JP2001002489A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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Abstract
視認することができ、効率的に作業を行うことができる
単結晶引上装置を提供する。 【解決手段】 略密閉状に形成される炉体10と、原料
を保持するために炉体10内に設けられるルツボ11
と、このルツボ11内で溶融された原料Pの融液から単
結晶を成長させながら引き上げる引上機構と、引き上げ
中の単結晶の周囲に略同心で昇降自在に配置されるフロ
ー管19とを備える単結晶引上装置において、炉体10
の上部に、炉体10内を覗くための覗き窓23を設け、
フロー管19に、このフロー管19を単結晶を成長させ
る際の配置位置より上方に配した状態で覗き窓23を通
してルツボ11内を視認可能な窓部24を設ける。
Description
コン等の単結晶引上装置に係わり、特に、引き上げ中の
単結晶の周囲に略同心に配置されるフロー管を備える単
結晶引上装置に関する。
では、成長中の単結晶がルツボ内壁等からのふく射熱を
受けるため、冷却効率が低下して単結晶の成長速度が抑
制されるという課題がある。また、例えばシリコン単結
晶の製造にあたって、原料融液が石英ルツボと反応して
揮発性のSiOを生じ、これが再びルツボの周縁部など
に凝結して融液の中に落ちてしまい、単結晶の成長を阻
害するという問題点があった。こうした問題点を解決し
得るものとして、特公昭57−40119号公報等にお
いて、引き上げ中の単結晶に同心に円筒状のフロー管を
配置し、単結晶へのふく射熱を抑制するとともに、フロ
ー管を通じて上方からアルゴンガスを流すことにより、
原料融液からの揮発性ガスの排出性を高める技術が提案
されている。
図中符号1は炉体、2はルツボ、3はフロー管である。
炉体1の上端のガス導入口4からはアルゴンガスが供給
され、ガス排出口5から排出されるようになっている。
さらに、炉体1の上部には透明な覗き窓6が形成されて
おり、この覗き窓6を通して単結晶Tの直径を測定し、
成長速度をフィードバックする構成となっている。
いた単結晶引上装置では、単結晶を成長させるにあたっ
て、まずルツボ内で原料が溶融される。そこで、上述し
たようなフロー管3を備える装置では、図7に示すよう
に、ルツボ2内で原料Pを溶融する際に、ルツボ2に盛
られる原料Pにフロー管3の下端が接しないように、フ
ロー管3を上昇させて炉体1内の上方に回避させてい
る。ところが、フロー管3を上昇させると、フロー管3
にさえぎられて覗き窓6からルツボ2が見えないかある
いは見えにくくなり、原料の溶融状態の確認が困難であ
った。そのため、例えば温度などの原料Pを溶融させる
ためのパラメータの設定に時間がかかるなど、作業効率
の悪化を招いていた。
たものであり、原料を溶融させる際にも炉体外からルツ
ボを視認することができ、効率的に作業を行うことがで
きる単結晶引上装置を提供することを目的とする。
め、請求項1に係る発明は、略密閉状に形成される炉体
と、原料を保持するために炉体内に設けられるルツボ
と、このルツボ内で溶融された原料の融液から単結晶を
成長させながら引き上げる引上機構と、引き上げ中の単
結晶の周囲に略同心で昇降自在に配置されるフロー管と
を備える単結晶引上装置において、炉体の上部には、炉
体内を覗くための覗き窓が設けられ、フロー管には、こ
のフロー管を単結晶を成長させる際の配置位置より上方
に配した状態で覗き窓を通してルツボ内を視認可能な窓
部が設けられる技術が採用される。この単結晶引上装置
は、フロー管を上方に配した状態であっても、ルツボを
視認可能な窓部が設けられているので、ルツボ内での原
料の溶融状態を目視などによって確認することが可能と
なる。
引上装置において、フロー管の窓部が、フロー管を単結
晶を成長させる際の配置位置に配した状態でも、覗き窓
を通してルツボ内を視認可能な位置に設けられる技術が
採用される。この単結晶引上装置では、単結晶を成長さ
せる際に覗き窓を通してルツボ内を視認可能な位置にフ
ロー管の窓部が設けられているので、単結晶の成長を目
視などによって確認することが可能となる。
の単結晶引上装置において、フロー管のフランジ部に窓
部が設けられる技術が採用される。この単結晶引上装置
では、フロー管のフランジ部に窓部が設けられているの
で、例えばアルゴン等のフロー管の胴部を通る不活性ガ
スの流れを乱すことが少ない。
いずれかに記載の単結晶引上装置において、フロー管の
窓部が、耐熱材製の透明板で塞がれる技術が採用され
る。この単結晶引上装置では、耐熱材製の透明板でフロ
ー管の窓部が塞がれているので、フロー管を通る不活性
ガスの流れを乱すことがさらに少ない。
置の第1の実施形態について図1〜図3を参照して説明
する。図2は本実施形態における単結晶Tの引上成長時
の様子を示す縦断面図であり、符号10は炉体を示して
いる。
は、石英ルツボ11が黒鉛サセプタ12を介して下軸1
3の上端に固定されている。またルツボ11の周囲に
は、ヒータ14および保温筒15が配設されるととも
に、ルツボ11の上方には図示しない引上機構が設けら
れ、引上げワイヤ16により、種結晶17を固定した種
保持具18が昇降および回転操作されるようになってい
る。また、引き上げられる単結晶Tの周囲には間隙をあ
けて同心で昇降自在にフロー管19が配置され、ここで
はフロー管19が保温筒15の上端に取付板20を介し
て設置されている。また、炉体10の上端のガス導入口
21からはアルゴンガスが供給され、フロー管19を通
って融液Yから発生するSiOを吹き流したうえ、炉体
10下端のガス排出口22から順次排出されるようにな
っている。さらに、炉体10の上部には透明な覗き窓2
3が形成されており、この覗き窓23を通して単結晶T
の直径を測定し、成長速度をフィードバックする構成と
なっている。
に、フロー管19を炉体10内で上昇させて単結晶Tを
成長させる際の配置位置より上方にフロー管19を回避
させた状態でも覗き窓23を通してルツボ11内を視認
可能で、しかも図2に示すように、フロー管19を降ろ
して単結晶Tを成長させる際の配置位置に配した状態で
も覗き窓23を通してルツボ11内を視認可能となる窓
部24が設けられている。
が下方に向けて漸次小さくなる略円筒状の胴部19a
と、この胴部19aの上端から半径方向外方に広がる円
環板状のフランジ部19bとからなっており、窓部24
は、フランジ部19bの外周部から略半円状に切欠くこ
とにより設けられている。フロー管19の材質として
は、Mo、Ta、W、C、SiC等の高耐熱材料の単体
または複合材料が好適で、必要に応じてその表面にSi
C等の被覆層が形成される。
動作について説明する。この単結晶引上装置の使用に際
して、まず図1に示すように、ルツボ11内にシリコン
原料Pを充填する。このとき、ルツボ11内に盛られた
原料Pにフロー管19の下端が接するのを防ぐために前
もってフロー管19を上昇させて炉体10内の上方に回
避させておく。原料Pをルツボ11に充填した後、フロ
ー管19を回避させた状態のまま、ヒータ14に通電し
て原料Pを融解する。このとき、覗き窓23および窓部
24を通して原料Pを目視あるいはテレビカメラ等で視
認・観察して、原料Pの溶融状態を確認しながら温度な
どのパラメータの設定を行う。
になった状態で、フロー管19を図2に示す単結晶Tを
成長させる際の配置位置に配し、フロー管19と融液Y
との距離を一定に保つ。そして、融液Yが所定の温度に
なった状態で、アルゴンガスをガス導入口21から供給
しつつ、種結晶17を融液Yに浸漬して単結晶Tを引き
上げる。その際、覗き窓23からテレビカメラ等で単結
晶成長部Sを観察し、その直径を測定して引上速度をフ
ィードバック制御する。
よれば、フロー管19を炉体10内で上昇させて単結晶
Tを成長させる際の配置位置より上方にフロー管19を
回避させた状態であっても、覗き窓23を通してルツボ
11内を視認可能な窓部24がフロー管19に設けられ
ているので、ルツボ11内での原料Pを視認して溶融状
態を確認しながら温度等のパラメータの設定を行うこと
ができ、効率的に作業を行うことができる。また、フロ
ー管19を単結晶Tを成長させる際の配置位置に配した
状態でも覗き窓23を通してルツボ11内を視認可能な
位置に窓部24が設けられているので、単結晶Tの成長
を目視などによって容易に確認することができる。
4および図5を参照して説明する。前述した第1の実施
形態では窓部24がフランジ部19bの外周部から略半
円状に切欠くことにより設けられていたの対し、本実施
形態では、図4および図5に示すように、フロー管30
の窓部31がフランジ部30bの外周部の一部を貫通す
る貫通孔として設けられている。さらに窓部31には、
パイレックスガラス、石英ガラス、透明セラミックス等
の透明な耐熱材からなる透明板32が気密にはめ込まれ
て固定されている。このように窓部31を貫通孔とする
ことで、フロー管30の強度を容易に高めることができ
る。さらに、透明板32によって不活性ガスが窓部31
を通り抜けなくなるので、フロー管30を通るガス流の
乱れを少なくすることができる。
形状は上述した2つの実施形態で示したものに限らず様
々な形状のものが適用可能である。例えば、第1の実施
形態で示した略半円状の窓部24を上述した耐熱材製の
透明板で塞いでもよい。さらに、単結晶Tを成長させる
際の配置位置より上方にフロー管19を配した状態で
の、炉体10の覗き窓23とフロー管19との位置関係
によっては、フランジ部19bではなくフロー管19の
胴部19aに窓部を設けるといったことも行われる。
以下の効果を得ることができる。請求項1に係る単結晶
引上装置では、フロー管を単結晶を成長させる際の配置
位置より上方に配した状態であっても覗き窓を通してル
ツボ内を視認可能な窓部がフロー管に設けられているの
で、原料を溶融させる際にも、ルツボ内での原料を視認
して溶融状態を確認しながら温度等のパラメータの設定
を行うことができ、効率的に作業を行うことができる。
