JPH0315550Y2 - - Google Patents
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- JPH0315550Y2 JPH0315550Y2 JP1985067877U JP6787785U JPH0315550Y2 JP H0315550 Y2 JPH0315550 Y2 JP H0315550Y2 JP 1985067877 U JP1985067877 U JP 1985067877U JP 6787785 U JP6787785 U JP 6787785U JP H0315550 Y2 JPH0315550 Y2 JP H0315550Y2
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、結晶原料の融液を収容するるつぼ
と、前記融液を加熱するために前記るつぼの周囲
に設けられている第１の加熱手段と、前記融液か
ら単結晶を引き上げる引上げ手段とをそれぞれ具
備する単結晶成長装置に関するものであつて、棒
状の単結晶を成長させるのに用いて最適なもので
ある。
と、前記融液を加熱するために前記るつぼの周囲
に設けられている第１の加熱手段と、前記融液か
ら単結晶を引き上げる引上げ手段とをそれぞれ具
備する単結晶成長装置に関するものであつて、棒
状の単結晶を成長させるのに用いて最適なもので
ある。
本考案は、結晶原料の融液を収容するるつぼ
と、前記融液を加熱するために前記るつぼの周囲
に設けられている第１の加熱手段と、前記融液か
ら単結晶を引き上げる引上げ手段とをそれぞれ具
備する単結晶成長装置において、前記るつぼと前
記融液と引き上げられた前記単結晶とによつて形
成される空間のうちで前記融液の液面と前記るつ
ぼの内壁とが接する部分の近傍に配されている第
２の加熱手段と、この第２の加熱手段と前記単結
晶との間に配されている熱遮蔽体とを有すること
により、大きな成長速度でしかも結晶欠陥が少な
くて品質が良好な単結晶を成長させることができ
るようにしたものである。
と、前記融液を加熱するために前記るつぼの周囲
に設けられている第１の加熱手段と、前記融液か
ら単結晶を引き上げる引上げ手段とをそれぞれ具
備する単結晶成長装置において、前記るつぼと前
記融液と引き上げられた前記単結晶とによつて形
成される空間のうちで前記融液の液面と前記るつ
ぼの内壁とが接する部分の近傍に配されている第
２の加熱手段と、この第２の加熱手段と前記単結
晶との間に配されている熱遮蔽体とを有すること
により、大きな成長速度でしかも結晶欠陥が少な
くて品質が良好な単結晶を成長させることができ
るようにしたものである。
シリコン単結晶を引き上げ成長させるには、従
来からチヨクラルスキー法（CZ法）が用いられ
ている。このCZ法によれば、第４図に示すよう
に、グラフアイト製のるつぼ１内に設けられてい
る石英製のるつぼ２内に収容した結晶原料の融液
３を上記るつぼ１を囲むように設けらている発熱
体４により加熱しつつ、この融液３から、種結晶
５に成長した棒状の単結晶６をチヤツク７により
引き上げるようになつている。この引き上げの際
には、るつぼ１，２及び単結晶６をそれぞれ軸８
及びチヤツク７によつて例えば互いに逆方向に一
定速度で回転させると共に、融液３の液面に対し
て発熱体４が一定位置となるように軸８によつて
るつぼ１を上昇させている。
来からチヨクラルスキー法（CZ法）が用いられ
ている。このCZ法によれば、第４図に示すよう
に、グラフアイト製のるつぼ１内に設けられてい
る石英製のるつぼ２内に収容した結晶原料の融液
３を上記るつぼ１を囲むように設けらている発熱
体４により加熱しつつ、この融液３から、種結晶
５に成長した棒状の単結晶６をチヤツク７により
引き上げるようになつている。この引き上げの際
には、るつぼ１，２及び単結晶６をそれぞれ軸８
及びチヤツク７によつて例えば互いに逆方向に一
定速度で回転させると共に、融液３の液面に対し
て発熱体４が一定位置となるように軸８によつて
るつぼ１を上昇させている。
このCZ法により得られる単結晶６の最大成長
速度Vnaxは、この単結晶６と融液３との固液界
面が平坦でかつこの単結晶６の半径方向の温度勾
配が存在しないと仮定した場合、 Vnax＝ｋ／ｈ・ρ（dT／dx） で与えられる。ここで、ｋは単結晶６の熱伝導
