JP5811013B2 - 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5811013B2 JP5811013B2 JP2012086575A JP2012086575A JP5811013B2 JP 5811013 B2 JP5811013 B2 JP 5811013B2 JP 2012086575 A JP2012086575 A JP 2012086575A JP 2012086575 A JP2012086575 A JP 2012086575A JP 5811013 B2 JP5811013 B2 JP 5811013B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- silicon carbide
- carbide single
- gas
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
図1に示すように、SiC単結晶製造装置1は、底部に備えられた流入口2を通じて原料ガス供給源3からの原料ガス3aを供給すると共に、上部の流出口4を通じて原料ガス3aのうちの未反応ガスを排出する。そして、SiC単結晶製造装置1は、装置内に配置したSiC単結晶基板からなる種結晶5上にSiC単結晶20を成長させることにより、SiC単結晶20のインゴットを形成する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してガスフロー形態を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してパーティクル生成機構およびパーティクル回収機構17を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対して冷却機構30を備えたものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して急激な温度勾配を形成するのではなく急激な流速変化を形成することでパーティクル生成機構を構成したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態と第5実施形態を適用した組み合わせたものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記各実施形態では、パーティクル生成機構とパーティクル回収機構17の組み合わせ例を示してきたが、上記した実施形態相互間においてその組み合わせを変えても良い。すなわち、第1実施形態などで示した仕切壁17aおよび容器17bを有したパーティクル回収機構17を第3、第5、第6実施形態に適用しても良い。また、第3実施形態などで示した吸着板17cを有したパーティクル回収機構17を第1、第2、第4〜第6実施形態に適用しても良い。また、第5実施形態などで示した吸引機17dや除害装置17fを有したパーティクル回収機構17を第1〜第4実施形態に適用しても良い。さらに、別のパーティクル回収機構17としても良い。例えば、パーティクル18の径よりも大きな気孔が無数に存在する多孔質材をパーティクル回収機構17として用いても良い。
5 種結晶
8 加熱容器
9 台座
11 回転引上ガス供給機構
12、13 第1、第2加熱装置
16 第3断熱材
17 パーティクル回収機構
18 パーティクル
20 SiC単結晶
21 排出口
22 排気用黒鉛
30 冷却機構
Claims (15)
- 真空容器(6)と、
前記真空容器内に配置され、反応室を構成する中空形状の加熱容器(8)と、
前記加熱容器内に配置された台座(9)と、
前記加熱容器の外周のうち前記台座と対応する位置に配置され、前記加熱容器を加熱する加熱装置(13)と、
前記台座に対して炭化珪素単結晶基板からなる種結晶(5)を設置し、前記加熱装置にて前記台座の周囲を加熱しつつ、前記真空容器に設けられた流入口(2)を通じて下方から前記種結晶の表面に炭化珪素の原料ガス(3a)を供給し、前記真空容器に設けられた流出口(4)を通じて排気ガスを排出することで前記種結晶の表面に炭化珪素単結晶(20)を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造装置であって、
前記炭化珪素単結晶の成長表面よりも前記原料ガスの流動方向下流側において、前記炭化珪素単結晶の成長表面よりも前記原料ガスの流動方向下流側をそれよりも上流側と比較して低温化し、前記成長表面の上下流間において温度勾配を形成することにより、前記原料ガスのうち前記炭化珪素単結晶の成長に用いられなかった未反応ガスをパーティクル化させてパーティクル(18)を生成するパーティクル生成機構(16、30)と、
前記パーティクル生成機構よりも前記原料ガスの流動方向下流側に配置され、前記排気ガスと共に流動してくる前記パーティクルをトラップすることで回収するパーティクル回収機構(17)と、を有していることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記加熱容器の上方からガス排気を行うアップフロー方式とされ、
前記パーティクル生成機構は、前記台座と対応する位置において、該台座を囲むように、前記加熱容器の内周壁から突き出す断熱材(16)によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記加熱容器の上方からガス排気を行うアップフロー方式とされ、
前記パーティクル生成機構は、前記台座と対応する位置において、該台座を囲むように配置された冷却機構(30)によって構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記炭化珪素単結晶の成長表面の高さにおいて、前記加熱容器の内外を連通させる排出口(21)を通じて前記炭化珪素単結晶の外周方向にガス排気を行うサイドフロー方式とされ、
前記パーティクル生成機構は、前記排出口によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記加熱容器の外周を囲む外周断熱材(10)を備え、
前記排出口は、前記加熱容器と前記外周断熱材の隙間もしくは孔によって構成された排気部(8c、10a)のみによって構成されていることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記パーティクル生成機構は、前記排出口のうちの出口側に備えられた冷却機構(30)も含んでいることを特徴とする請求項4または5に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 真空容器(6)と、