ー管の窓部が、フロー管を単結晶を成長させる際の配置
位置にフロー管を配した状態でも覗き窓を通してルツボ
内を視認可能な位置に設けられているので、単結晶の成
長を目視などによって容易に確認することができる。
がフランジ部に設けられているので、フロー管を通る不
活性ガスの流れを乱すことなく、視認のための窓部を設
けることができる。
材製の透明板でフロー管の窓部が塞がれているので、フ
ロー管を通る不活性ガスの流れを乱すことがほとんどな
い。
態による原料の溶融時の様子を示す縦断面図である。
長時の様子を示す縦断面図である。
図である。
す斜視図である。
長時の様子を示す縦断面図である。
縦断面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 略密閉状に形成される炉体と、原料を保
持するために前記炉体内に設けられるルツボと、該ルツ
ボ内で溶融された前記原料の融液から単結晶を成長させ
ながら引き上げる引上機構と、引き上げ中の単結晶の周
囲に略同心で昇降自在に配置されるフロー管とを備える
単結晶引上装置において、 前記炉体の上部には、炉体内を覗くための覗き窓が設け
られ、 前記フロー管には、該フロー管を前記単結晶を成長させ
る際の配置位置より上方に配した状態で前記覗き窓を通
して前記ルツボ内を視認可能な窓部が設けられているこ
とを特徴とする単結晶引上装置。 - 【請求項2】 前記フロー管の窓部は、該フロー管を前
記単結晶を成長させる際の配置位置に配した状態でも前
記覗き窓を通して前記ルツボ内を視認可能な位置に設け
られていることを特徴とする請求項1記載の単結晶引上
装置。 - 【請求項3】 前記フロー管は、略円筒状に形成される
胴部と該胴部の周囲に形成される円環状のフランジ部と
からなり、該フランジ部に前記窓部が設けられているこ
とを特徴とする請求項1または2記載の単結晶引上装
置。 - 【請求項4】 前記フロー管の窓部は、耐熱材製の透明
板で塞がれていることを特徴とする請求項1から3のい
ずれかに記載の単結晶引上装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP17168499A JP3760680B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17168499A JP3760680B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 単結晶引上装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2001002489A true JP2001002489A (ja) | 2001-01-09 |
JP3760680B2 JP3760680B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=15927788
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP17168499A Expired - Fee Related JP3760680B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3760680B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101435172B1 (ko) | 2012-10-08 | 2014-09-01 | 웅진에너지 주식회사 | 잉곳 성장 장치용 열차단구조체 |
JP2020083735A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 株式会社Sumco | パージチューブ、単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法 |
-
1999
- 1999-06-17 JP JP17168499A patent/JP3760680B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101435172B1 (ko) | 2012-10-08 | 2014-09-01 | 웅진에너지 주식회사 | 잉곳 성장 장치용 열차단구조체 |
JP2020083735A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 株式会社Sumco | パージチューブ、単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法 |
JP7006573B2 (ja) | 2018-11-30 | 2022-01-24 | 株式会社Sumco | 単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法 |
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