JPH01100087A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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- JPH01100087A JPH01100087A JP25675987A JP25675987A JPH01100087A JP H01100087 A JPH01100087 A JP H01100087A JP 25675987 A JP25675987 A JP 25675987A JP 25675987 A JP25675987 A JP 25675987A JP H01100087 A JPH01100087 A JP H01100087A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、チョクラルスキー法によって単結晶を引上げ
成長させる単結晶引上装置に関する。
成長させる単結晶引上装置に関する。
従来、この種の単結晶引上装置としては、ルツボの縁か
ら外方へ突出している上部の平たい環状リムと、この環
状リムに取付けられ、内側の縁から円筒形状に下方に傾
斜しているまたは円錐状に先細りになっている連結部と
からなるカバー装置によって、ルツボとルツボ内に含ま
れる半導体溶融物とを部分的に被覆するものが知られて
いる（特公昭５７−４０１１９号公報参照）。
ら外方へ突出している上部の平たい環状リムと、この環
状リムに取付けられ、内側の縁から円筒形状に下方に傾
斜しているまたは円錐状に先細りになっている連結部と
からなるカバー装置によって、ルツボとルツボ内に含ま
れる半導体溶融物とを部分的に被覆するものが知られて
いる（特公昭５７−４０１１９号公報参照）。
しかしながら、上記従来の単結晶引上装置にあっては、
円筒部上部の平たい環状リムの下面部において、融体か
ら蒸発発生した一酸化ケイ素（ＳｉＯ）の凝縮が起こり
、固体化した粒子が溶融物表面に落下して単結晶化を阻
害するという問題があると共に、ルツボの内周壁部付近
の溶融物表面が上記環状リムによって覆われているから
、外部からその状況が観察できないという問題がある。
円筒部上部の平たい環状リムの下面部において、融体か
ら蒸発発生した一酸化ケイ素（ＳｉＯ）の凝縮が起こり
、固体化した粒子が溶融物表面に落下して単結晶化を阻
害するという問題があると共に、ルツボの内周壁部付近
の溶融物表面が上記環状リムによって覆われているから
、外部からその状況が観察できないという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、ルツボ内の溶融物から発生した一酸化
ケイ素の凝縮が起こりにくく、固体化した粒子がｒ８融
物表面に落トすることを抑制できて、単結晶化を阻害す
る要因を未然に排除できると共に、ルツボの内周壁部付
近の溶融物表面の目視が容易な単結晶引上装置を提供す
ることにある。
とするところは、ルツボ内の溶融物から発生した一酸化
ケイ素の凝縮が起こりにくく、固体化した粒子がｒ８融
物表面に落トすることを抑制できて、単結晶化を阻害す
る要因を未然に排除できると共に、ルツボの内周壁部付
近の溶融物表面の目視が容易な単結晶引上装置を提供す
ることにある。
１記目的を達成するために、本発明は、筒本体部とこの
筒本体部の下端に続いて内方に先細りした傾斜筒部とを
一体形成した又は分割組立てたリフレクタ本体と、この
リフレクタ本体の筒本体部の上端外縁に設けられ、かつ
保温筒の上部に支持された複数の係止部と、上記リフレ
クタ本体の筒本体部の上端内縁に設けられた円環状カバ
ーとを備えたものである。
筒本体部の下端に続いて内方に先細りした傾斜筒部とを
一体形成した又は分割組立てたリフレクタ本体と、この
リフレクタ本体の筒本体部の上端外縁に設けられ、かつ
保温筒の上部に支持された複数の係止部と、上記リフレ
クタ本体の筒本体部の上端内縁に設けられた円環状カバ
ーとを備えたものである。
本発明の単結晶引上装置にあっては、リフレクタ本体を
複数の係止部によって支持することにより、各係止部に
一酸化ケイ素の凝縮が起こらないと共に、各係止部間の
間隙を通してルツボ内の溶融物の表面を視認できる。
複数の係止部によって支持することにより、各係止部に
一酸化ケイ素の凝縮が起こらないと共に、各係止部間の
間隙を通してルツボ内の溶融物の表面を視認できる。
（実施例）
以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。
第１図と第２図は本発明の一実施例を示すもので、第１
図は概略構成図、第２図はリフレクタの平面図である。
図は概略構成図、第２図はリフレクタの平面図である。
これらの図において符号１は炉本体であり、この炉本体
１のほぼ中央部には石英ルツボ２が設けられている。そ
して、石英ルツボ２は、黒鉛サセプタ２′を介して回転
自在な下軸３に取付けられている。また、上記石英ルツ
ボ２の周囲には１．上記石英ルツボ２内のシリコン融液
４の温度を制御するヒータ５が設置されると共に、この
ヒータ５と炉本体１との間には、保温筒６が配置されて
いる。そして、この保温筒６の上面には、リング状の支
持部材７が設けられており、この支持部材７にリフレク
タ８が支持されている。
１のほぼ中央部には石英ルツボ２が設けられている。そ
して、石英ルツボ２は、黒鉛サセプタ２′を介して回転
自在な下軸３に取付けられている。また、上記石英ルツ
ボ２の周囲には１．上記石英ルツボ２内のシリコン融液
４の温度を制御するヒータ５が設置されると共に、この
ヒータ５と炉本体１との間には、保温筒６が配置されて
いる。そして、この保温筒６の上面には、リング状の支
持部材７が設けられており、この支持部材７にリフレク
タ８が支持されている。
上記リフレクタ８は、上記石英ルツボ２の内径より小に
設定された円筒部９ａとこの円筒部９ａの上方に続いて
