JP3760680B2 - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3760680B2 JP3760680B2 JP17168499A JP17168499A JP3760680B2 JP 3760680 B2 JP3760680 B2 JP 3760680B2 JP 17168499 A JP17168499 A JP 17168499A JP 17168499 A JP17168499 A JP 17168499A JP 3760680 B2 JP3760680 B2 JP 3760680B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crucible
- flow tube
- window
- furnace body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、CZ法によるシリコン等の単結晶引上装置に係わり、特に、引き上げ中の単結晶の周囲に略同心に配置されるフロー管を備える単結晶引上装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、CZ法を用いた単結晶引上装置では、成長中の単結晶がルツボ内壁等からのふく射熱を受けるため、冷却効率が低下して単結晶の成長速度が抑制されるという課題がある。また、例えばシリコン単結晶の製造にあたって、原料融液が石英ルツボと反応して揮発性のSiOを生じ、これが再びルツボの周縁部などに凝結して融液の中に落ちてしまい、単結晶の成長を阻害するという問題点があった。こうした問題点を解決し得るものとして、特公昭57−40119号公報等において、引き上げ中の単結晶に同心に円筒状のフロー管を配置し、単結晶へのふく射熱を抑制するとともに、フロー管を通じて上方からアルゴンガスを流すことにより、原料融液からの揮発性ガスの排出性を高める技術が提案されている。
【0003】
図6にはその装置の一例が示されており、図中符号1は炉体、2はルツボ、3はフロー管である。炉体1の上端のガス導入口4からはアルゴンガスが供給され、ガス排出口5から排出されるようになっている。さらに、炉体1の上部には透明な覗き窓6が形成されており、この覗き窓6を通して単結晶Tの直径を測定し、成長速度をフィードバックする構成となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、CZ法を用いた単結晶引上装置では、単結晶を成長させるにあたって、まずルツボ内で原料が溶融される。そこで、上述したようなフロー管3を備える装置では、図7に示すように、ルツボ2内で原料Pを溶融する際に、ルツボ2に盛られる原料Pにフロー管3の下端が接しないように、フロー管3を上昇させて炉体1内の上方に回避させている。ところが、フロー管3を上昇させると、フロー管3にさえぎられて覗き窓6からルツボ2が見えないかあるいは見えにくくなり、原料の溶融状態の確認が困難であった。そのため、例えば温度などの原料Pを溶融させるためのパラメータの設定に時間がかかるなど、作業効率の悪化を招いていた。
【0005】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、原料を溶融させる際にも炉体外からルツボを視認することができ、効率的に作業を行うことができる単結晶引上装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、略密閉状に形成される炉体と、原料を保持するために前記炉体内に設けられるルツボと、該ルツボ内で溶融された前記原料の融液から単結晶を成長させながら引き上げる引上機構と、引き上げ中の単結晶の周囲に略同心で昇降自在に配置されるフロー管とを備える単結晶引上装置において、
前記炉体の上部には、炉体内を覗くための覗き窓が設けられ、
前記フロー管には、該フロー管を前記単結晶を成長させる際の配置位置より上方に配した状態で前記覗き窓を通して前記ルツボ内を視認可能な窓部が設けられ、
前記フロー管の窓部は、該フロー管を前記単結晶を成長させる際の配置位置に配した状態でも前記覗き窓を通して前記ルツボ内を視認可能な位置に設けられ、
前記フロー管は、内径が下方に向けて漸次小さくなる略円筒状の胴部と、この胴部の上端から半径方向外方に広がる円環板状のフランジ部とからなっており、前記窓部は、前記フランジ部の外周部から略半円状に切欠くことにより設けられていることにより上記課題を解決した。
本発明は、略密閉状に形成される炉体と、原料を保持するために炉体内に設けられるルツボと、このルツボ内で溶融された原料の融液から単結晶を成長させながら引き上げる引上機構と、引き上げ中の単結晶の周囲に略同心で昇降自在に配置されるフロー管とを備える単結晶引上装置において、炉体の上部には、炉体内を覗くための覗き窓が設けられ、フロー管には、このフロー管を単結晶を成長させる際の配置位置より上方に配した状態で覗き窓を通してルツボ内を視認可能な窓部が設けられる技術が採用される。この単結晶引上装置は、フロー管を上方に配した状態であっても、ルツボを視認可能な窓部が設けられているので、ルツボ内での原料の溶融状態を目視などによって確認することが可能となる。
【0007】
