JPH03218994A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
- Publication number
- JPH03218994A JPH03218994A JP1408290A JP1408290A JPH03218994A JP H03218994 A JPH03218994 A JP H03218994A JP 1408290 A JP1408290 A JP 1408290A JP 1408290 A JP1408290 A JP 1408290A JP H03218994 A JPH03218994 A JP H03218994A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- branch pipe
- pipe
- cooling cylinder
- furnace body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 107
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 16
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 44
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、炉本体の融液上部に輻射熱遮蔽体と単結晶冷
却装置とを具備したチョクラルスキー法による単結晶引
上装置に関する。
却装置とを具備したチョクラルスキー法による単結晶引
上装置に関する。
従来、この種の単結晶引上装置としては、第４図に示す
ように、炉本体１の上部に輻明熱遮蔽体１２を具備し、
融液面からの輻射熱による引上結晶への熱影響の制御と
アルゴン流を整流し、融液面から放出されるＳｉＯを効
果的にルツボ上部から系外に排出し、またヒータからの
ＣＯガスによる結晶汚染を防止する構造が用いられ、更
に引上単結晶の熱影響を制御するため内部を冷却水によ
り冷却する単結晶冷却筒１３が設置されるような複雑な
構造が用いられるようになった。この単結晶冷却部８の
上方から流量計１０を有する不活性ガス（アルコンガス
）供給用の導入管１１が連結されたものが知られている
。輻射熱遮蔽体には、特公昭５７−４０１１９号公報に
示されるような輻射熱遮蔽体がある。そして、この単結
晶引上装置を用いてシリコン単結晶を製造する場合には
、炉本体上部の単結晶冷却部８の上端の導入管１１から
内部にアルゴンガスを供給し、融液面を通過し黒鉛ルツ
ボと保温筒の間隙部を通って炉本体１の底部から真空ポ
ンプにより排出する。単結晶弓上は炉本体１内の雰囲気
をアルコンガスに置換すると共に、上記ヒータ６によっ
てルツボ２内の融液５の温度を単結晶引上げに適した温
度に制御した後に、上方よりワイヤ９の下端に把持され
た状態の種結晶を下降させて融液５に浸漬させ、さらに
、ルツボ２と種結晶を回転させながら引上げることによ
り、シリコン単結晶４を得るようにしている。
ように、炉本体１の上部に輻明熱遮蔽体１２を具備し、
融液面からの輻射熱による引上結晶への熱影響の制御と
アルゴン流を整流し、融液面から放出されるＳｉＯを効
果的にルツボ上部から系外に排出し、またヒータからの
ＣＯガスによる結晶汚染を防止する構造が用いられ、更
に引上単結晶の熱影響を制御するため内部を冷却水によ
り冷却する単結晶冷却筒１３が設置されるような複雑な
構造が用いられるようになった。この単結晶冷却部８の
上方から流量計１０を有する不活性ガス（アルコンガス
）供給用の導入管１１が連結されたものが知られている
。輻射熱遮蔽体には、特公昭５７−４０１１９号公報に
示されるような輻射熱遮蔽体がある。そして、この単結
晶引上装置を用いてシリコン単結晶を製造する場合には
、炉本体上部の単結晶冷却部８の上端の導入管１１から
内部にアルゴンガスを供給し、融液面を通過し黒鉛ルツ
ボと保温筒の間隙部を通って炉本体１の底部から真空ポ
ンプにより排出する。単結晶弓上は炉本体１内の雰囲気
をアルコンガスに置換すると共に、上記ヒータ６によっ
てルツボ２内の融液５の温度を単結晶引上げに適した温
度に制御した後に、上方よりワイヤ９の下端に把持され
た状態の種結晶を下降させて融液５に浸漬させ、さらに
、ルツボ２と種結晶を回転させながら引上げることによ
り、シリコン単結晶４を得るようにしている。
しかしながら、上記従来の特公昭５７−４０１１９号公
報に示されるような輻射熱遮蔽体を有する単結晶引上装
置においてシリコン単結晶４を引上げる場合には、シリ
コン単結晶４の上部の肩部か、上記輻射熱遮蔽体１２の
下端に接近する状態および単結晶が輻射熱遮蔽体ｌ２に
