JPH0523579Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0523579Y2 JPH0523579Y2 JP1987190866U JP19086687U JPH0523579Y2 JP H0523579 Y2 JPH0523579 Y2 JP H0523579Y2 JP 1987190866 U JP1987190866 U JP 1987190866U JP 19086687 U JP19086687 U JP 19086687U JP H0523579 Y2 JPH0523579 Y2 JP H0523579Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- pulling
- cooling
- diameter
- quartz crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 48
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、チヨクラルスキー法によつてルツボ
内の原料融液から単結晶を引上げ成長させる単結
晶引上装置に関する。
内の原料融液から単結晶を引上げ成長させる単結
晶引上装置に関する。
従来、この種の単結晶引上装置としては、例え
ば、特開昭57−205397号公報、特開昭61−68389
号公報に記載されたものが知られている。これら
の単結晶引上装置にあつては、黒鉛サセプタに保
持された石英ルツボ内にシリコン融液が収容さ
れ、この黒鉛サセプタの周囲にヒータ及び保温筒
がそれぞれ設けられ、かつ上記石英ルツボの上方
に、この石英ルツボ内のシリコン融液から引上げ
られた単結晶を冷却する冷却手段が設けられてお
り、この冷却手段で引上げ成長中の単結晶を強制
的に冷却することにより、結晶欠陥が少なくて品
質の良好な単結晶を速やかに得るようにしてい
る。
ば、特開昭57−205397号公報、特開昭61−68389
号公報に記載されたものが知られている。これら
の単結晶引上装置にあつては、黒鉛サセプタに保
持された石英ルツボ内にシリコン融液が収容さ
れ、この黒鉛サセプタの周囲にヒータ及び保温筒
がそれぞれ設けられ、かつ上記石英ルツボの上方
に、この石英ルツボ内のシリコン融液から引上げ
られた単結晶を冷却する冷却手段が設けられてお
り、この冷却手段で引上げ成長中の単結晶を強制
的に冷却することにより、結晶欠陥が少なくて品
質の良好な単結晶を速やかに得るようにしてい
る。
しかしながら、上記従来の単結晶引上装置のう
ち前者のもの（特開昭57−205397号）において
は、単結晶の周囲に配置する冷却手段の取付構造
について明示されていない。また、後者の単結晶
引上装置（特開昭61−68389号）にあつては、上
記冷却手段が、上記石英ルツボ、黒鉛サセプタ、
ヒータ及び保温筒等を覆う水冷ジヤケツトの内壁
に固定されているが、このように固定した場合に
は、引上げられた単結晶の径の大小によつて、こ
の単結晶と冷却手段との間の距離が変化するた
め、冷却条件が変わり、冷却効果に相違が生じて
しまうという問題がある。
ち前者のもの（特開昭57−205397号）において
は、単結晶の周囲に配置する冷却手段の取付構造
について明示されていない。また、後者の単結晶
引上装置（特開昭61−68389号）にあつては、上
記冷却手段が、上記石英ルツボ、黒鉛サセプタ、
ヒータ及び保温筒等を覆う水冷ジヤケツトの内壁
に固定されているが、このように固定した場合に
は、引上げられた単結晶の径の大小によつて、こ
の単結晶と冷却手段との間の距離が変化するた
め、冷却条件が変わり、冷却効果に相違が生じて
しまうという問題がある。
本考案は、上記事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、引上げる単結晶の径の
大きさに応じて、適正な冷却効果を与えることが
でき、単結晶の品質を良好に保持できる単結晶引
上装置を提供することにある。
その目的とするところは、引上げる単結晶の径の
大きさに応じて、適正な冷却効果を与えることが
でき、単結晶の品質を良好に保持できる単結晶引
上装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本考案は、ルツボ
を収納したチヤンバーの上端面に、引上げられて
いる単結晶を囲んだ状態で冷却する冷却筒を着脱
自在に垂設したものである。
を収納したチヤンバーの上端面に、引上げられて
いる単結晶を囲んだ状態で冷却する冷却筒を着脱
自在に垂設したものである。
本考案の単結晶引上装置にあつては、引上げる
単結晶の径の大きさに応じて、内径の異なる冷却
筒をチヤンバーの上端面から垂設することによつ
て、上記単結晶を適正に冷却し、所望の品質の単
結晶を得る。
単結晶の径の大きさに応じて、内径の異なる冷却
筒をチヤンバーの上端面から垂設することによつ
て、上記単結晶を適正に冷却し、所望の品質の単
結晶を得る。
以下、第１図ないし第３図に基づいて本考案の
実施例を説明する。
実施例を説明する。
第１図と第２図は本考案の一実施例を示すもの
で、第１図は径の小さい（例えば100mmφ径の）
単結晶を引上げる場合の概略構成図、第２図は径
の大きい（例えば125mmφ径の）単結晶を引上げ
る場合の概略構成図である。これらの図において
符号１は炉本体であり、この炉本体１は下チヤン
バー２、中チヤンバー３及び上チヤンバー（図示
せず）からなり、それぞれ内部が水冷ジヤケツト
構造とされている。そして、上記炉本体１の内部
のほぼ中央部には石英ルツボ４が設けられてお
り、この石英ルツボ４は、黒鉛サセプタ（図示せ
ず）を介して昇降自在かつ回転自在な下軸５に取
付けられている。また、上記石英ルツボ４の周囲
には、上記石英ルツボ４内のシリコン融液６の温
度を制御するヒータ７が設置されると共に、この
ヒータ７と炉本体１との間には保温筒８が配置さ
れている。
で、第１図は径の小さい（例えば100mmφ径の）
単結晶を引上げる場合の概略構成図、第２図は径
の大きい（例えば125mmφ径の）単結晶を引上げ
る場合の概略構成図である。これらの図において
符号１は炉本体であり、この炉本体１は下チヤン
バー２、中チヤンバー３及び上チヤンバー（図示
せず）からなり、それぞれ内部が水冷ジヤケツト
構造とされている。そして、上記炉本体１の内部
のほぼ中央部には石英ルツボ４が設けられてお
り、この石英ルツボ４は、黒鉛サセプタ（図示せ
ず）を介して昇降自在かつ回転自在な下軸５に取
付けられている。また、上記石英ルツボ４の周囲
には、上記石英ルツボ４内のシリコン融液６の温
度を制御するヒータ７が設置されると共に、この
ヒータ７と炉本体１との間には保温筒８が配置さ
れている。
さらに、上記炉本体１の中チヤンバー３の上フ
ランジ部３ａの上端面には、径の小さい単結晶９
用の水冷筒１０の上フランジ部１０ａ（第１図参
照）、あるいは径の大きい単結晶９′用の水冷筒１
１の上フランジ部１１ａ（第２図参照）が、中チ
ヤンバー３及び上チヤンバーに挾持された状態で
着脱自在に取付けられている。そして、上記石英
ルツボ４側に垂下した状態の各水冷筒１０，１１
の内部には、上記各単結晶９，９′を保持して引
上げるワイヤ１２が昇降自在にかつ回転自在に吊
設されている。
ランジ部３ａの上端面には、径の小さい単結晶９
用の水冷筒１０の上フランジ部１０ａ（第１図参
照）、あるいは径の大きい単結晶９′用の水冷筒１
１の上フランジ部１１ａ（第２図参照）が、中チ
ヤンバー３及び上チヤンバーに挾持された状態で
着脱自在に取付けられている。そして、上記石英
ルツボ４側に垂下した状態の各水冷筒１０，１１
の内部には、上記各単結晶９，９′を保持して引
上げるワイヤ１２が昇降自在にかつ回転自在に吊
設されている。
上記のように構成された単結晶引上装置におい
て単結晶を引上げる場合には、まず、引上げよう
とする単結晶９，９′の径に応じて水冷筒１０，
１１を中チヤンバー３の上フランジ部３ａに設置
しておく。次いで、従来同様、炉本体１内の空気
をアルゴンガスで充分置換した後に、あらかじめ
石英ルツボ４内に収納していた原料をヒータ７に
より溶解し、かつこの溶解したシリコン融液６の
温度を単結晶引上げに適した温度に維持する。そ
して、この状態において、下軸５を回転させて、
黒鉛サセプタとともに石英ルツボ４を回転させる
と共に、上方より、ワイヤ１２の下端にチヤツク
を介して保持されている種結晶を下降させ、シリ
コン融液６に浸漬する。そして、従来公知の方法
で種結晶を上記下軸５の回転方向と逆方向に回転
させながら引上げることにより、単結晶９，９′
を引上げ成長させる。
て単結晶を引上げる場合には、まず、引上げよう
とする単結晶９，９′の径に応じて水冷筒１０，
１１を中チヤンバー３の上フランジ部３ａに設置
しておく。次いで、従来同様、炉本体１内の空気
をアルゴンガスで充分置換した後に、あらかじめ
石英ルツボ４内に収納していた原料をヒータ７に
より溶解し、かつこの溶解したシリコン融液６の
温度を単結晶引上げに適した温度に維持する。そ
して、この状態において、下軸５を回転させて、
黒鉛サセプタとともに石英ルツボ４を回転させる
と共に、上方より、ワイヤ１２の下端にチヤツク
を介して保持されている種結晶を下降させ、シリ
コン融液６に浸漬する。そして、従来公知の方法
で種結晶を上記下軸５の回転方向と逆方向に回転
させながら引上げることにより、単結晶９，９′
を引上げ成長させる。
この際、引上げ中の単結晶９，９′は、それぞ
れ水冷筒１０，１１で円滑にかつ確実に冷却され
る。従つて、従来、冷却筒が炉本体に固定状態の
場合に、冷却筒の内径に比較して小さい径の単結
晶を引上げる際に十分な冷却効果が得られなかつ
たのに比べて、単結晶９，９′の径に対応して、
水冷筒１０，１１を交換することにより、各単結
晶９，９′を十分に冷却することができ、品質の
良好な製品を得ることができる。
れ水冷筒１０，１１で円滑にかつ確実に冷却され
る。従つて、従来、冷却筒が炉本体に固定状態の
場合に、冷却筒の内径に比較して小さい径の単結
晶を引上げる際に十分な冷却効果が得られなかつ
たのに比べて、単結晶９，９′の径に対応して、
水冷筒１０，１１を交換することにより、各単結
晶９，９′を十分に冷却することができ、品質の
良好な製品を得ることができる。
なお、要求される単結晶の品質によつて、急冷
する領域を制限する必要があり、その場合には、
第３図に示すように、下チヤンバー２の上フラン
ジ部２ａの上端面に冷却筒１３の取付部１３ａを
着脱自在に設けてもよい。
する領域を制限する必要があり、その場合には、
第３図に示すように、下チヤンバー２の上フラン
ジ部２ａの上端面に冷却筒１３の取付部１３ａを
着脱自在に設けてもよい。
以上説明したように、本考案は、ルツボを収納
したチヤンバーの上端面に、引上げられている単
結晶を囲んだ状態で冷却する冷却筒を着脱自在に
垂設したものであるから、引上げる単結晶の径の
大きさに応じて、内径の異なる冷却筒をチヤンバ
ーの上端面から垂設することにより、各単結晶を
それぞれ適正に冷却でき、所望の品質の単結晶を
容易にかつ確実に得ることができる。
したチヤンバーの上端面に、引上げられている単
結晶を囲んだ状態で冷却する冷却筒を着脱自在に
垂設したものであるから、引上げる単結晶の径の
大きさに応じて、内径の異なる冷却筒をチヤンバ
ーの上端面から垂設することにより、各単結晶を
それぞれ適正に冷却でき、所望の品質の単結晶を
容易にかつ確実に得ることができる。
第１図と第２図は本考案の一実施例を示すもの
で、第１図は径の小さい単結晶を引上げる場合の
概略構成図、第２図は径の大きい単結晶を引上げ
る場合の概略構成図、第３図は本考案の他の実施
例を示す概略構成図である。 ２……下チヤンバー、２ａ，３ａ……上フラン
ジ部、３……中チヤンバー、４……石英ルツボ、
６……シリコン融液、９，９′……単結晶、１０，
１１，１３……水冷筒（冷却筒）。
で、第１図は径の小さい単結晶を引上げる場合の
概略構成図、第２図は径の大きい単結晶を引上げ
る場合の概略構成図、第３図は本考案の他の実施
例を示す概略構成図である。 ２……下チヤンバー、２ａ，３ａ……上フラン
ジ部、３……中チヤンバー、４……石英ルツボ、
６……シリコン融液、９，９′……単結晶、１０，
１１，１３……水冷筒（冷却筒）。
Claims (1)
- チヨクラルスキー法によつてルツボ内の原料融
液から単結晶を引上げ成長させる単結晶引上装置
において、上記ルツボを収納したチヤンバーの上
端面に、上記単結晶を囲んだ状態で冷却する冷却
筒が着脱自在に垂設されたことを特徴とする単結
晶引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987190866U JPH0523579Y2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987190866U JPH0523579Y2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0194468U JPH0194468U (ja) | 1989-06-21 |
| JPH0523579Y2 true JPH0523579Y2 (ja) | 1993-06-16 |
Family
ID=31481805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987190866U Expired - Lifetime JPH0523579Y2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0523579Y2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546511A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-18 | Hitachi Ltd | Rotary type magnetic head |
| JPS5645894A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Reducing method for defect of silicon single crystal |
| JPS5740119A (en) * | 1980-07-18 | 1982-03-05 | Skf Kugellagerfabriken Gmbh | Thin bearing bush made by pressdrawing |
| JPS5750759A (en) * | 1980-09-10 | 1982-03-25 | Hitachi Ltd | Charged particle irradiator |
| JPS62138385A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶の引上装置 |
-
1987
- 1987-12-16 JP JP1987190866U patent/JPH0523579Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546511A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-18 | Hitachi Ltd | Rotary type magnetic head |
| JPS5645894A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Reducing method for defect of silicon single crystal |
| JPS5740119A (en) * | 1980-07-18 | 1982-03-05 | Skf Kugellagerfabriken Gmbh | Thin bearing bush made by pressdrawing |
| JPS5750759A (en) * | 1980-09-10 | 1982-03-25 | Hitachi Ltd | Charged particle irradiator |
| JPS62138385A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶の引上装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0194468U (ja) | 1989-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0357072B2 (ja) | ||
| JPH0523579Y2 (ja) | ||
| JPH03153595A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| JPS6168389A (ja) | 単結晶成長装置 | |
| JPH0315550Y2 (ja) | ||
| US7195671B2 (en) | Thermal shield | |
| JP3849639B2 (ja) | シリコン半導体単結晶の製造装置及び製造方法 | |
| JP2533864Y2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH01160892A (ja) | シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 | |
| JPH01100087A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP3900827B2 (ja) | 単結晶引上用石英ルツボ、単結晶引上装置及び単結晶引上方法 | |
| JPH01160891A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH01160893A (ja) | シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 | |
| JPS61261288A (ja) | シリコン単結晶引上装置 | |
| CN105803518A (zh) | 类提拉法单晶生长装置及方法 | |
| JPH05294784A (ja) | 単結晶成長装置 | |
| JPH05254988A (ja) | 単結晶の製造方法および装置 | |
| JP3151327B2 (ja) | 単結晶体製造装置 | |
| JPS62167285A (ja) | ペデイスタル固定方法 | |
| JP2785578B2 (ja) | シリコン単結晶の引上げ装置 | |
| JPH0660080B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
| JP2769300B2 (ja) | 結晶引上げ装置 | |
| JPH0416587A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP2000016894A (ja) | 単結晶引上装置および単結晶引上方法 | |
| JPS63285187A (ja) | シリコン単結晶引上装置 |