率、ｈはその融解熱、ρはその密度、（dT／dx）
は固液界面における固相（単結晶６）中の温度勾
配である。なおｘは単結晶６の軸方向の座標であ
る。上式においてｋ，ｈ，ρは物質によつて決ま
る固有の値であるため、大きなVnaxを得るため
には（dT／dx）を大きくする必要がある。とこ
ろが、上述のCZ法においては、引き上げられた
単結晶６は、融液３の表面、るつぼ２の内壁及び
発熱体４等からの放射熱により熱せられるため、
上記の（dT／dx）はその分だけ小さくなり、従
つて実際に得られる成長速度も小さい。
速度Vnaxは、この単結晶６と融液３との固液界
面が平坦でかつこの単結晶６の半径方向の温度勾
配が存在しないと仮定した場合、 Vnax＝ｋ／ｈ・ρ（dT／dx） で与えられる。ここで、ｋは単結晶６の熱伝導
率、ｈはその融解熱、ρはその密度、（dT／dx）
は固液界面における固相（単結晶６）中の温度勾
配である。なおｘは単結晶６の軸方向の座標であ
る。上式においてｋ，ｈ，ρは物質によつて決ま
る固有の値であるため、大きなVnaxを得るため
には（dT／dx）を大きくする必要がある。とこ
ろが、上述のCZ法においては、引き上げられた
単結晶６は、融液３の表面、るつぼ２の内壁及び
発熱体４等からの放射熱により熱せられるため、
上記の（dT／dx）はその分だけ小さくなり、従
つて実際に得られる成長速度も小さい。
この成長速度は、発熱体４の温度を全体的に下
げることによつて大きくすることが可能である
が、融液３の表面近傍の温度は中心部に比べてか
なり低くなつているため、このようにすると融液
３のうちのこの融液３の液面とるつぼ２とに隣接
する部分３ａにおいて固化が起き、その結果単結
晶６の引き上げを継続することが困難になつてし
まうという欠点がある。このため、第４図に示す
単結晶成長装置でなんら支障なく単結晶６の引き
上げを継続することのできる成長速度は最大でも
１mm／分程度であつた。しかも、単結晶６が大口
径になるに従つて上述の固化が起りやすくなるた
め、さらに成長速度を低下せざるを得なかつた。
げることによつて大きくすることが可能である
が、融液３の表面近傍の温度は中心部に比べてか
なり低くなつているため、このようにすると融液
３のうちのこの融液３の液面とるつぼ２とに隣接
する部分３ａにおいて固化が起き、その結果単結
晶６の引き上げを継続することが困難になつてし
まうという欠点がある。このため、第４図に示す
単結晶成長装置でなんら支障なく単結晶６の引き
上げを継続することのできる成長速度は最大でも
１mm／分程度であつた。しかも、単結晶６が大口
径になるに従つて上述の固化が起りやすくなるた
め、さらに成長速度を低下せざるを得なかつた。
なお本考案に関連する先行技術が記載された文
献として特願昭59−176420号が挙げられ、この文
献には、るつぼ中の融液のうちこの融液の液面と
るつぼとに隣接する部分をこの融液の他の部分よ
り高い熱量で加熱し得るように第１の加熱手段を
構成した単結晶成長装置が開示されている。
献として特願昭59−176420号が挙げられ、この文
献には、るつぼ中の融液のうちこの融液の液面と
るつぼとに隣接する部分をこの融液の他の部分よ
り高い熱量で加熱し得るように第１の加熱手段を
構成した単結晶成長装置が開示されている。
本考案は、上述の問題にかんがみ、従来の単結
晶成長装置が有する上述のような欠点を是正した
単結晶成長装置を提供することを目的とする。
晶成長装置が有する上述のような欠点を是正した
単結晶成長装置を提供することを目的とする。
本考案に係る単結晶成長装置は、結晶原料の融
液を収容するるつぼ（例えばシリコンの融液３を
収容するるつぼ２）と、前記融液を加熱するため
に前記るつぼの周囲に設けられている第１の加熱
手段（例えば発熱体４）と、前記融液から単結晶
を引き上げる引上げ手段（例えば引上げ軸１９及
びチヤツク７）とをそれぞれ具備する単結晶成長
装置において、前記るつぼと前記融液と引き上げ
られた前記単結晶とによつて形成される空間（例
えば空間１５）のうちで前記融液の液面と前記る
つぼの内壁とが接する部分の近傍に配されている
第２の加熱手段（例えば発熱体１６）と、この第
２の加熱手段と前記単結晶との間に配されている
熱遮蔽体（例えば熱遮蔽体１７）とを有してい
る。
液を収容するるつぼ（例えばシリコンの融液３を
収容するるつぼ２）と、前記融液を加熱するため
に前記るつぼの周囲に設けられている第１の加熱
手段（例えば発熱体４）と、前記融液から単結晶
を引き上げる引上げ手段（例えば引上げ軸１９及
びチヤツク７）とをそれぞれ具備する単結晶成長
装置において、前記るつぼと前記融液と引き上げ
られた前記単結晶とによつて形成される空間（例
えば空間１５）のうちで前記融液の液面と前記る
つぼの内壁とが接する部分の近傍に配されている
第２の加熱手段（例えば発熱体１６）と、この第
２の加熱手段と前記単結晶との間に配されている
熱遮蔽体（例えば熱遮蔽体１７）とを有してい
る。
このように構成することによつて、るつぼ中の
融液のうちこの融液の液面とるつぼとに隣接する
部分を効果的に加熱することが可能となり、しか
も引き上げた単結晶が第２の加熱手段によつて加
熱されるのを防止することができる。
融液のうちこの融液の液面とるつぼとに隣接する
部分を効果的に加熱することが可能となり、しか
も引き上げた単結晶が第２の加熱手段によつて加
熱されるのを防止することができる。
以下本考案に係る単結晶成長装置の一実施例に
つき図面を参照しながら説明する。なお以下の図
面においては第４図と同一部分には同一の符号を
付し、必要に応じてその説明を省略する。
つき図面を参照しながら説明する。なお以下の図
面においては第４図と同一部分には同一の符号を
付し、必要に応じてその説明を省略する。
第１図及び第２図に示すように、本実施例によ
る単結晶成長装置においては、第４図に示す従来
の単結晶成長装置と同様に、グラフアイト製のる
つぼ１内に設けられている石英製のるつぼ２中に
シリコンの融液３が収容され、さらに上記るつぼ
１を囲むようにグラフアイト製の発熱体４及び保
温材９がそれぞれ設けられている。そしてこれら
全体を囲むように水冷ジヤケツト１０ａ〜１０ｃ
が設けられている。なおこの水冷ジヤケツト１０
ｂには、引き上げられた単結晶６を観察するため
の窓１１が設けられ、また水冷ジヤケツト１０ａ
の底面には、上方から水冷ジヤケツト１０ａ〜１
０ｃ内に導入される不活性ガス（雰囲気ガス）の
排出用の排出管１２が設けられている。またるつ
ぼ１の下部には、水冷ジヤケツト１０ａの底面に
設けられた開口１０ｄを通じてこのるつぼ１を回
転及び昇降させるための軸８が設けられている。
さらに発熱体４の下端はリング板１３に固定さ
れ、このリング板１３の下部には、水冷ジヤケツ
ト１０ａの底面に設けられた開口１０ｅ，１０ｆ
を通じて発熱体４を昇降させるための昇降軸１４
が設けられている。
る単結晶成長装置においては、第４図に示す従来
の単結晶成長装置と同様に、グラフアイト製のる
つぼ１内に設けられている石英製のるつぼ２中に
シリコンの融液３が収容され、さらに上記るつぼ
１を囲むようにグラフアイト製の発熱体４及び保
温材９がそれぞれ設けられている。そしてこれら
全体を囲むように水冷ジヤケツト１０ａ〜１０ｃ
が設けられている。なおこの水冷ジヤケツト１０
ｂには、引き上げられた単結晶６を観察するため
の窓１１が設けられ、また水冷ジヤケツト１０ａ
の底面には、上方から水冷ジヤケツト１０ａ〜１
０ｃ内に導入される不活性ガス（雰囲気ガス）の
排出用の排出管１２が設けられている。またるつ
ぼ１の下部には、水冷ジヤケツト１０ａの底面に
設けられた開口１０ｄを通じてこのるつぼ１を回
転及び昇降させるための軸８が設けられている。
さらに発熱体４の下端はリング板１３に固定さ
れ、このリング板１３の下部には、水冷ジヤケツ
ト１０ａの底面に設けられた開口１０ｅ，１０ｆ
を通じて発熱体４を昇降させるための昇降軸１４
が設けられている。
一方、るつぼ２と融液３と単結晶６とによつて
形成される空間１５には、融液３の液面に近接し
て環状の発熱体１６が設けられている。この発熱
体１６は、円筒状の熱遮蔽体１７の底面１７ａに
断熱材（図示せず）を介して取り付けられてい
る。さらにこの熱遮蔽体１７は軸方向（上下方
向）に移動可能に設けられ、この熱遮蔽体１７を
移動させることによつて発熱体１６と融液３との
間の距離を変え得るようになつている。さらに上
方には、引上げ軸１８の下端に取り付けられてい
るチヤツク７に種結晶５が保持され、この種結晶
５から棒状の単結晶６が成長するようになつてい
る。
形成される空間１５には、融液３の液面に近接し
て環状の発熱体１６が設けられている。この発熱
体１６は、円筒状の熱遮蔽体１７の底面１７ａに
断熱材（図示せず）を介して取り付けられてい
る。さらにこの熱遮蔽体１７は軸方向（上下方
向）に移動可能に設けられ、この熱遮蔽体１７を
移動させることによつて発熱体１６と融液３との
間の距離を変え得るようになつている。さらに上
方には、引上げ軸１８の下端に取り付けられてい
るチヤツク７に種結晶５が保持され、この種結晶
５から棒状の単結晶６が成長するようになつてい
る。
このように構成された単結晶成長装置を用いて
種結晶５にシリコンの融液３から単結晶６を成長
させるには、るつぼ１，２及び単結晶６をそれぞ
れ軸８及び引上げ軸１８により例えば互いに逆方
向に回転させつつ、図示省略した駆動機構により
引上げ軸１８を徐々に上昇させることによつて単
結晶６の引き上げを行い、かつ融液３の液面に対
して発熱体４が一定位置となるようにるつぼ１，
２を上昇させる。
種結晶５にシリコンの融液３から単結晶６を成長
させるには、るつぼ１，２及び単結晶６をそれぞ
れ軸８及び引上げ軸１８により例えば互いに逆方
向に回転させつつ、図示省略した駆動機構により
引上げ軸１８を徐々に上昇させることによつて単
結晶６の引き上げを行い、かつ融液３の液面に対
して発熱体４が一定位置となるようにるつぼ１，
２を上昇させる。
上述の実施例によれば次のような利点がある。
すなわち、るつぼ２と融液３と単結晶６とによ
り形成される空間１５に、融液３の液面に近接し
て発熱体１６を設けているので、この発熱体１６
により融液３の液面近傍を選択的にしかも効果的
に加熱することができる。従つて、融液３の液面
近傍の温度と融液３中の最高温度との差を従来に
比べて小さくすることができる。このため、既述
の温度勾配（dT／dx）を大きくするために発熱
体４の温度を下げた場合においても、上記温度差
が従来に比べて小さい分だけ、融液３のうちのこ
の融液３の液面とるつぼ２の内壁とに隣接する部
分３ａにおいて固化が起きにくくなるので、その
分だけ発熱体４の温度を下げることができる。従
つて、単結晶６の成長速度を例えば2.0mm／分と
従来に比べて極めて大きくすることができ、しか
も単結晶６の成長をなんら支障なく連続して行う
ことができる。その結果、生産性が従来に比べて
高く、従つて単結晶６の成長コストを低減するこ
とができる。
り形成される空間１５に、融液３の液面に近接し
て発熱体１６を設けているので、この発熱体１６
により融液３の液面近傍を選択的にしかも効果的
に加熱することができる。従つて、融液３の液面
近傍の温度と融液３中の最高温度との差を従来に
比べて小さくすることができる。このため、既述
の温度勾配（dT／dx）を大きくするために発熱
体４の温度を下げた場合においても、上記温度差
が従来に比べて小さい分だけ、融液３のうちのこ
の融液３の液面とるつぼ２の内壁とに隣接する部
分３ａにおいて固化が起きにくくなるので、その
分だけ発熱体４の温度を下げることができる。従
つて、単結晶６の成長速度を例えば2.0mm／分と
従来に比べて極めて大きくすることができ、しか
も単結晶６の成長をなんら支障なく連続して行う
ことができる。その結果、生産性が従来に比べて
高く、従つて単結晶６の成長コストを低減するこ
とができる。
また上述のように高速、例えば２mm／分程度の
成長速度で単結晶６を成長させた場合に得られる
単結晶６中の積層欠陥密度は極めて小さく、この
ため単結晶６の品質は極めて良好である。
成長速度で単結晶６を成長させた場合に得られる
単結晶６中の積層欠陥密度は極めて小さく、この
ため単結晶６の品質は極めて良好である。
さらに単結晶６の周囲に熱遮蔽体１７を設けて
いるので、発熱体４，１６、融液３、るつぼ２等
からの放射熱により単結晶６が加熱されるのを防
止することができる。このため、この分だけ温度
勾配（dT／dx）を大きくすることができ、従つ
てこれによつても単結晶６の成長速度を大きくす
ることができる。
いるので、発熱体４，１６、融液３、るつぼ２等
からの放射熱により単結晶６が加熱されるのを防
止することができる。このため、この分だけ温度
勾配（dT／dx）を大きくすることができ、従つ
てこれによつても単結晶６の成長速度を大きくす
ることができる。
のみならず、融液３の液面に近接して発熱体１
６を設けるだけでよいので、単結晶成長装置を安
価に構成することができる。
６を設けるだけでよいので、単結晶成長装置を安
価に構成することができる。
以上本考案を実施例につき説明したが、本考案
は上述の実施例に限定されるものではなく、本考
案の技術的思想に基づく種々の変形が可能であ
る。例えば、上述の実施例においては、発熱体１
６を熱遮蔽体１７の底面にこれと一体的に取り付
けているが、必要に応じて第３図に示すように発
熱体１６と熱遮蔽体１７とを別々に設けることも
可能である。なお第３図において符号１９は、発
熱体１６を支持するための支持棒である。また必
ずしも上述の実施例のように融液３の液面全体を
加熱する必要はなく、例えば発熱体１６の外径は
そのままにして幅を狭くすることにより、融液３
のうちこの融液３の液面とるつぼ２とに隣接する
部分３ａを選択的に加熱し得るようにしてもよ
い。さらに円筒状の熱遮蔽体１７の代わりに、こ
の熱遮蔽体１７の底面１７ａと同一形状の熱遮蔽
板を設け、この熱遮蔽板の下面に発熱体１６を取
り付けてもよい。さらにまた、発熱体１６と融液
３の液面との間の距離は必要に応じて変更可能で
ある。なお熱遮蔽体１７は必要に応じて水冷等に
より冷却してもよい。
は上述の実施例に限定されるものではなく、本考
案の技術的思想に基づく種々の変形が可能であ
る。例えば、上述の実施例においては、発熱体１
６を熱遮蔽体１７の底面にこれと一体的に取り付
けているが、必要に応じて第３図に示すように発
熱体１６と熱遮蔽体１７とを別々に設けることも
可能である。なお第３図において符号１９は、発
熱体１６を支持するための支持棒である。また必
ずしも上述の実施例のように融液３の液面全体を
加熱する必要はなく、例えば発熱体１６の外径は
そのままにして幅を狭くすることにより、融液３
のうちこの融液３の液面とるつぼ２とに隣接する
部分３ａを選択的に加熱し得るようにしてもよ
い。さらに円筒状の熱遮蔽体１７の代わりに、こ
の熱遮蔽体１７の底面１７ａと同一形状の熱遮蔽
板を設け、この熱遮蔽板の下面に発熱体１６を取
り付けてもよい。さらにまた、発熱体１６と融液
３の液面との間の距離は必要に応じて変更可能で
ある。なお熱遮蔽体１７は必要に応じて水冷等に
より冷却してもよい。
本考案に係る単結晶成長装置によれば、るつぼ
と融液と引き上げられた単結晶とによつて形成さ
れる空間のうちで融液の液面とるつぼの内壁とが
接する部分の近傍に配されている第２の加熱手段
を有しているので、るつぼ中の融液のうちこの融
液の液面とるつぼとに隣接する部分を効果的に加
熱することができ、従つて第１の加熱手段による
加熱温度を低くした場合においても前記融液の前
記部分において固化が起きるのを防止することが
できる。しかも、第２の加熱手段と単結晶との間
に配されている熱遮蔽体を有しているので、単結
晶が第２の加熱手段によつて加熱されるのを防止
することもできる。このため従来に比べて大きな
成長速度でしかも結晶欠陥が少なくて品質が良好
な単結晶を成長させることができる。
と融液と引き上げられた単結晶とによつて形成さ
れる空間のうちで融液の液面とるつぼの内壁とが
接する部分の近傍に配されている第２の加熱手段
を有しているので、るつぼ中の融液のうちこの融
液の液面とるつぼとに隣接する部分を効果的に加
熱することができ、従つて第１の加熱手段による
加熱温度を低くした場合においても前記融液の前
記部分において固化が起きるのを防止することが
できる。しかも、第２の加熱手段と単結晶との間
に配されている熱遮蔽体を有しているので、単結
晶が第２の加熱手段によつて加熱されるのを防止
することもできる。このため従来に比べて大きな
成長速度でしかも結晶欠陥が少なくて品質が良好
な単結晶を成長させることができる。
第１図は本考案に係る単結晶成長装置の一実施
例を示す断面図、第２図は第１図に示す単結晶成
長装置を要部を示す拡大断面図、第３図は本考案
の変形例を示す第２図と同様な拡大断面図、第４
図はCZ法による従来の単結晶成長装置の要部を
示す断面図である。 なお図面に用いた符号において、１，２……る
つぼ、３……融液、４，１６……発熱体、６……
単結晶、１５……空間、１７……熱遮蔽体、１８
……引上げ軸である。
例を示す断面図、第２図は第１図に示す単結晶成
長装置を要部を示す拡大断面図、第３図は本考案
の変形例を示す第２図と同様な拡大断面図、第４
図はCZ法による従来の単結晶成長装置の要部を
示す断面図である。 なお図面に用いた符号において、１，２……る
つぼ、３……融液、４，１６……発熱体、６……
単結晶、１５……空間、１７……熱遮蔽体、１８
……引上げ軸である。
Claims (1)
- 結晶原料の融液を収容するるつぼと、前記融液
を加熱するために前記るつぼの周囲に設けられて
いる第１の加熱手段と、前記融液から単結晶を引
き上げる引上げ手段とをそれぞれ具備する単結晶
成長装置において、前記るつぼと前記融液と引き
上げられた前記単結晶とによつて形成される空間
のうちで前記融液の液面と前記るつぼの内壁とが
接する部分の近傍に配されている第２の加熱手段
と、この第２の加熱手段と前記単結晶との間に配
されている熱遮蔽体とを有することを特徴とする
単結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985067877U JPH0315550Y2 (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985067877U JPH0315550Y2 (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183971U JPS61183971U (ja) | 1986-11-17 |
| JPH0315550Y2 true JPH0315550Y2 (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=30602112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985067877U Expired JPH0315550Y2 (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0315550Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03183689A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-09 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置および引上方法 |
| WO2004044276A1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Memc Electronic Materials, Inc. | A crystal puller and method for growing a monocrystalline ingot |
| KR101467103B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2014-11-28 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 성장 장치 및 그 성장 방법 |
| JP2018080097A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027684A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Fujitsu Ltd | 単結晶製造装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5522329U (ja) * | 1978-07-31 | 1980-02-13 |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP1985067877U patent/JPH0315550Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027684A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Fujitsu Ltd | 単結晶製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61183971U (ja) | 1986-11-17 |
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