入る場合、また結晶冷却筒１３の下端に接近する状態お
よび単結晶か輻射熱遮蔽体１２に入る場合には、単結晶
冷却部８内を流下しているアルゴンガスの流路面積か減
少すると共に、融液面で加熱されたアルコンガスか上昇
気流となりアルコンガスの融液面への流れを阻害するた
め、融液５からの反応生成カスの排気も効果的に行われ
ない状態か生じ、結晶成長界面の温度か変動するため、
引き上げられた結晶に結晶欠陥が生じたり酸素濃度が変
化したり、また結晶が有転位化することもある。このた
め特開平１−１０００８６に示されるような輻射熱遮蔽
体１２を用いてこの保温筒の上端には、複数の係止部に
よってなり、この空隙部にもアルゴンガスが流れる構造
によりヒータ６や保温筒７から発生するＣＯガスの侵入
をより効果的に防止すると共に、ＳｉＯを含む加熱され
たアルゴンガスを冷たいガス流によりアスビレータの作
用で吸い出す構造が使用されるようになったが、ごの場
合シリコン単結晶４の上部の肩部が、上記輻射熱遮蔽体
１２の下端に接近する状態になると、アルゴンガスか主
として輻射熱遮蔽体の係止部に流れ、その後に融液面へ
流れる流速が急激に増加し、また流路も乱れる。この現
象は結晶が単結晶冷却筒１３の下端に接近する状態ても
生じる。この結果、流速の増大により結晶表面及び結晶
成長界面が冷却され、結晶径が増大し、これを補償する
ためヒータ熱供給を急増することにより温度／Ｎランス
か変動し、単結晶の成長支び品質に悪影響を及ぼすとい
う問題かあった。
報に示されるような輻射熱遮蔽体を有する単結晶引上装
置においてシリコン単結晶４を引上げる場合には、シリ
コン単結晶４の上部の肩部か、上記輻射熱遮蔽体１２の
下端に接近する状態および単結晶が輻射熱遮蔽体ｌ２に
入る場合、また結晶冷却筒１３の下端に接近する状態お
よび単結晶か輻射熱遮蔽体１２に入る場合には、単結晶
冷却部８内を流下しているアルゴンガスの流路面積か減
少すると共に、融液面で加熱されたアルコンガスか上昇
気流となりアルコンガスの融液面への流れを阻害するた
め、融液５からの反応生成カスの排気も効果的に行われ
ない状態か生じ、結晶成長界面の温度か変動するため、
引き上げられた結晶に結晶欠陥が生じたり酸素濃度が変
化したり、また結晶が有転位化することもある。このた
め特開平１−１０００８６に示されるような輻射熱遮蔽
体１２を用いてこの保温筒の上端には、複数の係止部に
よってなり、この空隙部にもアルゴンガスが流れる構造
によりヒータ６や保温筒７から発生するＣＯガスの侵入
をより効果的に防止すると共に、ＳｉＯを含む加熱され
たアルゴンガスを冷たいガス流によりアスビレータの作
用で吸い出す構造が使用されるようになったが、ごの場
合シリコン単結晶４の上部の肩部が、上記輻射熱遮蔽体
１２の下端に接近する状態になると、アルゴンガスか主
として輻射熱遮蔽体の係止部に流れ、その後に融液面へ
流れる流速が急激に増加し、また流路も乱れる。この現
象は結晶が単結晶冷却筒１３の下端に接近する状態ても
生じる。この結果、流速の増大により結晶表面及び結晶
成長界面が冷却され、結晶径が増大し、これを補償する
ためヒータ熱供給を急増することにより温度／Ｎランス
か変動し、単結晶の成長支び品質に悪影響を及ぼすとい
う問題かあった。
また、上記問題を解消するものとして、特公昭５７−１
５０７９号公報に記載の単結晶製造装置が知られている
。この単結晶製造装置は、雰囲気ガスの流入管と、該流
入管に流量を調整して雰囲気ガスを導入する手段と、前
記流入管と同軸な第２の１個又は複数個の流入管と、該
第２の流入管に雰囲気ガスを、前記導入する手段と、独
立に又は連動し該雰囲気ガス流量を調整して導入する手
段とを有することにより、雰囲気ガス（アルゴンガス）
の流路を２系統とし、雰囲気カスの流量を単結晶引上段
階に応じて制御して、単結晶引き上げ条件の変動を緩和
しようとするものである。しかしながら、この単結晶製
造装置にあっては、２つの流入管に導入する雰囲気ガス
のａ．量をそれぞれ制御するため、機構が複雑になる上
に、単結晶引上段階に対する流量制御用のプログラムが
必要であり、コストが嵩むという問題がある。また、特
開平］ − １ ０ ０ ０ ８ ７においてアルコン
流を単結晶冷却筒の内部と外部に分岐したたけでは引上
初期の制御が難しく、単結晶が有転位化する確率が高か
った。
５０７９号公報に記載の単結晶製造装置が知られている
。この単結晶製造装置は、雰囲気ガスの流入管と、該流
入管に流量を調整して雰囲気ガスを導入する手段と、前
記流入管と同軸な第２の１個又は複数個の流入管と、該
第２の流入管に雰囲気ガスを、前記導入する手段と、独
立に又は連動し該雰囲気ガス流量を調整して導入する手
段とを有することにより、雰囲気ガス（アルゴンガス）
の流路を２系統とし、雰囲気カスの流量を単結晶引上段
階に応じて制御して、単結晶引き上げ条件の変動を緩和
しようとするものである。しかしながら、この単結晶製
造装置にあっては、２つの流入管に導入する雰囲気ガス
のａ．量をそれぞれ制御するため、機構が複雑になる上
に、単結晶引上段階に対する流量制御用のプログラムが
必要であり、コストが嵩むという問題がある。また、特
開平］ − １ ０ ０ ０ ８ ７においてアルコン
流を単結晶冷却筒の内部と外部に分岐したたけでは引上
初期の制御が難しく、単結晶が有転位化する確率が高か
った。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、比較的簡単な構造でがつ炉本体内の雰
囲気ガスの流れの変動を効果的に抑制できると共に、高
品質無転位単結晶を円滑にかつ確実に得ることができる
単結晶引上装置を提供することにある。
とするところは、比較的簡単な構造でがつ炉本体内の雰
囲気ガスの流れの変動を効果的に抑制できると共に、高
品質無転位単結晶を円滑にかつ確実に得ることができる
単結晶引上装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、炉本体の上部に
設けられた筒状の単結晶冷却部の上部に雰囲気ガスの導
入管を連結し、かつ上記単結晶冷却部の外周部であって
上記炉本体の上部に分岐管の流出口を形成すると共に、
上記導入管と分岐管とを互いに連結して同一の雰囲気ガ
ス供給源から一定量の雰囲気ガスを供給する一方、上記
導入管と分岐管のうち少なくとも一方にバルブを設けた
ものである。
設けられた筒状の単結晶冷却部の上部に雰囲気ガスの導
入管を連結し、かつ上記単結晶冷却部の外周部であって
上記炉本体の上部に分岐管の流出口を形成すると共に、
上記導入管と分岐管とを互いに連結して同一の雰囲気ガ
ス供給源から一定量の雰囲気ガスを供給する一方、上記
導入管と分岐管のうち少なくとも一方にバルブを設けた
ものである。
本発明の単結晶引上装置にあっては、引上開始時よりア
ルコンカスは輻射熱遮蔽体１２の開口部と係止部に流れ
、加熱された上昇気流の抵抗も含めて融液面を整流にて
ＳｉＯを含む加熱されたアルゴンガスか吸い出される。
ルコンカスは輻射熱遮蔽体１２の開口部と係止部に流れ
、加熱された上昇気流の抵抗も含めて融液面を整流にて
ＳｉＯを含む加熱されたアルゴンガスか吸い出される。
引上単結晶の上部が輻射熱遮蔽体ｌ２の下端に接近する
状態になると、単結晶冷却部内のアルゴンガスの流路抵
抗が大きくなり、従って、必然的に導入管よりも分岐管
から黒鉛ルツボ外側に供給されるガスの流量が増加し、
ＳｉＯを含む加熱されたアルゴンガスが吸い出される量
が増大し、再び導入管からのガス流量が増大するが、こ
の変動は係止部に流れるガスに加算されるだけなので大
巾に緩和されながらハランスされる。
状態になると、単結晶冷却部内のアルゴンガスの流路抵
抗が大きくなり、従って、必然的に導入管よりも分岐管
から黒鉛ルツボ外側に供給されるガスの流量が増加し、
ＳｉＯを含む加熱されたアルゴンガスが吸い出される量
が増大し、再び導入管からのガス流量が増大するが、こ
の変動は係止部に流れるガスに加算されるだけなので大
巾に緩和されながらハランスされる。
以下、第１図に基ついて本発明の一実施例を説明する。
なお、本実施例において、第４図に示す上記従来例と同
様の構成の部分については、同符号を付して説明を省略
する。
様の構成の部分については、同符号を付して説明を省略
する。
第１図において符号１は炉本体であり、この炉本体１の
上部には小径の首部８か形成されている。
上部には小径の首部８か形成されている。
そして、この炉本体１の首部８には水冷された単結晶冷
却筒１３が嵌め込まれており、単結晶冷却筒ｌ３と炉本
体１の首部８との間に筒状の流路が形成されている。ま
た、上記首部８の上端には、アルゴンガスを単結晶冷却
筒１３内に供給する分岐管１６が連結されており、かつ
上記炉本体１の単結晶冷却筒１３の上方にバルブ１７を
備えた分岐管１５が連結されている。そして、上記分岐
管１５．１６は互いに連結されて流量計１０を備えた供
給管１１に接続されており、この供給管ｌ１はアルゴン
ガス供給源（図示せず）に連結されている。また、上記
保温筒７の上端には、複数の係止部によって、筒状の輻
射熱遮蔽体１２が支持されており、この輻射熱遮蔽体１
２の下部は縮径して形成されている。なお、上記単結晶
冷却筒１３は炉本体１内に突出しており、引上中のシリ
コン単結晶４の熱履歴を制御し、輻射熱遮蔽体１２は引
き上かった結晶の熱履歴の変動を防止すると共にヒータ
や黒鉛ルツポから発生したＣＯガス等が不純物として単
結晶に導入しない機能を有している。
却筒１３が嵌め込まれており、単結晶冷却筒ｌ３と炉本
体１の首部８との間に筒状の流路が形成されている。ま
た、上記首部８の上端には、アルゴンガスを単結晶冷却
筒１３内に供給する分岐管１６が連結されており、かつ
上記炉本体１の単結晶冷却筒１３の上方にバルブ１７を
備えた分岐管１５が連結されている。そして、上記分岐
管１５．１６は互いに連結されて流量計１０を備えた供
給管１１に接続されており、この供給管ｌ１はアルゴン
ガス供給源（図示せず）に連結されている。また、上記
保温筒７の上端には、複数の係止部によって、筒状の輻
射熱遮蔽体１２が支持されており、この輻射熱遮蔽体１
２の下部は縮径して形成されている。なお、上記単結晶
冷却筒１３は炉本体１内に突出しており、引上中のシリ
コン単結晶４の熱履歴を制御し、輻射熱遮蔽体１２は引
き上かった結晶の熱履歴の変動を防止すると共にヒータ
や黒鉛ルツポから発生したＣＯガス等が不純物として単
結晶に導入しない機能を有している。
上記のように構成された単結晶引上装置においてシリコ
ン単結晶４を引上げる場合には、まず、分岐管ｌ５に備
えたバルブ１７を操作して所定の開度に調整した状態で
、上記導入管１１及び分岐管１５．１６を介してアルゴ
ンガスを内部に供給することにより、炉本体１内のプ囲
気をアルゴンガスに置換すると共に、ヒータ６によって
ルツボ２内の融液５の温度を単結晶引上げに適した温度
に制御した後に、上方よりワイヤ９の下端に把持された
状態の種結晶を下降させて融液５に浸漬さセル。 次い
で、従来公知の方法により、ルツボ２と種結晶を回転さ
せながら引上げることによりシリコン単結晶４を引上げ
成長させる。
ン単結晶４を引上げる場合には、まず、分岐管ｌ５に備
えたバルブ１７を操作して所定の開度に調整した状態で
、上記導入管１１及び分岐管１５．１６を介してアルゴ
ンガスを内部に供給することにより、炉本体１内のプ囲
気をアルゴンガスに置換すると共に、ヒータ６によって
ルツボ２内の融液５の温度を単結晶引上げに適した温度
に制御した後に、上方よりワイヤ９の下端に把持された
状態の種結晶を下降させて融液５に浸漬さセル。 次い
で、従来公知の方法により、ルツボ２と種結晶を回転さ
せながら引上げることによりシリコン単結晶４を引上げ
成長させる。
このようにして、ンリコン単結晶４を引上げていくと、
ンリコン単結晶４の上部の肩部か輻射熱遮蔽体ｌ２の縮
径された開口部およひ単結晶冷却筒１３の下端に接近す
ることにより、単結晶冷却筒ｌ３および輻射熱遮蔽体１
２の内部を流下する７ Ｉ１，コンカスの流路抵抗か増
大するが、その分分岐管１５に流れるアルゴンガスの流
量が増え融液と輻射熱遮蔽体ｌ２の間にある加熱された
Ｓｉ○を含むガスが吸い出される量が増えるため、結果
として、結晶成長面に供給されるアルゴンガスの流れか
急激に変動することが抑制される。従って、ルツボ２内
の結晶成長界面付近の急激な温度変化は生しることがな
く、かつ円滑に融液５からのＳｉＯの排気が行われるか
ら、結晶欠陥も生じず、また酸素濃度の変化もないシリ
コン単結晶４を有転位化することなく引き上げ成長させ
ることができる。
ンリコン単結晶４の上部の肩部か輻射熱遮蔽体ｌ２の縮
径された開口部およひ単結晶冷却筒１３の下端に接近す
ることにより、単結晶冷却筒ｌ３および輻射熱遮蔽体１
２の内部を流下する７ Ｉ１，コンカスの流路抵抗か増
大するが、その分分岐管１５に流れるアルゴンガスの流
量が増え融液と輻射熱遮蔽体ｌ２の間にある加熱された
Ｓｉ○を含むガスが吸い出される量が増えるため、結果
として、結晶成長面に供給されるアルゴンガスの流れか
急激に変動することが抑制される。従って、ルツボ２内
の結晶成長界面付近の急激な温度変化は生しることがな
く、かつ円滑に融液５からのＳｉＯの排気が行われるか
ら、結晶欠陥も生じず、また酸素濃度の変化もないシリ
コン単結晶４を有転位化することなく引き上げ成長させ
ることができる。
上記効果を具体的に示すために、第１図に示すような本
発明の単結晶引上装置を用いて、ルツボ２内に原料を４
０Ｋ９収納し、１３１■φの単結晶引上実験を行った。
発明の単結晶引上装置を用いて、ルツボ２内に原料を４
０Ｋ９収納し、１３１■φの単結晶引上実験を行った。
この場合、導入管１１と分岐管１５の管径を同一とし、
かつバルブ１７の開度を４０％としたところ、約１００
０ｍｌの無転位単結晶を引上げ成長させることかできた
。また、弓上途中において、アルコンカスの流速の変化
はほとんとなく、結晶成長界面付近の急激な温度変化は
認められなかった。さらに、第２図に示すように、分岐
開度をバルブ１７によって各種に変更した場合において
、引上げられた単結晶中の格子間酸素濃度量〔○ｉ〕を
第３図に示した。この図からも明らかなように、分岐開
度が１０％，３０％であると、格子間酸素濃度量［Ｏｉ
］に変動がみられるが、分岐開度が６０％，７０％にな
ると、ほとんど変動が認められない。分岐開度の好まし
い範囲は、４０〜９０％となる。
かつバルブ１７の開度を４０％としたところ、約１００
０ｍｌの無転位単結晶を引上げ成長させることかできた
。また、弓上途中において、アルコンカスの流速の変化
はほとんとなく、結晶成長界面付近の急激な温度変化は
認められなかった。さらに、第２図に示すように、分岐
開度をバルブ１７によって各種に変更した場合において
、引上げられた単結晶中の格子間酸素濃度量〔○ｉ〕を
第３図に示した。この図からも明らかなように、分岐開
度が１０％，３０％であると、格子間酸素濃度量［Ｏｉ
］に変動がみられるが、分岐開度が６０％，７０％にな
ると、ほとんど変動が認められない。分岐開度の好まし
い範囲は、４０〜９０％となる。
以上説明したように、本発明は、炉本体の上部に設けら
れた輻射、熱遮蔽体と単結晶冷却筒を具備した単結晶冷
却部の上部に雰囲気ガスの導入管を連結し、かつ上記単
結晶冷却部の外周部であって上記炉本体の上部に分岐管
の流出口を形成すると共に、上記導入管と分岐管とを互
いに連結して同一の雰囲気ガス供給源から雰囲気ガスを
供給する一方、上記導入管と分岐管のうち少なくとも一
方にハルブを設けたものであるから、引上単結晶が輻射
熱遮蔽体および単結晶冷却筒に接近し、冷却されていく
過程において、単結晶冷却部内を流下する雰囲気ガスの
流路抵抗が増大すると、自動的に導入管よりも分岐管か
ら炉本体内に供給される雰囲気ガスの流量が増加して、
雰囲気ガスの流れの変゛化を抑制することにより、従来
装置に比べて構造が簡単でかつ安価な上に、酸素濃度変
化もなく、結晶欠陥も少ない無転位単結晶を円滑にかつ
確実に引上げ成長させることができるという優れた効果
を有する。
れた輻射、熱遮蔽体と単結晶冷却筒を具備した単結晶冷
却部の上部に雰囲気ガスの導入管を連結し、かつ上記単
結晶冷却部の外周部であって上記炉本体の上部に分岐管
の流出口を形成すると共に、上記導入管と分岐管とを互
いに連結して同一の雰囲気ガス供給源から雰囲気ガスを
供給する一方、上記導入管と分岐管のうち少なくとも一
方にハルブを設けたものであるから、引上単結晶が輻射
熱遮蔽体および単結晶冷却筒に接近し、冷却されていく
過程において、単結晶冷却部内を流下する雰囲気ガスの
流路抵抗が増大すると、自動的に導入管よりも分岐管か
ら炉本体内に供給される雰囲気ガスの流量が増加して、
雰囲気ガスの流れの変゛化を抑制することにより、従来
装置に比べて構造が簡単でかつ安価な上に、酸素濃度変
化もなく、結晶欠陥も少ない無転位単結晶を円滑にかつ
確実に引上げ成長させることができるという優れた効果
を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す概略構成図、第２図は
、第１図に示した単結晶引上装置において操作した分岐
開度の特性図、第３図は、第２図に示した分岐開度にお
いて得られた単結晶中の格子間酸素濃度量の特性図、第
４図は従来の単結晶引上装置を示す概略構成図である。 １・・・枦本体、２・・石英ルツポ、３・・黒鉛ルツポ
、４ ・ンリコン単結晶、５・・・融液、８・・首部、
１１・導入管、１２・・・輻射熱遮蔽体、１３・・・単
結晶冷却筒、ｌ５，１６・分岐管、１７ ・ノ・ルフ。 第１ 図 第２ 図 固化幸％ ｄ化一％ 第４ 図
、第１図に示した単結晶引上装置において操作した分岐
開度の特性図、第３図は、第２図に示した分岐開度にお
いて得られた単結晶中の格子間酸素濃度量の特性図、第
４図は従来の単結晶引上装置を示す概略構成図である。 １・・・枦本体、２・・石英ルツポ、３・・黒鉛ルツポ
、４ ・ンリコン単結晶、５・・・融液、８・・首部、
１１・導入管、１２・・・輻射熱遮蔽体、１３・・・単
結晶冷却筒、ｌ５，１６・分岐管、１７ ・ノ・ルフ。 第１ 図 第２ 図 固化幸％ ｄ化一％ 第４ 図
Claims (2)
- （１）炉本体の上部に輻射熱遮蔽体と単結晶冷却筒が設
けられ、かつ上記炉本体内にルツボが設けられると共に
、チョクラルスキー法を用いて、このルツボ内に収納さ
れた融液から単結晶を引上げる単結晶引上装置において
、上記単結晶冷却部の上部に雰囲気ガスの導入管が連結
され、かつ上記単結晶冷却部の外周部であって上記炉本
体の上部に分岐管の流出口が形成されると共に、上記導
入管と分岐管とが互いに連結されて同一の雰囲気ガス供
給源から雰囲気ガスが供給される一方、上記導入管と分
岐管のうち少なくとも一方にバルブが設けられたことを
特徴とする単結晶引上装置。 - （２）炉本体の上部に輻射熱遮蔽体と単結晶冷却筒が設
けられ、かつ上記炉本体内にルツボが設けられると共に
、このルツボの外周に設けられた保温筒の上部に複数の
係止部によって輻射熱遮蔽体が支持され、チョクラルス
キー法を用いて、このルツボ内に収納された融液から単
結晶を引上げる単結晶引上装置において、上記単結晶冷
却部の上部に雰囲気ガスの導入管が連結され、かつ上記
単結晶冷却部の外周部であって上記炉本体の上部に分岐
管の流出口が形成されると共に、上記導入管と分岐管と
が互いに連結されて同一の雰囲気ガス供給源から雰囲気
ガスが供給される一方、上記導入管と分岐管のうち少な
くとも一方にバルブが設けられたことを特徴とする単結
晶引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014082A JP2710433B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014082A JP2710433B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 単結晶引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218994A true JPH03218994A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2710433B2 JP2710433B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=11851184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014082A Expired - Lifetime JP2710433B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2710433B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06219886A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-09 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 単結晶の引上装置 |
| EP0702100A1 (en) * | 1993-05-31 | 1996-03-20 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus and method for manufacturing single-crystal material |
| KR100309509B1 (ko) * | 1999-05-11 | 2001-09-29 | 정세영 | 냉각시스템을 구비한 단결정 성장장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715079A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-26 | Bridgestone Corp | Elastic caterpillar belt |
| JPH01100087A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-18 | Mitsubishi Metal Corp | 単結晶引上装置 |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP2014082A patent/JP2710433B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715079A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-26 | Bridgestone Corp | Elastic caterpillar belt |
| JPH01100087A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-18 | Mitsubishi Metal Corp | 単結晶引上装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06219886A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-09 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 単結晶の引上装置 |
| EP0702100A1 (en) * | 1993-05-31 | 1996-03-20 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus and method for manufacturing single-crystal material |
| EP0702100A4 (en) * | 1993-05-31 | 1997-11-26 | Sumitomo Sitix Corp | METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL MATERIALS |
| US5925147A (en) * | 1993-05-31 | 1999-07-20 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing single crystals |
| KR100309509B1 (ko) * | 1999-05-11 | 2001-09-29 | 정세영 | 냉각시스템을 구비한 단결정 성장장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2710433B2 (ja) | 1998-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9217208B2 (en) | Apparatus for producing single crystal | |
| WO2020156213A1 (zh) | 一种半导体晶体生长装置 | |
| US20080035050A1 (en) | An Apparatus for Producing a Single Crystal | |
| JPH059097A (ja) | シリコン単結晶の引上方法 | |
| EP2993259B1 (en) | Silicon single crystal fabrication method | |
| US6755910B2 (en) | Method for pulling single crystal | |
| US5840120A (en) | Apparatus for controlling nucleation of oxygen precipitates in silicon crystals | |
| JPH03218994A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP2008087996A (ja) | 単結晶引上装置及び単結晶の製造方法 | |
| US7594966B2 (en) | Method for producing a single crystal | |
| JP2009001489A (ja) | 単結晶の製造装置及び製造方法 | |
| KR20100071526A (ko) | 실리콘 단결정 냉각장치 및 이를 구비하는 실리콘 단결정 성장장치 | |
| JP3129187B2 (ja) | 単結晶製造装置および単結晶製造方法 | |
| JP2002321997A (ja) | シリコン単結晶の製造装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | |
| JP3832536B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法および引上げ機 | |
| JP2003221296A (ja) | 単結晶の製造装置及び製造方法 | |
| JPH09309787A (ja) | 単結晶引上げ装置用水冷筒 | |
| JPH07118089A (ja) | 多結晶のリチャージ装置およびリチャージ方法 | |
| JPH09202686A (ja) | 単結晶の製造装置および製造方法 | |
| JP2007204305A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| CN110965118A (zh) | 一种导流筒装置和拉晶炉 | |
| US20190003075A1 (en) | Single crystal ingot growing apparatus | |
| JPH04331790A (ja) | シリコン単結晶製造装置 | |
| JP2504875B2 (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JPH06247788A (ja) | シリコン単結晶の製造方法およびその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101024 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101024 Year of fee payment: 13 |