于承载碳化硅粉料109，晶体生长腔101的顶部内侧粘贴籽晶108。气体缓冲腔102位于坩埚10的中间部分，气体缓冲腔102与晶体生长腔101之间由多孔隔板20隔开。坩埚10内最下方为硅源补充腔103，开合机构30设置于气体缓冲腔102及硅源补充腔103之间，用于控制气体缓冲腔102及硅源补充腔103之间的连通与隔离。硅源补充腔103内放置所需硅材料。

坩埚10设置有第一加热构件41及第二加热构件42，第一加热构件41对应生长腔及气体缓冲腔102设置，第二加热构件42对应硅源补充腔103设置。第一加热构件41及第二加热构件42均为感应线圈。

坩埚10外设置第一加热构件41和第二加热构件42两个独立控制的加热构件，第一加热构件41提供晶体生长所需温度，其能够将晶体生长腔101及气体缓冲腔102内温度加热至2700℃左右，第二加热构件42用于提供硅材料升华所需温度，其能够将硅源补充腔103加热至1400℃左右。

在晶体生长初期，如图1及图2所示，第一加热构件41处于开启状态，开合机构30处于关闭状态，晶体生长腔101内的晶体生长处于硅组分与碳组分相平衡的状态下。随着晶体生长的进行，晶体生长腔101内的气相组分逐渐失衡成为富碳状态，此时，开启第二加热构件42，对硅源补充腔103内的硅材料进行加热升华，同时打开开合机构30，如图5及图6所示，使得硅源补充腔103与气体缓冲腔102相连通，使得升华的硅材料经开合机构30进入到气体缓冲腔102中；第一加热构件41能够对升华的硅材料进行加热，使其达到与晶体生长腔101相同的温度，再通过多孔隔板20缓释进晶体生长腔101内，进而达到补充硅材料的目的，调整富碳生长环境，避免因富碳生长造成的缺陷，提升晶体质量。

由于晶体生长腔101内的温度远大于硅源补充腔103的温度，因而需要设置气体缓冲腔102进行温度过渡，避免温度较低的硅材料直接进入晶体生长腔101对晶体生长造成影响。通过设置气体缓冲腔102可以在硅材料加热至生长温度后再进入晶体生长腔101，避免由于补充硅带来的晶体晶场波动，维持晶体的稳定生长。

本发明提供的碳化硅晶体生长坩埚，通过在生长过程中补充硅材料，可以解决晶体生长过程中因富碳环境造成的技术难题，同时避免了生产过程中通入外部气体所造成的生长环境波动，使得PVT法生长4H-SiC大幅提升晶体质量。

晶体生长腔101与气体缓冲腔102的容积比为1.8:1-2.2:1，气体缓冲腔102与硅源补充腔103的容积比为1.8:1-2.2:1。本实施例中，晶体生长腔101、气体缓冲腔102、及硅源补充腔103三者容积比例依次为4:2:1，三者的容积比例使得气体缓冲腔102具有合适的大小，使得硅源气体可以在气体缓冲腔102内得到有效加热后再进入到晶体生长腔101，且不会使得坩埚10整体体积过大。

本实施例中，坩埚10均为直筒柱状，其轴向各处的横截面相同，因而晶体生长腔101、气体缓冲腔102、及硅源补充腔103三者的高度比即为三者的容积比，以方便对三者的比例进行设置，同时可以使得含硅气体较为均匀地向上移动。

如图2所示，第一加热构件41环绕在坩埚10外壁上，即第一加热构件41环绕在生长腔101及气体缓冲腔102的外壁，以在四周对晶体生长腔101、气体缓冲腔102进行充分加热。此处，在其他实施例中，第一加热构件也可以附设于生长腔及气体缓冲腔的内壁上。

多孔隔板20的外围区域20b的孔密度大于其中心区域20a的孔密度。可以理解地，多孔隔板20的外围区域20b是指相对靠近坩埚10侧壁的区域，多孔隔板20的中心区域是指多孔隔板20的中心位置区域，相对远离坩埚10侧壁。

由于第一加热构件41处于多孔隔板20的外围，因此多孔隔板20外围区域20b的孔密度大于中心区域20a的孔密度，能够加强外围的热量流动，从而使得进入晶体生长区的硅源温度更加均匀。此处，在其他实施例中，多孔隔板20也可以采用孔密度均匀的石墨板。

