JPH10182277A - 単結晶製造装置及びそれを用いた単結晶製造方法 - Google Patents
単結晶製造装置及びそれを用いた単結晶製造方法Info
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- JPH10182277A JPH10182277A JP34151696A JP34151696A JPH10182277A JP H10182277 A JPH10182277 A JP H10182277A JP 34151696 A JP34151696 A JP 34151696A JP 34151696 A JP34151696 A JP 34151696A JP H10182277 A JPH10182277 A JP H10182277A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で、るつぼ形状及び雰囲気に限定される
ことなく、かつ、シード保持部から下方向への熱の流れ
が良好な単結晶製造装置及びそれを用いた単結晶製造方
法を提供するものである。 【解決手段】 るつぼ２底の肩部２ａを支持すると共
に、るつぼ２下部の突出部であるシード保持部２ｂを収
容するサセプタ３とヒータ７を備えた垂直ブリッジマン
法による単結晶製造装置において、上記サセプタ３に、
そのサセプタ３を昇降自在に支持すると共に、上記シー
ド保持部２ｂの下端と常時接触すべく上記サセプタ３に
対して微小上下動可能に下軸４を設けたものである。
ことなく、かつ、シード保持部から下方向への熱の流れ
が良好な単結晶製造装置及びそれを用いた単結晶製造方
法を提供するものである。 【解決手段】 るつぼ２底の肩部２ａを支持すると共
に、るつぼ２下部の突出部であるシード保持部２ｂを収
容するサセプタ３とヒータ７を備えた垂直ブリッジマン
法による単結晶製造装置において、上記サセプタ３に、
そのサセプタ３を昇降自在に支持すると共に、上記シー
ド保持部２ｂの下端と常時接触すべく上記サセプタ３に
対して微小上下動可能に下軸４を設けたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体の単
結晶製造装置及び単結晶製造方法に係り、特に、ＧａＡ
ｓの単結晶製造装置及びそれを用いた単結晶製造方法に
関するものである。
結晶製造装置及び単結晶製造方法に係り、特に、ＧａＡ
ｓの単結晶製造装置及びそれを用いた単結晶製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】垂直ブリッジマン法（ＶＢ法とＶＧＦ
（vertical gradient freeze）法とがあるが、総括して
以下、ＶＢ法と呼ぶ）で、ＧａＡｓなどの化合物半導体
単結晶を成長させる時に、るつぼ（一般的に、ＰＢＮや
石英ガラス製）をるつぼ保持治具であるサセプタでどの
ように保持するかが大きな問題となっている。
（vertical gradient freeze）法とがあるが、総括して
以下、ＶＢ法と呼ぶ）で、ＧａＡｓなどの化合物半導体
単結晶を成長させる時に、るつぼ（一般的に、ＰＢＮや
石英ガラス製）をるつぼ保持治具であるサセプタでどの
ように保持するかが大きな問題となっている。
【０００３】従来の垂直ブリッジマン法による単結晶製
造装置の縦断面図を図２に示す。
造装置の縦断面図を図２に示す。
【０００４】図２に示すように、従来の単結晶製造装置
１１は、るつぼ（例えば、ＰＢＮるつぼ）１２底の肩部
１２ａを支持すると共に、るつぼ１２下部の突出部であ
るシード保持部１２ｂを収容するサセプタ１３と、その
サセプタ１３を囲繞するように設けられたヒータ１７を
備えている。
１１は、るつぼ（例えば、ＰＢＮるつぼ）１２底の肩部
１２ａを支持すると共に、るつぼ１２下部の突出部であ
るシード保持部１２ｂを収容するサセプタ１３と、その
サセプタ１３を囲繞するように設けられたヒータ１７を
備えている。
【０００５】るつぼ１２中に、種結晶（以下、シードと
呼ぶ）１８、単結晶原料（例えば、ＧａＡｓ）１５ａ、
および液体封止剤（Ｂ2 Ｏ3 ）１６を装填する。次に、
単結晶製造装置１１の雰囲気をＮ2 ガスで置換する。そ
の後、ヒータ１７を用いて昇温し、るつぼ１２中の単結
晶原料１５ａを溶解すると共に、サセプタ１３全体を上
下動して単結晶１５ｂを成長させる。
呼ぶ）１８、単結晶原料（例えば、ＧａＡｓ）１５ａ、
および液体封止剤（Ｂ2 Ｏ3 ）１６を装填する。次に、
単結晶製造装置１１の雰囲気をＮ2 ガスで置換する。そ
の後、ヒータ１７を用いて昇温し、るつぼ１２中の単結
晶原料１５ａを溶解すると共に、サセプタ１３全体を上
下動して単結晶１５ｂを成長させる。
【０００６】この時、図２に示したように、サセプタ１
３は単結晶原料１５ａなどを装填したるつぼ１２底の肩
部１２ａを支持することが多い（特公平７−３３３０３
号、ＵＳ４，４０４，１７２等参照）。
３は単結晶原料１５ａなどを装填したるつぼ１２底の肩
部１２ａを支持することが多い（特公平７−３３３０３
号、ＵＳ４，４０４，１７２等参照）。
【０００７】単結晶１５ｂの成長し易さを考慮すると、
るつぼ１２のシード保持部１２ｂをサセプタ１３で支持
し、シード保持部１２ｂから下方向への熱の流れを多く
した方が理想的である。しかし、細いシード１８を使用
することが多いＶＢ法において、るつぼ１２の全重量を
シード保持部１２ｂのみで支える方法は、るつぼ１２の
破損を生じるおそれがあり、生産効率上好ましくない。
るつぼ１２のシード保持部１２ｂをサセプタ１３で支持
し、シード保持部１２ｂから下方向への熱の流れを多く
した方が理想的である。しかし、細いシード１８を使用
することが多いＶＢ法において、るつぼ１２の全重量を
シード保持部１２ｂのみで支える方法は、るつぼ１２の
破損を生じるおそれがあり、生産効率上好ましくない。
【０００８】また、るつぼ１２底の肩部１２ａとシード
保持部１２ｂの２箇所で、るつぼ１２の全重量を支える
方法もあるが、るつぼ１２の寸法を精密に仕上げること
は非常に難しく、仮に精密に仕上げることができたとし
ても今度は非常に高価なものとなってしまう。
保持部１２ｂの２箇所で、るつぼ１２の全重量を支える
方法もあるが、るつぼ１２の寸法を精密に仕上げること
は非常に難しく、仮に精密に仕上げることができたとし
ても今度は非常に高価なものとなってしまう。
【０００９】ここで、一つの解決策として、サセプタ１
３とシード保持部１２ｂの隙間にＧａを充填しておき、
シード保持部１２ｂから下方向への熱流を増加させる方
法が考えられている（特開平７−２９１７８１号公
報）。
３とシード保持部１２ｂの隙間にＧａを充填しておき、
シード保持部１２ｂから下方向への熱流を増加させる方
法が考えられている（特開平７−２９１７８１号公
報）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｇａを
使用するこの方法においては、次のような問題がある。
使用するこの方法においては、次のような問題がある。
【００１１】 Ｇａが高価である。
【００１２】 酸化性ガス雰囲気中では使用すること
ができない。
ができない。
【００１３】そこで本発明は、上記課題を解決し、安価
で、るつぼ形状及び雰囲気に限定されることなく、か
つ、シード保持部から下方向への熱の流れが良好な単結
晶製造装置及びそれを用いた単結晶製造方法を提供する
ことにある。
で、るつぼ形状及び雰囲気に限定されることなく、か
つ、シード保持部から下方向への熱の流れが良好な単結
晶製造装置及びそれを用いた単結晶製造方法を提供する
ことにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、るつぼ底の肩部を支持すると共
に、るつぼ下部の突出部であるシード保持部を収容する
サセプタを備えた垂直ブリッジマン法による単結晶製造
装置において、上記サセプタに、そのサセプタを昇降自
在に支持すると共に、上記シード保持部の下端と常時接
触すべく上記サセプタに対して微小上下動可能に下軸を
設けたものである。
に請求項１の発明は、るつぼ底の肩部を支持すると共
に、るつぼ下部の突出部であるシード保持部を収容する
サセプタを備えた垂直ブリッジマン法による単結晶製造
装置において、上記サセプタに、そのサセプタを昇降自
在に支持すると共に、上記シード保持部の下端と常時接
触すべく上記サセプタに対して微小上下動可能に下軸を
設けたものである。
【００１５】請求項２の発明は、上記サセプタと上記下
軸は、ネジにより微小上下動可能に螺合して接続する請
求項１記載の単結晶製造装置である。
軸は、ネジにより微小上下動可能に螺合して接続する請
求項１記載の単結晶製造装置である。
【００１６】請求項３の発明は、るつぼ底の肩部を支持
すると共に、るつぼ下部の突出部であるシード保持部を
収容するサセプタとヒータとを備えた垂直ブリッジマン
法による単結晶製造方法において、上記サセプタに、そ
のサセプタを昇降自在に支持すると共に、上記シード保
持部の下端と常時接触すべく上記サセプタに対して微小
上下動可能に下軸を設け、上記シード保持部の下端と上
記下軸の上端の接触部より、そのシード保持部の熱をそ
の下軸を通して逃がしつつ単結晶成長を行うものであ
る。
すると共に、るつぼ下部の突出部であるシード保持部を
収容するサセプタとヒータとを備えた垂直ブリッジマン
法による単結晶製造方法において、上記サセプタに、そ
のサセプタを昇降自在に支持すると共に、上記シード保
持部の下端と常時接触すべく上記サセプタに対して微小
上下動可能に下軸を設け、上記シード保持部の下端と上
記下軸の上端の接触部より、そのシード保持部の熱をそ
の下軸を通して逃がしつつ単結晶成長を行うものであ
る。
【００１７】以上の構成によれば、るつぼ底の肩部を支
持すると共に、るつぼ下部の突出部であるシード保持部
を収容するサセプタを備えた垂直ブリッジマン法による
単結晶製造装置において、上記サセプタに、そのサセプ
タを昇降自在に支持すると共に、上記シード保持部の下
端と常時接触すべく上記サセプタに対して微小上下動可
能に下軸を設けたため、安価で、るつぼ形状及び雰囲気
に限定されることなく、かつ、シード保持部から下方向
への熱の流れが良好な単結晶製造装置を得ることができ
る。
持すると共に、るつぼ下部の突出部であるシード保持部
を収容するサセプタを備えた垂直ブリッジマン法による
単結晶製造装置において、上記サセプタに、そのサセプ
タを昇降自在に支持すると共に、上記シード保持部の下
端と常時接触すべく上記サセプタに対して微小上下動可
能に下軸を設けたため、安価で、るつぼ形状及び雰囲気
に限定されることなく、かつ、シード保持部から下方向
への熱の流れが良好な単結晶製造装置を得ることができ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１９】本発明の垂直ブリッジマン法による単結晶
製造装置の縦断面図を図１に示す。
製造装置の縦断面図を図１に示す。
【００２０】図１に示すように、本発明の単結晶製造装
置１は、るつぼ２底の肩部２ａを支持すると共に、るつ
ぼ２下部の突出部であるシード保持部２ｂを収容するサ
セプタ３を設け、そのサセプタ３に、そのサセプタ３を
昇降自在に支持すると共に、シード保持部２ｂの下端と
常時接触すべくサセプタ３に対して微小上下動可能に下
軸４を設け、るつぼ２およびサセプタ３全体を囲繞する
ようにヒータ７を設けたものである。サセプタ３と下軸
４は、サセプタネジ部３ａと下軸ネジ部４ｂにより微小
上下動可能に螺合して接続されている。
置１は、るつぼ２底の肩部２ａを支持すると共に、るつ
ぼ２下部の突出部であるシード保持部２ｂを収容するサ
セプタ３を設け、そのサセプタ３に、そのサセプタ３を
昇降自在に支持すると共に、シード保持部２ｂの下端と
常時接触すべくサセプタ３に対して微小上下動可能に下
軸４を設け、るつぼ２およびサセプタ３全体を囲繞する
ようにヒータ７を設けたものである。サセプタ３と下軸
４は、サセプタネジ部３ａと下軸ネジ部４ｂにより微小
上下動可能に螺合して接続されている。
【００２１】次に、本発明の方法を説明する。
【００２２】上記のように構成された単結晶製造装置１
のサセプタネジ部３ａと下軸ネジ部４ｂにおいて、下軸
４を回転させることにより、下軸４がサセプタ３に対し
て微小上下動する。これによって、サセプタ３に対する
下軸４の相対位置が調節され、下軸４の上端が、るつぼ
２下部のシード保持部２ｂの下端と接触する。
のサセプタネジ部３ａと下軸ネジ部４ｂにおいて、下軸
４を回転させることにより、下軸４がサセプタ３に対し
て微小上下動する。これによって、サセプタ３に対する
下軸４の相対位置が調節され、下軸４の上端が、るつぼ
２下部のシード保持部２ｂの下端と接触する。
【００２３】次に、るつぼ２中に、シード８、単結晶原
料（例えば、ＧａＡｓ）５ａ、および液体封止剤（例え
ば、Ｂ2 Ｏ3 ）６を装填し、単結晶製造装置１の雰囲気
をＮ2 ガスで置換する。その後、ヒータ７を用いて所定
の温度に昇温してるつぼ２中の単結晶原料５を溶解する
と共に、下軸４を所定の速度で降下させることによって
サセプタ３全体が下動し、単結晶５ｂが成長する。
料（例えば、ＧａＡｓ）５ａ、および液体封止剤（例え
ば、Ｂ2 Ｏ3 ）６を装填し、単結晶製造装置１の雰囲気
をＮ2 ガスで置換する。その後、ヒータ７を用いて所定
の温度に昇温してるつぼ２中の単結晶原料５を溶解する
と共に、下軸４を所定の速度で降下させることによって
サセプタ３全体が下動し、単結晶５ｂが成長する。
【００２４】本発明においては、るつぼ２の略全重量
を、サセプタ３がるつぼ２底の肩部２ａを支えることに
よって支持している。また、下軸４が回転することによ
り下軸４が微小上下動し、サセプタ３に対する下軸４の
相対位置を調節し、下軸４の上端が、るつぼ２下部のシ
ード保持部２ｂの下端と常時接触している。
を、サセプタ３がるつぼ２底の肩部２ａを支えることに
よって支持している。また、下軸４が回転することによ
り下軸４が微小上下動し、サセプタ３に対する下軸４の
相対位置を調節し、下軸４の上端が、るつぼ２下部のシ
ード保持部２ｂの下端と常時接触している。
【００２５】このため、るつぼ２のシード保持部２ｂが
折れるおそれはない。また、るつぼ２の形状（寸法）に
ばらつきがあっても、下軸４の上端が、るつぼ２下部の
シード保持部２ｂの下端と常に接触できるため、シード
保持部２ｂの熱が下軸４を通して逃げることができ、成
長速度を必要以上に遅くしなくても高収率で単結晶５ｂ
を成長させることができる。
折れるおそれはない。また、るつぼ２の形状（寸法）に
ばらつきがあっても、下軸４の上端が、るつぼ２下部の
シード保持部２ｂの下端と常に接触できるため、シード
保持部２ｂの熱が下軸４を通して逃げることができ、成
長速度を必要以上に遅くしなくても高収率で単結晶５ｂ
を成長させることができる。
【００２６】本発明においては、ＬＥ−ＶＢ法を用い、
Ｎ2 雰囲気中で単結晶５ｂを成長させているが、るつぼ
２全体を石英アンプルに封入し、大気雰囲気中で単結晶
成長を行うＶＢ法においても適用できることは言うまで
もない。
Ｎ2 雰囲気中で単結晶５ｂを成長させているが、るつぼ
２全体を石英アンプルに封入し、大気雰囲気中で単結晶
成長を行うＶＢ法においても適用できることは言うまで
もない。
【００２７】また、本発明においては、単結晶としてＧ
ａＡｓの例を挙げているが、特に限定するものではな
く、ＧａＡｓ以外の化合物半導体にも適用することがで
きることは言うまでもない。
ａＡｓの例を挙げているが、特に限定するものではな
く、ＧａＡｓ以外の化合物半導体にも適用することがで
きることは言うまでもない。
【００２８】
（実施例）図１に示した構造の単結晶製造装置におい
て、るつぼとしてＰＢＮるつぼを用い、そのＰＢＮるつ
ぼの中にシード、単結晶原料としてＧａＡｓ多結晶を
３，０００ｇ、および液体封止剤としてＢ2 Ｏ3 を装填
する。
て、るつぼとしてＰＢＮるつぼを用い、そのＰＢＮるつ
ぼの中にシード、単結晶原料としてＧａＡｓ多結晶を
３，０００ｇ、および液体封止剤としてＢ2 Ｏ3 を装填
する。
【００２９】次に、雰囲気をＮ2 ガスで置換し、その
後、グラファイトヒータで加熱を行う。グラファイトヒ
ータの加熱によってＰＢＮるつぼ内の温度を昇温させ、
ＧａＡｓ原料全体を溶解し、シード付を行う。
後、グラファイトヒータで加熱を行う。グラファイトヒ
ータの加熱によってＰＢＮるつぼ内の温度を昇温させ、
ＧａＡｓ原料全体を溶解し、シード付を行う。
【００３０】その後、下軸を３ｍｍ／ｈｒの速度で降下
させ、ＧａＡｓ単結晶を成長させる。ＰＢＮるつぼ内の
全体が固化した後、１００℃／ｈｒの速度で室温まで冷
却し、ＧａＡｓ単結晶を取り出した。
させ、ＧａＡｓ単結晶を成長させる。ＰＢＮるつぼ内の
全体が固化した後、１００℃／ｈｒの速度で室温まで冷
却し、ＧａＡｓ単結晶を取り出した。
【００３１】（比較例）図２に示した構造の単結晶製造
装置において、るつぼとしてＰＢＮるつぼを用い、その
ＰＢＮるつぼの中にシード、単結晶原料としてＧａＡｓ
多結晶を３，０００ｇ、および液体封止剤としてＢ2 Ｏ
3 を装填する。その後、実施例と同様にしてＧａＡｓ単
結晶を取り出した。
装置において、るつぼとしてＰＢＮるつぼを用い、その
ＰＢＮるつぼの中にシード、単結晶原料としてＧａＡｓ
多結晶を３，０００ｇ、および液体封止剤としてＢ2 Ｏ
3 を装填する。その後、実施例と同様にしてＧａＡｓ単
結晶を取り出した。
【００３２】実施例および比較例のＧａＡｓ単結晶を、
同一条件で各々１０本作製する。
同一条件で各々１０本作製する。
【００３３】実施例におけるＧａＡｓ単結晶において
は、１０本中８本が単結晶であった。また、断面のスト
ライエーションを観察したところ、全体に平面か、やや
凸面であり、単結晶成長条件として安定していることが
うかがえた。
は、１０本中８本が単結晶であった。また、断面のスト
ライエーションを観察したところ、全体に平面か、やや
凸面であり、単結晶成長条件として安定していることが
うかがえた。
【００３４】これに対して、比較例におけるＧａＡｓ単
結晶においては、単結晶は１０本中３本しかなく、ま
た、断面のストライエーションを観察したところ、全体
にやや凹面であった。特に、シード付からＰＢＮるつぼ
底の肩部にかけて凹面が明確であり、この部分で多結晶
化することが多いことがわかった。
結晶においては、単結晶は１０本中３本しかなく、ま
た、断面のストライエーションを観察したところ、全体
にやや凹面であった。特に、シード付からＰＢＮるつぼ
底の肩部にかけて凹面が明確であり、この部分で多結晶
化することが多いことがわかった。
【００３５】すなわち、本発明の単結晶製造方法によれ
ば、常時、シード保持部の下端が下軸の上端と接触で
き、シード保持部の熱を下軸を通して下方へ逃がしてい
るため、従来の単結晶製造方法と比較して、成長速度を
速くしても（３ｍｍ／ｈｒ）高収率で単結晶を成長させ
ることができる。
ば、常時、シード保持部の下端が下軸の上端と接触で
き、シード保持部の熱を下軸を通して下方へ逃がしてい
るため、従来の単結晶製造方法と比較して、成長速度を
速くしても（３ｍｍ／ｈｒ）高収率で単結晶を成長させ
ることができる。
【００３６】また、固液界面の形状は、単結晶成長速度
を３ｍｍ／ｈｒから１．５ｍｍ／ｈｒと遅くすることに
より改善されることもわかった。
を３ｍｍ／ｈｒから１．５ｍｍ／ｈｒと遅くすることに
より改善されることもわかった。
【００３７】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３８】（１） サセプタに、そのサセプタを昇降
自在に支持すると共に、サセプタに対して微小上下動可
能な下軸を設けているため、るつぼ形状（寸法）に限定
されることなく、シード保持部の下端と下軸の上端が常
に接触でき、単結晶成長時におけるシード保持部からの
熱の流れ（逃げ）が良好となる。
自在に支持すると共に、サセプタに対して微小上下動可
能な下軸を設けているため、るつぼ形状（寸法）に限定
されることなく、シード保持部の下端と下軸の上端が常
に接触でき、単結晶成長時におけるシード保持部からの
熱の流れ（逃げ）が良好となる。
【００３９】（２） 単結晶成長時におけるシード保持
部からの熱の流れが良好なため、単結晶成長速度を必要
以上に遅くしなくても高収率で単結晶を得ることができ
る。
部からの熱の流れが良好なため、単結晶成長速度を必要
以上に遅くしなくても高収率で単結晶を得ることができ
る。
【００４０】（３） 単結晶成長時におけるシード保持
部から熱を流す際にＧａなどの媒体を用いないため、単
結晶成長時の雰囲気を限定されることもなく、かつ、安
価に単結晶を成長させることができる。
部から熱を流す際にＧａなどの媒体を用いないため、単
結晶成長時の雰囲気を限定されることもなく、かつ、安
価に単結晶を成長させることができる。
【図１】本発明の垂直ブリッジマン法による単結晶製造
装置の縦断面図である。
装置の縦断面図である。
【図２】従来の垂直ブリッジマン法による単結晶製造装
置の縦断面図である。
置の縦断面図である。
２ るつぼ ２ａ 肩部 ２ｂ シード保持部 ３ サセプタ ３ａ サセプタネジ部 ４ 下軸 ４ａ 下軸ネジ部
Claims (3)
- 【請求項１】 るつぼ底の肩部を支持すると共に、るつ
ぼ下部の突出部であるシード保持部を収容するサセプタ
を備えた垂直ブリッジマン法による単結晶製造装置にお
いて、上記サセプタに、そのサセプタを昇降自在に支持
すると共に、上記シード保持部の下端と常時接触すべく
上記サセプタに対して微小上下動可能に下軸を設けたこ
とを特徴とする単結晶製造装置。 - 【請求項２】 上記サセプタと上記下軸は、ネジにより
微小上下動可能に螺合して接続する請求項１記載の単結
晶製造装置。 - 【請求項３】 るつぼ底の肩部を支持すると共に、るつ
ぼ下部の突出部であるシード保持部を収容するサセプタ
とヒータとを備えた垂直ブリッジマン法による単結晶製
造方法において、上記サセプタに、そのサセプタを昇降
自在に支持すると共に、上記シード保持部の下端と常時
接触すべく上記サセプタに対して微小上下動可能に下軸
を設け、上記シード保持部の下端と上記下軸の上端の接
触部より、そのシード保持部の熱をその下軸を通して逃
がしつつ単結晶成長を行うことを特徴とする単結晶製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34151696A JPH10182277A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 単結晶製造装置及びそれを用いた単結晶製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34151696A JPH10182277A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 単結晶製造装置及びそれを用いた単結晶製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10182277A true JPH10182277A (ja) | 1998-07-07 |
Family
ID=18346676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34151696A Pending JPH10182277A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 単結晶製造装置及びそれを用いた単結晶製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10182277A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105239149A (zh) * | 2014-06-03 | 2016-01-13 | 长春理工大学 | 下降法生长晶体坩埚底部籽晶的装夹方法及装置 |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP34151696A patent/JPH10182277A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105239149A (zh) * | 2014-06-03 | 2016-01-13 | 长春理工大学 | 下降法生长晶体坩埚底部籽晶的装夹方法及装置 |
| CN105239149B (zh) * | 2014-06-03 | 2018-01-09 | 长春理工大学 | 下降法生长晶体坩埚底部籽晶的装夹方法及装置 |
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