JP3835063B2 - 単結晶引上装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、CZ法(チョクラルスキー法)を用いて、ルツボに貯留された半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコン(Si)やガリウムヒ素(GaAs)等の半導体単結晶を成長する手段の一つとして、CZ法を用いた単結晶引上装置が知られている。
この単結晶引上装置は、図3および図4に示すように、チャンバ1内部のカーボンサセプタ2上に配設した石英ルツボ3内に半導体融液Lを貯留し、該半導体融液Lを石英ルツボ3の周囲に配置した円筒状のヒータ4で所定温度に加熱制御して、この半導体融液Lから半導体単結晶Cを引き上げるものである。
【0003】
また、この単結晶引上装置では、ヒータ4の周囲に配置された円筒状の保温筒5と、該保温筒5の上部にアッパーリング6を介して取り付けられ石英ルツボ3の上方に同軸に配置された略円筒状のフロー管7とを備えている。
該フロー管7は、輻射熱を遮断するとともに、チャンバ1内に供給されるアルゴンガスを通過させて半導体融液L上に吹き付け、半導体融液Lから発生するSiO2を吹き流すものである。
従来のフロー管7は、内径が下方に向けて漸次小さくなったテーパ状に形成され、図4に示すように、均一な肉厚で下端7aが断面矩形状に形成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の単結晶引上装置には、以下のような課題が残されている。すなわち、結晶成長時、アルゴンガスはフロー管7内を通ってその下端から半導体融液L表面の中央に向けて吹き付けられ、さらに半導体融液L上を石英ルツボ3の半径方向外方に流れていくが、従来のフロー管7では、その下端7aが角部(断面矩形状)となっているために、下端7a近傍でアルゴンガスの乱流が生じやすく、そのため半導体融液L表面が揺らされて結晶成長に乱れが生じる場合があった。
【0005】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、フロー管からのアルゴンガスの乱流を防ぐことができる単結晶引上装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の単結晶引上装置では、不活性ガスが供給されるチャンバ内にルツボを配し、該ルツボ内の半導体融液から半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって、
前記ルツボの上方に該ルツボと同軸に配置され前記不活性ガスを流通させて前記半導体融液表面に誘導する略円筒状のフロー管を備え、該フロー管は、その下端部が上部より厚肉な保温材で形成されて、 前記フロー管の下端が前記半導体融液表面に近接して配されるとともに角部がないよう丸く面取りされ、前記下端の面取り形状における縦断面での曲率Rが3〜30mmの範囲に設定され、前記フロー管は、その下端面が半径方向内側から半径方向外側に上方に向けて傾斜して形成され、前記フロー管は、前記下端面の傾斜角θが水平面に対して30°に設定されていることを特徴とする。
本発明は、不活性ガスが供給されるチャンバ内にルツボを配し、該ルツボ内の半導体融液から半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって、前記ルツボの上方に該ルツボと同軸に配置され前記不活性ガスを流通させて前記半導体融液表面に誘導する略円筒状のフロー管を備え、該フロー管は、その下端が前記半導体融液表面に近接して配されるとともに面取りされている技術が採用される。
【0007】
この単結晶引上装置では、フロー管の下端が半導体融液表面に近接して配されるとともに面取りされているので、フロー管内を通過して下端から半導体融液表面に不活性ガスが吹き付けられる際、面取りされた下端近傍において、乱流が発生し難く、不活性ガスがスムーズに流れる。
【0008】
本発明の単結晶引上装置では、請求項1記載の単結晶引上装置において、前記フロー管は、その下端面が半径方向内側から半径方向外側に上方に向けて傾斜して形成されている技術が採用される。
【0009】
この単結晶引上装置では、フロー管の下端面が半径方向内側から半径方向外側に上方に向けて傾斜して形成されているので、下端面と半導体融液表面との間のガスの流路が半径方向外側にいくほど上方に拡がることになり、フロー管内を通って半導体融液表面に吹き付けられた不活性ガスがスムーズに半径方向外側に流れ出ることができる。
【0010】
本発明の単結晶引上装置では、請求項1または2記載の単結晶引上装置において、前記フロー管は、その下端部が上部より厚肉な保温材で形成されている技術が採用される。
【0011】
この単結晶引上装置では、フロー管の下端部が上部より厚肉な保温材で形成されているので、半導体融液近傍の保温性および特に半径方向の温度均一性が向上するとともに、上下方向で保温性が異なり上下方向における温度勾配が大きくなることから、引上速度を上げることが可能となる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る単結晶引上装置の一実施形態を、図1および図2を参照しながら説明する。
これらの図にあって、符号11はチャンバ、12はシャフト、13はサセプタ、14はルツボ、15はヒータ、16は保温筒、17はフロー管を示している。
【0013】
図1は、本実施形態の単結晶引上装置を示すものであって、該単結晶引上装置は、中空の気密容器であるチャンバ11内に、該チャンバ11の中央下部に垂直に立設され上下動可能なシャフト12と、該シャフト12上に載置されたカーボン製のサセプタ13と、該サセプタ13に支持されシリコンの融液である半導体融液Lを貯留する石英(SiO2)製のルツボ14と、該ルツボ14の外周に所定距離離間して配されたヒータ15と、該ヒータ15の周囲に配された保温筒16とがそれぞれ配置されている。
【0014】
また、ルツボ14の上方に該ルツボ14と同軸に配置された略円筒状のフロー管17と、保温筒16の上部に取り付けられフロー管17を支持する円環状のアッパーリング18とを備えている。
前記ルツボ14は、シャフト12の軸線を中心として水平面上で所定の角速度で回転する構成になっている。
前記ヒータ15は、シリコン原料をルツボ14内で加熱・融解するとともに生じた半導体融液Lを保温するもので、通常、抵抗加熱が用いられる。
【0015】
前記保温筒16は、炭素繊維(カーボンファイバ)からなる保温材16aで形成されその内側面に支持板としてカーボン板16bが張られている。
また、チャンバ11上部からは、引上ワイヤ19が昇降自在にかつ回転自在に吊り下げられ、該引上ワイヤ19の下端部には、シリコンの種結晶が固定されている。
なお、チャンバ11の上部には、半導体単結晶Cの固液界面を観察するための透明窓部20が設けられている。
【0016】
前記フロー管17は、内径が下方に向けて漸次小さくなるテーパ状の円筒部材であり、その上端フランジ部17aがアッパーリング18を介して保温筒16の上部に固定されている。このフロー管17は、成長時に半導体単結晶Cへの輻射熱を遮断するとともに、チャンバ11上端のガス導入口11aから供給されるアルゴンガス(不活性ガス)を通過させて半導体融液L上に吹き付け、半導体融液Lから発生するSiO2を吹き流すものである。なお、吹き流されたSiO2を含むアルゴンガスは、チャンバ11下端のガス排出口11bから外部に順次排出される。
【0017】
また、フロー管17の下端17bは、図1および図2に示すように、半導体融液L表面に近接して配されるとともに丸く面取りされている。なお、本実施形態では、下端17bの面取り形状が曲率Rは12mm(縦断面)に設定されているが、アルゴンガスの流量やフロー管の内径および配置等の条件に応じて曲率Rは3〜30mmの範囲に設定することが好ましい。
【0018】
さらに、フロー管17の下端面17cは、半径方向内側から半径方向外側に上方に向けて傾斜して形成されている。なお、本実施形態では、水平面と下端面17cとの傾斜角θを30°に設定している。
また、フロー管17は、炭素繊維からなる保温材17eで形成されているとともに、その表面に支持板としてカーボン板17fが張られている。そして、フロー管17の下端部17dは、上部より厚肉な保温材17eで形成されている。
なお、上記保温材16a、17eが炭素繊維であるので、保温性や耐熱性に優れ、かつ軽量な保温筒16およびフロー管17が得られる。保温材としては、上記炭素繊維以外に、熱伝導度の低い材料として、グラスファイバ等を採用しても構わない。また、カーボン板17f、フロー管17の下端面17cおよび下端17bにおけるカーボン板には、SiCやPC等のコーティングを施してもよい。
【0019】
この単結晶引上装置において結晶成長を行う場合、まずガス導入口11aからアルゴンガスを供給するとともに、ヒータ15に通電してルツボ14内のシリコン原料を溶融して半導体融液Lとし、そしてヒータ15の電力を調整して半導体融液Lの中央液面付近を単結晶成長温度に保つ。次に、引上ワイヤ19により吊り下げられた種結晶を下降させて半導体融液Lに浸してなじませ、いわゆるネッキングにより無転位化を行い、その後、ルツボ15と引上ワイヤ19とを互いに反対に回転させながら半導体単結晶Cを引き上げ成長する。
【0020】
本実施形態では、フロー管17の下端17bが半導体融液L表面に近接して配されるとともに面取りされているので、フロー管17内を通過して下端17bから半導体融液L表面にアルゴンガスが吹き付けられる際、面取りされた下端17bに角部がないため、乱流が発生し難く、アルゴンガスがスムーズに流れる。
また、フロー管17の下端面17cが半径方向内側から半径方向外側に上方に向けて傾斜して形成されているので、下端面17cと半導体融液L表面との間のガスの流路が半径方向外側にいくほど上方に拡がることになり、半導体融液L表面に吹き付けられたアルゴンガスがスムーズに半径方向外側に流れ出る。
【0021】
さらに、フロー管17の下端部17dが、フロー管17の上部より厚肉(すなわち上部より下端部17dが膨らんだ形状)な保温材17eで形成されているので、半導体融液L近傍の保温性および特に半径方向の温度均一性が向上するとともに、上下方向で保温性が異なり上下方向における温度勾配が大きくなることから、引上速度を上げることが可能となる。
【0022】
なお、保温性の向上により固液界面上方における温度が均一化されるため、半導体融液Lが安定して品質の高い結晶を引き上げることができる。
特に、近年、固液界面での成長軸方向の温度勾配をGとしたとき、結晶の中心部と外周部との温度勾配Gの差△Gを小さくすると、COP(Crystal Originated Particle)等の成長時導入欠陥の発生を抑制できることがわかり、本実施形態では、固液界面上方における保温性が向上するので、△Gが低減されて低COP化等を図ることができる。
【0023】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
本発明の単結晶引上装置によれば、フロー管の下端が半導体融液表面に近接して配されるとともに面取りされているので、フロー管下端から半導体融液表面に不活性ガスが吹き付けられる際、乱流が発生し難く、不活性ガスがスムーズに流れて乱流による結晶成長への影響を低減させることができ、結晶の品質や歩留まり等を向上させることができる。
【0024】
本発明の単結晶引上装置によれば、フロー管の下端面が半径方向内側から半径方向外側に上方に向けて傾斜して形成されているので、半導体融液表面に吹き付けられた不活性ガスがスムーズに半径方向外側に流れ出ることができ、さらに乱流の発生を抑制することができる。
【0025】
本発明の単結晶引上装置によれば、フロー管の下端部が上部より厚肉な保温材で形成されているので、半導体融液近傍の保温性および半径方向の温度均一性が向上し、半導体融液が安定して、高品質の結晶を引上成長することが可能となる。特に、△Gが低減されて低COP化や低酸素濃度化を図ることができ、いわゆるピュアシリコン等を成長することも可能となる。したがって、高性能デバイス用の単結晶を製造することが可能となる。また、上下方向で保温性が異なり上下方向における温度勾配が大きくなることから、引上速度を上げることができ、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る単結晶引上装置の一実施形態を示す全体断面図である。
【図2】 本発明に係る単結晶引上装置の一実施形態を示す要部の断面図である。
【図3】 本発明に係る単結晶引上装置の従来例を示す全体断面図である。
【図4】 本発明に係る単結晶引上装置の従来例を示す要部の断面図である。
【符号の説明】
11 チャンバ
14 ルツボ
15 ヒータ
16 保温筒
16a、17e 保温材
17 フロー管
17b フロー管の下端
17c フロー管の下端面
17d フロー管の下端部
C 半導体単結晶
L 半導体融液
Claims (1)
- 不活性ガスが供給されるチャンバ内にルツボを配し、該ルツボ内の半導体融液から半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって、
前記ルツボの上方に該ルツボと同軸に配置され前記不活性ガスを流通させて前記半導体融液表面に誘導する略円筒状のフロー管を備え、
該フロー管は、その下端部が上部より厚肉な保温材で形成されて、
前記フロー管の下端が前記半導体融液表面に近接して配されるとともに角部がないよう丸く面取りされ、
前記下端の面取り形状における縦断面での曲率Rが3〜30mmの範囲に設定され、
前記フロー管は、その下端面が半径方向内側から半径方向外側に上方に向けて傾斜して形成され、
前記フロー管は、前記下端面の傾斜角θが水平面に対して30°に設定されていることを特徴とする単結晶引上装置。
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