JP2022518858A - 半導体結晶成長装置 - Google Patents
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Abstract
Description
炉体と、
前記炉体の内部に設けられ、シリコン融液を保持する坩堝と、
前記炉体の上部に設けられ、前記シリコン融液内からシリコン結晶インゴットを引き上げる装置と
リフレクタ装置を備え、
前記リフレクタ装置は、下方部に内径が小さいの筒状であって、前記シリコン結晶インゴットの周囲に設けられ、前記炉体の上部から導入されるアルゴンガスを整流し、前記シリコン結晶インゴットと前記シリコン融液面との間の熱分布を調整するためのものである。リフレクタインサート装置は、前記リフレクタの下端部の内側に設けられ、前記リフレクタ装置と前記シリコン結晶インゴットとの間の最小距離を調整するための調整装置をさらに備えている。
炉体と、
前記炉体の内部に設けられ、シリコン融液を保持する坩堝と、
前記炉体の上部に設けられ、前記シリコン融液内からシリコン結晶インゴットを引き上げる装置と
リフレクタ装置を備え、
前記リフレクタ装置は、下方部に内径が小さいの筒状であって、前記シリコン結晶インゴットの周囲に設けられ、
、前記炉体の上部から導入されるアルゴンガスを整流し、前記シリコン結晶インゴットと前記シリコン融液面との間の熱分布を調整するためのものである。
リフレクタ調整インサート装置は、前記リフレクタの下端部の内側に設けられ、前記リフレクタ装置と前記シリコン結晶インゴットとの間の最小距離を調整するための調整インサート装置をさらに備えている。
Claims (13)
- 半導体結晶成長装置であって、
炉体と、
前記炉体の内部に設けられ、シリコン融液を保持する坩堝と、
前記炉体の上部に設けられ、前記シリコン融液内からシリコン結晶インゴットを引き上げる装置と
リフレクタ装置と、
を備え、
前記リフレクタ装置は、筒状であって、前記シリコン結晶インゴットの周囲に設けられ、前記炉体の上部から導入されるアルゴンガスを整流し、前記シリコン結晶インゴットと前記シリコン融液面との間の熱分布を調整するためのものである。調整インサート装置は、前記リフレクタの下端部の内側に設けられ、前記リフレクタ装置と前記シリコン結晶インゴットとの間の最小距離を調整するための調整装置をさらに備えた、
半導体結晶成長装置。 - 前記調整インサート装置は、前記流入筒の内側を囲うように設けられた環状装置を備えた、請求項1に記載の半導体結晶成長装置。
- 前記環状装置は、少なくとも2つの円弧状部材を接合して構成されている、請求項2に記載の半導体結晶成長装置。
- 前記調整インサート装置は、前記リフレクタに着脱可能に接続されている、請求項1に記載の半導体結晶成長装置。
- 前記リフレクタは、内筒、外筒、及び断熱材を備え、前記外筒の底部は、前記内筒の底部よりも下方に延び、前記内筒の底部と閉じることで、前記内筒と前記外筒との間に空洞を形成し、前記断熱材は前記空洞内に設けられている、請求項1に記載の半導体結晶成長装置。
- 前記調整インサート装置は、挿入部と突出部とを備え、前記挿入部は、前記外筒の前記底部のうち前記内筒の前記底部よりも下方に延在する部分と前記内筒の前記底部との間に挿入される、請求項5に記載の半導体結晶成長装置。
- 前記調整インサート装置は、断面が逆L字型、又は反時計回りに90°回転したT字型である、請求項6に記載の半導体結晶成長装置。
- 前記突出部は、逆三角形状とされ、又は前記シリコン結晶に向かって突出している形状とされる、請求項6に記載の半導体結晶成長装置。
- 前記突出部は、前記リフレクタの底部を越えて下方に延びている、請求項8に記載の半導体結晶成長装置。
- 前記突出部の前記リフレクタの底部を越えて下方に延びている形状は、内向きの凹型の曲面又は外向きの凸型の曲面を備えている、請求項8に記載の半導体結晶成長装置。
- 前記調整インサート装置の材料は、低熱伝導率の材料を含む、請求項1に記載の半導体結晶成長装置。
- 前記調整インサート装置の材料は、単結晶シリコン、グラファイト、石英、高融点金属、又は前記材料の組合せを含む、請求項10に記載の半導体結晶成長装置。
- 前記突出部は、前記シリコン結晶インゴットに面する側に低熱輻射係数の層を有し、前記調整インサート装置と前記シリコン結晶インゴット表面との間の輻射熱の伝達をさらに変更する、請求項9に記載の半導体結晶成長装置。
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