JPS62138386A - 単結晶の引上装置 - Google Patents
単結晶の引上装置Info
- Publication number
- JPS62138386A JPS62138386A JP27862985A JP27862985A JPS62138386A JP S62138386 A JPS62138386 A JP S62138386A JP 27862985 A JP27862985 A JP 27862985A JP 27862985 A JP27862985 A JP 27862985A JP S62138386 A JPS62138386 A JP S62138386A
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- Japan
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- screen
- carbon
- single crystal
- crucible
- insulating
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上のＪ
本発明はチョクラルスキー法による単結晶の引上装置に
関するもので、特には単結晶棒を高速に引き上げる技術
に加えて、不純物による結晶の汚染を抑え、単結晶化を
阻害することのない引上装置に係わるものである。
関するもので、特には単結晶棒を高速に引き上げる技術
に加えて、不純物による結晶の汚染を抑え、単結晶化を
阻害することのない引上装置に係わるものである。
従米立技嵐
チョクラルスキー法による単結晶の引上装置において、
赤外線放射を反射し得る金属または金属表面を有する材
料で構成された輻射スクリーンを、ルツボの上部に設置
して引き上げることにより、単結晶化が促進され引上速
度を早めることができるほか、単結晶中のカーボン濃度
を抑え得ることが知られている（特公昭５７−４０１１
９号公報参照）。
赤外線放射を反射し得る金属または金属表面を有する材
料で構成された輻射スクリーンを、ルツボの上部に設置
して引き上げることにより、単結晶化が促進され引上速
度を早めることができるほか、単結晶中のカーボン濃度
を抑え得ることが知られている（特公昭５７−４０１１
９号公報参照）。
またこれに関連した技術として、輻射スクリーンを昇降
かつ旋回し得るように構成し、溶融時に融液の飛沫が引
上単結晶に付着するのを防止して、単結晶化を阻害しな
いようにした装置も知られている（特公昭５ｇ−１０８
０号公報参照）。
かつ旋回し得るように構成し、溶融時に融液の飛沫が引
上単結晶に付着するのを防止して、単結晶化を阻害しな
いようにした装置も知られている（特公昭５ｇ−１０８
０号公報参照）。
■が解゛ しようとする間 膏
しかしながら、前記公知の装置を用いてシリコン単結晶
を引き上げる場合、つぎのような欠点がある。
を引き上げる場合、つぎのような欠点がある。
（１）輻射スクリーンは、融体から発生するＳｉ○除去
のために流されるアルゴンガスを整流し、ルツボ上端内
壁に付着するＳｉＯを効率よく排除する効果があるが、
輻射スクリーン自体にＳｉＯが付着凝縮し、これが融体
表面に落下して単結晶化を阻害する。
のために流されるアルゴンガスを整流し、ルツボ上端内
壁に付着するＳｉＯを効率よく排除する効果があるが、
輻射スクリーン自体にＳｉＯが付着凝縮し、これが融体
表面に落下して単結晶化を阻害する。
（２）単結晶引上の進行に伴いルツボ内融液の深さが低
下するので、ヒーター固定型の引上機では。
下するので、ヒーター固定型の引上機では。
融液界面の位置をヒーターに対して相対的に一定に保つ
ために、ルツボを上昇する必要があるが、これにともな
いルツボと輻射スクリーンが接触しないように輻射スク
リーンを高くするように調節しなければならない。この
動きにより、融液から離れた比較的温度の低い輻射スク
リーン表面に付着凝縮したＳｉＯが、融液に落下して、
単結晶化の阻害を速める。
ために、ルツボを上昇する必要があるが、これにともな
いルツボと輻射スクリーンが接触しないように輻射スク
リーンを高くするように調節しなければならない。この
動きにより、融液から離れた比較的温度の低い輻射スク
リーン表面に付着凝縮したＳｉＯが、融液に落下して、
単結晶化の阻害を速める。
（３）前記公知の装置においては、スクリーンの材質が
赤外線放射を反射し得る金属または金属表面を有する材
料から構成されるが、重金属を使用するとシリコンのよ
うな単結晶を引き上げる際には、それが単結晶中に混入
しきわめて有害であり、デバイスに加工されたときに電
気的に深い準位の欠陥を作り、デバイスの電気特性に悪
い影響を与えるので、これを避けなければならない。ま
た前記公知の方法ではゲルマニウム（Ｇｏ）が良いと記
載されているが、シリコン単結晶を引き上げる場合には
、融液より１５ｗａ程度離れた単結晶表面は約１３００
