JP2018095538A - 単結晶引上げ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記熱遮蔽部材は、該熱遮蔽部材の前記シリコン融液と対向する側の表面が空間を介して、少なくとも一部が石英板で覆われたものであることを特徴とする単結晶引上げ装置を提供する。
図1に示した本発明の単結晶引上げ装置において、直径が32インチ(約800mm)のルツボを装備して、磁場印加チョクラルスキー法(MCZ法)を用いて直径が12インチ(約300mm)の単結晶を育成した。
図6に示した熱遮蔽部材8の下部とシリコン融液14との間に何も構造物を設置しない構造の単結晶引上げ装置100を用いたことを除いて、実施例1と同じ方法で、シリコン単結晶を育成した。
図7に示した熱遮蔽部材8の下部に密着した石英部材215を有する構造の単結晶引上げ装置200を用いたことを除いては実施例1と同じ方法で、シリコン単結晶を育成した。
図1に示した本発明の単結晶引上げ装置において、熱遮蔽部材と石英板の間隔を1mm、5mm、10mmと変化させたこと以外は、実施例1と同様にして単結晶を育成した。
5…筒部、 6…ヒーター、 7…断熱材、 8…熱遮蔽部材、 9…石英ルツボ、
10…黒鉛ルツボ、 11…保持軸、 12…ガス導入口、 13…ガス排出口、
14…シリコン融液、 15…石英板、 16…下部プレート、 17…吊り下げ具、
18…テーパ部、 19…メインチャンバー、 20…引上げチャンバー、
21…ワイヤー、 22…空間。
Claims (5)
- チャンバー内に配置されたルツボに収容されたシリコン融液と対向するように配置された熱遮蔽部材を有するチョクラルスキー法による単結晶引上げ装置であって、
前記熱遮蔽部材は、該熱遮蔽部材の前記シリコン融液と対向する側の表面が空間を介して、少なくとも一部が石英板で覆われたものであることを特徴とする単結晶引上げ装置。 - 前記石英板を保持するための下部プレートと、該下部プレートと前記熱遮蔽部材とを接続するための吊り下げ具とを備えるものであることを特徴とする請求項1に記載の単結晶引上げ装置。
- 前記吊り下げ具の寸法を変えることによって、前記熱遮蔽部材と前記石英板の間隔を1mmから10mmまで調節することが可能なものであることを特徴とする請求項2に記載の単結晶引上げ装置。
- 前記石英板、前記下部プレート及び前記吊り下げ具は、前記熱遮蔽部材に対し、着脱自在に設けられものであることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の単結晶引上げ装置。
- 前記下部プレート及び前記吊り下げ具は、黒鉛材、炭素複合材、モリブデン、タングステン、セラミックスのいずれか、または、これらのいずれかの複合材であることを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか一項に記載の単結晶引上げ装置。
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JP2007191353A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 輻射シールド及びそれを具備する単結晶引上装置 |
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