如图3所示，第二加热构件42环绕于坩埚10的外壁，即第二加热构件42绕设于硅源补充腔103的外壁，以在四周对硅源补充腔103进行充分加热，此处在其他实施例中，第二加热构件可以绕设于硅源补充腔103的内壁；第二加热构件42也可以设置在坩埚10的底部处，或者坩埚10的四周及底部均设置第二加热构件42。

多孔隔板20的厚度为0.5-1.5厘米，使得多孔隔板20能够具有一定承重力，实现对碳化硅原料的有效支撑，并使得硅源能够较佳地穿过多孔隔板20，且多孔隔板20的厚度不会对整个坩埚10的体积造成较大影响。

本实施例中，如图4及图6所示，开合机构30包括硅源隔板，硅源隔板上设置有开合缝301，开合缝301为沿硅源隔板的板面设置的多次折弯状。作为优选，硅源隔板亦为石墨材质。

硅源隔板由开合缝301分隔为两个子隔板，本实施例中，为了方便描述，两个子隔板分别为第一子隔板31与第二子隔板32。其中至少一个子隔板活动连接于坩埚10，以使第一子隔板31与第二子隔板32能够抵接与分离；当第一子隔板31与第二子隔板32抵接时，所述开合缝301处于闭合状态，气体缓冲腔102与硅源补充腔103相隔离；当第一子隔板31与第二子隔板32相分离时，气体缓冲腔102与硅源补充腔103经开合缝301连通。

当两个子隔板相对移动时，两个子隔板可以实现抵接或者相互分离，以使得开合缝301关闭或打开。开合缝301为多次折弯状，可以增加开合缝301的长度尺寸，使得硅源能够从下方较为均匀地进入到气体补充腔内，而且，可以通过子隔板之间的纵向距离来调节开口大小。

本实施例中，开合缝301为方波状，以便于加工制备。此处，在其他实施例中，开合缝301也可以为锯齿状、正弦波状等其他往复折弯的形状，开合缝还可以为其他形式的多次折弯状，例如，开合缝可以为类似蚊香的螺旋折弯状，或者回形折弯状等等。

本实施例中，第一子隔板31沿坩埚10的轴向方向滑动设置于坩埚10、第二子隔板32固定设置于坩埚10。第一子隔板31与坩埚10之间可以设置滑动结构以实现二者的相对滑动，例如，第一子隔板31上可以设置有凸块，坩埚10的内壁上沿竖直向设置有条形槽，凸块滑动设置于条形槽中，以实现二者的滑动配合，凸块与条形槽的配合可以为多组，以实现第一子隔板31滑动的稳定性。

碳化硅晶体生长坩埚还包括驱动杆51，坩埚10上设置有驱动孔105，驱动孔105连通坩埚10的外壁与硅源补充腔103，驱动杆51活动穿设驱动孔105，驱动杆51的一端通连接开合机构30的第一子隔板31、另一端连接至驱动装置52，驱动装置52设置在坩埚10的外侧。

驱动装置52能够带动驱动杆51动作，使得驱动杆51可以带动第一子隔板31沿坩埚10的轴向方向移动，进而实现开合缝301的开合。驱动杆51可以采用耐高温材质，驱动装置52设置在坩埚10外，可以避免高温环境对驱动装置52造成的影响。

进一步具体地，本实施例中，如图1所示，驱动孔105设置在坩埚10的侧壁上，驱动杆51绕自身轴向转动连接于驱动孔105，驱动杆51的一端固定有凸轮511，凸轮511的周面与第一子隔板31相抵接，驱动装置52为电机，驱动装置52带动驱动杆51绕自身轴向转动，驱动杆51带动凸轮511转动，利用凸轮511的周面与第一子隔板31的配合，实现第一子隔板31的上下移动，当第一子隔板31移动至高于、或低于第二子隔板32时，第一子隔板31与第二子隔板32相分离，开合缝301打开，气体缓冲腔102与硅源补充腔103相连通，硅源补充腔103的硅源可以进入到气体缓冲腔102中。

本发明在实现硅源补充时，首先开启第二加热构件42，使硅源补充腔103内的硅材料升华为含硅气体，再开启开合机构30，构成气体通路至气体缓冲腔102。在气体缓冲腔102的硅气氛经过第一加热构件41调整为与晶体生长腔101一致的温度，通过多孔隔板20缓释进晶体生长腔101，进而补充硅源，调整富碳生长环境，避免因富碳生长造成的缺陷。设置气体缓冲腔102可以避免由于补充硅源带来的晶体温场波动，维持晶体的稳定生长。

在上述实施例中，利用电机作为驱动装置，驱动孔105位于坩埚10的侧壁，驱动杆51转动设置于驱动孔，利用驱动杆51与凸轮511的配合实现两个子隔板的相对运动。此处，在其他实施例中，如图7及图8所示，所示，驱动孔105a也可以设置在坩埚10a的底壁上，驱动杆51a沿竖直向滑动连接于驱动孔105a，驱动杆51a的一端连接第一子隔板31a、另一端连接驱动装置52a，驱动装置52a为气缸，利用气缸带动驱动杆51a上下移动，进而使得第一子隔板31a上下移动。该结构可以使得气缸位于坩埚10a的底部，进一步远离第二加热构件，避免其运行受高温影响。进一步，坩埚10a的外壁处还可以设置有密闭壳11a，密闭壳11a罩设于驱动孔105a的外侧，驱动装置52a设置在密闭壳11a的外侧，驱动杆51穿设于密闭壳11a；由于驱动孔105a与驱动杆51a之间可能存在间隙导致少量气化的硅源外泄，利用密闭壳11a可以收容外泄的硅源，驱动杆51a与密闭壳11a之间可以设置密封结构，该密封结构距离硅源补充腔103a相对较远，保证密封性能。

在上述两种实施例中，利用驱动装置与驱动杆的配合，可以有效实现第一子隔板的上下移动，此处，作为另外的实施例，也可以不设置驱动装置与驱动杆，当第二加热构件启动，硅源补充腔内形成气化的硅源，硅源补充腔内的压力增大，可以利用气压顶开第一子隔板，使得第一子隔板向上移动。此处，可以将第一子隔板做薄，使第一子隔板的厚度小于第二子隔板，以利于第一子隔板在气压作用下向上移动。

在上述实施例中，第一子隔板需要移动至与第二子隔板完全错开方可打开开合缝，为了方便打开开合缝，本发明还提供了开合机构的另一种实施例。该实施例中，如图9及图10所示，开合缝301b具有两个相对设置的开合面300b，两个开合面分别设置在第一子隔板31b与第二子隔板32b上。当第一子隔板31b与第二子隔板32b抵接时，两个开合面300b相贴合；当第一子隔板31b与第二子隔板32b相分离时，两个开合面300b相分离。

两个子隔板相对移动的方向为开合方向，两个开合面与开合方向之间的夹角为锐角，使得开合面与开合方向之间非平行也非垂直，当两个开合面相对移动较小距离时，即可使得二者相分离，使得第一子隔板31b与第二子隔板32b不必完全错开即可开启开合缝301。如在前述实施例中，开合方向为竖直向，开合面300b呈倾斜状。

在上述实施例中，第一子隔板滑动设置，第二子隔板固定设置，驱动装置52驱动第一子隔板移动，结构简单，易于加工制备。此处，在其他例中，也可以是第一子隔板与第二子隔板均滑动连接于坩埚的内壁，在驱动杆与凸轮配合的实施方式中，驱动杆位于坩埚内的部分设置有两个凸轮，当驱动杆绕自身轴向转动时，一个凸轮带动第一子隔板向上移动、另一个凸轮带动第二子隔板向下移动；在驱动杆与气缸的配合实施方式中，驱动杆与气缸可以为两组，分别带动两个子隔板朝相反方向移动。

在上述实施例中，第一子隔板沿竖直向滑动设置，作为另外的实施例，第一子隔板也可以沿水平向移动，水平向为开合方向，开合缝可以为梯形波状，梯形波的两个腰边为倾斜状，使得开合缝的开合面与水平向的夹角为锐角，使得第一子隔板移动较小距离即可打开开合缝。为了方便第一子隔板滑动，开合机构还包括第三子隔板，第三子隔板固定于坩埚，第一子隔板远离开合缝的一端滑动连接于第三子隔板，利用第三子隔板还可以在开合缝闭合状态下，将第二子隔板与坩埚侧壁之间的间隙进行遮挡。

综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种生长设备，用于生长碳化硅材料，其特征在于，包括坩埚，所述坩埚内包括自上至下依次排布的晶体生长腔、气体缓冲腔及的硅源补充腔；

所述坩埚内设置有多孔隔板及开合机构，所述多孔隔板设置于所述晶体生长腔与所述气体缓冲腔之间，所述开合机构设置于所述气体缓冲腔及硅源补充腔之间，用于控制所述气体缓冲腔及硅源补充腔之间的连通与隔离；

所述坩埚设置有第一加热构件及第二加热构件，所述第一加热构件对应所述生长腔及所述气体缓冲腔设置，所述第二加热构件对应所述硅源补充腔设置。

2.根据权利要求1所述的生长设备，其特征在于，所述晶体生长腔与气体缓冲腔的容积比为1.8:1-2.2:1，所述气体缓冲腔与所述硅源补充腔的容积比为1.8:1-2.2:1。

3.根据权利要求1所述的生长设备，其特征在于，所述第一加热构件环绕在所述坩埚的外壁；所述多孔隔板的外围区域的孔密度大于其中心区域的孔密度。

4.根据权利要求1所述的生长设备，其特征在于，所述第二加热构件绕设于所述坩埚的外壁；或者所述多孔隔板的厚度为0.5-1.5厘米。

5.根据权利要求1所述的生长设备，其特征在于，所述开合机构包括硅源隔板，所述硅源隔板上设置有开合缝，所述开合缝为沿所述硅源隔板的板面设置的多次折弯状；所述硅源隔板经所述开合缝分隔为两个子隔板，其中至少一个所述子隔板活动连接于坩埚，以使两个所述子隔板能够抵接与分离；当两个所述子隔板抵接时，所述开合缝处于闭合状态，所述气体缓冲腔与硅源补充腔相隔离；当所述第一子隔板与第二子隔板相分离时，所述气体缓冲腔与硅源补充腔经所述开合缝连通。

6.根据权利要求5所述的生长设备，其特征在于，所述开合缝为方波状、或锯齿状、或正弦波状、或梯形波状。

7.根据权利要求5所述的生长设备，其特征在于，两个所述子隔板分别为第一子隔板及第二子隔板，所述第一子隔板沿所述坩埚的轴向方向滑动设置于所述坩埚，所述第二子隔板固定于所述坩埚。

8.根据权利要求7所述的生长设备，其特征在于，所述生长设备还包括驱动杆，所述坩埚上设置有驱动孔，所述驱动孔连通所述坩埚的外壁与所述硅源补充腔，所述驱动杆穿设所述驱动孔，所述驱动杆的一端通连接所述第一子隔板、另一端连接至驱动装置；所述驱动装置设置在所述坩埚的外侧，用于带动所述驱动杆动作，以使得所述驱动杆带动所述第一子隔板沿所述坩埚的轴向方向移动。

9.根据权利要求8所述的生长设备，其特征在于，所述驱动孔设置在所述坩埚的侧壁上，所述驱动杆绕自身轴向转动连接于所述驱动孔，所述驱动杆的一端固定有凸轮，所述凸轮的周面与所述第一子隔板相抵接；所述驱动装置为电机，以带动所述驱动杆绕自身轴向转动，进而使得所述凸轮带动所述第一子隔板沿竖直向移动；或者，

所述驱动孔设置在所述坩埚的底壁上，所述驱动杆沿竖直向滑动连接于所述驱动孔，所述驱动装置为气缸，以带动所述驱动杆沿竖直向移动，进而使得所述第一子隔板沿竖直向移动。

10.根据权利要求5所述的生长设备，其特征在于，所述开合缝具有两个相对设置的开合面，两个所述开合面分别设置两个所述子隔板上；当两个所述子隔板抵接时，两个所述开合面相贴合；当两个所述子隔板相分离时，两个所述开合面相分离；

两个所述子隔板相对移动的方向为开合方向，两个所述开合面与所述开合方向之间的夹角为锐角。

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