わずかに外方に傾斜した拡開筒部９ｂと上記円筒部９ａ
の下方に続いて内方に先細りした傾斜筒部９Ｃとを一体
形成した又は分割組立てたリフレクタ本体９と、このリ
フレクタ本体９の拡ｎ１８１部９ｂの上端外縁に設けら
れ、かつ上記支持部材７の上面に支持された３個の１字
状フック（係止部）１０と、上記リフレクタ本体９の拡
開筒部９ｂの上端内縁に設けられ、かつ単結晶１１を冷
却する冷却筒１２の外周面とほぼ気密的に配置された円
環状カバー１３とから構成されている。また、上記円環
状カバー１３には、炉本体１に設けられた覗き窓１４か
ら単結晶１１とシリコン融液４との境界部が目視できる
ように石英ガラス窓１６が設けられている。 上記のよ
うに構成された単結晶引上装置にあっては、従来同様、
石英ルツボ２内のシリコン融液４に種結晶を浸漬させた
後に、この種結晶を引上げることにより°、種結晶の下
端に順次単結晶１１が成長していく。
設定された円筒部９ａとこの円筒部９ａの上方に続いて
わずかに外方に傾斜した拡開筒部９ｂと上記円筒部９ａ
の下方に続いて内方に先細りした傾斜筒部９Ｃとを一体
形成した又は分割組立てたリフレクタ本体９と、このリ
フレクタ本体９の拡ｎ１８１部９ｂの上端外縁に設けら
れ、かつ上記支持部材７の上面に支持された３個の１字
状フック（係止部）１０と、上記リフレクタ本体９の拡
開筒部９ｂの上端内縁に設けられ、かつ単結晶１１を冷
却する冷却筒１２の外周面とほぼ気密的に配置された円
環状カバー１３とから構成されている。また、上記円環
状カバー１３には、炉本体１に設けられた覗き窓１４か
ら単結晶１１とシリコン融液４との境界部が目視できる
ように石英ガラス窓１６が設けられている。 上記のよ
うに構成された単結晶引上装置にあっては、従来同様、
石英ルツボ２内のシリコン融液４に種結晶を浸漬させた
後に、この種結晶を引上げることにより°、種結晶の下
端に順次単結晶１１が成長していく。
この場合、炉本体１内に供給づるアルゴンガスの流れを
冷却１１１１１２の内部及び外部の二系統とし、かつ、
冷却筒１２の内部側にアルゴンガスを供給する供給管か
ら分岐したバイパス管により冷却筒１２の外部側にアル
ゴンガスを供給するようにすることによって、シリコン
融液４の表面部に流れるアルゴンガスの流量及び流速を
容易にコントロールでき、単結晶１１内に含まれる酸素
濃度を制御できる上に、Ｅ記名１−字状フック１０が細
幅で−ｍ化ケイ素の凝縮が起こりにくい構造であり、し
かも各り字状フック１０の−Ｌ方から下方にかけてアル
ゴンガスが流れているから、リフレクタ８に−・酸化ケ
イ素が凝縮することがない。また、各り字状フック１０
１ｉｉ１の間隙を通して、炉本体１の覗き窓１４から石
英ルツボ２の内周壁部付近のシリコン融液４の表面を視
認できるので、この内周壁部において万一再結晶が発生
した場合には、確認が容易で、直ちに対応した操作が実
施できる。
冷却１１１１１２の内部及び外部の二系統とし、かつ、
冷却筒１２の内部側にアルゴンガスを供給する供給管か
ら分岐したバイパス管により冷却筒１２の外部側にアル
ゴンガスを供給するようにすることによって、シリコン
融液４の表面部に流れるアルゴンガスの流量及び流速を
容易にコントロールでき、単結晶１１内に含まれる酸素
濃度を制御できる上に、Ｅ記名１−字状フック１０が細
幅で−ｍ化ケイ素の凝縮が起こりにくい構造であり、し
かも各り字状フック１０の−Ｌ方から下方にかけてアル
ゴンガスが流れているから、リフレクタ８に−・酸化ケ
イ素が凝縮することがない。また、各り字状フック１０
１ｉｉ１の間隙を通して、炉本体１の覗き窓１４から石
英ルツボ２の内周壁部付近のシリコン融液４の表面を視
認できるので、この内周壁部において万一再結晶が発生
した場合には、確認が容易で、直ちに対応した操作が実
施できる。
さらに、シリコン融液４と単結晶１１との境界部も、石
英ガラス窓１５を通して覗き窓１４から容易に監視でき
る。
英ガラス窓１５を通して覗き窓１４から容易に監視でき
る。
以上説明したように、本発明は、筒本体部とこの筒本体
部の下端に続いて内方に先細りした傾斜筒部とを一体形
成した又は分割組立てたリフレク夕本体と、このリフレ
クタ本体の筒本体部の上端外縁に設けられ、かつ保温筒
の上部に支持された複数の係止部と、上記リフレクタ本
体の筒本体部の上端内縁に設けられた円環状カバーとを
備えたものであるから、上記リフレクタ本体を複数の係
止部によって支持づることにより、各係止部にへ・酸化
ケイ素の凝縮が生じにくく、従って、単結晶化を阻害す
る要因を取り除くことができる上に、各係止部間の間隙
を通してルツボ内の溶融物の表面を視認できるという優
れた効果を有する。
部の下端に続いて内方に先細りした傾斜筒部とを一体形
成した又は分割組立てたリフレク夕本体と、このリフレ
クタ本体の筒本体部の上端外縁に設けられ、かつ保温筒
の上部に支持された複数の係止部と、上記リフレクタ本
体の筒本体部の上端内縁に設けられた円環状カバーとを
備えたものであるから、上記リフレクタ本体を複数の係
止部によって支持づることにより、各係止部にへ・酸化
ケイ素の凝縮が生じにくく、従って、単結晶化を阻害す
る要因を取り除くことができる上に、各係止部間の間隙
を通してルツボ内の溶融物の表面を視認できるという優
れた効果を有する。
第１図と第２図は本発明の一実施例を示すもので、第１
図は概略構成図、第２図はリフレクタの係止部の平面図
である。 ６・・・・・・保温筒、 ７・・・・・・支持部材、 ８・・・・・・リフレクタ、 ９・・・・・・リフレクタ本体、 ９ａ・・・・・・円筒部（筒本体部）、９ｂ・・・・・
・拡開筒部（ｒＲ本体部）、９Ｃ・・・・・・傾斜筒部
、 １０・・・・・・Ｌ字状フック（係止部）、１１・・・
・・・単結晶、 １３・・・・・・円環状カバー。
図は概略構成図、第２図はリフレクタの係止部の平面図
である。 ６・・・・・・保温筒、 ７・・・・・・支持部材、 ８・・・・・・リフレクタ、 ９・・・・・・リフレクタ本体、 ９ａ・・・・・・円筒部（筒本体部）、９ｂ・・・・・
・拡開筒部（ｒＲ本体部）、９Ｃ・・・・・・傾斜筒部
、 １０・・・・・・Ｌ字状フック（係止部）、１１・・・
・・・単結晶、 １３・・・・・・円環状カバー。
Claims (1)
- チョクラルスキー法によって単結晶を引上げ成長させ
る単結晶引上装置において、筒本体部とこの筒本体部の
下端に続いて内方に先細りした傾斜筒部とを一体形成し
た又は分割組立てたリフレクタ本体と、このリフレクタ
本体の筒本体部の上端外縁に設けられ、かつ保温筒の上
部に支持された複数の係止部と、上記リフレクタ本体の
筒本体部の上端内縁に設けられた円環状カバーとを具備
したことを特徴とする単結晶引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256759A JP2580198B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256759A JP2580198B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 単結晶引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100087A true JPH01100087A (ja) | 1989-04-18 |
| JP2580198B2 JP2580198B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=17297047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62256759A Expired - Lifetime JP2580198B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2580198B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03218994A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-26 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置 |
| JPH06219886A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-09 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 単結晶の引上装置 |
| US5575847A (en) * | 1993-11-30 | 1996-11-19 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus for producing single crystals |
| US5683505A (en) * | 1994-11-08 | 1997-11-04 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing single crystals |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP62256759A patent/JP2580198B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03218994A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-26 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置 |
| JPH06219886A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-09 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 単結晶の引上装置 |
| US5476065A (en) * | 1993-01-28 | 1995-12-19 | Mitsubishi Materials Silicon Corp. | System for pulling-up monocrystal and method of exhausting silicon oxide |
| US5573591A (en) * | 1993-01-28 | 1996-11-12 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Method of exhausting silicon oxide |
| US5575847A (en) * | 1993-11-30 | 1996-11-19 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus for producing single crystals |
| US5683505A (en) * | 1994-11-08 | 1997-11-04 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing single crystals |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2580198B2 (ja) | 1997-02-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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