JPS62167285A - ペデイスタル固定方法 - Google Patents
ペデイスタル固定方法Info
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- JPS62167285A JPS62167285A JP1077486A JP1077486A JPS62167285A JP S62167285 A JPS62167285 A JP S62167285A JP 1077486 A JP1077486 A JP 1077486A JP 1077486 A JP1077486 A JP 1077486A JP S62167285 A JPS62167285 A JP S62167285A
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- crucible
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- crucible shaft
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- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はチョクラルスキー法（ＣＺ法）、即ち原料をる
つぼ内に入れて加熱溶融し、チャックに保持した単結晶
のシード（種子）を上方から融液中に漬け、回転しなが
ら徐々に引き上げて単結晶を成長させるようにした単結
晶製造法によって単結晶を製造する装置、特にシリコン
単結晶成長装置において、るつぼのペディスタル（支柱
）をるつぼ軸に固定する方法に関する。
つぼ内に入れて加熱溶融し、チャックに保持した単結晶
のシード（種子）を上方から融液中に漬け、回転しなが
ら徐々に引き上げて単結晶を成長させるようにした単結
晶製造法によって単結晶を製造する装置、特にシリコン
単結晶成長装置において、るつぼのペディスタル（支柱
）をるつぼ軸に固定する方法に関する。
一般に単結晶製造装置におけるるつぼのペディスタルや
他の加熱構成品は、主にチャンバ（炉）内を清掃するた
め取外しができるようにしなければならない。るつぼの
ペディスタルはるつぼ軸に固定されるが、るつぼ軸の回
転・移動をペディスクルに一対一で伝達するためペディ
スクルはるつぼ軸に強固に固定し、かつるつぼ軸より容
易に分離することができるようにする必要がある。
他の加熱構成品は、主にチャンバ（炉）内を清掃するた
め取外しができるようにしなければならない。るつぼの
ペディスタルはるつぼ軸に固定されるが、るつぼ軸の回
転・移動をペディスクルに一対一で伝達するためペディ
スクルはるつぼ軸に強固に固定し、かつるつぼ軸より容
易に分離することができるようにする必要がある。
また、ペディスクルはるつぼからの熱伝導やこれを加熱
するためのヒータにより高温状態になり、例えばペディ
スタルとるつぼ軸との接触部の温度は８００℃〜１００
０℃の高温になる。ペディスクルとるつぼ軸との固定は
この高温による影響を受けないようにすることも必要で
ある。
するためのヒータにより高温状態になり、例えばペディ
スタルとるつぼ軸との接触部の温度は８００℃〜１００
０℃の高温になる。ペディスクルとるつぼ軸との固定は
この高温による影響を受けないようにすることも必要で
ある。
従来方法は、るつぼ内に入れる単結晶の量が少ない場合
、第４図（ａ） 、 （ｂ）示のようにるつぼのペディ
スタル２の凸状または凹状の下部３をるつぼ軸４の凹状
または凸状の上部５に嵌合し、あるいは第５図示のよう
に更に両者を側方より止めねじ８により固定していた。
、第４図（ａ） 、 （ｂ）示のようにるつぼのペディ
スタル２の凸状または凹状の下部３をるつぼ軸４の凹状
または凸状の上部５に嵌合し、あるいは第５図示のよう
に更に両者を側方より止めねじ８により固定していた。
しかし上記従来方法では結晶の高質化や大形化に伴い、
高純度グラファイト製のペディスタル２とステンレス鋼
製のるつぼ軸４の熱膨張の相違によりペディスクル２と
るつぼ軸４との間に隙間が生じたり、止めねじ８が緩ん
だりしてるつぼ軸４の回転・移動がペディスタル２及び
るつぼに適切に伝達されないという問題点があった。
高純度グラファイト製のペディスタル２とステンレス鋼
製のるつぼ軸４の熱膨張の相違によりペディスクル２と
るつぼ軸４との間に隙間が生じたり、止めねじ８が緩ん
だりしてるつぼ軸４の回転・移動がペディスタル２及び
るつぼに適切に伝達されないという問題点があった。
本発明方法は上記の問題点を解決するため、第１図〜第
３図示のようにるつぼ１を用いて単結晶を製造する装置
において、るつぼ１のペディスタル２を中空構造とし、
この中空構造のペディスタル２の下部３をるつぼ軸４の
上部５に高融点材料よりなるボルト６とワッシャ７を用
いて固定するものである。
３図示のようにるつぼ１を用いて単結晶を製造する装置
において、るつぼ１のペディスタル２を中空構造とし、
この中空構造のペディスタル２の下部３をるつぼ軸４の
上部５に高融点材料よりなるボルト６とワッシャ７を用
いて固定するものである。
以下図面により本発明方法の一実施例を説明する。
第１図は本発明に係るシリコン単結晶成長装置の構成を
示す説明図、第２図はその要部の断面図である。
示す説明図、第２図はその要部の断面図である。
第１図及び第２図において９はチャンバベース１０上に
設置した結晶成長用チャンバ、１１はこのチャンバ９内
に設けたメルトレシーブ、１はこのメルトレシーブ１１
の中心部に配置したるつぼで、シリコン単結晶を充填す
る石英製るつぼ１ａと、その外側の高純度グラファイト
製るつぼ（るつぼホルダ）１ｂよりなる。
設置した結晶成長用チャンバ、１１はこのチャンバ９内
に設けたメルトレシーブ、１はこのメルトレシーブ１１
の中心部に配置したるつぼで、シリコン単結晶を充填す
る石英製るつぼ１ａと、その外側の高純度グラファイト
製るつぼ（るつぼホルダ）１ｂよりなる。
２はるつぼ１を支える高純度グラファイト製ペディスク
ル（支柱）、４はこのペディスクル２に固定したステン
レス鋼製るつぼ軸、１２はるつぼ軸４及びペディスクル
２を介してるつぼ１を回転しながら軸方向に移動するた
めのるつぼ回転・移動部である。
ル（支柱）、４はこのペディスクル２に固定したステン
レス鋼製るつぼ軸、１２はるつぼ軸４及びペディスクル
２を介してるつぼ１を回転しながら軸方向に移動するた
めのるつぼ回転・移動部である。
１３はるつぼ１を加熱するためのヒータ、１４は原料融
液、１５はヒータ１３に通電するためのエレクトロード
、１６はヒータ温度センサ、１７はチャンバ９に連結し
た主排気ポンプ、１８は融液１４の状態及び単結晶１９
の成長状態を監視するためのビデコンカメラである。
液、１５はヒータ１３に通電するためのエレクトロード
、１６はヒータ温度センサ、１７はチャンバ９に連結し
た主排気ポンプ、１８は融液１４の状態及び単結晶１９
の成長状態を監視するためのビデコンカメラである。
２０は単結晶のシード（種子）、２１はこのシードを保
持したシードチャック、２２はチャンバ９の上部に連接
したアイソレーションバルブ、２３はその上部に連結し
たプルチャンバ部、２４はこのプルチャンバ部２３に連
結した補助排気ポンプ、２５は所要のガスを供給するた
めのガスシステム、２６はプルチャンバ部２３の上部に
スリップリング部２７を介して回転自在に設置されたワ
イヤロープ巻き取り部で、そのワイヤロー１２８の先端
にシードチャック２１が懸垂されている。２９はワイヤ
ロープ巻き取り部２６を回転するための回転駆動部であ
る。
持したシードチャック、２２はチャンバ９の上部に連接
したアイソレーションバルブ、２３はその上部に連結し
たプルチャンバ部、２４はこのプルチャンバ部２３に連
結した補助排気ポンプ、２５は所要のガスを供給するた
めのガスシステム、２６はプルチャンバ部２３の上部に
スリップリング部２７を介して回転自在に設置されたワ
イヤロープ巻き取り部で、そのワイヤロー１２８の先端
にシードチャック２１が懸垂されている。２９はワイヤ
ロープ巻き取り部２６を回転するための回転駆動部であ
る。
この装置は主、補助排気ポンプ１７ 、２４を駆動して
結晶成長用チャンバ９及びプルチャンバ部２３の内部を
排気し、ガスシステム２５より所要のガスを供給してガ
ス雰囲気中でヒータ１３によりるつぼｌを加熱して原料
を溶融する。
結晶成長用チャンバ９及びプルチャンバ部２３の内部を
排気し、ガスシステム２５より所要のガスを供給してガ
ス雰囲気中でヒータ１３によりるつぼｌを加熱して原料
を溶融する。
そしてシードチャック２１に保持したシード２０を上方
から融液１４中に漬け、るつぼ４をるつぼ回転・移動部
１２により回転しながら下方に移動する一方、ワイヤロ
ープ巻き取り部２６を回転駆動部２９により回転すると
共にワイヤープ巻き取り部２６によりワイヤロー１２８
を巻き取ることによってワイヤロープ２８に懸垂したシ
ードチャック２１を回転しながら徐々に引き上げ（上方
に移動し）で単結晶１９を成長させるものである。
から融液１４中に漬け、るつぼ４をるつぼ回転・移動部
１２により回転しながら下方に移動する一方、ワイヤロ
ープ巻き取り部２６を回転駆動部２９により回転すると
共にワイヤープ巻き取り部２６によりワイヤロー１２８
を巻き取ることによってワイヤロープ２８に懸垂したシ
ードチャック２１を回転しながら徐々に引き上げ（上方
に移動し）で単結晶１９を成長させるものである。
本発明方法はこのような単結晶製造装置において、第３
図示のようにるつぼ１のペディスクル２を中空構造とし
、この中空構造のペディスタル２の凹状下部３をるつぼ
軸４の凸状上部５に、門０゜Ｗ、Ｔａ等の高融点材料よ
りなるボルト６とワッシャ７を用いて固定する。ボルト
６の緊締には冶具を用いる。
図示のようにるつぼ１のペディスクル２を中空構造とし
、この中空構造のペディスタル２の凹状下部３をるつぼ
軸４の凸状上部５に、門０゜Ｗ、Ｔａ等の高融点材料よ
りなるボルト６とワッシャ７を用いて固定する。ボルト
６の緊締には冶具を用いる。
また、本実施例ではるつぼ軸４に冷却水通路３０を設け
、この通路３０に冷却水パイプ３１を収め、当該バイブ
３１から冷却水を供給してるつぼ軸４を冷却する構造に
する。
、この通路３０に冷却水パイプ３１を収め、当該バイブ
３１から冷却水を供給してるつぼ軸４を冷却する構造に
する。
このようにペディスクル２を中空構造とし、この中空構
造のペディスタル２をるつぼ軸４にボルト６とワッシャ
７を用いて固定する方法であるから、ペディスタル２の
固定を、中空を利用して容易にかつ強固にできるばかり
でなく、ペディスタル２を中空構造としたことにより、
るつぼ１からの熱伝導による熱伝達量を減少させると共
にるつぼ軸４を冷却構造にすることと相まってペディス
クル２とるつぼ軸４との接触部分の温度上昇を極力抑え
、ペディスタル２とるつぼ軸４の熱膨張の相違により両
者間に隙間が生じても当該隙間を極くわずかにでき、か
つ緩みのおそれもないから、るつぼ軸４の回転・移動を
ペディスクル２及びるつぼ１に適切に伝達することがで
きる。また、るつぼ軸４を冷却することによりるつぼ軸
４とボルト６間のねじ部の焼き付きも防止できる。
造のペディスタル２をるつぼ軸４にボルト６とワッシャ
７を用いて固定する方法であるから、ペディスタル２の
固定を、中空を利用して容易にかつ強固にできるばかり
でなく、ペディスタル２を中空構造としたことにより、
るつぼ１からの熱伝導による熱伝達量を減少させると共
にるつぼ軸４を冷却構造にすることと相まってペディス
クル２とるつぼ軸４との接触部分の温度上昇を極力抑え
、ペディスタル２とるつぼ軸４の熱膨張の相違により両
者間に隙間が生じても当該隙間を極くわずかにでき、か
つ緩みのおそれもないから、るつぼ軸４の回転・移動を
ペディスクル２及びるつぼ１に適切に伝達することがで
きる。また、るつぼ軸４を冷却することによりるつぼ軸
４とボルト６間のねじ部の焼き付きも防止できる。
また、高融点材料よりなるボルト６とワッシャ７を用い
ているので、これらより不純物が放出されて炉内雰囲気
が汚染されることはなく、また１０００℃前後でカーボ
ンと反応することもなく、かつ高温強度を高めることが
できる。
ているので、これらより不純物が放出されて炉内雰囲気
が汚染されることはなく、また１０００℃前後でカーボ
ンと反応することもなく、かつ高温強度を高めることが
できる。
上述のように本発明によれば、ペディスタル２を中空構
造とし、この中空構造のペディスタル２をるつぼ軸４に
ボルト６とワッシャ７を用いて固定する方法であるから
、ペディスクル２の固定を、中空を利用して容易にかつ
強固にできるばかりでなく、ペディスタル２を中空構造
としたことにより、るつぼ１からの熱伝導による熱伝達
量を減少させてペディスクル２とるつぼ軸４との接触部
分の温度上昇を抑え、ペディスクル２とるつぼ軸４との
熱膨張の相違により両者間に隙間が生じても当該隙間を
小さくでき、かつ緩みのおそれもないから、るつぼ軸４
の回転・移動をペディスタル２及びるつぼ１に適切に伝
達することができる。
造とし、この中空構造のペディスタル２をるつぼ軸４に
ボルト６とワッシャ７を用いて固定する方法であるから
、ペディスクル２の固定を、中空を利用して容易にかつ
強固にできるばかりでなく、ペディスタル２を中空構造
としたことにより、るつぼ１からの熱伝導による熱伝達
量を減少させてペディスクル２とるつぼ軸４との接触部
分の温度上昇を抑え、ペディスクル２とるつぼ軸４との
熱膨張の相違により両者間に隙間が生じても当該隙間を
小さくでき、かつ緩みのおそれもないから、るつぼ軸４
の回転・移動をペディスタル２及びるつぼ１に適切に伝
達することができる。
また、高融点材料よりなるボルト６とワッシャ７を用い
ているので、これらより不純物が放出されて炉内雰囲気
が汚染されることはなく、また１０００℃前後でカーボ
ンと反応することもなく、かつ高温強度を高めることが
できる。
ているので、これらより不純物が放出されて炉内雰囲気
が汚染されることはなく、また１０００℃前後でカーボ
ンと反応することもなく、かつ高温強度を高めることが
できる。
第１図は本発明に係るシリコン単結晶成長装置の構成を
示す説明図、第２図はその要部の断面図、喜２目 −でディスク夏Ｖ 喜３目
示す説明図、第２図はその要部の断面図、喜２目 −でディスク夏Ｖ 喜３目
Claims (1)
- るつぼを用いて単結晶を製造する装置において、るつぼ
のペディスタルを中空構造とし、この中空構造のペディ
スタルの下部をるつぼ軸の上部に高融点材料よりなるボ
ルトとワッシャを用いて固定することを特徴とするペデ
ィスタル固定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1077486A JPS62167285A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | ペデイスタル固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1077486A JPS62167285A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | ペデイスタル固定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62167285A true JPS62167285A (ja) | 1987-07-23 |
| JPH0438717B2 JPH0438717B2 (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=11759675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1077486A Granted JPS62167285A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | ペデイスタル固定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62167285A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5424702A (en) * | 1991-09-19 | 1995-06-13 | Hitachi, Ltd. | Superconducting magnet |
| CN102312287A (zh) * | 2011-07-04 | 2012-01-11 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 具备改进的水冷却结构的坩埚轴 |
| JP2016199440A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 結晶育成装置 |
-
1986
- 1986-01-20 JP JP1077486A patent/JPS62167285A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5424702A (en) * | 1991-09-19 | 1995-06-13 | Hitachi, Ltd. | Superconducting magnet |
| CN102312287A (zh) * | 2011-07-04 | 2012-01-11 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 具备改进的水冷却结构的坩埚轴 |
| JP2016199440A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 結晶育成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0438717B2 (ja) | 1992-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |