JPH0388794A - シリコン単結晶の引上げ方法および装置 - Google Patents
シリコン単結晶の引上げ方法および装置Info
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- JPH0388794A JPH0388794A JP22591389A JP22591389A JPH0388794A JP H0388794 A JPH0388794 A JP H0388794A JP 22591389 A JP22591389 A JP 22591389A JP 22591389 A JP22591389 A JP 22591389A JP H0388794 A JPH0388794 A JP H0388794A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分！ｌ！ｆ］
本発明は、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコ
ン単結晶の製造に際して、金属不純物によるシリコン単
結晶の汚染を防止するとともに、シリコン単結晶中の酸
化誘起積層欠陥（Ｏ８Ｆ）の発生を防止するための方法
および装置に関するものである。
ン単結晶の製造に際して、金属不純物によるシリコン単
結晶の汚染を防止するとともに、シリコン単結晶中の酸
化誘起積層欠陥（Ｏ８Ｆ）の発生を防止するための方法
および装置に関するものである。
［従来の技術］
単結晶の製造法として、坩堝内の融液から結ＩＴ＋を成
長させつつ引上げるＣＺ法が広く行われている。
長させつつ引上げるＣＺ法が広く行われている。
このＣＺ法において、引上げ中のシリコン単結晶を軸と
し、下端が該シリコン単結晶および融液に近接する逆円
錐状のカバーを設けることにより、坩堝壁からの幅斜熱
を遮断して結晶の引上げ速度を高めるとともに、融液か
らの蒸発物がシリコン単結晶の上方に行くのを遮り、該
蒸発物が凝縮落下してシリコン単結晶が有転位成長する
のを防止することが、特公昭５７−４０．１１９号公報
により知られている。しかしながら、このカバーは、赤
外線を反射させるためにタングステン、ニオブ、タンタ
ル、鋼、ニッケル、ゲルマニウムといった金属で作られ
ているので、これを設けたＣＺ法装置によりシリコン単
結晶を引上げると、カバーを構成する金属と融液から発
生したＳｉＯガスとの反応生成物が落下してシリコン融
液中に溶は込み、シリコン単結晶が金属汚染されるとい
う問題が生じる。
し、下端が該シリコン単結晶および融液に近接する逆円
錐状のカバーを設けることにより、坩堝壁からの幅斜熱
を遮断して結晶の引上げ速度を高めるとともに、融液か
らの蒸発物がシリコン単結晶の上方に行くのを遮り、該
蒸発物が凝縮落下してシリコン単結晶が有転位成長する
のを防止することが、特公昭５７−４０．１１９号公報
により知られている。しかしながら、このカバーは、赤
外線を反射させるためにタングステン、ニオブ、タンタ
ル、鋼、ニッケル、ゲルマニウムといった金属で作られ
ているので、これを設けたＣＺ法装置によりシリコン単
結晶を引上げると、カバーを構成する金属と融液から発
生したＳｉＯガスとの反応生成物が落下してシリコン融
液中に溶は込み、シリコン単結晶が金属汚染されるとい
う問題が生じる。
この問題を解決するために、前記カバーの外表面側を高
温で安定なセラミックスとすることにより金属汚染を回
避し、中間層をカーボン系の断熱材、内表面側を熱輻射
串の大きいカーボンとすることにより引上げ速度を高め
ることが、特開昭６２−１３８．３８６号公報において
提唱されている。
温で安定なセラミックスとすることにより金属汚染を回
避し、中間層をカーボン系の断熱材、内表面側を熱輻射
串の大きいカーボンとすることにより引上げ速度を高め
ることが、特開昭６２−１３８．３８６号公報において
提唱されている。
［発明が解決しようとする課題］
一般に使用されるシリコン単結晶でＮ型化したもの（Ｐ
ドープ材、無添加材、Ｐ型高抵抗材）は、引上げ中の結
晶の各部位の冷却速度が８００℃以下の温度域で５°Ｃ
／ｍｆｆ１ｎ以−にに速まると、Ｏ３Ｆの発生が著しく
なる。したがって、前記カバーを設けた装置でシリコン
単結晶の引上げを行うと、輻射熱が遮断されて冷却速度
が速くなりＯ５Ｆが発生し易くなるという問題がある。
ドープ材、無添加材、Ｐ型高抵抗材）は、引上げ中の結
晶の各部位の冷却速度が８００℃以下の温度域で５°Ｃ
／ｍｆｆ１ｎ以−にに速まると、Ｏ３Ｆの発生が著しく
なる。したがって、前記カバーを設けた装置でシリコン
単結晶の引上げを行うと、輻射熱が遮断されて冷却速度
が速くなりＯ５Ｆが発生し易くなるという問題がある。
従って、本発明はチョクラルスキー法（ＣＺ法）による
シリコン単結晶の製造に際して、不純物によるシリコン
単結晶の汚染を防止するとともに、シリコン単結晶中の
酸化誘起積層欠陥（ＯＳ Ｆ）発生を防止することを目
的とする。
シリコン単結晶の製造に際して、不純物によるシリコン
単結晶の汚染を防止するとともに、シリコン単結晶中の
酸化誘起積層欠陥（ＯＳ Ｆ）発生を防止することを目
的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明のシリコン単結晶の引上げ方法は、坩堝中の融液
からシリコン単結晶を引上げる方法において、引上げ中
の該シリコン単結晶と該坩堝の間を、下端が該シリコン
単結晶および該融液に近接し、下端部が不透明でその池
の部位が透明な非金属製表面の逆円錐管体で遮断するこ
とを特徴とする。
からシリコン単結晶を引上げる方法において、引上げ中
の該シリコン単結晶と該坩堝の間を、下端が該シリコン
単結晶および該融液に近接し、下端部が不透明でその池
の部位が透明な非金属製表面の逆円錐管体で遮断するこ
とを特徴とする。
本発明のシリコン単結晶の引」こげ装置は、坩堝中の融
液からシリコン単結晶を引上げる装置において、該シリ
コン単結晶の引上げ方向を軸とし、下端が該シリコン単
結晶および該融液に近接し、下端部が不透明でその他の
部位が透明な非金属製表面を有する逆円錐管体を取り付
けたことを特徴とする。本発明のシリコン単結晶の引上
げ装置はさらに、前記逆円錐管体が、下端部に表面が非
金属製の不透明体を取り付けた透明石英製の逆円錐管体
であることを特徴とする。
液からシリコン単結晶を引上げる装置において、該シリ
コン単結晶の引上げ方向を軸とし、下端が該シリコン単
結晶および該融液に近接し、下端部が不透明でその他の
部位が透明な非金属製表面を有する逆円錐管体を取り付
けたことを特徴とする。本発明のシリコン単結晶の引上
げ装置はさらに、前記逆円錐管体が、下端部に表面が非
金属製の不透明体を取り付けた透明石英製の逆円錐管体
であることを特徴とする。
以下、本発明の方法および装置を図面に基づきより詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は、本発明のシリコン単結晶引上げ装置の一実施
態様の構成を示す断面図である。
態様の構成を示す断面図である。
この実施態様のシリコン単結晶引上げ装置においては、
坩堝１中の融液２からシリコン単結晶３が引上げられ、
引上げ中のシリコン単結晶３と坩堝１の間には、透明石
英製の逆円錐管体４がシリコン単結晶３を軸として設け
られている。逆円錐管体４の下端部内周面には表面が非
金属製の不透明リング５が取り付けられ、不透明リング
５の下端がシリコン単結晶３および融液２に近接するよ
うに設けられている。第１図において、融液２は筒状の
ヒーター６で加熱され、筒状のインナーシールド７およ
びアウターシールド８で覆われている。逆円錐管体４は
、インナーシールド７およびアウターシールド８の上に
設けられた支持台９に支持されている。１０は単結晶を
生長させる種粘晶である。
坩堝１中の融液２からシリコン単結晶３が引上げられ、
引上げ中のシリコン単結晶３と坩堝１の間には、透明石
英製の逆円錐管体４がシリコン単結晶３を軸として設け
られている。逆円錐管体４の下端部内周面には表面が非
金属製の不透明リング５が取り付けられ、不透明リング
５の下端がシリコン単結晶３および融液２に近接するよ
うに設けられている。第１図において、融液２は筒状の
ヒーター６で加熱され、筒状のインナーシールド７およ
びアウターシールド８で覆われている。逆円錐管体４は
、インナーシールド７およびアウターシールド８の上に
設けられた支持台９に支持されている。１０は単結晶を
生長させる種粘晶である。
この実施態様におけるように、本発明に係わる逆円錐管
体４の透明部は、透明石英から構成されることが望まし
く、一方、不透明部を構成する材料としては、黒鉛、セ
ラミックスなどが用いられる。なお、逆円錐管体４の透
明部および不透明部はともに、少なくともその表面が上
記したような非金属材料から構成されていればより、不
透明部は金属材料に石英やセラミックスなどを被覆した
ものであってもよい。本発明における透明とは、ヒータ
ー、坩堝あるいは融液からの輻射熱を透過するもの、不
透明とは輻射熱を遮ぎるものである。
体４の透明部は、透明石英から構成されることが望まし
く、一方、不透明部を構成する材料としては、黒鉛、セ
ラミックスなどが用いられる。なお、逆円錐管体４の透
明部および不透明部はともに、少なくともその表面が上
記したような非金属材料から構成されていればより、不
透明部は金属材料に石英やセラミックスなどを被覆した
ものであってもよい。本発明における透明とは、ヒータ
ー、坩堝あるいは融液からの輻射熱を透過するもの、不
透明とは輻射熱を遮ぎるものである。
第２図は、本発明のシリコン単結晶引上げ装置の別の実
施態様の構成を示す断面図である。
施態様の構成を示す断面図である。
この実施態様のシリコン単結晶引上げ装置における構成
は、逆円錐管体４が、透明石英製外周部材４ａと透明石
英製内周部材４ｂの各下端部間に非金属製の不透明リン
グ５を挟持してなるものを用いた以外は前記第１図に示
す実施態様における構成と同様のものである。この実施
態様におけるように逆円錐管体の下端部に取付けた非金
属製の不透明体が、石英により被覆されていることは、
融液の汚染を防止するうえからより好ましいものである
。
は、逆円錐管体４が、透明石英製外周部材４ａと透明石
英製内周部材４ｂの各下端部間に非金属製の不透明リン
グ５を挟持してなるものを用いた以外は前記第１図に示
す実施態様における構成と同様のものである。この実施
態様におけるように逆円錐管体の下端部に取付けた非金
属製の不透明体が、石英により被覆されていることは、
融液の汚染を防止するうえからより好ましいものである
。
本発明のシリコン単結晶の引上げ方法は、上記のごとき
構成の装置を用いてＣＺ法に基づき行なわれるが、引上
げ中のシリコン単結晶３の各部位の冷却速度は、８００
℃以下の温度域で４℃／ｍｉｎ以下とするが、Ｏ８Ｆの
発生を防止するために好ましい。
構成の装置を用いてＣＺ法に基づき行なわれるが、引上
げ中のシリコン単結晶３の各部位の冷却速度は、８００
℃以下の温度域で４℃／ｍｉｎ以下とするが、Ｏ８Ｆの
発生を防止するために好ましい。
［作用］
本発明のシリコン単結晶の引上げ方法および装置による
と、第１〜２図に示すように、シリコン単結晶３と坩堝
１の間に、下端がシリコン単結晶３および融液２に近接
する逆円錐管体４が設けられているので、融液２からの
蒸発物によって引上げ中のシリコン単結晶３に転位が発
生するのを防止することが出来る。そして逆円錐管体４
の表面は非金属製なので、融液２から蒸発したＳｉＯが
触れても反応生成物が出来ず、融液２の金属汚染が防止
される。さらに、逆円錐管体４の下端部が不透明でその
他の部位が透明なので、シリコン単結晶３は、融液２か
ら引−しげられた直後には融液２および坩堝１から受け
る輻射熱が不透明部により遮られて引上げ速度が早めら
れ、その後は透門部によって適度に遮られるため、引上
げ中のシリコン単結晶３の各部位の冷却速度が５℃／１
ｇ１ｎよりも遅い適度な速度に調整され、Ｏ３Ｆの発生
が防止される。
と、第１〜２図に示すように、シリコン単結晶３と坩堝
１の間に、下端がシリコン単結晶３および融液２に近接
する逆円錐管体４が設けられているので、融液２からの
蒸発物によって引上げ中のシリコン単結晶３に転位が発
生するのを防止することが出来る。そして逆円錐管体４
の表面は非金属製なので、融液２から蒸発したＳｉＯが
触れても反応生成物が出来ず、融液２の金属汚染が防止
される。さらに、逆円錐管体４の下端部が不透明でその
他の部位が透明なので、シリコン単結晶３は、融液２か
ら引−しげられた直後には融液２および坩堝１から受け
る輻射熱が不透明部により遮られて引上げ速度が早めら
れ、その後は透門部によって適度に遮られるため、引上
げ中のシリコン単結晶３の各部位の冷却速度が５℃／１
ｇ１ｎよりも遅い適度な速度に調整され、Ｏ３Ｆの発生
が防止される。
［実施例］
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
（実施例１）
第１図に示す装置において、外側から黒鉛坩堝１ｂで補
強された内側直径１６インチの石英坩堝１ａに、原料と
して４５ｋｇの多結晶シリコンを装入して溶融し、直径
１３０ＩＩＩＩ１１のシリコン単結晶３を引き一ヒげた
。透明石英製の逆円錐管体４の下端部には、内面側に黒
鉛製の不透明リング５を取り付け、シリコン単結晶３と
逆円錐管体４下端との間隙にＡｒガスを矢印の方向に流
量１５〜１００Ｄ ／ｌｌ１ｉｎで流し、装置内を内圧
５〜３０ミリバールのＡｒガス雰囲気とした。
強された内側直径１６インチの石英坩堝１ａに、原料と
して４５ｋｇの多結晶シリコンを装入して溶融し、直径
１３０ＩＩＩＩ１１のシリコン単結晶３を引き一ヒげた
。透明石英製の逆円錐管体４の下端部には、内面側に黒
鉛製の不透明リング５を取り付け、シリコン単結晶３と
逆円錐管体４下端との間隙にＡｒガスを矢印の方向に流
量１５〜１００Ｄ ／ｌｌ１ｉｎで流し、装置内を内圧
５〜３０ミリバールのＡｒガス雰囲気とした。
その結果、引Ｊ二げ速度１ 、 ５ ｍｍ／ｗｉｎでシ
リコン単結晶棒が得られ、引上げ中の転位発生が防止さ
れ、また金属汚染も防止された。さらに、第１表に示す
ように、Ｏ３Ｆ密度が従来法によって得られたものより
も著しく減少した。なお、従来法は、逆円錐管体４とし
て全体が不透明な断熱材料からなるものを使用した以外
は、本実施例と同様に行なったものである。Ｏ８Ｆ密度
は、シリコン単結晶を湿潤酸素ガス中で１０００℃６０
分加熱した後、顕微鏡観察により測定した。
リコン単結晶棒が得られ、引上げ中の転位発生が防止さ
れ、また金属汚染も防止された。さらに、第１表に示す
ように、Ｏ３Ｆ密度が従来法によって得られたものより
も著しく減少した。なお、従来法は、逆円錐管体４とし
て全体が不透明な断熱材料からなるものを使用した以外
は、本実施例と同様に行なったものである。Ｏ８Ｆ密度
は、シリコン単結晶を湿潤酸素ガス中で１０００℃６０
分加熱した後、顕微鏡観察により測定した。
（実施例２）
第２図に示す装置において、外側から黒鉛坩堝１ｂで補
強された内側直径１６インチの石英坩堝１ａに、原料と
して４５ｋｇの多結晶シリコンを装入して溶融し、直径
１．３０ｍｍのシリコン単結晶３を引き」二げた。透明
石英製の逆円錐管体４を外周部４ａと内周部４ｂεで構
成し、各下端部の間に黒鉛製の不透明リング５を挟んで
取り付け、シリコン単結晶３と逆円錐管体４下端との間
隙にＡｒガスを矢印の方向に流量１５〜１００Ω／ｗｉ
ｎで流し、装置内を内圧５〜３０ミリバールのＡｒガス
雰囲気とした。
強された内側直径１６インチの石英坩堝１ａに、原料と
して４５ｋｇの多結晶シリコンを装入して溶融し、直径
１．３０ｍｍのシリコン単結晶３を引き」二げた。透明
石英製の逆円錐管体４を外周部４ａと内周部４ｂεで構
成し、各下端部の間に黒鉛製の不透明リング５を挟んで
取り付け、シリコン単結晶３と逆円錐管体４下端との間
隙にＡｒガスを矢印の方向に流量１５〜１００Ω／ｗｉ
ｎで流し、装置内を内圧５〜３０ミリバールのＡｒガス
雰囲気とした。
その結果、引」二げ速度１ 、 ５ ｍｍ／ｍｉｎでシ
リコン単結晶棒が得られ、引上げ中の転位発生が防止さ
れ、また金属汚染も防止された。さらに、第１表に示す
ように、Ｏ８Ｆ密度が従来法よりも著しく減少した。
リコン単結晶棒が得られ、引上げ中の転位発生が防止さ
れ、また金属汚染も防止された。さらに、第１表に示す
ように、Ｏ８Ｆ密度が従来法よりも著しく減少した。
５１ノ
１
表
［発明の効果］
本発明により、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によるシ
リコン単結晶の製造に際して、単結晶の引上げ速度が向
上し、引上げ中の結晶欠陥発生が防止されて単結晶のフ
リー化率が向上し、さらに、単結晶の金属汚染が防止さ
れるとともに、単結晶中の酸化誘起積層欠陥（ＯＳ Ｆ
）発生が防止される。
リコン単結晶の製造に際して、単結晶の引上げ速度が向
上し、引上げ中の結晶欠陥発生が防止されて単結晶のフ
リー化率が向上し、さらに、単結晶の金属汚染が防止さ
れるとともに、単結晶中の酸化誘起積層欠陥（ＯＳ Ｆ
）発生が防止される。
第１図および第２図は本発明の実施列を示す図である。
１・・・坩堝、１ａ・・・石英坩堝、１ｂ・・・黒鉛坩
堝、２・・・融液、３・・・シリコン単結晶、４・・・
逆円錐管体、４ａ・・・逆円錐管体外周部材、 ４ｂ・・・逆円錐管体内周部材、 ５・・・不透明リング、 ６・・・ヒーター、 ７・・・インナーシールド、 ８・・・アウターシールド、 ９・・・支持台、 １０・・・種結晶。
堝、２・・・融液、３・・・シリコン単結晶、４・・・
逆円錐管体、４ａ・・・逆円錐管体外周部材、 ４ｂ・・・逆円錐管体内周部材、 ５・・・不透明リング、 ６・・・ヒーター、 ７・・・インナーシールド、 ８・・・アウターシールド、 ９・・・支持台、 １０・・・種結晶。
Claims (3)
- （１）坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げる方法
において、引上げ中の該シリコン単結晶と該坩堝の間を
、下端が該シリコン単結晶および該融液に近接し、下端
部が不透明でその他の部位が透明な非金属製表面を有す
る逆円錐管体で遮蔽することを特徴とするシリコン単結
晶の引上げ方法。 - （２）坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げる装置
において、該シリコン単結晶の引上げ方向を軸とし、下
端が該シリコン単結晶および該融液に近接し、下端部が
不透明でその他の部位が透明な非金属製表面を有する逆
円錐管体を取り付けたことを特徴とするシリコン単結晶
の引上げ装置。 - （３）前記逆円錐管体が、下端部に表面が非金属製の不
透明体を取り付けた透明石英製の逆円錐管体である請求
項２に記載のシリコン単結晶の引上げ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22591389A JPH0388794A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | シリコン単結晶の引上げ方法および装置 |
| EP19900309588 EP0417948A3 (en) | 1989-08-31 | 1990-08-31 | Method and apparatus for pulling up silicon single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22591389A JPH0388794A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | シリコン単結晶の引上げ方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388794A true JPH0388794A (ja) | 1991-04-15 |
Family
ID=16836850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22591389A Pending JPH0388794A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | シリコン単結晶の引上げ方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0417948A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0388794A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5575847A (en) * | 1993-11-30 | 1996-11-19 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus for producing single crystals |
| US5683505A (en) * | 1994-11-08 | 1997-11-04 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing single crystals |
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| JP2022518858A (ja) * | 2019-02-01 | 2022-03-16 | ヅィング セミコンダクター コーポレーション | 半導体結晶成長装置 |
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|---|---|---|---|---|
| US5373805A (en) * | 1991-10-17 | 1994-12-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single crystal pulling apparatus |
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| EP0765954B1 (de) * | 1995-09-26 | 1999-04-28 | Balzers und Leybold Deutschland Holding Aktiengesellschaft | Kristallziehanlage |
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS62138384A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の引上方法 |
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-
1989
- 1989-08-31 JP JP22591389A patent/JPH0388794A/ja active Pending
-
1990
- 1990-08-31 EP EP19900309588 patent/EP0417948A3/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5575847A (en) * | 1993-11-30 | 1996-11-19 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus for producing single crystals |
| US5683505A (en) * | 1994-11-08 | 1997-11-04 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing single crystals |
| JP2007314375A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置 |
| JP2022518858A (ja) * | 2019-02-01 | 2022-03-16 | ヅィング セミコンダクター コーポレーション | 半導体結晶成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0417948A3 (en) | 1991-07-24 |
| EP0417948A2 (en) | 1991-03-20 |
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