JPS62167285A - ペデイスタル固定方法 - Google Patents
ペデイスタル固定方法Info
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- JPS62167285A JPS62167285A JP1077486A JP1077486A JPS62167285A JP S62167285 A JPS62167285 A JP S62167285A JP 1077486 A JP1077486 A JP 1077486A JP 1077486 A JP1077486 A JP 1077486A JP S62167285 A JPS62167285 A JP S62167285A
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- crucible
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- crucible shaft
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- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はチョクラルスキー法(CZ法)、即ち原料をる
つぼ内に入れて加熱溶融し、チャックに保持した単結晶
のシード(種子)を上方から融液中に漬け、回転しなが
ら徐々に引き上げて単結晶を成長させるようにした単結
晶製造法によって単結晶を製造する装置、特にシリコン
単結晶成長装置において、るつぼのペディスタル(支柱
)をるつぼ軸に固定する方法に関する。
つぼ内に入れて加熱溶融し、チャックに保持した単結晶
のシード(種子)を上方から融液中に漬け、回転しなが
ら徐々に引き上げて単結晶を成長させるようにした単結
晶製造法によって単結晶を製造する装置、特にシリコン
単結晶成長装置において、るつぼのペディスタル(支柱
)をるつぼ軸に固定する方法に関する。
一般に単結晶製造装置におけるるつぼのペディスタルや
他の加熱構成品は、主にチャンバ(炉)内を清掃するた
め取外しができるようにしなければならない。るつぼの
ペディスタルはるつぼ軸に固定されるが、るつぼ軸の回
転・移動をペディスクルに一対一で伝達するためペディ
スクルはるつぼ軸に強固に固定し、かつるつぼ軸より容
易に分離することができるようにする必要がある。
他の加熱構成品は、主にチャンバ(炉)内を清掃するた
め取外しができるようにしなければならない。るつぼの
ペディスタルはるつぼ軸に固定されるが、るつぼ軸の回
転・移動をペディスクルに一対一で伝達するためペディ
スクルはるつぼ軸に強固に固定し、かつるつぼ軸より容
易に分離することができるようにする必要がある。
また、ペディスクルはるつぼからの熱伝導やこれを加熱
するためのヒータにより高温状態になり、例えばペディ
スタルとるつぼ軸との接触部の温度は800℃〜100
0℃の高温になる。ペディスクルとるつぼ軸との固定は
この高温による影響を受けないようにすることも必要で
ある。
するためのヒータにより高温状態になり、例えばペディ
スタルとるつぼ軸との接触部の温度は800℃〜100
0℃の高温になる。ペディスクルとるつぼ軸との固定は
この高温による影響を受けないようにすることも必要で
ある。
従来方法は、るつぼ内に入れる単結晶の量が少ない場合
、第4図(a) 、 (b)示のようにるつぼのペディ
スタル2の凸状または凹状の下部3をるつぼ軸4の凹状
または凸状の上部5に嵌合し、あるいは第5図示のよう
に更に両者を側方より止めねじ8により固定していた。
、第4図(a) 、 (b)示のようにるつぼのペディ
スタル2の凸状または凹状の下部3をるつぼ軸4の凹状
または凸状の上部5に嵌合し、あるいは第5図示のよう
に更に両者を側方より止めねじ8により固定していた。
しかし上記従来方法では結晶の高質化や大形化に伴い、
高純度グラファイト製のペディスタル2とステンレス鋼
製のるつぼ軸4の熱膨張の相違によりペディスクル2と
るつぼ軸4との間に隙間が生じたり、止めねじ8が緩ん
だりしてるつぼ軸4の回転・移動がペディスタル2及び
るつぼに適切に伝達されないという問題点があった。
高純度グラファイト製のペディスタル2とステンレス鋼
製のるつぼ軸4の熱膨張の相違によりペディスクル2と
るつぼ軸4との間に隙間が生じたり、止めねじ8が緩ん
だりしてるつぼ軸4の回転・移動がペディスタル2及び
るつぼに適切に伝達されないという問題点があった。
本発明方法は上記の問題点を解決するため、第1図〜第
3図示のようにるつぼ1を用いて単結晶を製造する装置
において、るつぼ1のペディスタル2を中空構造とし、
この中空構造のペディスタル2の下部3をるつぼ軸4の
上部5に高融点材料よりなるボルト6とワッシャ7を用
いて固定するものである。
3図示のようにるつぼ1を用いて単結晶を製造する装置
において、るつぼ1のペディスタル2を中空構造とし、
この中空構造のペディスタル2の下部3をるつぼ軸4の
上部5に高融点材料よりなるボルト6とワッシャ7を用
いて固定するものである。
以下図面により本発明方法の一実施例を説明する。
第1図は本発明に係るシリコン単結晶成長装置の構成を
示す説明図、第2図はその要部の断面図である。
示す説明図、第2図はその要部の断面図である。
第1図及び第2図において9はチャンバベース10上に
設置した結晶成長用チャンバ、11はこのチャンバ9内
に設けたメルトレシーブ、1はこのメルトレシーブ11
の中心部に配置したるつぼで、シリコン単結晶を充填す
る石英製るつぼ1aと、その外側の高純度グラファイト
製るつぼ(るつぼホルダ)1bよりなる。
設置した結晶成長用チャンバ、11はこのチャンバ9内
に設けたメルトレシーブ、1はこのメルトレシーブ11
の中心部に配置したるつぼで、シリコン単結晶を充填す
る石英製るつぼ1aと、その外側の高純度グラファイト
製るつぼ(るつぼホルダ)1bよりなる。
2はるつぼ1を支える高純度グラファイト製ペディスク
ル(支柱)、4はこのペディスクル2に固定したステン
レス鋼製るつぼ軸、12はるつぼ軸4及びペディスクル
2を介してるつぼ1を回転しながら軸方向に移動するた
めのるつぼ回転・移動部である。
ル(支柱)、4はこのペディスクル2に固定したステン
レス鋼製るつぼ軸、12はるつぼ軸4及びペディスクル
2を介してるつぼ1を回転しながら軸方向に移動するた
めのるつぼ回転・移動部である。
13はるつぼ1を加熱するためのヒータ、14は原料融
液、15はヒータ13に通電するためのエレクトロード
、16はヒータ温度センサ、17はチャンバ9に連結し
た主排気ポンプ、18は融液14の状態及び単結晶19
の成長状態を監視するためのビデコンカメラである。
液、15はヒータ13に通電するためのエレクトロード
、16はヒータ温度センサ、17はチャンバ9に連結し
た主排気ポンプ、18は融液14の状態及び単結晶19
の成長状態を監視するためのビデコンカメラである。
20は単結晶のシード(種子)、21はこのシードを保
持したシードチャック、22はチャンバ9の上部に連接
したアイソレーションバルブ、23はその上部に連結し
たプルチャンバ部、24はこのプルチャンバ部23に連
結した補助排気ポンプ、25は所要のガスを供給するた
めのガスシステム、26はプルチャンバ部23の上部に
スリップリング部27を介して回転自在に設置されたワ
イヤロープ巻き取り部で、そのワイヤロー128の先端
にシードチャック21が懸垂されている。29はワイヤ
ロープ巻き取り部26を回転するための回転駆動部であ
る。
持したシードチャック、22はチャンバ9の上部に連接
したアイソレーションバルブ、23はその上部に連結し
たプルチャンバ部、24はこのプルチャンバ部23に連
結した補助排気ポンプ、25は所要のガスを供給するた
めのガスシステム、26はプルチャンバ部23の上部に
スリップリング部27を介して回転自在に設置されたワ
イヤロープ巻き取り部で、そのワイヤロー128の先端
にシードチャック21が懸垂されている。29はワイヤ
ロープ巻き取り部26を回転するための回転駆動部であ
る。
この装置は主、補助排気ポンプ17 、24を駆動して
結晶成長用チャンバ9及びプルチャンバ部23の内部を
排気し、ガスシステム25より所要のガスを供給してガ
ス雰囲気中でヒータ13によりるつぼlを加熱して原料
を溶融する。
結晶成長用チャンバ9及びプルチャンバ部23の内部を
排気し、ガスシステム25より所要のガスを供給してガ
ス雰囲気中でヒータ13によりるつぼlを加熱して原料
を溶融する。
そしてシードチャック21に保持したシード20を上方
から融液14中に漬け、るつぼ4をるつぼ回転・移動部
12により回転しながら下方に移動する一方、ワイヤロ
ープ巻き取り部26を回転駆動部29により回転すると
共にワイヤープ巻き取り部26によりワイヤロー128
を巻き取ることによってワイヤロープ28に懸垂したシ
ードチャック21を回転しながら徐々に引き上げ(上方
に移動し)で単結晶19を成長させるものである。
から融液14中に漬け、るつぼ4をるつぼ回転・移動部
12により回転しながら下方に移動する一方、ワイヤロ
ープ巻き取り部26を回転駆動部29により回転すると
共にワイヤープ巻き取り部26によりワイヤロー128
を巻き取ることによってワイヤロープ28に懸垂したシ
ードチャック21を回転しながら徐々に引き上げ(上方
に移動し)で単結晶19を成長させるものである。
本発明方法はこのような単結晶製造装置において、第3
図示のようにるつぼ1のペディスクル2を中空構造とし
、この中空構造のペディスタル2の凹状下部3をるつぼ
軸4の凸状上部5に、門0゜W、Ta等の高融点材料よ
りなるボルト6とワッシャ7を用いて固定する。ボルト
6の緊締には冶具を用いる。
図示のようにるつぼ1のペディスクル2を中空構造とし
、この中空構造のペディスタル2の凹状下部3をるつぼ
軸4の凸状上部5に、門0゜W、Ta等の高融点材料よ
りなるボルト6とワッシャ7を用いて固定する。ボルト
6の緊締には冶具を用いる。
また、本実施例ではるつぼ軸4に冷却水通路30を設け
、この通路30に冷却水パイプ31を収め、当該バイブ
31から冷却水を供給してるつぼ軸4を冷却する構造に
する。
、この通路30に冷却水パイプ31を収め、当該バイブ
31から冷却水を供給してるつぼ軸4を冷却する構造に
する。
このようにペディスクル2を中空構造とし、この中空構
造のペディスタル2をるつぼ軸4にボルト6とワッシャ
7を用いて固定する方法であるから、ペディスタル2の
固定を、中空を利用して容易にかつ強固にできるばかり
でなく、ペディスタル2を中空構造としたことにより、
るつぼ1からの熱伝導による熱伝達量を減少させると共
にるつぼ軸4を冷却構造にすることと相まってペディス
クル2とるつぼ軸4との接触部分の温度上昇を極力抑え
、ペディスタル2とるつぼ軸4の熱膨張の相違により両
者間に隙間が生じても当該隙間を極くわずかにでき、か
つ緩みのおそれもないから、るつぼ軸4の回転・移動を
ペディスクル2及びるつぼ1に適切に伝達することがで
きる。また、るつぼ軸4を冷却することによりるつぼ軸
4とボルト6間のねじ部の焼き付きも防止できる。
造のペディスタル2をるつぼ軸4にボルト6とワッシャ
7を用いて固定する方法であるから、ペディスタル2の
固定を、中空を利用して容易にかつ強固にできるばかり
でなく、ペディスタル2を中空構造としたことにより、
るつぼ1からの熱伝導による熱伝達量を減少させると共
にるつぼ軸4を冷却構造にすることと相まってペディス
クル2とるつぼ軸4との接触部分の温度上昇を極力抑え
、ペディスタル2とるつぼ軸4の熱膨張の相違により両
者間に隙間が生じても当該隙間を極くわずかにでき、か
つ緩みのおそれもないから、るつぼ軸4の回転・移動を
ペディスクル2及びるつぼ1に適切に伝達することがで
きる。また、るつぼ軸4を冷却することによりるつぼ軸
4とボルト6間のねじ部の焼き付きも防止できる。
また、高融点材料よりなるボルト6とワッシャ7を用い
ているので、これらより不純物が放出されて炉内雰囲気
が汚染されることはなく、また1000℃前後でカーボ
ンと反応することもなく、かつ高温強度を高めることが
できる。
ているので、これらより不純物が放出されて炉内雰囲気
が汚染されることはなく、また1000℃前後でカーボ
ンと反応することもなく、かつ高温強度を高めることが
できる。
上述のように本発明によれば、ペディスタル2を中空構
造とし、この中空構造のペディスタル2をるつぼ軸4に
ボルト6とワッシャ7を用いて固定する方法であるから
、ペディスクル2の固定を、中空を利用して容易にかつ
強固にできるばかりでなく、ペディスタル2を中空構造
としたことにより、るつぼ1からの熱伝導による熱伝達
量を減少させてペディスクル2とるつぼ軸4との接触部
分の温度上昇を抑え、ペディスクル2とるつぼ軸4との
熱膨張の相違により両者間に隙間が生じても当該隙間を
小さくでき、かつ緩みのおそれもないから、るつぼ軸4
の回転・移動をペディスタル2及びるつぼ1に適切に伝
達することができる。
造とし、この中空構造のペディスタル2をるつぼ軸4に
ボルト6とワッシャ7を用いて固定する方法であるから
、ペディスクル2の固定を、中空を利用して容易にかつ
強固にできるばかりでなく、ペディスタル2を中空構造
としたことにより、るつぼ1からの熱伝導による熱伝達
量を減少させてペディスクル2とるつぼ軸4との接触部
分の温度上昇を抑え、ペディスクル2とるつぼ軸4との
熱膨張の相違により両者間に隙間が生じても当該隙間を
小さくでき、かつ緩みのおそれもないから、るつぼ軸4
の回転・移動をペディスタル2及びるつぼ1に適切に伝
達することができる。
また、高融点材料よりなるボルト6とワッシャ7を用い
ているので、これらより不純物が放出されて炉内雰囲気
が汚染されることはなく、また1000℃前後でカーボ
ンと反応することもなく、かつ高温強度を高めることが
できる。
ているので、これらより不純物が放出されて炉内雰囲気
が汚染されることはなく、また1000℃前後でカーボ
ンと反応することもなく、かつ高温強度を高めることが
できる。
第1図は本発明に係るシリコン単結晶成長装置の構成を
示す説明図、第2図はその要部の断面図、喜2目 −でディスク夏V 喜3目
示す説明図、第2図はその要部の断面図、喜2目 −でディスク夏V 喜3目
Claims (1)
- るつぼを用いて単結晶を製造する装置において、るつぼ
のペディスタルを中空構造とし、この中空構造のペディ
スタルの下部をるつぼ軸の上部に高融点材料よりなるボ
ルトとワッシャを用いて固定することを特徴とするペデ
ィスタル固定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1077486A JPS62167285A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | ペデイスタル固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1077486A JPS62167285A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | ペデイスタル固定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62167285A true JPS62167285A (ja) | 1987-07-23 |
JPH0438717B2 JPH0438717B2 (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=11759675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1077486A Granted JPS62167285A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | ペデイスタル固定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62167285A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5424702A (en) * | 1991-09-19 | 1995-06-13 | Hitachi, Ltd. | Superconducting magnet |
CN102312287A (zh) * | 2011-07-04 | 2012-01-11 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 具备改进的水冷却结构的坩埚轴 |
JP2016199440A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 結晶育成装置 |
-
1986
- 1986-01-20 JP JP1077486A patent/JPS62167285A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5424702A (en) * | 1991-09-19 | 1995-06-13 | Hitachi, Ltd. | Superconducting magnet |
CN102312287A (zh) * | 2011-07-04 | 2012-01-11 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 具备改进的水冷却结构的坩埚轴 |
JP2016199440A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 結晶育成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0438717B2 (ja) | 1992-06-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |