JPS62138385A - 半導体単結晶の引上装置 - Google Patents
半導体単結晶の引上装置Info
- Publication number
- JPS62138385A JPS62138385A JP27862885A JP27862885A JPS62138385A JP S62138385 A JPS62138385 A JP S62138385A JP 27862885 A JP27862885 A JP 27862885A JP 27862885 A JP27862885 A JP 27862885A JP S62138385 A JPS62138385 A JP S62138385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- single crystal
- structural parts
- pulling
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、不純物の混入を防止するチョクラルスキー法
による半導体単結晶の引上装置に関するものである。
による半導体単結晶の引上装置に関するものである。
従迷ｍ区
従来のチョクラルスキー法による半導体単結晶引上装置
においては、ルツボ保持体、ヒーター保温筒等の炉内構
造部品に主としてカーボンが使われている。このためシ
リコン単結晶を引上げる場合には、ルツボ中の融体から
生成されるＳｉＯガスがカーボンと反応してＣＯまたは
ＣＯ２ガスを生成し、これが融体中に融は込んで引上単
結晶の炭素濃度および酸素濃度を高める欠点があり、こ
れを防ぐため、カーボンに代って石英ガラス、炭化珪素
および窒化珪素焼結体などを用いる装置が提案されてい
る（特開昭５８−１８１７９７号公報参照）。
においては、ルツボ保持体、ヒーター保温筒等の炉内構
造部品に主としてカーボンが使われている。このためシ
リコン単結晶を引上げる場合には、ルツボ中の融体から
生成されるＳｉＯガスがカーボンと反応してＣＯまたは
ＣＯ２ガスを生成し、これが融体中に融は込んで引上単
結晶の炭素濃度および酸素濃度を高める欠点があり、こ
れを防ぐため、カーボンに代って石英ガラス、炭化珪素
および窒化珪素焼結体などを用いる装置が提案されてい
る（特開昭５８−１８１７９７号公報参照）。
日が解゛ しよ゛とする間 慨
しかしながら、石英ガラスは軟化点が１２００℃で低い
ため高温用炉内構造部品には適さない。また炭化珪素、
窒化珪素のようなセラミックスで炉内構造部品を作るに
は、型枠に原料を充填し成形して高温で焼結するが、こ
の場合は複雑な形状の加工が困難であり、大型化し難く
、焼結後の寸法精度も良くない等加工上の問題があるほ
か、熱衝撃に弱いため高温に上げるには徐々に加熱しな
いと割れてしまう等の欠点を有し、そのうえ高価である
いという不利があった。
ため高温用炉内構造部品には適さない。また炭化珪素、
窒化珪素のようなセラミックスで炉内構造部品を作るに
は、型枠に原料を充填し成形して高温で焼結するが、こ
の場合は複雑な形状の加工が困難であり、大型化し難く
、焼結後の寸法精度も良くない等加工上の問題があるほ
か、熱衝撃に弱いため高温に上げるには徐々に加熱しな
いと割れてしまう等の欠点を有し、そのうえ高価である
いという不利があった。
問題慨を 決するための手
本発明者は、カーボンが成形し易く寸法精度に優れ、か
つ前記セラミックスと熱膨張係数がほぼ等しい点に着目
し、カーボンで成形した基材上に炭化珪素（ＳｉＣ）、
窒化珪素（Ｓｉ、Ｎ４）、窒化ホウ素（Ｂ Ｎ）等の高
温で安定かつ分解し難いセラミックスを、蒸着、気相反
応などの方法により被覆処理した炉内構造部品を使用す
ることによって、前記従来技術の問題点を解消できるこ
とを見出し本発明を達成した。すなわちこれは、チョク
ラルスキー法による半導体単結晶の引上装置において、
カーボンからなるルツボ保持体、ヒーター保温筒その他
ヒーター以外の炉内構造部品を炭化珪素、窒化珪素、窒
化ホウ素などの高純度セラミックスにより被覆してなる
ことを特徴とする半導体単結晶の引上装置である。
つ前記セラミックスと熱膨張係数がほぼ等しい点に着目
し、カーボンで成形した基材上に炭化珪素（ＳｉＣ）、
窒化珪素（Ｓｉ、Ｎ４）、窒化ホウ素（Ｂ Ｎ）等の高
温で安定かつ分解し難いセラミックスを、蒸着、気相反
応などの方法により被覆処理した炉内構造部品を使用す
ることによって、前記従来技術の問題点を解消できるこ
とを見出し本発明を達成した。すなわちこれは、チョク
ラルスキー法による半導体単結晶の引上装置において、
カーボンからなるルツボ保持体、ヒーター保温筒その他
ヒーター以外の炉内構造部品を炭化珪素、窒化珪素、窒
化ホウ素などの高純度セラミックスにより被覆してなる
ことを特徴とする半導体単結晶の引上装置である。
以下本発明を、例示する第１図、第２図によって説明す
る。石英ルツボ１はルツボ保持体２に埋め込まれ、軸３
によって上下動１回転可能である。
る。石英ルツボ１はルツボ保持体２に埋め込まれ、軸３
によって上下動１回転可能である。
ヒーター４はルツボ１を囲んで配設され、その外側をヒ
ーター保温筒５がとりまいている。パージチューブ６は
引上軸７を同軸に囲んで水冷式引上室８頂部中央より垂
下し、ヒーター保温筒５上のガス整流筒９とともに、入
口１０より導入され出口１１より排出される不活性ガス
の流路を調節し、単結晶引上中の欠陥発生防止に役立つ
ものである。
ーター保温筒５がとりまいている。パージチューブ６は
引上軸７を同軸に囲んで水冷式引上室８頂部中央より垂
下し、ヒーター保温筒５上のガス整流筒９とともに、入
口１０より導入され出口１１より排出される不活性ガス
の流路を調節し、単結晶引上中の欠陥発生防止に役立つ
ものである。
この装置によって単結晶を成長させるには、引上軸７の
先端に挟持した種結晶を１石英ルツボ１内の溶融半導体
に一旦浸漬した後回転しながら徐々に引き上げる。単結
晶は種結晶の下端に成長するが、パージチューブ６の中
を通る不活性ガスにより冷却されながら上昇するので、
高品質を保ちしかも効率よく育成される。このとき前記
ルツボ保持体２、ヒーター保温筒５、パージチューブ６
、整流筒９の炉内構造部品は前記セラミックスで被覆さ
れているので、単結晶がカーボンにより汚染されるのを
防ぐことができる。しかも構造部品の基材はカーボンで
あるため、その利点、すなわち加工し易く大型の構造部
品も精度良く形成でき、熱衝撃にも強くしかも安価であ
るという数々の長所を有するものである。
先端に挟持した種結晶を１石英ルツボ１内の溶融半導体
に一旦浸漬した後回転しながら徐々に引き上げる。単結
晶は種結晶の下端に成長するが、パージチューブ６の中
を通る不活性ガスにより冷却されながら上昇するので、
高品質を保ちしかも効率よく育成される。このとき前記
ルツボ保持体２、ヒーター保温筒５、パージチューブ６
、整流筒９の炉内構造部品は前記セラミックスで被覆さ
れているので、単結晶がカーボンにより汚染されるのを
防ぐことができる。しかも構造部品の基材はカーボンで
あるため、その利点、すなわち加工し易く大型の構造部
品も精度良く形成でき、熱衝撃にも強くしかも安価であ
るという数々の長所を有するものである。
見豆血処果
上記したように本発明の装置は、汚染のない単結晶を効
率良く成長させることができるうえ、炉内構造部品は加
工容易であるほか、熱的、機械的に丈夫であり、しかも
経済的であるという利点をもち、産業上きわめて有用な
発明である。
率良く成長させることができるうえ、炉内構造部品は加
工容易であるほか、熱的、機械的に丈夫であり、しかも
経済的であるという利点をもち、産業上きわめて有用な
発明である。
第１図は本発明の装置の縦断面図を、第２図は第１図の
Ａ−Ａ’線を通る横断面図である６１・・・石英ルツボ
、 ２・・・ルツボ保持体、３・・・軸、４・・・ヒー
ター、 ５・・・ヒーター保温筒。 ６１１．パージチューブ、 ７・・・引上軸、８・・
・水冷式引上室、 ９・・・ガス整流筒。 １０・・・入口、 １１・・・出口。 第１図
Ａ−Ａ’線を通る横断面図である６１・・・石英ルツボ
、 ２・・・ルツボ保持体、３・・・軸、４・・・ヒー
ター、 ５・・・ヒーター保温筒。 ６１１．パージチューブ、 ７・・・引上軸、８・・
・水冷式引上室、 ９・・・ガス整流筒。 １０・・・入口、 １１・・・出口。 第１図
Claims (1)
- チョクラルスキー法による半導体単結晶の引上装置に
おいて、カーボンからなるルツボ保持体、ヒーター保温
筒その他ヒーター以外の炉内構造部品を炭化珪素、窒化
珪素、窒化ホウ素などの高純度セラミックスにより被覆
してなることを特徴とする半導体単結晶の引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27862885A JPS62138385A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 半導体単結晶の引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27862885A JPS62138385A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 半導体単結晶の引上装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62138385A true JPS62138385A (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=17599925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27862885A Pending JPS62138385A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 半導体単結晶の引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62138385A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0194468U (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-21 | ||
| JPH071072U (ja) * | 1994-04-28 | 1995-01-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 単結晶引上装置 |
| US5575847A (en) * | 1993-11-30 | 1996-11-19 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus for producing single crystals |
| US5683505A (en) * | 1994-11-08 | 1997-11-04 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing single crystals |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53142386A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-12 | Toshiba Ceramics Co | Low carbon silicon single crystal manufacturing apparatus |
| JPS58181797A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-24 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
| JPS60131892A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 単結晶育成装置 |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP27862885A patent/JPS62138385A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53142386A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-12 | Toshiba Ceramics Co | Low carbon silicon single crystal manufacturing apparatus |
| JPS58181797A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-24 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
| JPS60131892A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 単結晶育成装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0194468U (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-21 | ||
| JPH0523579Y2 (ja) * | 1987-12-16 | 1993-06-16 | ||
| US5575847A (en) * | 1993-11-30 | 1996-11-19 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus for producing single crystals |
| JPH071072U (ja) * | 1994-04-28 | 1995-01-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 単結晶引上装置 |
| US5683505A (en) * | 1994-11-08 | 1997-11-04 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing single crystals |
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