℃の温度であり、Ｇａ（融点９５８．５℃）が融けてし
まうため実用にならない。
赤外線放射を反射し得る金属または金属表面を有する材
料から構成されるが、重金属を使用するとシリコンのよ
うな単結晶を引き上げる際には、それが単結晶中に混入
しきわめて有害であり、デバイスに加工されたときに電
気的に深い準位の欠陥を作り、デバイスの電気特性に悪
い影響を与えるので、これを避けなければならない。ま
た前記公知の方法ではゲルマニウム（Ｇｏ）が良いと記
載されているが、シリコン単結晶を引き上げる場合には
、融液より１５ｗａ程度離れた単結晶表面は約１３００
℃の温度であり、Ｇａ（融点９５８．５℃）が融けてし
まうため実用にならない。
（４）また、ルツボ中への原料の充填を容易化し、充填
時に飛沫が付着しないように輻射スクリーンを昇降し、
あるいは旋回させるｎ＋ｙを設けた装置（特公昭５ｇ−
１０８０号公報参照）では、スクリーンを上昇したとき
にスクリーン自体が冷却されるため、スクリーン下表面
へのＳｉＯの付着はどうしても避けられず、またスクリ
ーンを動かすことによってＳｉＯが落下し、単結晶化阻
害の原因となる。
時に飛沫が付着しないように輻射スクリーンを昇降し、
あるいは旋回させるｎ＋ｙを設けた装置（特公昭５ｇ−
１０８０号公報参照）では、スクリーンを上昇したとき
にスクリーン自体が冷却されるため、スクリーン下表面
へのＳｉＯの付着はどうしても避けられず、またスクリ
ーンを動かすことによってＳｉＯが落下し、単結晶化阻
害の原因となる。
−１点を解決するための手
本発明者は上記問題点を解消するため検討を重ねた結果
１石英ルツボが大口径化しかつ高さが高くなった場合に
、輻射スクリーンおよびその支持部にＳｉＯを付着させ
ないために、輻射スクリーン材を断熱化し、さらに輻射
スクリーンによる重金属汚染を抑えるために、その外表
面に重金属以外の高温に耐え得る材質のものを使うこと
により前記問題点を解消することに成功し１本発明を達
成したもので、これはチョクラルスキー法による単結晶
引上装置において、該単結晶棒を取囲み。
１石英ルツボが大口径化しかつ高さが高くなった場合に
、輻射スクリーンおよびその支持部にＳｉＯを付着させ
ないために、輻射スクリーン材を断熱化し、さらに輻射
スクリーンによる重金属汚染を抑えるために、その外表
面に重金属以外の高温に耐え得る材質のものを使うこと
により前記問題点を解消することに成功し１本発明を達
成したもので、これはチョクラルスキー法による単結晶
引上装置において、該単結晶棒を取囲み。
下端開口が融体面に近接し、その上端が外方へ断面三角
形もしくは弧状に曲折されてルツボの頂部周辺をカバー
するほぼ逆円錐形の断熱複層構造の輻射スクリーンを設
けてなる単結晶の引上装置である。
形もしくは弧状に曲折されてルツボの頂部周辺をカバー
するほぼ逆円錐形の断熱複層構造の輻射スクリーンを設
けてなる単結晶の引上装置である。
以下本発明を図面によって詳しく説明する。
第１図において１石英ルツボ１は黒鉛ルツボ２の中に埋
め込まれており、軸３によって上下動または垂直軸まわ
りに回転でき、ルツボのまわりに配設されたヒーター４
は軸５によって上下し得る。
め込まれており、軸３によって上下動または垂直軸まわ
りに回転でき、ルツボのまわりに配設されたヒーター４
は軸５によって上下し得る。
石英ルツボ１内には、たとえばシリコンの融体６が存在
し、これからシリコン単結晶棒７が引き上げられる。８
は種結晶である。９はヒーターの外方への輻射をさえぎ
るためのカーボンとカーボンフェルトよりなる断熱材で
あり、その上にカーボン・カーボンフェルト・カーボン
の３重断熱構造をもつスクリーン補助室１０と、スクリ
ーン支え１１を載置する。輻射スクリーン１２の下端開
口は融体表面に近接しており、そこから上方に向かって
拡開して上端は断面三角形または弧状を呈したリム状環
を形成し、スクリーン支えで支えられる。スクリーンの
構造は多層構造となっており、第１図のＡ−Ａ’線を通
る横断面図である第２図において明らかなように、スク
リーン外表面１３は、高温のＳｉＯ蒸気にさらされるた
め、窒化珪素（ｓｉ３Ｎ、）、炭化珪素（ＳｉＣ）また
は窒化ホウ素（ＢＮ）等のセラミックスかあるいはカー
ボン上にＳｉ、Ｎ４．ＳｉＣまたはＢＮをコーティング
したものからなる。これらのセラミックスは、輻射率が
約０．５以上で融体からの熱−輻射を完全に防ぐまでに
は到らないとしても良好な遮熱効果を有し、高温におい
ても安定であって、金属材料製のものと異なり、シリコ
ン単結晶中に不純物が混入されることがほとんどない。
し、これからシリコン単結晶棒７が引き上げられる。８
は種結晶である。９はヒーターの外方への輻射をさえぎ
るためのカーボンとカーボンフェルトよりなる断熱材で
あり、その上にカーボン・カーボンフェルト・カーボン
の３重断熱構造をもつスクリーン補助室１０と、スクリ
ーン支え１１を載置する。輻射スクリーン１２の下端開
口は融体表面に近接しており、そこから上方に向かって
拡開して上端は断面三角形または弧状を呈したリム状環
を形成し、スクリーン支えで支えられる。スクリーンの
構造は多層構造となっており、第１図のＡ−Ａ’線を通
る横断面図である第２図において明らかなように、スク
リーン外表面１３は、高温のＳｉＯ蒸気にさらされるた
め、窒化珪素（ｓｉ３Ｎ、）、炭化珪素（ＳｉＣ）また
は窒化ホウ素（ＢＮ）等のセラミックスかあるいはカー
ボン上にＳｉ、Ｎ４．ＳｉＣまたはＢＮをコーティング
したものからなる。これらのセラミックスは、輻射率が
約０．５以上で融体からの熱−輻射を完全に防ぐまでに
は到らないとしても良好な遮熱効果を有し、高温におい
ても安定であって、金属材料製のものと異なり、シリコ
ン単結晶中に不純物が混入されることがほとんどない。
これらのセラミックスの純度は特に超高純度である必要
はなく、たとえばＳｉ、Ｎ４の場合には９９％程度の純
度のものでよい。
はなく、たとえばＳｉ、Ｎ４の場合には９９％程度の純
度のものでよい。
つぎに、輻射スクリーンの中間層Ｉ４はカーボン系の断
熱材たとえばカーボンフェルトによって構成される。こ
の中間層は外表面１３としてＳｉ３Ｎ。
熱材たとえばカーボンフェルトによって構成される。こ
の中間層は外表面１３としてＳｉ３Ｎ。
のような熱伝導性の悪い材料を被覆しあるいは複合させ
た場合にはこれを省略することもできる。
た場合にはこれを省略することもできる。
さらに輻射スクリーンの内表面（すなわち融体と反対の
面）１５は熱輻射率が大きくかつ熱伝導性の良い材料た
とえばカーボン、ＳｉＣなどによって構成される。Ｓｉ
、Ｎ４は熱伝導率が悪いが、輻射率が０．５と大きいの
で充分使用の目的に耐える。
面）１５は熱輻射率が大きくかつ熱伝導性の良い材料た
とえばカーボン、ＳｉＣなどによって構成される。Ｓｉ
、Ｎ４は熱伝導率が悪いが、輻射率が０．５と大きいの
で充分使用の目的に耐える。
また、内表面１５はアルゴンガスで常にパージされＳｉ
Ｏの蒸気にさらされることがないので、外表面はど材料
の選定は厳しくなくてもよい。スクリーン補助室１０、
スクリーン支え１１．および輻射スクリーン１２を断熱
構造とすることにより、引き上げ中それらに付着するＳ
ｉＯのごみを最小限にすることができ、導入口１６より
入れたアルゴンガスは、矢印のように単結晶周囲、融体
表面、ルツボ上端内壁面を洗って排出口１７より系外に
排出されるが、スクリーン本来の目的であるアルゴンガ
スの整流性と、成長界面近くからＳｉＯを排出する能力
によって単結晶化が大幅に促進され、引上速度を高く保
つことができる。
Ｏの蒸気にさらされることがないので、外表面はど材料
の選定は厳しくなくてもよい。スクリーン補助室１０、
スクリーン支え１１．および輻射スクリーン１２を断熱
構造とすることにより、引き上げ中それらに付着するＳ
ｉＯのごみを最小限にすることができ、導入口１６より
入れたアルゴンガスは、矢印のように単結晶周囲、融体
表面、ルツボ上端内壁面を洗って排出口１７より系外に
排出されるが、スクリーン本来の目的であるアルゴンガ
スの整流性と、成長界面近くからＳｉＯを排出する能力
によって単結晶化が大幅に促進され、引上速度を高く保
つことができる。
輻射スクリーン１２をセラミックスまたは少なくともそ
の外表面をセラミックスにすることにより、ルツボその
他の炉内部品′を構成するカーボンによる単結晶の汚染
を抑えられる。
の外表面をセラミックスにすることにより、ルツボその
他の炉内部品′を構成するカーボンによる単結晶の汚染
を抑えられる。
本発明では、原料充填時にはルツボとヒーターを共に下
降しておき、原料を充填したのち原料に接触しないよう
なルツボ上部位置にスクリーンを固定する。原料が溶融
してからルツボとヒーターを上昇させて所定位置で停止
させ、その後結晶の引上を開始する。この間スクリーン
を移動することなく結晶引上操作を完了するのが好まし
い。このようにすることにより、スクリーンが冷却され
ずほぼ一定の高温に維持されてＳｉＯの付着がなく、し
たがってその落下による結晶欠陥の発生を防止できる。
降しておき、原料を充填したのち原料に接触しないよう
なルツボ上部位置にスクリーンを固定する。原料が溶融
してからルツボとヒーターを上昇させて所定位置で停止
させ、その後結晶の引上を開始する。この間スクリーン
を移動することなく結晶引上操作を完了するのが好まし
い。このようにすることにより、スクリーンが冷却され
ずほぼ一定の高温に維持されてＳｉＯの付着がなく、し
たがってその落下による結晶欠陥の発生を防止できる。
つぎに実施例をあげる。
夫１涯
直径４０．６Ｃ１１、深さ２８（！ｌの石英ルツボに多
結晶シリコン６０ｋｇを装入した。このときヒーターと
ルツボの位置を種付は時の位置よりも２０ｃｍ下にして
おいた。輻射スクリーンをスクリーン支えの上に静置し
、真空引き後アルゴンで置換して溶融を開始した。完全
に原料が溶融し終った後、融体表面とスクリーンの先端
開口の距離が３０＋ｍになるまで石英ルツボとヒーター
を同時に上昇させた後、通常の方法で単結晶を引き上げ
、直径約１５０ｍａ、長さ約１２０ａＩ＋の品質の良い
単結晶を得た。
結晶シリコン６０ｋｇを装入した。このときヒーターと
ルツボの位置を種付は時の位置よりも２０ｃｍ下にして
おいた。輻射スクリーンをスクリーン支えの上に静置し
、真空引き後アルゴンで置換して溶融を開始した。完全
に原料が溶融し終った後、融体表面とスクリーンの先端
開口の距離が３０＋ｍになるまで石英ルツボとヒーター
を同時に上昇させた後、通常の方法で単結晶を引き上げ
、直径約１５０ｍａ、長さ約１２０ａＩ＋の品質の良い
単結晶を得た。
本発明によると、引上室内圧力を０．５〜５００ｍｂａ
ｒに、またアルゴンガスの流量を１０〜２００ Ｑ ／
ｗｉｎまで広範囲に変えても、単結晶化は阻害されな
かった。またアルゴンガス流が融体表面を通るために、
揮発性の不純物（たとえばＳ ｉ Ｏ）は、本発明装置
をつけない時よりも揮発が速かった。また、結晶の冷却
が適切に速いために、結晶中の格子欠陥が減少し結晶性
の改善がみられた。
ｒに、またアルゴンガスの流量を１０〜２００ Ｑ ／
ｗｉｎまで広範囲に変えても、単結晶化は阻害されな
かった。またアルゴンガス流が融体表面を通るために、
揮発性の不純物（たとえばＳ ｉ Ｏ）は、本発明装置
をつけない時よりも揮発が速かった。また、結晶の冷却
が適切に速いために、結晶中の格子欠陥が減少し結晶性
の改善がみられた。
又皿勿麦員
以上述べたように、本発明の装置によれば、引上単結晶
の欠陥発生を抑制し、不純物の混入を防止でき、引上速
度を高めて生産性の向上が可能であるという優れた効果
をあげることができる。
の欠陥発生を抑制し、不純物の混入を防止でき、引上速
度を高めて生産性の向上が可能であるという優れた効果
をあげることができる。
第１図は本発明の引上装置の縦断面図を、第２図は第１
図のＡ−Ａ’線を通る横断面図を示す。 １・・・石英ルツボ、 ２・・・黒鉛ルツボ、 ３・・
・軸。 ４・・・ヒーター、 ５・・・軸、 ６・・・融体、
７・・・単結晶棒、 ８・・・種結晶、 ９・・・断熱
材。 １０・・・スクリーン補助室、 １１・・・スクリーン
支え、１２・・・輻射スクリーン、 １３・・・スクリ
ーン外表面。 １４・・・スクリーン中間層、 １５・・・スクリーン
内表面、１６・・・導入口、 １７・・・排出口。
図のＡ−Ａ’線を通る横断面図を示す。 １・・・石英ルツボ、 ２・・・黒鉛ルツボ、 ３・・
・軸。 ４・・・ヒーター、 ５・・・軸、 ６・・・融体、
７・・・単結晶棒、 ８・・・種結晶、 ９・・・断熱
材。 １０・・・スクリーン補助室、 １１・・・スクリーン
支え、１２・・・輻射スクリーン、 １３・・・スクリ
ーン外表面。 １４・・・スクリーン中間層、 １５・・・スクリーン
内表面、１６・・・導入口、 １７・・・排出口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）チョクラルスキー法による単結晶引上装置において
、該単結晶棒を取囲み、下端開口が融体面に近接し、そ
の上端が外方へ断面三角形もしくは弧状に曲折されてル
ツボの頂部周辺をカバーするほぼ逆円錐形の断熱複層構
造の輻射スクリーンを設けてなる単結晶の引上装置。 ２）輻射スクリーンの円筒部の一部もしくは全部がセラ
ッミックス焼結体もしくはセラミックスコーティングさ
れた耐熱材料で構成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の装置。 ３）該セラミックスが炭化珪素、窒化珪素あるいは窒化
ホウ素から選ばれることを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27862985A JPS62138386A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 単結晶の引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27862985A JPS62138386A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 単結晶の引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62138386A true JPS62138386A (ja) | 1987-06-22 |
| JPH0231040B2 JPH0231040B2 (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=17599938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27862985A Granted JPS62138386A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 単結晶の引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62138386A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63315589A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-23 | Osaka Titanium Seizo Kk | 単結晶製造装置 |
| JPH01301581A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-05 | Toshiba Corp | 酸化物単結晶の製造装置 |
| JPH03153595A (ja) * | 1989-11-11 | 1991-07-01 | Osaka Titanium Co Ltd | 単結晶引上げ装置 |
| JPH03120569U (ja) * | 1990-03-15 | 1991-12-11 | ||
| JPH04317493A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-09 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
| JPH04357190A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 単結晶製造装置 |
| JPH05884A (ja) * | 1991-06-18 | 1993-01-08 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 単結晶製造装置 |
| JPH0570283A (ja) * | 1991-03-20 | 1993-03-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法及び装置 |
| US5316742A (en) * | 1991-06-24 | 1994-05-31 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Single crystal pulling apparatus |
| JPH07242488A (ja) * | 1992-04-28 | 1995-09-19 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置 |
| JPH07277887A (ja) * | 1993-05-31 | 1995-10-24 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶の製造装置および製造方法 |
| US5575847A (en) * | 1993-11-30 | 1996-11-19 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus for producing single crystals |
| WO1997021853A1 (fr) * | 1995-12-08 | 1997-06-19 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Appareil de production de monocristaux et processus s'y rapportant |
| US5683505A (en) * | 1994-11-08 | 1997-11-04 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing single crystals |
| EP0781866A3 (en) * | 1995-12-27 | 1998-08-12 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | An apparatus and a method for growing a single crystal |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS581080A (ja) * | 1981-06-16 | 1983-01-06 | ノルクス・ヒドロ・アクシエセルスカ−ブ | 水電解槽用隔膜 |
| JPS58140393A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP27862985A patent/JPS62138386A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS581080A (ja) * | 1981-06-16 | 1983-01-06 | ノルクス・ヒドロ・アクシエセルスカ−ブ | 水電解槽用隔膜 |
| JPS58140393A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63315589A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-23 | Osaka Titanium Seizo Kk | 単結晶製造装置 |
| JPH0535715B2 (ja) * | 1987-06-16 | 1993-05-27 | Oosaka Chitaniumu Seizo Kk | |
| JPH01301581A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-05 | Toshiba Corp | 酸化物単結晶の製造装置 |
| JP2713986B2 (ja) * | 1988-05-31 | 1998-02-16 | 株式会社東芝 | 酸化物単結晶の製造装置 |
| JPH03153595A (ja) * | 1989-11-11 | 1991-07-01 | Osaka Titanium Co Ltd | 単結晶引上げ装置 |
| JPH03120569U (ja) * | 1990-03-15 | 1991-12-11 | ||
| JPH0570283A (ja) * | 1991-03-20 | 1993-03-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法及び装置 |
| JPH04317493A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-09 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
| JPH04357190A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 単結晶製造装置 |
| JPH05884A (ja) * | 1991-06-18 | 1993-01-08 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 単結晶製造装置 |
| US5316742A (en) * | 1991-06-24 | 1994-05-31 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Single crystal pulling apparatus |
| JPH07242488A (ja) * | 1992-04-28 | 1995-09-19 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置 |
| JPH07277887A (ja) * | 1993-05-31 | 1995-10-24 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶の製造装置および製造方法 |
| US5575847A (en) * | 1993-11-30 | 1996-11-19 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus for producing single crystals |
| US5683505A (en) * | 1994-11-08 | 1997-11-04 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing single crystals |
| WO1997021853A1 (fr) * | 1995-12-08 | 1997-06-19 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Appareil de production de monocristaux et processus s'y rapportant |
| US5972106A (en) * | 1995-12-08 | 1999-10-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Device and method for producing single crystal |
| EP0781866A3 (en) * | 1995-12-27 | 1998-08-12 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | An apparatus and a method for growing a single crystal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0231040B2 (ja) | 1990-07-11 |
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