本発明に係る発明は、上記の単結晶引上装置において、フロー管の窓部が、フロー管を単結晶を成長させる際の配置位置に配した状態でも、覗き窓を通してルツボ内を視認可能な位置に設けられる技術が採用される。この単結晶引上装置では、単結晶を成長させる際に覗き窓を通してルツボ内を視認可能な位置にフロー管の窓部が設けられているので、単結晶の成長を目視などによって確認することが可能となる。
【0008】
本発明に係る発明は、上記の単結晶引上装置において、フロー管のフランジ部に窓部が設けられる技術が採用される。この単結晶引上装置では、フロー管のフランジ部に窓部が設けられているので、例えばアルゴン等のフロー管の胴部を通る不活性ガスの流れを乱すことが少ない。
【0009】
本発明に係る発明は、上記のいずれかに記載の単結晶引上装置において、フロー管の窓部が、耐熱材製の透明板で塞がれる技術が採用される。この単結晶引上装置では、耐熱材製の透明板でフロー管の窓部が塞がれているので、フロー管を通る不活性ガスの流れを乱すことがさらに少ない。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る単結晶引上装置の第1の実施形態について図1〜図3を参照して説明する。図2は本実施形態における単結晶Tの引上成長時の様子を示す縦断面図であり、符号10は炉体を示している。
【0011】
この図2に示すように、炉体10の中央には、石英ルツボ11が黒鉛サセプタ12を介して下軸13の上端に固定されている。またルツボ11の周囲には、ヒータ14および保温筒15が配設されるとともに、ルツボ11の上方には図示しない引上機構が設けられ、引上げワイヤ16により、種結晶17を固定した種保持具18が昇降および回転操作されるようになっている。また、引き上げられる単結晶Tの周囲には間隙をあけて同心で昇降自在にフロー管19が配置され、ここではフロー管19が保温筒15の上端に取付板20を介して設置されている。また、炉体10の上端のガス導入口21からはアルゴンガスが供給され、フロー管19を通って融液Yから発生するSiOを吹き流したうえ、炉体10下端のガス排出口22から順次排出されるようになっている。さらに、炉体10の上部には透明な覗き窓23が形成されており、この覗き窓23を通して単結晶Tの直径を測定し、成長速度をフィードバックする構成となっている。
【0012】
またフロー管19には、図1に示すように、フロー管19を炉体10内で上昇させて単結晶Tを成長させる際の配置位置より上方にフロー管19を回避させた状態でも覗き窓23を通してルツボ11内を視認可能で、しかも図2に示すように、フロー管19を降ろして単結晶Tを成長させる際の配置位置に配した状態でも覗き窓23を通してルツボ11内を視認可能となる窓部24が設けられている。
【0013】
フロー管19は、図3に示すように、内径が下方に向けて漸次小さくなる略円筒状の胴部19aと、この胴部19aの上端から半径方向外方に広がる円環板状のフランジ部19bとからなっており、窓部24は、フランジ部19bの外周部から略半円状に切欠くことにより設けられている。フロー管19の材質としては、Mo、Ta、W、C、SiC等の高耐熱材料の単体または複合材料が好適で、必要に応じてその表面にSiC等の被覆層が形成される。
【0014】
次に、上記構成からなる単結晶引上装置の動作について説明する。
この単結晶引上装置の使用に際して、まず図1に示すように、ルツボ11内にシリコン原料Pを充填する。このとき、ルツボ11内に盛られた原料Pにフロー管19の下端が接するのを防ぐために前もってフロー管19を上昇させて炉体10内の上方に回避させておく。原料Pをルツボ11に充填した後、フロー管19を回避させた状態のまま、ヒータ14に通電して原料Pを融解する。このとき、覗き窓23および窓部24を通して原料Pを目視あるいはテレビカメラ等で視認・観察して、原料Pの溶融状態を確認しながら温度などのパラメータの設定を行う。
【0015】
続いて、原料Pが溶融されて完全に融液Yになった状態で、フロー管19を図2に示す単結晶Tを成長させる際の配置位置に配し、フロー管19と融液Yとの距離を一定に保つ。そして、融液Yが所定の温度になった状態で、アルゴンガスをガス導入口21から供給しつつ、種結晶17を融液Yに浸漬して単結晶Tを引き上げる。その際、覗き窓23からテレビカメラ等で単結晶成長部Sを観察し、その直径を測定して引上速度をフィードバック制御する。
【0016】
すなわち、本実施形態の単結晶引上装置によれば、フロー管19を炉体10内で上昇させて単結晶Tを成長させる際の配置位置より上方にフロー管19を回避させた状態であっても、覗き窓23を通してルツボ11内を視認可能な窓部24がフロー管19に設けられているので、ルツボ11内での原料Pを視認して溶融状態を確認しながら温度等のパラメータの設定を行うことができ、効率的に作業を行うことができる。また、フロー管19を単結晶Tを成長させる際の配置位置に配した状態でも覗き窓23を通してルツボ11内を視認可能な位置に窓部24が設けられているので、単結晶Tの成長を目視などによって容易に確認することができる。
【0017】
次に、本発明の第2の実施形態について図4および図5を参照して説明する。前述した第1の実施形態では窓部24がフランジ部19bの外周部から略半円状に切欠くことにより設けられていたの対し、本実施形態では、図4および図5に示すように、フロー管30の窓部31がフランジ部30bの外周部の一部を貫通する貫通孔として設けられている。さらに窓部31には、パイレックスガラス、石英ガラス、透明セラミックス等の透明な耐熱材からなる透明板32が気密にはめ込まれて固定されている。このように窓部31を貫通孔とすることで、フロー管30の強度を容易に高めることができる。さらに、透明板32によって不活性ガスが窓部31を通り抜けなくなるので、フロー管30を通るガス流の乱れを少なくすることができる。
【0018】
なお、本発明では、フロー管および窓部の形状は上述した2つの実施形態で示したものに限らず様々な形状のものが適用可能である。例えば、第1の実施形態で示した略半円状の窓部24を上述した耐熱材製の透明板で塞いでもよい。さらに、単結晶Tを成長させる際の配置位置より上方にフロー管19を配した状態での、炉体10の覗き窓23とフロー管19との位置関係によっては、フランジ部19bではなくフロー管19の胴部19aに窓部を設けるといったことも行われる。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば以下の効果を得ることができる。
本発明に係る単結晶引上装置では、フロー管を単結晶を成長させる際の配置位置より上方に配した状態であっても覗き窓を通してルツボ内を視認可能な窓部がフロー管に設けられているので、原料を溶融させる際にも、ルツボ内での原料を視認して溶融状態を確認しながら温度等のパラメータの設定を行うことができ、効率的に作業を行うことができる。
【0020】
本発明に係る単結晶引上装置では、フロー管の窓部が、フロー管を単結晶を成長させる際の配置位置にフロー管を配した状態でも覗き窓を通してルツボ内を視認可能な位置に設けられているので、単結晶の成長を目視などによって容易に確認することができる。
【0021】
本発明に係る単結晶引上装置では、窓部がフランジ部に設けられているので、フロー管を通る不活性ガスの流れを乱すことなく、視認のための窓部を設けることができる。
【0022】
本発明に係る単結晶引上装置では、耐熱材製の透明板でフロー管の窓部が塞がれているので、フロー管を通る不活性ガスの流れを乱すことがほとんどない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る単結晶引上装置の第1の実施形態による原料の溶融時の様子を示す縦断面図である。
【図2】 図1の第1の実施形態による単結晶の引上成長時の様子を示す縦断面図である。
【図3】 図1の第1の実施形態のフロー管を示す斜視図である。
【図4】 本発明に係る第2の実施形態のフロー管を示す斜視図である。
【図5】 図4の縦断面図である。
【図6】 従来の単結晶引上装置による単結晶の引上成長時の様子を示す縦断面図である。
【図7】 図6の装置による原料の溶融時の様子を示す縦断面図である。
【符号の説明】
1,10 炉体
2,11 ルツボ
3,19,30 フロー管
6,23 覗き窓
14 ヒータ
24,31 窓部
32 透明板
Claims (2)
- 略密閉状に形成される炉体と、原料を保持するために前記炉体内に設けられるルツボと、該ルツボ内で溶融された前記原料の融液から単結晶を成長させながら引き上げる引上機構と、引き上げ中の単結晶の周囲に略同心で昇降自在に配置されるフロー管とを備える単結晶引上装置において、
前記炉体の上部には、炉体内を覗くための覗き窓が設けられ、
前記フロー管には、該フロー管を前記単結晶を成長させる際の配置位置より上方に配した状態で前記覗き窓を通して前記ルツボ内を視認可能な窓部が設けられ、
前記フロー管の窓部は、該フロー管を前記単結晶を成長させる際の配置位置に配した状態でも前記覗き窓を通して前記ルツボ内を視認可能な位置に設けられ、
前記フロー管は、内径が下方に向けて漸次小さくなる略円筒状の胴部と、この胴部の上端から半径方向外方に広がる円環板状のフランジ部とからなっており、前記窓部は、前記フランジ部の外周部から略半円状に切欠くことにより設けられていることを特徴とする単結晶引上装置。 - 前記フロー管の窓部は、耐熱材製の透明板で塞がれていることを特徴とする請求項1記載の単結晶引上装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17168499A JP3760680B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17168499A JP3760680B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 単結晶引上装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001002489A JP2001002489A (ja) | 2001-01-09 |
JP3760680B2 true JP3760680B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=15927788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17168499A Expired - Fee Related JP3760680B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3760680B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101435172B1 (ko) | 2012-10-08 | 2014-09-01 | 웅진에너지 주식회사 | 잉곳 성장 장치용 열차단구조체 |
JP7006573B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2022-01-24 | 株式会社Sumco | 単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法 |
-
1999
- 1999-06-17 JP JP17168499A patent/JP3760680B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001002489A (ja) | 2001-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3992800B2 (ja) | 単結晶製造装置および単結晶の製造方法 | |
US5720810A (en) | Semiconductor single-crystal growth system | |
US9217208B2 (en) | Apparatus for producing single crystal | |
JP5413354B2 (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法 | |
TWI289614B (en) | Method of manufacturing silicon monocrystal and device for manufacturing semiconductor monocrystal | |
JP3670493B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
JPS62138386A (ja) | 単結晶の引上装置 | |
JPH10158091A (ja) | 単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP2580197B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
JP3760680B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
JP3750174B2 (ja) | 単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP2002321997A (ja) | シリコン単結晶の製造装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | |
JP3747696B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材 | |
JP2952733B2 (ja) | シリコン単結晶製造方法 | |
JP2009001489A (ja) | 単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JP3835063B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
JPH07223894A (ja) | 半導体単結晶製造装置 | |
JP3640940B2 (ja) | 半導体単結晶製造装置 | |
JP2580198B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
JP2007254162A (ja) | 単結晶製造装置およびリチャージ方法 | |
JP2003221296A (ja) | 単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JPH06199590A (ja) | 半導体単結晶棒製造装置 | |
JP2007031235A (ja) | 単結晶製造装置 | |
JPH0710682A (ja) | 単結晶の引上方法及びその製造装置 | |
JP2011026147A (ja) | シリコン単結晶引上装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050913 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3760680 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100120 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110120 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120120 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130120 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |