CN111286785A - 晶体生长装置以及坩埚 - Google Patents

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CN111286785A CN201911227890.9A CN201911227890A CN111286785A CN 111286785 A CN111286785 A CN 111286785A CN 201911227890 A CN201911227890 A CN 201911227890A CN 111286785 A CN111286785 A CN 111286785A
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奥野好成
庄内智博
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Abstract

一种晶体生长装置，具备坩埚和加热部，所述坩埚具有主体部和辐射率与所述主体部的辐射率不同的第1部分，且在加热时能够将内部的特定区域的温度控制成比其它区域的温度高的温度或低的温度，所述加热部位于所述坩埚的外侧，且利用辐射热来加热所述坩埚，所述第1部分位于所述坩埚与将所述加热部的加热中心和所述特定区域连结的线段交叉的位置。

Description

晶体生长装置以及坩埚
技术领域
本发明涉及晶体生长装置以及坩埚。
本申请针对在2018年12月7日提交的日本国专利申请第2018-230183号要求优先权，在此援引其内容。
背景技术
碳化硅(SiC)与硅(Si)相比，绝缘击穿电场大1个数量级，带隙为3倍大。另外，碳化硅(SiC)具有与硅(Si)相比热导率为3倍左右高等的特性。因此，期待将碳化硅(SiC)应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。因此，近年来，在上述那样的半导体器件中使用SiC外延晶片。
SiC外延晶片通过在SiC单晶基板上采用化学气相沉积法(Chemical VaporDeposition：CVD)使成为SiC半导体器件的活性区域的SiC外延膜生长来制造。
SiC单晶基板通过切割SiC单晶来制作。该SiC单晶一般能够通过升华法来获得。升华法是下述方法：在配置在石墨制的坩埚内的台座上配置由SiC单晶构成的晶种，将通过加热坩埚而从坩埚内的原料粉末升华出的升华气体向晶种供给，使晶种生长成更大的SiC单晶。
近年来，伴随着市场的要求，SiC单晶的大口径化、长尺寸化的迫切期望也不断高涨。另外，在迫切期望SiC单晶的大口径化、长尺寸化的同时，也要求SiC单晶的高品质化以及生产效率的提高。
日本特开2008-290885号公报中记载了：在沿高度方向分割出的加热器之间设置分隔壁部。分隔壁部控制分割出的加热器间的热传导，控制从加热器向坩埚传递的辐射热，将晶种侧与原料侧绝热。日本特开2008-290885号公报所记载的碳化硅单晶的制造装置，利用分隔壁部来分别控制坩埚的晶种侧和原料侧。
另外，日本特开2015-212207号公报中记载了：在坩埚内配置绝热材料，该绝热材料阻挡从原料的中心部上面朝向晶种侧的热流动。绝热材料使原料整体的温度均匀化。
发明内容
然而，虽然日本特开2008-290885号公报所记载的分隔壁部能够抑制分割出的加热器间的热传导，将晶种侧与原料侧热分离，但不能够充分地控制与来自加热器的热辐射(热放射)相伴的坩埚内的温度分布。在使SiC单晶生长的温度区域中，与热传导相比，热辐射(热放射)的影响大。另外，日本特开2008-290885号公报所记载的分隔壁部，其目的是从温度的角度分离晶种侧与原料侧，但不能够控制坩埚内的特定区域的温度。另外，日本特开2015-212207号公报所记载的绝热材料是配置在坩埚内的，不能够自由地设计温度分布。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的是提供能够控制坩埚内的温度分布的晶体生长装置以及坩埚。
本发明人进行了专心研究，结果发现：通过将坩埚的规定的部分的辐射率相对于其它部分进行改变来控制热辐射的影响，能够控制坩埚内的温度分布。即，本发明为了解决上述课题，提供以下技术方案。
(1)第一方式涉及的晶体生长装置，具备坩埚和加热部，所述坩埚具备主体部和辐射率与所述主体部的辐射率不同的第1部分，且在加热时能够将内部的特定区域的温度控制成比其它区域的温度高的温度或低的温度，所述加热部位于所述坩埚的外侧，且利用辐射热来加热所述坩埚，所述第1部分位于所述坩埚与将所述加热部的加热中心和所述特定区域连结的线段交叉的位置。
(2)在上述(1)的方式涉及的晶体生长装置中，所述第1部分在所述坩埚与将所述加热部的加热中心和所述特定区域连结的线段交叉的位置的所述坩埚的外表面露出。
(3)在上述(1)或(2)的方式涉及的晶体生长装置中，所述特定区域为选自以下部分中的一个以上：收纳在所述坩埚内的原料的下部；在所述坩埚内被设置晶种的部分的径向的外侧的部分；控制原料气体从所述原料朝向所述晶种的流动且直径从所述原料的表面朝向所述晶种缩小的引导部，所述第1部分的辐射率比所述主体部的辐射率高。
(4)在上述(3)的方式涉及的晶体生长装置中，也可以：上述主体部的外表面是平坦面，上述第1部分的外表面是凹凸的。
(5)在上述(1)或(2)的方式涉及的晶体生长装置中，也可以：所述特定区域是在所述坩埚内被设置晶种的部分，所述第1部分的辐射率比所述主体部的辐射率低。
(6)在上述(5)的方式涉及的晶体生长装置中，也可以：所述主体部为石墨，所述第1部分为含有选自Ta、Mo、Nb、Hf、W和Zr中的元素的单质、碳化物、氮化物或混合物。
(7)在上述(5)或(6)的方式涉及的晶体生长装置中，也可以：上述主体部的外表面是凹凸的，上述第1部分的外表面是平坦面。
(8)在上述(1)～(7)的任一项的方式涉及的晶体生长装置中，上述第1部分的高度可以为上述坩埚的高度的50％以内。
(9)第2方式涉及的坩埚，具备主体部和辐射率与所述主体部的辐射率不同的第1部分，上述第1部分在外表面露出。
根据上述方式涉及的晶体生长装置，能够控制坩埚内的温度分布。
附图说明
图1是第1实施方式涉及的晶体生长装置的截面示意图。
图2是变形例1涉及的晶体生长装置的截面示意图。
图3是第2实施方式涉及的晶体生长装置的截面示意图。
图4是变形例2涉及的晶体生长装置的截面示意图。
图5是第3实施方式涉及的晶体生长装置的截面示意图。
图6是第4实施方式涉及的晶体生长装置的截面示意图。
附图标记说明
10、10A、50、50A：坩埚；11、11A、51、51A：主体部；12、12A：低辐射部；52、52A：高辐射部；13、53：晶体设置部；53S：结晶侧方部；54：引导部；20：绝热材料；30：加热部；40：支持体；100、100A、101、101A、102、103：晶体生长装置；S：晶种；C：单晶；K：生长空间；G：原料；p1：加热中心。
具体实施方式
以下，适当地参照附图，对本实施方式涉及的晶体生长装置以及坩埚进行详细说明。在以下的说明中使用的附图，为了容易理解本发明的特征，为方便起见有时放大地示出成为特征的部分，有时各构成要素的尺寸比率等与实际不同。在以下的说明中例示的材质、尺寸等为一例，本发明并不被它们限定，能够在不变更其主旨的范围适当地变更来实施。
(晶体生长装置)
(第1实施方式)
图1是第1实施方式涉及的晶体生长装置的截面示意图。图1所示的晶体生长装置100，具备坩埚10、绝热材料20、加热部30以及支持体40。在图1中，为了容易理解，同时地示出了原料G、晶种S以及在晶种S上结晶生长出的单晶C。
在以下的图示中，将与支持体40的支持坩埚10的支持面垂直的方向作为上下方向，将与上下方向垂直的方向作为径向。图1是以沿着支持体40的中心轴的任意的截面切割的截面图。
坩埚10包围使单晶C结晶生长的生长空间K。坩埚10具有主体部11、低辐射部12以及晶体设置部13。在利用升华法使单晶C结晶生长时，向坩埚10的底部填充原料G。晶体设置部13位于与原料G对向的位置。在利用升华法使单晶C结晶生长时，在晶体设置部13设置晶种S。通过从原料G升华出的原料气体在晶种S的表面再结晶化，从而结晶生长出单晶C。
主体部11是包围生长空间K的部分。主体部11由能够耐受使单晶C生长时的高温的材料构成。主体部11为例如石墨。石墨的升华温度为3550℃，极高，也能够耐受生长时的高温。
低辐射部12的辐射率比主体部11的辐射率低。辐射率也被称为放射率。辐射率是物体在热辐射中辐射的能量与相同温度的黑体辐射的能量之比，且是在将相同温度的黑体辐射的能量设为1时的比。若辐射率高则容易吸热，若辐射率低则难以吸热。低辐射部12是“第1部分”的一例。
低辐射部12例如包含含有选自Ta、Mo、Nb、Hf、W和Zr中的元素的单质、碳化物、氮化物或混合物。低辐射部12为例如TaC、Ta、W、WC、Mo、Mo2C、Nb、NbC。TaC的辐射率也取决于表面的形状、粗糙度、氧化的有无、测定温度以及测定波长等，但为例如0.1～0.5。另外，W的辐射率为例如0.1～0.3，Mo的辐射率为例如0.1～0.4。石墨的辐射率为例如0.7～0.95，比这些材料的辐射率高。
图1所示的低辐射部12，位于将晶体设置部13和加热部30连结的线段与坩埚10交叉的位置。线段的第1端是晶体设置部13的中心，第2端是加热部30的加热中心p1。晶体设置部13是“特定区域”的一例，是在坩埚10内被设置晶种S的部分。加热中心p1是加热部30的成为最高温的部分。在加热部30的温度在高度方向上均匀的情况下，例如，有时加热部30的上下方向的中心成为加热中心p1。
低辐射部12阻碍热辐射，抑制晶体设置部13成为高温。热辐射从发热部呈放射状地扩展。热辐射在加热部30的加热中心p1最强地产生。若低辐射部12位于将晶体设置部13和加热部30连结的线段上，则热辐射被低辐射部12阻碍，难以到达晶体设置部13。其结果，晶体设置部13成为比其它区域低的温度。
低辐射部12例如在坩埚10的外表面露出。坩埚10的外表面是来自加热部30的热辐射入射的面。热辐射较强地受到坩埚10的外表面的状态的影响。若低辐射部12在坩埚10的外表面露出，则低辐射部12能够抑制对晶体设置部13的热辐射的影响。低辐射部12也可以设置在坩埚10的内侧。
低辐射部12的高度h优选为坩埚10的高度的50％以内，更优选为30％以内。低辐射部12的高度h意指低辐射部12的上下方向的宽度。若低辐射部12的高度h为该范围，则能够控制特定区域的温度，并且能够充分加热其它区域。
绝热材料20覆盖坩埚10及加热部30的周围。通过绝热材料20保持坩埚10的温度。
绝热材料20优选由在2000℃以上的高温下热导率为10W/mK以下的材料构成。作为在2000℃以上的高温下热导率为10W/mK以下的材料，可列举石墨、以碳为主成分的毡材料。另外，绝热材料20优选为5W/mK以下的材料。
加热部30位于坩埚10的外侧。图1所示的加热部30位于坩埚10的径向外侧、绝热材料20的径向内侧。加热部30接受位于绝热材料20的外周的线圈(省略图示)产生的磁场，通过感应加热来加热。发热的加热部30自身成为热辐射的发生源，利用辐射热来加热坩埚10。加热部30例如为石墨构件。加热部30也被称为加热器。
支持体40位于坩埚10的下方，支持坩埚10。支持体40能够在径向上旋转。若支持体40通过驱动装置(省略图示)的作用而在径向上旋转，则坩埚10也与支持体40一起旋转。
根据第1实施方式涉及的晶体生长装置100，能够将坩埚10内的晶体设置部13控制成比其它区域低的温度。晶体设置部13是被设置晶种S、且单晶C进行结晶生长的部分。若晶体设置部13成为比其它区域低的温度，则促进单晶C的再结晶化，单晶C的生长量增加。
以上，对第1实施方式进行了详述，但本发明并不被特定的实施方式限定，能够在权利要求书所记载的本发明的主旨的范围内进行各种的变形、变更。
(变形例1)
图2是变形例1涉及的晶体生长装置100A的截面示意图。晶体生长装置100A，其坩埚10A的构成与晶体生长装置100的坩埚10不同。其它的构成是相同的，对于相同的构成，标注相同的标记并省略说明。
图2所示的坩埚10A具有主体部11A和低辐射部12A。主体部11A在其外表面(外侧面)形成有凹凸。与此相对，低辐射部12A的外表面是平坦面。
辐射率也根据物体的表面状态而变化。若在物体的表面形成有凹凸，则该部分的实效的辐射率增加。这是因为吸收来自加热部30的放射光的面积扩大的缘故。也就是说，因表面形状的不同，低辐射部12A的辐射率比主体部11A的辐射率低。
主体部11A和低辐射部12A可以由相同的材料构成，也可以由不同的材料构成。主体部11A及低辐射部12A所使用的材料，与第1实施方式中的主体部11及低辐射部12同样。例如，主体部11A及低辐射部12A也可以均由石墨构成、且仅表面形状不同。
低辐射部12A阻碍热辐射，抑制晶体设置部13成为高温。变形例1涉及的晶体生长装置100A，通过使晶体设置部13的温度为比其它区域低的温度，能够促进单晶C的再结晶化，使单晶C高效地生长。
(第2实施方式)
图3是第2实施方式涉及的晶体生长装置101的截面示意图。晶体生长装置101，其坩埚50的构成与晶体生长装置100的坩埚10不同。其它的构成是相同的，对于相同的构成，标注相同的标记并省略说明。
坩埚50具有主体部51、高辐射部52以及晶体设置部53。高辐射部52的辐射率比主体部51的辐射率高。高辐射部52是“第1部分”的一例。晶体设置部53与图1所示的晶体设置部13同等。高辐射部52的高度h与低辐射部12的高度同等。
高辐射部52例如包含辐射率比主体部51的辐射率高的材料。例如，可以将第1实施方式涉及的低辐射部12的材料用于主体部51，并将主体部11的材料用于高辐射部52。
图3所示的高辐射部52，位于将收纳在坩埚50内的原料G的下部(下部的中央部)和加热部30的加热中心p1连结的线段与坩埚50交叉的位置。收纳在坩埚50内的原料G的下部(下部的中央部)是“特定区域”的一例。原料G的下部例如是位于原料G的下方的部分。具体而言，原料G的下部例如是坩埚50的底面。原料G的下部的中央部例如是坩埚50的底面的径向的中心附近。
高辐射部52从主体部51吸收热辐射，原料G成为高温。若高辐射部52位于将原料G的下部的中央部和较强地产生热辐射的加热中心p1连结的线段上，则热辐射被高辐射部52高效地吸收。其结果，原料G的下部在原料G内成为较高的温度。
高辐射部52例如在坩埚50的外表面露出。坩埚50的外表面是来自加热部30的电磁波入射的面。热辐射较强地受到坩埚50的外表面的状态的影响。若高辐射部52在坩埚50的外表面露出，则原料G被高效地加热。高辐射部52也可以设置在坩埚50的内侧。
根据第2实施方式涉及的晶体生长装置101，能够将收纳在坩埚50内的原料G的下部控制成在原料G内较高的温度。当原料G被高效地加热时，原料G的升华量增加。原料G的升华量的增加带来单晶C的生长量的增加。
以上，对第2实施方式进行了详述，但本发明并不被特定的实施方式限定，能够在权利要求书所记载的本发明的主旨的范围内进行各种的变形、变更。
(变形例2)
图4是变形例2涉及的晶体生长装置101A的截面示意图。晶体生长装置101A，其坩埚50A的构成与晶体生长装置101的坩埚50不同。其它的构成是相同的，对于相同的构成，标注相同的标记并省略说明。
图4所示的坩埚50A具有主体部51A和高辐射部52A。主体部51A的外表面(外侧面)是平坦面。与此相对，高辐射部52A在其外表面形成有凹凸。辐射率也根据物体的表面状态而变化。因表面状态不同的影响，高辐射部52A的实效的辐射率比主体部51A的实效的辐射率高。
主体部51A和高辐射部52A可以由相同的材料构成，也可以由不同的材料构成。主体部51A及高辐射部52A所使用的材料，与第1实施方式中的主体部11及低辐射部12同样。例如，主体部51A及高辐射部52A也可以均由石墨构成、且仅表面形状不同。
高辐射部52A高效地吸收热辐射来加热原料G。变形例2涉及的晶体生长装置101A，通过使原料G成为高温，能够增加原料G的升华量，使单晶C高效地生长。
(第3实施方式)
图5是第3实施方式涉及的晶体生长装置102的截面示意图。晶体生长装置102，其高辐射部52的位置与晶体生长装置101不同。其它的构成是相同的，对于相同的构成，标注相同的标记并省略说明。
图5所示的高辐射部52，位于将结晶侧方部53S和加热部30的加热中心p1连结的线段与坩埚50交叉的位置。结晶侧方部53S是在坩埚50内被设置晶种S的晶体设置部53的径向的外侧的部分，优选沿着坩埚50的上面内壁配置。线段的第1端是结晶侧方部53S的径向的宽度的中心。结晶侧方部53S是“特定区域”的一例。
第3实施方式涉及的晶体生长装置102，能够将结晶侧方部53S控制成比其它区域高的温度。从原料G升华出的原料气体的一部分到达结晶侧方部53S。在结晶侧方部53S再结晶化了的晶体无助于单晶C的生长。反而原料气体损失了在结晶侧方部53S再结晶化了的量。当结晶侧方部53S被高效地加热时，能够抑制在结晶侧方部53S处的再结晶化，能够促进高效的单晶C的结晶生长。
第3实施方式涉及的晶体生长装置102，也可以与第2实施方式涉及的变形例2同样地，通过表面形状的不同而产生实效的辐射率的不同。
(第4实施方式)
图6是第4实施方式涉及的晶体生长装置103的截面示意图。晶体生长装置103，其高辐射部52的位置与晶体生长装置101不同，坩埚50具有引导部54这一点不同。其它的构成是相同的，对于相同的构成，标注相同的标记并省略说明。
引导部54控制原料气体从原料G朝向晶种S的流动。引导部54的直径从原料G的表面朝向晶种S缩小。引导部54主要由石墨材料构成。引导部54采用例如含有选自Ta、Mo、Nb、Hf、W和Zr中的元素的单质、碳化物、氮化物或混合物以及被这些材料涂敷了的石墨来形成。
图6所示的高辐射部52，位于将引导部54和加热部30的加热中心p1连结的线段与坩埚50交叉的位置。线段的第1端与引导部54的晶种S侧的端部连结。引导部54是“特定区域”的一例。
第4实施方式涉及的晶体生长装置103，能够将引导部54控制成比其它区域高的温度。从原料G升华出的原料气体沿引导部54流动，并到达单晶C。若在引导部54再结晶化了的晶体与单晶C接触，则单晶C产生缺陷、应变等。当引导部54被高效地加热时，能够抑制引导部54处的再结晶化。
第4实施方式涉及的晶体生长装置103，也可以与第2实施方式涉及的变形例2同样地通过表面形状的不同而产生实效的辐射率的不同。
以上，对本发明的优选的实施方式进行了详述，但本发明并不被特定的实施方式限定，能够在权利要求书所记载的本发明的主旨的范围内进行各种的变形、变更。
低辐射部12及高辐射部52例如利用涂敷来形成。涂敷能够在形成主体部11、51后在任意的部位进行。根据坩埚10、50内的构成(引导部54的有无、原料G的收纳量等)来设计低辐射部12及高辐射部52的涂敷部位。另外，通过涂敷而形成的低辐射部12及高辐射部52在坩埚10、50的外表面露出，能高效地获得阻碍或吸收热辐射的效果。
实施例
(比较例1)
通过模拟来再现图1所示的构成，求出加热坩埚时的坩埚内的温度。在模拟中，使用了通用FEM解析软件ANSYS Mechanical。
为了减少计算负荷，仅采用通过中心轴的任意的截面的一半(径向的一半)的结构进行了模拟。另外，在坩埚中不收纳原料G，以空的状态进行了模拟。模拟的条件如下。
坩埚外半径：150mm
坩埚厚度：10mm
坩埚高度：420mm
坩埚的主体部的辐射率：0.8(相当于石墨)
坩埚热导率：40W/mK
加热部的辐射率：0.8
加热部内半径：200mm(加热部与坩埚的距离d：50mm)
加热部的中心位置：加热部的高度方向的中心位置
加热部的中心温度：2400℃
(实施例1)
实施例1，设置了满足以下条件的低辐射部，仅这一点与比较例1不同。其它条件与比较例1同样。
低辐射部的高度：50mm
低辐射部的位置：将坩埚上面的中心和加热中心连结的线段与坩埚的的交点，与低辐射部的高度方向的中心高度一致
低辐射部的辐射率：0.2(相当于TaC)
(实施例2)
实施例2，将低辐射部的高度设为100mm，这一点与实施例1不同。其它条件与实施例1同样。
对比较例1、实施例1以及实施例2的结果进行比较，实施例1的晶体设置部的温度比比较例1的晶体设置部的温度低3.9℃，实施例2的晶体设置部的温度比比较例1的晶体设置部的温度低9.1℃。
(实施例3)
实施例3，设置了满足以下条件的高辐射部，仅这一点与比较例1不同。其它条件与比较例1同样。
高辐射部的高度：50mm
高辐射部的位置：将坩埚下面的中心和加热中心连结的线段与坩埚的交点，与高辐射部的高度方向的中心高度一致
高辐射部的辐射率：1.0
(实施例4)
实施例4，将高辐射部的高度设为100mm，这一点与实施例1不同。其它条件与实施例3同样。
对比较例1、实施例3以及实施例4的结果进行比较，实施例3的坩埚下面(对准所收纳的原料的中心)的温度比比较例1的坩埚下面的温度高0.6℃，实施例4的原料设置部的温度比比较例1的坩埚下面的温度高1.2℃。

Claims (16)

1.一种晶体生长装置，具备坩埚和加热部，
所述坩埚具备主体部和辐射率与所述主体部的辐射率不同的第1部分，且在加热时能够将内部的特定区域的温度控制成比其它区域的温度高的温度或低的温度，
所述加热部位于所述坩埚的外侧，且利用辐射热来加热所述坩埚，
所述第1部分位于所述坩埚与将所述加热部的加热中心和所述特定区域连结的线段交叉的位置。
2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，
所述第1部分在所述坩埚与将所述加热部的加热中心和所述特定区域连结的线段交叉的位置的所述坩埚的外表面露出。
3.根据权利要求1所述的晶体生长装置，
所述特定区域为选自以下部分中的一个以上：收纳在所述坩埚内的原料的下部；在所述坩埚内被设置晶种的部分的径向的外侧的部分；控制原料气体从所述原料朝向所述晶种的流动且直径从所述原料的表面朝向所述晶种缩小的引导部，
所述第1部分的辐射率比所述主体部的辐射率高。
4.根据权利要求2所述的晶体生长装置，
所述特定区域为选自以下部分中的一个以上：收纳在所述坩埚内的原料的下部；在所述坩埚内被设置晶种的部分的径向的外侧的部分；控制原料气体从所述原料朝向所述晶种的流动且直径从所述原料的表面朝向所述晶种缩小的引导部，
所述第1部分的辐射率比所述主体部的辐射率高。
5.根据权利要求3所述的晶体生长装置，
所述主体部的外表面是平坦面，
所述第1部分的外表面是凹凸的。
6.根据权利要求4所述的晶体生长装置，
所述主体部的外表面是平坦面，
所述第1部分的外表面是凹凸的。
7.根据权利要求1所述的晶体生长装置，
所述特定区域是在所述坩埚内被设置晶种的部分，
所述第1部分的辐射率比所述主体部的辐射率低。
8.根据权利要求2所述的晶体生长装置，
所述特定区域是在所述坩埚内被设置晶种的部分，
所述第1部分的辐射率比所述主体部的辐射率低。
9.根据权利要求7所述的晶体生长装置，
所述主体部为石墨，
所述第1部分为含有选自Ta、Mo、Nb、Hf、W和Zr中的元素的单质、碳化物、氮化物或混合物。
10.根据权利要求8所述的晶体生长装置，
所述主体部为石墨，
所述第1部分为含有选自Ta、Mo、Nb、Hf、W和Zr中的元素的单质、碳化物、氮化物或混合物。
11.根据权利要求7所述的晶体生长装置，
所述主体部的外表面是凹凸的，
所述第1部分的外表面是平坦面。
12.根据权利要求8所述的晶体生长装置，
所述主体部的外表面是凹凸的，
所述第1部分的外表面是平坦面。
13.根据权利要求9所述的晶体生长装置，
所述主体部的外表面是凹凸的，
所述第1部分的外表面是平坦面。
14.根据权利要求10所述的晶体生长装置，
所述主体部的外表面是凹凸的，
所述第1部分的外表面是平坦面。
15.根据权利要求1～14的任一项所述的晶体生长装置，
所述第1部分的高度为所述坩埚的高度的50％以内。
16.一种坩埚，具备主体部和辐射率与所述主体部的辐射率不同的第1部分，所述第1部分在外表面露出。
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