JP5206694B2 - 炭化珪素単結晶の製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態における結晶成長装置の断面構成を示す図であり、この図に基づいて説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の結晶成長装置1は、第1実施形態に対して、吸収断熱材13の貫通孔13aの壁面と、第2シャフト15の外壁面との間に隙間を設けたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図4は、本実施形態の結晶成長装置1の断面構成を示す図である。
上記各実施形態では、吸収断熱材13の劣化状態を判定する検出機構16として重量センサと制御部とを含んだものを説明したが、もちろんこれに限られるものではない。例えば、吸収断熱材13にSiC多結晶が付着した場合には、吸収断熱材13の断熱機能が損なわれることになるため、反応容器9内の温度分布が変化して台座10やSiC単結晶の成長表面、反応容器9の壁面等の温度が変化することになる。このため、第1シャフト11の上部にパイロメータ等の温度センサを設置して台座10の温度を検出させ、検出された温度が所定の閾値より低いときに吸収断熱材13が劣化したと判定することもできる。また、流入口2の下側にパイロメータ等の温度センサを設置してSiC単結晶6の成長表面の温度を検出させ、検出された温度が所定の閾値より低いときに吸収断熱材13が劣化したと判定することもできる。さらに、反応容器9の壁面の温度も変化するため、反応容器9の温度を検出させ、検出された温度が所定の閾値より低いときに吸収断熱材13が劣化したと判定することもできる。
2 流入口
3 原料ガス
4 流出口
5 種結晶
6 SiC単結晶
7 真空容器
8 底面側断熱材
9 反応容器
10 台座
11 第1シャフト
12 側壁断熱材
13 吸収断熱材
14 交換用断熱材
15 第2シャフト
16 検出機構
17 スライド機構
18 加熱装置
Claims (13)
- 流出口(4)を有する真空容器(7)内に収容された断熱材(8、12、13)に囲まれ、中空部を有する円筒状とされた反応容器(9)内に台座(10)を配置すると共に、当該台座(10)に対して炭化珪素単結晶基板にて構成された種結晶(5)を配置し、前記反応容器(9)の一端部側から炭化珪素の原料ガス(3)を供給することにより、前記種結晶(5)の表面に炭化珪素単結晶(6)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記断熱材は、前記反応容器(9)の側壁を囲む円筒状の側壁断熱材(12)と、前記側壁断熱材(12)と機械的に分離可能とされた円板部材からなり、多孔質材料で構成された吸収断熱材(13)と、を有し、
前記吸収断熱材(13)は、前記円板部材の軸方向に貫通する貫通孔(13a)が形成され、側壁が前記側壁断熱材(12)の内壁と接した状態で、前記反応容器(9)のうち前記一端部と反対側の他端部の端面に配置されており、
前記反応容器(9)内に供給された前記原料ガス(3)のうち前記炭化珪素単結晶(6)の成長に寄与しなかった未反応原料ガスは、前記吸収断熱材(13)を介して前記真空容器(7)に備えられた流出口(4)から排気され、
前記台座(10)のうち前記種結晶(5)が配置される側と反対側には、前記反応容器(9)の軸方向に移動可能とされた断熱材引き上げ機構(15)が備えられており、前記吸収断熱材(13)は、前記断熱材引き上げ機構(15)に保持されることにより、前記断熱材引き上げ機構(15)と共に移動可能とされており、
前記断熱材引き上げ機構(15)は、筒状部材を用いて構成され、前記貫通孔(13a)を貫通して配置されると共に、前記吸収断熱材(13)を保持する突出部(15a)を前記筒状部材の軸方向に複数備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記吸収断熱材(13)を構成する円板部材が中心軸を中心にして径方向に分割された複数の交換用断熱材(14)を有し、
複数の前記交換用断熱材(14)は、前記反応容器(9)のうち前記他端部の端面に配置された前記吸収断熱材(13)の側壁から前記反応容器(9)の軸方向と平行な方向に仮想線を引いたとき、前記側壁断熱材(12)のうち前記反応容器(9)の一端部側と反対側の端部であって、前記仮想線で囲まれる領域の外側に備えられていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記真空容器(7)には、複数の前記交換用断熱材(14)をそれぞれ前記真空容器(7)の径方向に移動させ、前記断熱材引き上げ機構(15)が前記貫通孔(13a)内に配置される状態で、前記交換用断熱材(14)を組み合わせることにより新たな吸収断熱材(13)を構成すると共に、前記断熱材引き上げ機構(15)に当該新たな吸収断熱材(13)を保持させるスライド機構(17)が備えられていることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記反応容器(9)のうち前記他端部の端面に配置された前記吸収断熱材(13)の劣化状態を判定する検出機構(16)を備えていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記検出機構(16)は、前記吸収断熱材(13)の重量を検出する重量センサを含んでいることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記検出機構(16)は、前記台座(10)の温度を検出する温度センサを含んでいることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記検出機構(16)は、前記種結晶(5)の表面に成長する前記炭化珪素単結晶(6)の成長量を検出するX線装置を含んでいることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記貫通孔(13a)の内径は、前記断熱材引き上げ機構(15)に用いられる前記筒状部材の外径より大きくされており、
前記貫通孔(13a)の壁面と当該筒状部材の外壁面との間に隙間を有していることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 流出口(4)を有する真空容器(7)内に収容された断熱材(8、12、13)に囲まれ、中空部を有する円筒状とされた反応容器(9)内に台座(10)を配置すると共に、当該台座(10)に対して炭化珪素単結晶基板にて構成された種結晶(5)を配置し、前記反応容器(9)の一端部側から炭化珪素の原料ガス(3)を供給することにより、前記種結晶(5)の表面に炭化珪素単結晶(6)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記断熱材として、前記反応容器(9)の側壁を囲む筒状の側壁断熱材(12)と、前記側壁断熱材(12)と機械的に分離可能とされた円板部材からなり、多孔質材料で構成された吸収断熱材(13)と、を含むものを用い、
前記吸収断熱材(13)を、側壁が前記側壁断熱材(12)の内壁と接した状態で、前記反応容器(9)のうち前記一端部と反対側の他端部の端面に配置し、
前記反応容器(9)内に供給された前記原料ガス(3)のうち前記炭化珪素単結晶(6)の成長に寄与しなかった未反応原料ガスを、前記吸収断熱材(13)を介して前記真空容器(7)に備えられた流出口(4)から排気し、
前記反応容器(9)のうち前記他端部の端面に配置された前記吸収断熱材(13)の劣化状態を判定する工程と、
判定した結果に基づいて、当該吸収断熱材(13)と異なる新たな吸収断熱材(13)を前記反応容器(9)のうち前記他端部の端面に配置する工程と、を含むことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記円板部材の軸方向に形成された貫通孔(13a)を有する吸収断熱材(13)と、 筒状部材を用いて構成され、前記反応容器(9)の軸方向に移動可能とされていると共に、前記吸収断熱材(13)を保持する突出部(15a)を前記筒状部材の軸方向に複数備えることにより、複数の前記吸収断熱材(13)を同時に保持することのできる断熱材引き上げ機構(15)と、
前記吸収断熱材(13)を構成する円板部材が中心軸を中心にして径方向に複数に分割され、前記反応容器(9)のうち前記他端部の端面に配置された前記吸収断熱材(13)の側壁から前記反応容器(9)の軸方向と平行な方向に仮想線を引いたとき、前記側壁断熱材(12)のうち前記反応容器(9)の一端部側と反対側の端部であって、前記仮想線で囲まれる領域の外側に備えられている交換用断熱材(14)と、
前記真空容器(7)に備えられ、複数の前記交換用断熱材(14)をそれぞれ前記真空容器(7)の径方向に移動させ、前記断熱材引き上げ機構(15)が前記貫通孔(13a)内に配置される状態で、前記交換用断熱材(14)を組み合わせることにより新たな吸収断熱材(13)を構成すると共に、前記断熱材引き上げ機構(15)に当該新たな吸収断熱材(13)を保持させるスライド機構(17)と、を用意し、
前記新たな前記吸収断熱材(13)を前記反応容器(9)のうち前記他端部の端面に配置する工程では、前記断熱材引き上げ機構(15)により前記吸収断熱材(13)を前記反応容器(9)の底面に対して引き上げる工程と、当該吸収断熱材(13)と前記反応容器(9)の前記他端部との間に前記スライド機構(17)により前記交換用断熱材(14)を移動させると共に組み合わせて新たな吸収断熱材(13)を配置し、前記新たな吸収断熱材(13)を前記断熱材引き上げ機構(15)に保持する工程と、前記断熱材引き上げ機構(15)により前記新たな吸収断熱材(13)を前記反応容器(9)の底面に対して引き下げることにより、前記新たな吸収断熱材(13)を前記反応容器(9)のうち前記他端部の端面に配置する工程と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記吸収断熱材(13)の劣化状態を判定する工程では、前記反応容器(9)のうち前記他端部の端面に配置された前記吸収断熱材(13)の重量を検出し、検出された前記重量が所定の閾値より重いときに当該吸収断熱材(13)が劣化したと判定することを特徴とする請求項9または10に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記吸収断熱材(13)の劣化状態を判定する工程では、前記台座(10)、もしくは反応容器(9)の温度を検出し、検出された前記温度が所定の閾値より低いときに当該吸収断熱材(13)が劣化したと判定することを特徴とする請求項9または10に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記吸収断熱材(13)の劣化状態を判定する工程では、前記種結晶(5)の表面に成長する前記炭化珪素単結晶(6)の成長量を検出し、検出された前記成長量、および前記反応容器(9)内に供給された原料ガス(3)の供給量を用いて前記未反応ガスの現存量を演算し、前記未反応ガスの現存量が所定の閾値より多いときに前記吸収断熱材(13)が劣化したと判定することを特徴とする請求項9または10に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
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