JP2001010890A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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- JP2001010890A JP2001010890A JP11177534A JP17753499A JP2001010890A JP 2001010890 A JP2001010890 A JP 2001010890A JP 11177534 A JP11177534 A JP 11177534A JP 17753499 A JP17753499 A JP 17753499A JP 2001010890 A JP2001010890 A JP 2001010890A
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- Japan
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- heater
- single crystal
- heat retaining
- crucible
- crystal pulling
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶引上装置において、ヒータからの熱の
保温性を向上させること。 【解決手段】 ルツボ１４内の半導体融液Ｌから半導体
単結晶Ｃを引き上げる単結晶引上装置であって、前記ル
ツボの周囲に配され該ルツボ内の前記半導体融液を加熱
する筒状のヒータ１５と、該ヒータの周囲に配され保温
材１６ａで形成された保温筒部材１６とを備え、前記ヒ
ータの上方には、保温材１６ａ、１８ａで形成された上
部保温部１６ｃ、１８が配されている。
保温性を向上させること。 【解決手段】 ルツボ１４内の半導体融液Ｌから半導体
単結晶Ｃを引き上げる単結晶引上装置であって、前記ル
ツボの周囲に配され該ルツボ内の前記半導体融液を加熱
する筒状のヒータ１５と、該ヒータの周囲に配され保温
材１６ａで形成された保温筒部材１６とを備え、前記ヒ
ータの上方には、保温材１６ａ、１８ａで形成された上
部保温部１６ｃ、１８が配されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＺ法（チョクラ
ルスキー法）を用いて、ルツボに貯留された半導体融液
より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置に関す
る。
ルスキー法）を用いて、ルツボに貯留された半導体融液
より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン（Ｓｉ）やガリウムヒ素
（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶を成長する手段の一つと
して、ＣＺ法を用いた単結晶引上装置が知られている。
この単結晶引上装置は、図２に示すように、チャンバ１
内部のカーボンサセプタ２上に配設した石英ルツボ３内
に半導体融液Ｌを貯留し、該半導体融液Ｌを石英ルツボ
３の周囲に配置した円筒状のヒータ４で所定温度に加熱
制御して、この半導体融液Ｌから半導体単結晶Ｃを引き
上げるものである。この単結晶引上装置では、ヒータ４
の周囲には保温材で形成された円筒状の保温筒５が配置
され、ヒータ４の外側においてヒータ４の保温性を確保
している。
（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶を成長する手段の一つと
して、ＣＺ法を用いた単結晶引上装置が知られている。
この単結晶引上装置は、図２に示すように、チャンバ１
内部のカーボンサセプタ２上に配設した石英ルツボ３内
に半導体融液Ｌを貯留し、該半導体融液Ｌを石英ルツボ
３の周囲に配置した円筒状のヒータ４で所定温度に加熱
制御して、この半導体融液Ｌから半導体単結晶Ｃを引き
上げるものである。この単結晶引上装置では、ヒータ４
の周囲には保温材で形成された円筒状の保温筒５が配置
され、ヒータ４の外側においてヒータ４の保温性を確保
している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の単結晶引上装置には、以下のような課題が残されて
いる。すなわち、上記ヒータ４は、その加熱量が大きい
と近傍に位置するカーボンサセプタ２等の劣化が速くな
り寿命が短くなることから、ヒータ４からの熱の保温性
を向上させて加熱量を低減させることが望まれている。
しかし、従来は、ヒータの外側を直円筒状の保温筒で囲
んで保温するだけであるため、ヒータの上部に熱が逃げ
やすく十分な保温性が得られなかった。また、半導体融
液を安定させて品質の高い結晶を引き上げるためには、
ヒータの上下方向における温度も均一化させる必要があ
り、さらに高い保温性が要望されている。特に、近年、
固液界面での成長軸方向の温度勾配をＧとしたとき、結
晶の中心部と外周部との温度勾配Ｇの差△Ｇを小さくす
ると、ＣＯＰ(Crystal Originated Particle)等の成長
時導入欠陥の発生を抑制できることがわかり、このため
固液界面上方における保温性を向上させて、△Ｇの低減
を図ることが要望されている。
来の単結晶引上装置には、以下のような課題が残されて
いる。すなわち、上記ヒータ４は、その加熱量が大きい
と近傍に位置するカーボンサセプタ２等の劣化が速くな
り寿命が短くなることから、ヒータ４からの熱の保温性
を向上させて加熱量を低減させることが望まれている。
しかし、従来は、ヒータの外側を直円筒状の保温筒で囲
んで保温するだけであるため、ヒータの上部に熱が逃げ
やすく十分な保温性が得られなかった。また、半導体融
液を安定させて品質の高い結晶を引き上げるためには、
ヒータの上下方向における温度も均一化させる必要があ
り、さらに高い保温性が要望されている。特に、近年、
固液界面での成長軸方向の温度勾配をＧとしたとき、結
晶の中心部と外周部との温度勾配Ｇの差△Ｇを小さくす
ると、ＣＯＰ(Crystal Originated Particle)等の成長
時導入欠陥の発生を抑制できることがわかり、このため
固液界面上方における保温性を向上させて、△Ｇの低減
を図ることが要望されている。
【０００４】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、ヒータからの熱の保温性をさらに向上させること
ができる単結晶引上装置を提供することを目的とする。
ので、ヒータからの熱の保温性をさらに向上させること
ができる単結晶引上装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の単結晶引上装置では、ルツボ内の半導体融液か
ら半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって、
前記ルツボの周囲に配され該ルツボ内の前記半導体融液
を加熱する筒状のヒータと、該ヒータの周囲に配され保
温材で形成された保温筒部材とを備え、前記ヒータの上
方には、保温材で形成された上部保温部が配されている
技術が採用される。
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の単結晶引上装置では、ルツボ内の半導体融液か
ら半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって、
前記ルツボの周囲に配され該ルツボ内の前記半導体融液
を加熱する筒状のヒータと、該ヒータの周囲に配され保
温材で形成された保温筒部材とを備え、前記ヒータの上
方には、保温材で形成された上部保温部が配されている
技術が採用される。
【０００６】この単結晶引上装置では、ヒータの上方に
保温材で形成された上部保温部が配されているので、ヒ
ータの外側だけでなく上方においても上部保温部によっ
て保温され、保温性が向上する。したがって、ヒータの
上下方向の温度均一性を高めることができる。
保温材で形成された上部保温部が配されているので、ヒ
ータの外側だけでなく上方においても上部保温部によっ
て保温され、保温性が向上する。したがって、ヒータの
上下方向の温度均一性を高めることができる。
【０００７】請求項２記載の単結晶引上装置では、請求
項１記載の単結晶引上装置において、前記上部保温部
は、前記保温筒部材の上部が前記ヒータの上方に突出し
て形成された内側突出部である技術が採用される。
項１記載の単結晶引上装置において、前記上部保温部
は、前記保温筒部材の上部が前記ヒータの上方に突出し
て形成された内側突出部である技術が採用される。
【０００８】この単結晶引上装置では、上部保温部が、
保温筒部材の上部がヒータの上方に突出して形成された
内側突出部であるので、上部保温部を保温筒部材の上部
に一体で形成でき、別個に保温用の部材を設置する必要
がない。
保温筒部材の上部がヒータの上方に突出して形成された
内側突出部であるので、上部保温部を保温筒部材の上部
に一体で形成でき、別個に保温用の部材を設置する必要
がない。
【０００９】請求項３記載の単結晶引上装置では、請求
項１記載の単結晶引上装置において、前記ルツボの上方
に該ルツボと同軸に配置された略円筒状のフロー管と、
該フロー管を支持する支持部材とを備え、前記上部保温
部は、前記保温筒部材の上部に取り付けられ前記ヒータ
の上方に突出して配された前記支持部材である技術が採
用される。
項１記載の単結晶引上装置において、前記ルツボの上方
に該ルツボと同軸に配置された略円筒状のフロー管と、
該フロー管を支持する支持部材とを備え、前記上部保温
部は、前記保温筒部材の上部に取り付けられ前記ヒータ
の上方に突出して配された前記支持部材である技術が採
用される。
【００１０】この単結晶引上装置では、上部保温部が、
保温筒部材の上部に取り付けられヒータの上方に突出し
て配された支持部材であるので、支持部材がヒータの上
方を保温する機能も備えることにより、別個に保温用の
部材を設置する必要がない。
保温筒部材の上部に取り付けられヒータの上方に突出し
て配された支持部材であるので、支持部材がヒータの上
方を保温する機能も備えることにより、別個に保温用の
部材を設置する必要がない。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る単結晶引上装
置の一実施形態を、図１を参照しながら説明する。この
図にあって、符号１１はチャンバ、１２はシャフト、１
３はサセプタ、１４はルツボ、１５はヒータ、１６は保
温筒を示している。
置の一実施形態を、図１を参照しながら説明する。この
図にあって、符号１１はチャンバ、１２はシャフト、１
３はサセプタ、１４はルツボ、１５はヒータ、１６は保
温筒を示している。
【００１２】図１は、本実施形態の単結晶引上装置を示
すものであって、該単結晶引上装置は、中空の気密容器
であるチャンバ１１内に、該チャンバ１１の中央下部に
垂直に立設され上下動可能なシャフト１２と、該シャフ
ト１２上に載置されたカーボン製のサセプタ１３と、該
サセプタ１３に支持されシリコンの融液である半導体融
液Ｌを貯留する石英（ＳｉＯ２）製のルツボ１４と、該
ルツボ１４の外周に所定距離離間して配されたヒータ１
５と、該ヒータ１５の周囲に配された保温筒（保温筒部
材）１６とがそれぞれ配置されている。
すものであって、該単結晶引上装置は、中空の気密容器
であるチャンバ１１内に、該チャンバ１１の中央下部に
垂直に立設され上下動可能なシャフト１２と、該シャフ
ト１２上に載置されたカーボン製のサセプタ１３と、該
サセプタ１３に支持されシリコンの融液である半導体融
液Ｌを貯留する石英（ＳｉＯ２）製のルツボ１４と、該
ルツボ１４の外周に所定距離離間して配されたヒータ１
５と、該ヒータ１５の周囲に配された保温筒（保温筒部
材）１６とがそれぞれ配置されている。
【００１３】また、ルツボ１４の上方に該ルツボ１４と
同軸に配置された略円筒状のフロー管１７と、保温筒１
６の上部に取り付けられフロー管１７を支持する円環状
のアッパーリング（支持部材、上部保温部）１８とを備
えている。前記ルツボ１４は、シャフト１２の軸線を中
心として水平面上で所定の角速度で回転する構成になっ
ている。前記ヒータ１５は、シリコン原料をルツボ１４
内で加熱・融解するとともに生じた半導体融液Ｌを保温
するもので、通常、抵抗加熱が用いられる。
同軸に配置された略円筒状のフロー管１７と、保温筒１
６の上部に取り付けられフロー管１７を支持する円環状
のアッパーリング（支持部材、上部保温部）１８とを備
えている。前記ルツボ１４は、シャフト１２の軸線を中
心として水平面上で所定の角速度で回転する構成になっ
ている。前記ヒータ１５は、シリコン原料をルツボ１４
内で加熱・融解するとともに生じた半導体融液Ｌを保温
するもので、通常、抵抗加熱が用いられる。
【００１４】また、チャンバ１１上部からは、引上ワイ
ヤ１９が昇降自在にかつ回転自在に吊り下げられ、該引
上ワイヤ１９の下端部には、シリコンの種結晶が固定さ
れている。なお、チャンバ１１の上部には、半導体単結
晶Ｃの固液界面を観察するための透明窓部２０が設けら
れている。
ヤ１９が昇降自在にかつ回転自在に吊り下げられ、該引
上ワイヤ１９の下端部には、シリコンの種結晶が固定さ
れている。なお、チャンバ１１の上部には、半導体単結
晶Ｃの固液界面を観察するための透明窓部２０が設けら
れている。
【００１５】前記フロー管１７は、内径が下方に向けて
漸次小さくなるテーパ状の円筒部材であり、その上端フ
ランジ部１７ａがアッパーリング１８を介して保温筒１
６の上部に固定されている。このフロー管１７は、成長
時に半導体単結晶Ｃへの輻射熱を遮断するとともに、チ
ャンバ１１上端のガス導入口１１ａから供給されるアル
ゴンガスを通過させて半導体融液Ｌ上に吹き付け、半導
体融液Ｌから発生するＳｉＯ2を吹き流すものである。
なお、吹き流されたＳｉＯ2を含むアルゴンガスは、チ
ャンバ１１下端のガス排出口１１ｂから外部に順次排出
される。
漸次小さくなるテーパ状の円筒部材であり、その上端フ
ランジ部１７ａがアッパーリング１８を介して保温筒１
６の上部に固定されている。このフロー管１７は、成長
時に半導体単結晶Ｃへの輻射熱を遮断するとともに、チ
ャンバ１１上端のガス導入口１１ａから供給されるアル
ゴンガスを通過させて半導体融液Ｌ上に吹き付け、半導
体融液Ｌから発生するＳｉＯ2を吹き流すものである。
なお、吹き流されたＳｉＯ2を含むアルゴンガスは、チ
ャンバ１１下端のガス排出口１１ｂから外部に順次排出
される。
【００１６】前記保温筒１６は、炭素繊維（カーボンフ
ァイバ）からなる保温材１６ａで形成されその内側面に
支持板としてカーボン板１６ｂが張られている。また、
保温筒１６の上部には、ヒータ１５の上方に突出した内
側突出部（上部保温部）１６ｃが円環状に形成されてい
る。なお、カーボン板１６ｂの代わりに、ＣＣＭ材(Cab
on fiber reformed Carbon Composite Materials)を使
用してもよい。前記アッパーリング１８も、保温筒１６
と同様に、炭素繊維からなる保温材１８ａで形成されそ
の外面に支持板としてカーボン板１８ｂが張られてい
る。なお、上記保温材１６ａ、１８ａが炭素繊維である
ので、保温性や耐熱性に優れ、かつ軽量な保温筒１６お
よびアッパーリング１８が得られる。保温材としては、
上記炭素繊維以外に、熱伝導度の低い材料として、グラ
スファイバ等を採用しても構わない。
ァイバ）からなる保温材１６ａで形成されその内側面に
支持板としてカーボン板１６ｂが張られている。また、
保温筒１６の上部には、ヒータ１５の上方に突出した内
側突出部（上部保温部）１６ｃが円環状に形成されてい
る。なお、カーボン板１６ｂの代わりに、ＣＣＭ材(Cab
on fiber reformed Carbon Composite Materials)を使
用してもよい。前記アッパーリング１８も、保温筒１６
と同様に、炭素繊維からなる保温材１８ａで形成されそ
の外面に支持板としてカーボン板１８ｂが張られてい
る。なお、上記保温材１６ａ、１８ａが炭素繊維である
ので、保温性や耐熱性に優れ、かつ軽量な保温筒１６お
よびアッパーリング１８が得られる。保温材としては、
上記炭素繊維以外に、熱伝導度の低い材料として、グラ
スファイバ等を採用しても構わない。
【００１７】この単結晶引上装置において結晶成長を行
う場合、まずガス導入口１１ａからアルゴンガスを供給
するとともに、ヒータ１５に通電してルツボ１４内のシ
リコン原料を溶融して半導体融液Ｌとし、そしてヒータ
１５の電力を調整して半導体融液Ｌの中央液面付近を単
結晶成長温度に保つ。次に、引上ワイヤ１９により吊り
下げられた種結晶を下降させて半導体融液Ｌに浸してな
じませ、いわゆるネッキングにより無転位化を行い、そ
の後、ルツボ１５と引上ワイヤ１９とを互いに反対に回
転させながら半導体単結晶Ｃを引き上げ成長する。
う場合、まずガス導入口１１ａからアルゴンガスを供給
するとともに、ヒータ１５に通電してルツボ１４内のシ
リコン原料を溶融して半導体融液Ｌとし、そしてヒータ
１５の電力を調整して半導体融液Ｌの中央液面付近を単
結晶成長温度に保つ。次に、引上ワイヤ１９により吊り
下げられた種結晶を下降させて半導体融液Ｌに浸してな
じませ、いわゆるネッキングにより無転位化を行い、そ
の後、ルツボ１５と引上ワイヤ１９とを互いに反対に回
転させながら半導体単結晶Ｃを引き上げ成長する。
【００１８】本実施形態では、ヒータ１５の上方に保温
材１６ａ、１８ａで形成された内側突出部１６ｃおよび
アッパーリング１８が配されているので、ヒータ１５上
方への熱をこれらで遮蔽し、ヒータ１５の外側だけでな
く上方においても熱が十分に保温される。したがって、
従来のストレートな筒形状の保温筒だけで保温する場合
に比べて、ヒータ１５の加熱量を低く設定することが可
能（実際には、使用電力量が約半分に低減可能）とな
り、炉内の熱効率およびサセプタ１３等のカーボンパー
ツの寿命を大幅に向上させることができる。また、ヒー
タ１５の上下方向の温度が均一になり、半導体融液Ｌが
安定化して高品質な結晶が引き上げやすくなる。特に、
ヒータ１５上方の保温性が向上することにより、結晶成
長において△Ｇが低減されて低ＣＯＰ化や低酸素濃度化
を図ることができる。
材１６ａ、１８ａで形成された内側突出部１６ｃおよび
アッパーリング１８が配されているので、ヒータ１５上
方への熱をこれらで遮蔽し、ヒータ１５の外側だけでな
く上方においても熱が十分に保温される。したがって、
従来のストレートな筒形状の保温筒だけで保温する場合
に比べて、ヒータ１５の加熱量を低く設定することが可
能（実際には、使用電力量が約半分に低減可能）とな
り、炉内の熱効率およびサセプタ１３等のカーボンパー
ツの寿命を大幅に向上させることができる。また、ヒー
タ１５の上下方向の温度が均一になり、半導体融液Ｌが
安定化して高品質な結晶が引き上げやすくなる。特に、
ヒータ１５上方の保温性が向上することにより、結晶成
長において△Ｇが低減されて低ＣＯＰ化や低酸素濃度化
を図ることができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。
請求項１記載の単結晶引上装置によれば、ヒータの上方
に保温材で形成された上部保温部が配されているので、
ヒータの外側だけでなく上方においても上部保温部によ
って保温され、保温性および熱効率をさらに向上させる
ことができる。したがって、省エネルギー化を図ること
ができるとともに、ヒータの上下方向における温度も均
一化され、半導体融液も安定することから、高品質の結
晶を引上成長することが可能となる。特に、ヒータ上方
の保温性が向上することにより、結晶成長において△Ｇ
が低減されて低ＣＯＰ化や低酸素濃度化を図ることがで
き、いわゆるピュアシリコン等を成長することも可能と
なる。したがって、高性能デバイス用の単結晶を製造す
ることが可能となる。
請求項１記載の単結晶引上装置によれば、ヒータの上方
に保温材で形成された上部保温部が配されているので、
ヒータの外側だけでなく上方においても上部保温部によ
って保温され、保温性および熱効率をさらに向上させる
ことができる。したがって、省エネルギー化を図ること
ができるとともに、ヒータの上下方向における温度も均
一化され、半導体融液も安定することから、高品質の結
晶を引上成長することが可能となる。特に、ヒータ上方
の保温性が向上することにより、結晶成長において△Ｇ
が低減されて低ＣＯＰ化や低酸素濃度化を図ることがで
き、いわゆるピュアシリコン等を成長することも可能と
なる。したがって、高性能デバイス用の単結晶を製造す
ることが可能となる。
【００２０】請求項２記載の単結晶引上装置によれば、
上部保温部が、保温筒部材の上部がヒータの上方に突出
して形成された内側突出部であるので、上部保温部を保
温筒部材の上部に一体で形成でき、簡便な構成であると
ともに別個に保温用の部材を設置する必要がなく、低コ
ストで実現することができる。
上部保温部が、保温筒部材の上部がヒータの上方に突出
して形成された内側突出部であるので、上部保温部を保
温筒部材の上部に一体で形成でき、簡便な構成であると
ともに別個に保温用の部材を設置する必要がなく、低コ
ストで実現することができる。
【００２１】請求項３記載の単結晶引上装置によれば、
上部保温部が、保温筒部材の上部に取り付けられヒータ
の上方に突出して配された支持部材であるので、支持部
材がヒータの上方を保温する機能も備えることにより、
別個に保温用の部材を設置する必要がなく、低コストで
実現することができる。
上部保温部が、保温筒部材の上部に取り付けられヒータ
の上方に突出して配された支持部材であるので、支持部
材がヒータの上方を保温する機能も備えることにより、
別個に保温用の部材を設置する必要がなく、低コストで
実現することができる。
【図１】 本発明に係る単結晶引上装置の一実施形態を
示す全体断面図である。
示す全体断面図である。
【図２】 本発明に係る単結晶引上装置の従来例を示す
全体断面図である。
全体断面図である。
１４ ルツボ １５ ヒータ １６ 保温筒（保温筒部材） １６ａ、１８ａ 保温材 １６ｃ 内側突出部（上部保温部） １７ フロー管 １８ アッパーリング（上部保温部、支持部材） Ｃ 半導体単結晶 Ｌ 半導体融液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内藤 宣正 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 佐々木 斉 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 符 森林 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF10 EG18 EG19 EG25 PA16
Claims (3)
- 【請求項１】 ルツボ内の半導体融液から半導体単結晶
を引き上げる単結晶引上装置であって、 前記ルツボの周囲に配され該ルツボ内の前記半導体融液
を加熱する筒状のヒータと、 該ヒータの周囲に配され保温材で形成された保温筒部材
とを備え、 前記ヒータの上方には、保温材で形成された上部保温部
が配されていることを特徴とする単結晶引上装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の単結晶引上装置におい
て、 前記上部保温部は、前記保温筒部材の上部が前記ヒータ
の上方に突出して形成された内側突出部であることを特
徴とする単結晶引上装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の単結晶引上装置におい
て、 前記ルツボの上方に該ルツボと同軸に配置された略円筒
状のフロー管と、 該フロー管を支持する支持部材とを備え、 前記上部保温部は、前記保温筒部材の上部に取り付けら
れ前記ヒータの上方に突出して配された前記支持部材で
あることを特徴とする単結晶引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11177534A JP2001010890A (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11177534A JP2001010890A (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 単結晶引上装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001010890A true JP2001010890A (ja) | 2001-01-16 |
Family
ID=16032626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11177534A Pending JP2001010890A (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001010890A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101129112B1 (ko) * | 2009-08-21 | 2012-03-23 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 제조장치 |
| JP2013035728A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶育成装置 |
| JP2013043817A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶育成装置 |
| KR20150060690A (ko) | 2012-10-03 | 2015-06-03 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 단결정 육성장치 및 실리콘 단결정 육성방법 |
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