前記真空容器内に配置され、反応室を構成する中空形状の加熱容器(8)と、
前記加熱容器内に配置された台座(9)と、
前記加熱容器の外周のうち前記台座と対応する位置に配置され、前記加熱容器を加熱する加熱装置(13)と、
前記台座に対して炭化珪素単結晶基板からなる種結晶(5)を設置し、前記加熱装置にて前記台座の周囲を加熱しつつ、前記真空容器に設けられた流入口(2)を通じて下方から前記種結晶の表面に炭化珪素の原料ガス(3a)を供給し、前記真空容器に設けられた流出口(4)を通じて排気ガスを排出することで前記種結晶の表面に炭化珪素単結晶(20)を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造装置であって、
前記炭化珪素単結晶の成長表面よりも前記原料ガスの流動方向下流側において、前記炭化珪素単結晶の成長表面よりも前記原料ガスの流動方向下流側をそれよりも上流側と比較して流路の断面積を拡大し、前記未反応ガスの流速を低下させることにより、前記原料ガスのうち前記炭化珪素単結晶の成長に用いられなかった未反応ガスをパーティクル化させてパーティクル(18)を生成するパーティクル生成機構(21、30)と、
前記パーティクル生成機構よりも前記原料ガスの流動方向下流側に配置され、前記排気ガスと共に流動してくる前記パーティクルをトラップすることで回収するパーティクル回収機構(17)と、を有していることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記加熱容器の上方からガス排気を行うアップフロー方式とされ、
前記パーティクル生成機構は、円筒形状とされた前記加熱容器の内径を前記原料ガスの流動方向下流側において同上流側よりも拡大することによって構成されていることを特徴とする請求項7に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記炭化珪素単結晶の成長表面の高さにおいて、前記加熱容器の内外を連通させる排出口(21)を通じて前記炭化珪素単結晶の外周方向にガス排気を行うサイドフロー方式とされ、
前記パーティクル生成機構は、前記排出口を前記原料ガスの流動方向下流側において同上流側よりも拡大することによって構成されていることを特徴とする請求項7に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記パーティクル回収機構は、前記加熱容器内から前記流出口を通過する前記排気ガスの経路に対して垂直方向に延設された仕切壁(17a)と該仕切壁が内蔵された容器(17b)とを有した構成とされていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記パーティクル回収機構は、前記パーティクルの径よりも大きな気孔が無数に存在する多孔質材によって構成されていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記パーティクル回収機構は、前記パーティクルを静電吸着もしくは冷熱吸着する吸着板(17c)によって構成されていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記パーティクル回収機構は、前記パーティクルを吸引する吸引管(17e)を有する吸引機(17d)を有した構成とされていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 真空容器(6)と、
前記真空容器内に配置され、
反応室を構成する中空形状の加熱容器(8)と、
前記加熱容器内に配置された台座(9)と、
前記加熱容器の外周のうち前記台座と対応する位置に配置され、前記加熱容器を加熱する加熱装置(13)と、を有する製造装置を用いて炭化珪素単結晶(20)を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記台座に対して炭化珪素単結晶基板からなる種結晶(5)を設置し、前記加熱装置にて前記台座の周囲を加熱しつつ、前記真空容器に設けられた流入口(2)を通じて下方から前記種結晶の表面に炭化珪素の原料ガス(3a)を供給し、前記真空容器に設けられた流出口(4)を通じて排気ガスを排出することで前記種結晶の表面に炭化珪素単結晶(20)を結晶成長させると共に、
前記炭化珪素単結晶の成長表面よりも前記原料ガスの流動方向下流側に、前記炭化珪素単結晶の成長表面よりも前記原料ガスの流動方向下流側をそれよりも上流側と比較して低温化し、前記成長表面の上下流間において温度勾配を形成するパーティクル生成機構(16、30)を配置することにより、前記原料ガスのうち前記炭化珪素単結晶の成長に用いられなかった未反応ガスをパーティクル化させてパーティクル(18)を生成したのち、前記排気ガスと共に流動してくる前記パーティクルを前記パーティクル生成機構よりも前記原料ガスの流動方向下流側に配置されたパーティクル回収機構(17)にてトラップすることで回収することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 真空容器(6)と、
前記真空容器内に配置され、
反応室を構成する中空形状の加熱容器(8)と、
前記加熱容器内に配置された台座(9)と、
前記加熱容器の外周のうち前記台座と対応する位置に配置され、前記加熱容器を加熱する加熱装置(13)と、を有する製造装置を用いて炭化珪素単結晶(20)を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記台座に対して炭化珪素単結晶基板からなる種結晶(5)を設置し、前記加熱装置にて前記台座の周囲を加熱しつつ、前記真空容器に設けられた流入口(2)を通じて下方から前記種結晶の表面に炭化珪素の原料ガス(3a)を供給し、前記真空容器に設けられた流出口(4)を通じて排気ガスを排出することで前記種結晶の表面に炭化珪素単結晶(20)を結晶成長させると共に、
前記炭化珪素単結晶の成長表面よりも前記原料ガスの流動方向下流側に、前記炭化珪素単結晶の成長表面よりも前記原料ガスの流動方向下流側をそれよりも上流側と比較して流路の断面積を拡大し、前記未反応ガスの流速を低下させるパーティクル生成機構(21、30)を配置することにより、前記原料ガスのうち前記炭化珪素単結晶の成長に用いられなかった未反応ガスをパーティクル化させてパーティクル(18)を生成したのち、前記排気ガスと共に流動してくる前記パーティクルを前記パーティクル生成機構よりも前記原料ガスの流動方向下流側に配置されたパーティクル回収機構(17)にてトラップすることで回収することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012086575A JP5811013B2 (ja) | 2012-04-05 | 2012-04-05 | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012086575A JP5811013B2 (ja) | 2012-04-05 | 2012-04-05 | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013216516A JP2013216516A (ja) | 2013-10-24 |
JP5811013B2 true JP5811013B2 (ja) | 2015-11-11 |
Family
ID=49589115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012086575A Active JP5811013B2 (ja) | 2012-04-05 | 2012-04-05 | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5811013B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3922074B2 (ja) * | 2002-04-09 | 2007-05-30 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
JP4604728B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2011-01-05 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP5206694B2 (ja) * | 2010-01-06 | 2013-06-12 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 |
-
2012
- 2012-04-05 JP JP2012086575A patent/JP5811013B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013216516A (ja) | 2013-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111621851B (zh) | 碳化硅晶体的生长装置及生长方法 | |
JP4748067B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP4706565B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP5613604B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置、炭化珪素単結晶の製造方法及びその成長方法 | |
JP2012126612A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
EP2431505B1 (en) | Equipment for manufacturing silicon carbide single crystal | |
CN110424052A (zh) | 坩埚 | |
JP4604728B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
WO2013014920A1 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
JP4962074B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP3861853B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP3941727B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP5811013B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP3922074B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP5278302B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP5831339B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP5381957B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP5206694B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP6413925B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
JP4293109B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP6052051B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP5407899B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP5482669B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP5335074B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法及び多結晶シリコン製造用の反応炉 | |
JP5811012B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150818 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150831 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5811013 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |