JP2007314375A - 単結晶製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】CZ法によるシリコン単結晶製造装置において、長期間の汚染防止の効果を得るために、黒鉛製円筒の内壁を覆う石英製の筒(石英筒)を設置した場合に、引き上げる単結晶の有転位化が発生しやすくなるという問題を解決し、鉄汚染のない高品質のシリコン単結晶を効率よく製造できるシリコン単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶製造装置1において、引上げるシリコン単結晶3を囲繞するように黒鉛製円筒11をシリコン融液18上に設け、黒鉛製円筒11の内側に少なくとも一部が透明である石英筒13を配置し、石英筒13の開口部上端に、内側がテーパー形状のガスを整流させるためのリング15を配置する。
【選択図】図1
【解決手段】シリコン単結晶製造装置1において、引上げるシリコン単結晶3を囲繞するように黒鉛製円筒11をシリコン融液18上に設け、黒鉛製円筒11の内側に少なくとも一部が透明である石英筒13を配置し、石英筒13の開口部上端に、内側がテーパー形状のガスを整流させるためのリング15を配置する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体素子の製造に用いられるシリコン単結晶を、チョクラルスキー法(Czochralski Method、以下CZ法と省略する)により、高品質で、効率よく製造する装置に関するものである。より詳しくは、CZ法により鉄汚染のないシリコン単結晶を効率よく製造できるシリコン単結晶の製造装置に関するものである。
LSI(Large Scale Integration)等の半導体装置は、pn接合でのリーク電流が少なく、また、MOSトランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Transistor)のゲート酸化膜耐圧が高く、信頼性の高い電気的特性が要求される。これらの特性を劣化させる原因として、基板となるシリコンウェーハの結晶欠陥、及びウェーハの金属元素が挙げられ、特に鉄元素による金属汚染により、MOSゲート酸化膜耐圧の劣化などが報告されている。
この鉄元素は、主として周囲の環境或いは装置からの汚染により取り込まれるが、基板の単結晶に含まれているものもある。近年、半導体装置を製造する工程のクリーン化が進み、半導体装置の環境および製造装置からの汚染が少なくなり、工程前の基板の単結晶に含まれる鉄元素が着目され、その低減が求められている。
上記のような基板の単結晶における金属汚染を防止するため、CZ法によるシリコン単結晶の製造において、単結晶の周囲に黒鉛製円筒を設置し、単結晶を製造する場合、単結晶外周での黒鉛製円筒からの汚染を防止するため、黒鉛製円筒に熱分解炭素、または炭化珪素の皮膜を形成し、単結晶を製造する方法がある(特許文献1参照)。しかし、これらの皮膜は、黒鉛製円筒を長時間使用している間に減耗し、また、ハンドリング時に損傷し、十分な効果を得られない。
そこで、特許文献2には、黒鉛製円筒の内壁を石英製の筒(石英筒)で覆うことで、長期間に亘り、汚染防止の効果が得られる製造装置が開示されている。
なお、特許文献3には、CZ法により、所望の欠陥領域を有し、Fe及びCuの不純物汚染を防止して高品質のシリコン単結晶を製造するため、ガス整流筒の内側に石英材が設けられ、該石英材の内側下部に断熱材が設けられている単結晶製造装置が開示されている。さらに、断熱材からの不純物汚染を防止するため、熱分解炭素またはSiCを被覆した、黒鉛材または石英材からなる断熱カバーで、断熱材を覆うという単結晶製造装置が開示されている。
しかし、黒鉛製円筒の内壁を石英筒で覆うと、湯面に近い高温の先端部分において、徐々に石英の結晶化が促進し、部分的に白色化して、炉内監視等に支障が生じるようになる。この際、石英筒を上下反転すると、炉内監視等に支障がなくなり、石英筒をさらに長期間使用できるが、白色化した部分が脆性化し、細かな塵埃が発生し、結晶の有転位化が発生しやすくなるという問題があった。
また、石英筒は、透明石英製で歪がなく、目視による炉内監視ができ、さらにCCDカメラ(Charge Coupled Device Camera)等による固液界面の観察により、引き上げ中のシリコン単結晶の直径検出が十分にできる必要がある。このため、歪の発生する複雑な研削加工等ができないことから、石英筒端面が円筒管を切断し、面取りしただけの単純な形状となり、この端面部分で黒鉛製円筒内を流れる炉内ガスの流れが乱れ、融液表面から発生する酸化物などが単結晶周囲に漂って、十分に除去されなくなり、成長中の単結晶の固液界面に付着し、単結晶を有転位化させてしまう問題があった。
以上、述べたような結晶の有転位化が発生することで、有転位化した引上げ結晶を熔融し、再び単結晶を成長し直すという製造時間の無駄なロスが生じ、生産性を低下させて、効率的な単結晶製造ができなくなる。
また、特許文献2の単結晶製造装置のように黒鉛製円筒の内側全面を覆い、石英筒を黒鉛製円筒と同じ長さとした場合、黒鉛製円筒内で炉内ガスの流れが乱れることはないが、石英筒の重量が重くなり、温度の高い湯面側が自重を支えている間に内側に変形し、経時変化で変形が大きくなると、前述の石英筒端面での問題と同様に内側に突出した部分でガスの流れを乱し、単結晶を有転位化させてしまう問題が発生する。
このため、特許文献2では、下側半分の高温部を黒鉛製の円筒状枠体とし、そこに板ガラスをはめ込んだ実施例を挙げているが、この方法では、高温の引上げ単結晶周囲のごく近傍に黒鉛部材が存在するので、円筒状枠体に汚染防止の皮膜を設けても、高温で皮膜が短期間で消耗し、長期間に亘り、汚染防止の効果を得ることができない。
一方、板ガラスを使用しないで、加工精度の高い石英筒を使用した場合であっても、石英筒上端部付近で発生する石英の細かな塵埃が融液面に落下し、この塵埃が引上げ中のシリコン単結晶に付着して、有転位化するという問題があった。
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の主な目的は、CZ法によるシリコン単結晶製造装置において、黒鉛製円筒の内壁を石英製の筒(石英筒)で覆うことで、長期間の汚染防止の効果を得ると共に、石英筒を設置した場合に引き上げる単結晶の有転位化が発生しやすくなるという問題を解決し、鉄汚染のない高品質のシリコン単結晶を効率よく製造できるシリコン単結晶の製造装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、CZ法によりシリコン単結晶を製造する装置において、引上げるシリコン単結晶を囲繞するように黒鉛製円筒をシリコン融液上に設け、該黒鉛製円筒の内側に少なくとも一部が透明である石英製の円筒を配置し、該石英製の円筒の開口部上端に、内側がテーパー形状のガスを整流させるためのリングを配置したものであることを特徴とするシリコン単結晶製造装置を提供する(請求項1)。
このように、石英製の円筒の開口部上端に、内側がテーパー形状で雰囲気ガスの整流作用のあるリングを配置することにより、石英筒の上端部付近で発生する石英の細かな塵埃が湯面側に落下するのを阻止し、引上げ結晶にこの塵埃が付着し単結晶が有転位化するのを防止できる。また、円筒内を流れるガスの乱れをなくし、融液表面から発生する酸化物等の単結晶周囲に漂う浮遊物を十分に除去し、この様な浮遊物で単結晶が有転位化するのを防止できる。
更に、黒鉛製円筒の内側に少なくとも一部が透明である石英製の円筒を配置することにより、目視による炉内監視ができ、さらにCCDカメラ等による固液界面の観察により、引き上げ中のシリコン単結晶の直径検出が十分にできるため、直径のバラツキが少ない高品質のシリコン単結晶を育成することができる。
この場合、前記リングは、SiC皮膜または熱分解炭素皮膜で被覆された黒鉛、または石英で作られているものであることが好ましい(請求項2)。
このように、ガス整流リングがSiC膜または熱分解炭素皮膜で被覆された黒鉛、または石英で作られていることにより、ガス整流リングから引上げ単結晶にFe汚染が生じることを防止でき、鉄汚染のない高品質のシリコン単結晶を効率よく製造できる。
このように、ガス整流リングがSiC膜または熱分解炭素皮膜で被覆された黒鉛、または石英で作られていることにより、ガス整流リングから引上げ単結晶にFe汚染が生じることを防止でき、鉄汚染のない高品質のシリコン単結晶を効率よく製造できる。
そして、前記石英製の円筒は、前記黒鉛製円筒内の700℃以上の高温部分を全て覆う長さを有するものであることが好ましい(請求項3)。
黒鉛製円筒内の700℃以上の高温部分では特に黒鉛製円筒のSiC皮膜または熱分解炭素皮膜が劣化・損耗し易いが、このように、黒鉛製円筒内で700℃以上となる高温部分を石英筒で全て覆うことにより、高温で黒鉛製円筒のSiC皮膜または熱分解炭素皮膜が劣化・損耗しても、引上げ単結晶にFe汚染が生じることを確実に防止でき、黒鉛製円筒を長期間に亘り使用することができる。
黒鉛製円筒内の700℃以上の高温部分では特に黒鉛製円筒のSiC皮膜または熱分解炭素皮膜が劣化・損耗し易いが、このように、黒鉛製円筒内で700℃以上となる高温部分を石英筒で全て覆うことにより、高温で黒鉛製円筒のSiC皮膜または熱分解炭素皮膜が劣化・損耗しても、引上げ単結晶にFe汚染が生じることを確実に防止でき、黒鉛製円筒を長期間に亘り使用することができる。
また、前記石英製の円筒は、前記黒鉛製円筒の少なくとも炉内監視及び直径検出用の開口窓部を覆う部分を透明な石英とするものであることが好ましい(請求項4)。
このように、黒鉛製円筒の炉内監視及び直径検出用の開口窓部を覆う部分を、歪の少ない透明な石英とすることで目視による炉内監視ができ、CCDカメラ等による固液界面の観察により、引き上げ中のシリコン単結晶の直径検出が十分にできるため、単結晶の直径バラツキが少ない高品質のシリコン単結晶を育成することができる。さらに、透明石英部分が、酸化物付着により曇ったり、また、結晶化により白色に失透したりすることで、炉内監視およびCCDカメラ等での固液界面の観察に支障が生じた場合、透明石英部分だけを交換するだけで、不透明石英部分をそのまま使用継続でき、経済的である。
そして、前記開口窓部を覆う部分以外は、透明な石英または不透明な石英とするものであることが好ましい(請求項5)。
このように、開口窓部を覆う部分以外を透明石英または不透明石英とすることで、黒鉛製円筒内の形状に合わせて研削加工し、その後、歪を除去するためのエッチング、熱処理を施すことができ、黒鉛製円筒内が複雑な形状であっても、その形状に合わせた石英筒を製作できる。
このように、開口窓部を覆う部分以外を透明石英または不透明石英とすることで、黒鉛製円筒内の形状に合わせて研削加工し、その後、歪を除去するためのエッチング、熱処理を施すことができ、黒鉛製円筒内が複雑な形状であっても、その形状に合わせた石英筒を製作できる。
本発明に係るシリコン単結晶の製造装置であれば、黒鉛製円筒の内側に石英筒を使用しても、結晶の有転位化が増加することがないので、単結晶の外周部分における金属汚染の少ない、高品質のシリコン単結晶を高い生産性と歩留で製造でき、コストメリットがある。
以下、本発明について詳述する。図1は本発明の単結晶製造装置の一実施例である。
図1の装置は、単結晶製造装置1の主チャンバー2内に黒鉛ルツボCで保持された石英ルツボDが設置され、該黒鉛ルツボCは底部中心で回転し、上下動する支持軸10により支持される。主チャンバー2上方には製造した単結晶を引き上げて取出しする開口扉の設けられたプルチャンバー21が設けられている。
主チャンバー2の首部23には、上端を気密に設置し、下端を融液18に向かって垂下する黒鉛製円筒11が設けられ、該円筒下端に断熱リング12が取り付けられている。
図1の装置は、単結晶製造装置1の主チャンバー2内に黒鉛ルツボCで保持された石英ルツボDが設置され、該黒鉛ルツボCは底部中心で回転し、上下動する支持軸10により支持される。主チャンバー2上方には製造した単結晶を引き上げて取出しする開口扉の設けられたプルチャンバー21が設けられている。
主チャンバー2の首部23には、上端を気密に設置し、下端を融液18に向かって垂下する黒鉛製円筒11が設けられ、該円筒下端に断熱リング12が取り付けられている。
この断熱リング12は本発明では必須でなく、取り付けなくてもよい。しかし、取り付けることで、引上単結晶の口径が大きくなっても十分な熱遮蔽効果をもち、引上速度の低下をきたすこともなく、また固液界面全体での温度の均一化がはかられ、単結晶化率を低下させることもなく、結晶熱履歴、結晶の温度分布を容易にかつ精度よく制御することができるという効果がある。
黒鉛製円筒11は、SiC膜または熱分解炭素皮膜で被覆された黒鉛から作られている。これにより、黒鉛製円筒から育成中のシリコン単結晶への鉄汚染を防止する。
黒鉛製円筒11内には、少なくとも一部が透明である石英筒13を設置する。
黒鉛製円筒11内に石英筒13を設置することにより、高温の引上げ単結晶3のごく近傍に存在する黒鉛部材を石英筒が覆っているので、高温で黒鉛製円筒11のSiC皮膜または熱分解炭素皮膜が劣化・損耗しても、引上げ単結晶にFe汚染が生じることを防止できる。
黒鉛製円筒11内に石英筒13を設置することにより、高温の引上げ単結晶3のごく近傍に存在する黒鉛部材を石英筒が覆っているので、高温で黒鉛製円筒11のSiC皮膜または熱分解炭素皮膜が劣化・損耗しても、引上げ単結晶にFe汚染が生じることを防止できる。
プルチャンバー21の上方には、雰囲気ガスの導入管22が設けられ、主チャンバー底部には排ガス管24が設けられている。そして、黒鉛ルツボCの外周にシリコン原料を加熱熔融した後、融液を適温に保つための黒鉛ヒーターH、断熱シールドSが設置され、導入管22より単結晶製造装置1のガス整流筒30内に雰囲気ガスを導入しながら、融液18に種結晶17を浸し、引き上げ用のワイヤー16を回転させながら巻き上げて、単結晶3を成長させていく。
このような単結晶製造装置において、本発明では、石英筒13の上に内側がテーパー形状で雰囲気ガスの整流作用のある黒鉛製または石英製のガス整流リング15を設置する。ガス整流リング15により、黒鉛製円筒および石英筒内を流通するガスを整流し、シリコン単結晶を引き上げる際、石英筒の上端部付近で発生する石英の細かな塵埃が湯面側に落下するのを阻止し、引上げ結晶にこの塵埃が付着するのを防ぎ、単結晶が有転位化するのを防止できる。また、円筒内を流れるガスの乱れをなくし、融液表面から発生する酸化物等の単結晶周囲に漂う浮遊物を十分に除去し、この様な浮遊物で単結晶が有転位化するのを防止できる。
また、シリコン融液の湯面に近い高温の石英筒の先端部分において、徐々に石英の結晶化が促進し、部分的に白色化して、炉内監視等に支障が生じるようになった際、石英筒を上下反転して使用しても、このようなガス整流リングを石英筒の開口部上端に設置することにより、白色化した部分が石英筒の上端部付近で細かな塵埃となって湯面側に落下するのを阻止でき、引上げ結晶にこの塵埃が付着せず、単結晶が有転位化するのを防止できる。したがって、石英筒をより長期間使用することができるようになり、石英筒にかかっていたコストを削減できる。
そして、石英筒13の長さは、長過ぎず短過ぎず、黒鉛製円筒11の700℃以上となる高温部分を全て覆う長さが好ましい。
黒鉛製円筒11の700℃以上となる高温部分では特に、黒鉛製円筒11に被覆したSiC膜または熱分解炭素皮膜が劣化・損耗し易いので、SiC膜または熱分解炭素皮膜が劣化・損耗した黒鉛製円筒から、育成中のシリコン単結晶への鉄汚染を防止するためである。また、黒鉛製円筒11の700℃以上となる高温部分だけを石英筒13で覆うことにより、従来の石英筒と黒鉛製円筒が同じ長さの場合より、石英筒の重量が軽くなるので、単結晶育成中に温度の高い湯面側が内側に変形することが抑制される。したがって、石英筒の変形が少ないので、単結晶育成中にガス流の乱れを防止でき、単結晶の有転位化を防止できる。
黒鉛製円筒11の700℃以上となる高温部分では特に、黒鉛製円筒11に被覆したSiC膜または熱分解炭素皮膜が劣化・損耗し易いので、SiC膜または熱分解炭素皮膜が劣化・損耗した黒鉛製円筒から、育成中のシリコン単結晶への鉄汚染を防止するためである。また、黒鉛製円筒11の700℃以上となる高温部分だけを石英筒13で覆うことにより、従来の石英筒と黒鉛製円筒が同じ長さの場合より、石英筒の重量が軽くなるので、単結晶育成中に温度の高い湯面側が内側に変形することが抑制される。したがって、石英筒の変形が少ないので、単結晶育成中にガス流の乱れを防止でき、単結晶の有転位化を防止できる。
また、石英筒13は、黒鉛製円筒11の炉内監視及び直径検出用の開口窓部32を覆う部分を、透明な石英とするものであることが好ましい。
このように、黒鉛製円筒11の炉内監視及び直径検出用の開口窓部32を覆う部分を、透明な石英とすることで、目視による炉内監視ができ、CCDカメラ等による固液界面の観察により、引き上げ中のシリコン単結晶の直径検出が十分にできる。したがって、単結晶の直径バラツキが少ない高品質のシリコン単結晶を育成することができる。
さらに、透明石英部分が、酸化物付着により曇ったり、また、結晶化により白色に失透したりすることで、炉内監視およびCCDカメラ等での固液界面の観察に支障が生じた場合、透明石英部分だけを交換するだけで、不透明石英部分をそのまま使用継続でき、経済的である。
そして、黒鉛製円筒11の炉内監視及び直径検出用の開口窓部32を覆う部分以外は、透明な石英または不透明な石英とすることにより、石英筒を黒鉛製円筒内の形状に合わせて研削加工し、その後、歪を除去するためのエッチング、熱処理を施すことができ、黒鉛製円筒内が複雑な形状であっても、その形状に合わせた石英筒を製作できる。したがって、石英筒によりガスの流れを乱さないように、必要形状に加工することができる。
なお、石英筒13は一体物で製作できない場合、必要に応じて2〜3分割としてもよい。
特許文献2の実施例には、黒鉛製円筒に観察用覗き窓を開放させた場合、単結晶中の酸素濃度が高まり、高酸素品(18ppm以上)が製造され、また、板状ガラスで覗き窓部を覆うことで、低酸素品(18ppm以下)が製造できることが記載されている。しかし、この方法では、板状ガラスを固定するための円筒状枠体が黒鉛部材となるため、高温の引上げ単結晶3のごく近傍に黒鉛部材が露出し、引上げ単結晶にFe汚染が生じることになる。
本発明の石英筒13は少なくとも一部が透明であるか、炉内監視及び直径検出用の開口窓部32を覆う部分を、歪の少ない透明な石英とするので、特許文献2のように、板状ガラスで黒鉛製円筒の覗き窓部を覆う必要がない。したがって、高温の引上げ単結晶3のごく近傍には石英筒13が存在するので、引上げ単結晶のFe汚染を低減できる。
以下、本発明の実施例および比較例をあげて更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1・比較例1)
図2(A)に示す通り、従来の黒鉛製円筒内に石英筒だけを取り付けたものを準備した(比較例)。
また、図2(B)に示す通り、本発明の黒鉛製円筒内に少なくとも一部が透明である石英筒を設置し、該石英筒の上にガス整流リング15を設置したものを準備した(実施例)。
なお、本発明の実施例では、石英筒の下側(融液側)にテーパー状の不透明石英製リング33を設置し、黒鉛製円筒内の高温部分を全て石英で覆い、結晶の金属汚染防止効果を高めている。
表1に各装置で単結晶を製造した条件とその結果を示す。
(実施例1・比較例1)
図2(A)に示す通り、従来の黒鉛製円筒内に石英筒だけを取り付けたものを準備した(比較例)。
また、図2(B)に示す通り、本発明の黒鉛製円筒内に少なくとも一部が透明である石英筒を設置し、該石英筒の上にガス整流リング15を設置したものを準備した(実施例)。
なお、本発明の実施例では、石英筒の下側(融液側)にテーパー状の不透明石英製リング33を設置し、黒鉛製円筒内の高温部分を全て石英で覆い、結晶の金属汚染防止効果を高めている。
表1に各装置で単結晶を製造した条件とその結果を示す。
ここで、SPV値とは、SPV法(Surface Photovoltage Method)により、ウェーハのFe濃度を測定した値である(特許文献1参照)。SPV値の測定方法は、引上げた単結晶の尾部付近でサンプルウェーハを採取し、SPV法により測定した。
SPVレベルの良好は、製造した単結晶のSPV値が目標とする1×1010A/cc以下の100%達成を表す。
SPV値1×1010A/cc以下の割合は、製造した単結晶1本ごとにSPV値を測定し、目標値を達成した結晶本数/製造した単結晶本数×100(%)で表した。
SPV値1×1010A/cc以下の割合は、製造した単結晶1本ごとにSPV値を測定し、目標値を達成した結晶本数/製造した単結晶本数×100(%)で表した。
DF率(%)は、引上げ重量の全量が無転位結晶となった結晶本数/製造した単結晶本数×100(%)で表した。単結晶化率(%)は、製品(製品直径部分)となる単結晶重量/使用した原料重量×100(%)で表した。
表1の通り、本発明の実施例は、SPV値が目標1×1010A/cc以下を100%達成し、かつ、DF率と単結晶化率が比較例よりも良くなっている。また、長期に亘って鉄汚染を防止できることが判る。
以上より、本発明では、従来の単結晶製造装置と比べ、石英筒を使用しても、結晶の有転位化が増加することがないので、単結晶の外周部分における金属汚染の少ない、SPVレベルの良いシリコン単結晶を高い生産性と歩留で製造できる。さらに、このような製造装置でシリコン単結晶を製造すれば、再びシリコン単結晶を成長し直す必要が激減するので、製造時間的にもコスト的にも、メリットがある。さらに、石英筒の寿命を延ばすことができ、部品コストの低減もはかれる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1…単結晶製造装置、 2…主チャンバー、 3…単結晶、
10…支持軸、 11…黒鉛製円筒、 12…断熱リング、 13…石英筒、
15…ガス整流リング、 16…引上げ用ワイヤー、 17…種結晶、
18…シリコン融液、 21…プルチャンバー、 22…雰囲気ガス導入管、
23…首部、 24…排ガス管、 30…ガス整流筒、
32…黒鉛製円筒の開口窓部、 33…不透明石英製リング、
C…黒鉛ルツボ、 D…石英ルツボ、 H…黒鉛ヒーター、 S…断熱シールド。
10…支持軸、 11…黒鉛製円筒、 12…断熱リング、 13…石英筒、
15…ガス整流リング、 16…引上げ用ワイヤー、 17…種結晶、
18…シリコン融液、 21…プルチャンバー、 22…雰囲気ガス導入管、
23…首部、 24…排ガス管、 30…ガス整流筒、
32…黒鉛製円筒の開口窓部、 33…不透明石英製リング、
C…黒鉛ルツボ、 D…石英ルツボ、 H…黒鉛ヒーター、 S…断熱シールド。
Claims (5)
- CZ法によりシリコン単結晶を製造する装置において、引上げるシリコン単結晶を囲繞するように黒鉛製円筒をシリコン融液上に設け、該黒鉛製円筒の内側に少なくとも一部が透明である石英製の円筒を配置し、該石英製の円筒の開口部上端に、内側がテーパー形状のガスを整流させるためのリングを配置したものであることを特徴とするシリコン単結晶製造装置。
- 前記リングは、SiC皮膜または熱分解炭素皮膜で被覆された黒鉛、または石英で作られているものであることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶製造装置。
- 前記石英製の円筒は、前記黒鉛製円筒内の700℃以上の高温部分を全て覆う長さを有するものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコン単結晶製造装置。
- 前記石英製の円筒は、前記黒鉛製円筒の少なくとも炉内監視及び直径検出用の開口窓部を覆う部分を透明な石英とするものであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶製造装置。
- 前記開口窓部を覆う部分以外は、透明な石英または不透明な石英とすることを特徴とする請求項4に記載のシリコン単結晶装置。
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