JPH11147785A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
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- JPH11147785A JPH11147785A JP30874897A JP30874897A JPH11147785A JP H11147785 A JPH11147785 A JP H11147785A JP 30874897 A JP30874897 A JP 30874897A JP 30874897 A JP30874897 A JP 30874897A JP H11147785 A JPH11147785 A JP H11147785A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶中の炭素濃度の制御が容易で、しかも
廉価に単結晶を製造することができる製造方法を提供す
る。 【解決手段】 種結晶５とＧａＡｓの多結晶６ａとを収
容したるつぼを石英アンプル３内に封入し、鉛直に保持
したまま加熱して多結晶６ａを溶かした後、その融液を
種結晶５側から徐々に固化して単結晶６を製造するアン
プル封入方式を用いることにより廉価な単結晶製造装置
を使用することができる。また、予め石英アンプル３中
に一酸化炭素、二酸化炭素、メタン等の炭素化合物のガ
ス状物質を一定量封入し、そのガス状物質の量を制御す
ることにより、単結晶６中の炭素濃度を容易に制御する
ことができる。
廉価に単結晶を製造することができる製造方法を提供す
る。 【解決手段】 種結晶５とＧａＡｓの多結晶６ａとを収
容したるつぼを石英アンプル３内に封入し、鉛直に保持
したまま加熱して多結晶６ａを溶かした後、その融液を
種結晶５側から徐々に固化して単結晶６を製造するアン
プル封入方式を用いることにより廉価な単結晶製造装置
を使用することができる。また、予め石英アンプル３中
に一酸化炭素、二酸化炭素、メタン等の炭素化合物のガ
ス状物質を一定量封入し、そのガス状物質の量を制御す
ることにより、単結晶６中の炭素濃度を容易に制御する
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶の製造方法の中にＶＢ法（垂直ブ
リッジマン法）とＶＧＦ法（垂直温度勾配凝固法）とが
ある（以下、総括してＶＢ法と呼ぶ）。ＶＢ法でＧａＡ
ｓ単結晶を成長させると、非常に低転移密度（結晶欠陥
が少ない）のものが得られる。このため、ＶＢ法による
半導体レーザ（ＬＤ）用の導電性ガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）基板がボート法（ＨＢ法）基板に代わって広く使用
され始めている。
リッジマン法）とＶＧＦ法（垂直温度勾配凝固法）とが
ある（以下、総括してＶＢ法と呼ぶ）。ＶＢ法でＧａＡ
ｓ単結晶を成長させると、非常に低転移密度（結晶欠陥
が少ない）のものが得られる。このため、ＶＢ法による
半導体レーザ（ＬＤ）用の導電性ガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）基板がボート法（ＨＢ法）基板に代わって広く使用
され始めている。
【０００３】同様に、低転移密度により信頼性が向上す
るという理由から、電子デバイス（ＦＥＴ，ＨＢＴ，Ｉ
Ｃ等）用にも引上法（ＬＥＣ法）基板に代わってＶＢ法
によるアンドープ半絶縁性基板が一部使用され始めてい
る。
るという理由から、電子デバイス（ＦＥＴ，ＨＢＴ，Ｉ
Ｃ等）用にも引上法（ＬＥＣ法）基板に代わってＶＢ法
によるアンドープ半絶縁性基板が一部使用され始めてい
る。
【０００４】ＶＢ法は、大きく分けると、(1) ステンレ
ス製のチャンバ内に、グラファイト製のホットゾーンを
設け、ＰＢＮるつぼの中に種結晶と原料及びＢ2 Ｏ3 封
止剤を入れて窒素等の不活性ガス雰囲気中で成長させる
チャンバ封入方式、(2) 石英アンプル内に、種結晶、原
料を入れたＰＢＮるつぼを封入し、アンプル内の砒素圧
を制御しながら空気中で成長させるアンプル封入方式の
二つの方式がある。
ス製のチャンバ内に、グラファイト製のホットゾーンを
設け、ＰＢＮるつぼの中に種結晶と原料及びＢ2 Ｏ3 封
止剤を入れて窒素等の不活性ガス雰囲気中で成長させる
チャンバ封入方式、(2) 石英アンプル内に、種結晶、原
料を入れたＰＢＮるつぼを封入し、アンプル内の砒素圧
を制御しながら空気中で成長させるアンプル封入方式の
二つの方式がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、導電性結晶
を成長させるには、(1) の方式でも(2) の方式でもそれ
程問題にはならないが、アンドープ半絶縁性結晶の成長
には、通常(1) のチャンバ封入方式が用いられる。この
理由は、(a) アンプル封入方式は、石英アンプル（材質
ＳｉＯ2 ）からＳｉが微量結晶中に取り込まれるので、
得られた単結晶が半絶縁性になり難いこと、(b) アンプ
ル封入方式は、半絶縁性結晶の比抵抗を決定するのに必
要な炭素をドープすることやそのドープ量を制御するの
が難しいこと等による。
を成長させるには、(1) の方式でも(2) の方式でもそれ
程問題にはならないが、アンドープ半絶縁性結晶の成長
には、通常(1) のチャンバ封入方式が用いられる。この
理由は、(a) アンプル封入方式は、石英アンプル（材質
ＳｉＯ2 ）からＳｉが微量結晶中に取り込まれるので、
得られた単結晶が半絶縁性になり難いこと、(b) アンプ
ル封入方式は、半絶縁性結晶の比抵抗を決定するのに必
要な炭素をドープすることやそのドープ量を制御するの
が難しいこと等による。
【０００６】単結晶製造装置の価格は、アンプル封入方
式を用いたものがチャンバ封入方式を用いたものに比べ
て廉価なため、アンプル封入方式による半絶縁性結晶成
長方式の確立が望まれていた。
式を用いたものがチャンバ封入方式を用いたものに比べ
て廉価なため、アンプル封入方式による半絶縁性結晶成
長方式の確立が望まれていた。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、単結晶中の炭素濃度の制御が容易で、しかも廉価に
単結晶を製造することができる製造方法を提供すること
にある。
し、単結晶中の炭素濃度の制御が容易で、しかも廉価に
単結晶を製造することができる製造方法を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、種結晶と半導体の多結晶とを収容したるつ
ぼをアンプル内に封入し、鉛直に保持したまま加熱して
多結晶を溶かした後、その融液を種結晶側から徐々に固
化して単結晶を成長させる単結晶の製造方法において、
予めアンプル中に炭素化合物のガス状物質を一定量封入
し、成長後の結晶中に必要量の炭素をドープするもので
ある。
に本発明は、種結晶と半導体の多結晶とを収容したるつ
ぼをアンプル内に封入し、鉛直に保持したまま加熱して
多結晶を溶かした後、その融液を種結晶側から徐々に固
化して単結晶を成長させる単結晶の製造方法において、
予めアンプル中に炭素化合物のガス状物質を一定量封入
し、成長後の結晶中に必要量の炭素をドープするもので
ある。
【０００９】また本発明は、種結晶と半導体の多結晶と
を収容したるつぼをアンプル内に封入し、鉛直に保持し
たまま加熱して多結晶を溶かした後、その融液を種結晶
側から徐々に固化して単結晶を成長させる単結晶の製造
方法において、予めアンプル中に炭素或いは固体炭素化
合物のいずれか又は両方と必要量の酸素ガスとを一定量
封入し、昇温過程でアンプル内に炭酸ガスを生成させ、
成長後の結晶中に必要量の炭素をドープするものであ
る。
を収容したるつぼをアンプル内に封入し、鉛直に保持し
たまま加熱して多結晶を溶かした後、その融液を種結晶
側から徐々に固化して単結晶を成長させる単結晶の製造
方法において、予めアンプル中に炭素或いは固体炭素化
合物のいずれか又は両方と必要量の酸素ガスとを一定量
封入し、昇温過程でアンプル内に炭酸ガスを生成させ、
成長後の結晶中に必要量の炭素をドープするものであ
る。
【００１０】上記構成に加え本発明は、アンプル内に収
容された半導体の多結晶がＧａＡｓであって、そのＧａ
Ａｓ多結晶を高温下で溶かしたＧａＡｓ融液の表面をＢ
2 Ｏ3 で覆いながら、単結晶を成長させてもよい。
容された半導体の多結晶がＧａＡｓであって、そのＧａ
Ａｓ多結晶を高温下で溶かしたＧａＡｓ融液の表面をＢ
2 Ｏ3 で覆いながら、単結晶を成長させてもよい。
【００１１】上記構成に加え本発明は、炭素化合物が一
酸化炭素又は二酸化炭素であってもよい。
酸化炭素又は二酸化炭素であってもよい。
【００１２】上記構成に加え本発明は、炭素化合物がメ
タンであってもよい。
タンであってもよい。
【００１３】上記構成に加え本発明は、固体炭素化合物
がグラファイトであってもよい。
がグラファイトであってもよい。
【００１４】本発明によれば、アンプル内に種結晶と半
導体の多結晶とを封入し、鉛直に保持したまま高温領域
でアンプル内の多結晶を溶かし、種結晶付けを行った
後、アンプル全体を高温領域から低温領域へ長手方向に
移動させることにより単結晶を製造するアンプル封入方
式を用いることにより廉価な単結晶製造装置を使用する
ことができる。また、予めアンプル中に一酸化炭素、二
酸化炭素、メタン等の炭素化合物のガス状物質を一定量
封入し、そのガス状物質の量を制御することにより、結
晶中の炭素濃度を容易に制御することができる。
導体の多結晶とを封入し、鉛直に保持したまま高温領域
でアンプル内の多結晶を溶かし、種結晶付けを行った
後、アンプル全体を高温領域から低温領域へ長手方向に
移動させることにより単結晶を製造するアンプル封入方
式を用いることにより廉価な単結晶製造装置を使用する
ことができる。また、予めアンプル中に一酸化炭素、二
酸化炭素、メタン等の炭素化合物のガス状物質を一定量
封入し、そのガス状物質の量を制御することにより、結
晶中の炭素濃度を容易に制御することができる。
【００１５】尚、アンプルからの微量Ｓｉの混入対策
は、チャンバ封入方式と同様に、Ｂ2Ｏ3 をＧａＡｓ融
液上に浮かべることにより容易に達成できる。
は、チャンバ封入方式と同様に、Ｂ2Ｏ3 をＧａＡｓ融
液上に浮かべることにより容易に達成できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００１７】図１は本発明の単結晶の製造方法を適用し
た単結晶製造装置の一実施の形態を示す概念図である。
た単結晶製造装置の一実施の形態を示す概念図である。
【００１８】単結晶製造装置は、上下に開口部を有し、
略筒状で低温領域を形成するための低温炉１と、低温炉
１の上側に配置され上下に開口部を有し、高温領域を形
成するための筒状の高温炉２と、低温炉１及び高温炉２
の内部で石英アンプル３を鉛直方向に昇降させる昇降機
構（図示せず）と、昇降機構に保持される石英アンプル
３とで構成されている。石英アンプル３は、漏斗を上下
に引き伸ばした形状を有しており、その下端は閉じられ
ており、上端は蓋で封止できるようになっている。石英
アンプル３はＰＢＮるつぼ４を収容できるようになって
いる。ＰＢＮるつぼ４も漏斗を上下に引き伸ばした形状
を有している。ＰＢＮるつぼ４の下端は閉じられている
が種結晶（シード）５を保持できるようになっている。
略筒状で低温領域を形成するための低温炉１と、低温炉
１の上側に配置され上下に開口部を有し、高温領域を形
成するための筒状の高温炉２と、低温炉１及び高温炉２
の内部で石英アンプル３を鉛直方向に昇降させる昇降機
構（図示せず）と、昇降機構に保持される石英アンプル
３とで構成されている。石英アンプル３は、漏斗を上下
に引き伸ばした形状を有しており、その下端は閉じられ
ており、上端は蓋で封止できるようになっている。石英
アンプル３はＰＢＮるつぼ４を収容できるようになって
いる。ＰＢＮるつぼ４も漏斗を上下に引き伸ばした形状
を有している。ＰＢＮるつぼ４の下端は閉じられている
が種結晶（シード）５を保持できるようになっている。
【００１９】このような単結晶製造装置を用いて単結晶
を製造する方法について述べる。
を製造する方法について述べる。
【００２０】種結晶５と、３０００ｇのＧａＡｓ多結晶
６ａと、５０ｇのＢ2 Ｏ3 ７とをＰＢＮるつぼ４の中に
収容し、そのＰＢＮるつぼ４を、下端に予めアンプル補
償量のＡｓ８を入れた石英アンプル３の中にセットし鉛
直に保持したまま真空引きを行う。
６ａと、５０ｇのＢ2 Ｏ3 ７とをＰＢＮるつぼ４の中に
収容し、そのＰＢＮるつぼ４を、下端に予めアンプル補
償量のＡｓ８を入れた石英アンプル３の中にセットし鉛
直に保持したまま真空引きを行う。
【００２１】石英アンプル３を５×１０-6Ｔｏｒｒ以下
まで真空引きし、石英アンプル３内にＣＯガスを約１×
１０-1Ｔｏｒｒまで導入した後封じ切る。
まで真空引きし、石英アンプル３内にＣＯガスを約１×
１０-1Ｔｏｒｒまで導入した後封じ切る。
【００２２】石英アンプル３を低温炉１と高温炉２とか
らなる電気炉内にセットした後、高温炉２を約１２００
℃まで昇温させ、低温炉１を約６１０℃まで昇温させ
る。低温炉１をこの温度で保持し、石英アンプル３の内
圧を１ａｔｍに制御する。高温炉２をさらに昇温させ、
ＧａＡｓ多結晶６ａを溶かし、種結晶（シード）付けを
行った後、３ｍｍ／ｈで石英アンプル３全体を下降させ
ることにより、直径３インチ、長さ約１２０ｍｍ、３０
００ｇの単結晶６が得られる。
らなる電気炉内にセットした後、高温炉２を約１２００
℃まで昇温させ、低温炉１を約６１０℃まで昇温させ
る。低温炉１をこの温度で保持し、石英アンプル３の内
圧を１ａｔｍに制御する。高温炉２をさらに昇温させ、
ＧａＡｓ多結晶６ａを溶かし、種結晶（シード）付けを
行った後、３ｍｍ／ｈで石英アンプル３全体を下降させ
ることにより、直径３インチ、長さ約１２０ｍｍ、３０
００ｇの単結晶６が得られる。
【００２３】得られた単結晶６のＣ濃度、Ｓｉ濃度、比
抵抗を測定した結果を表１に示す。
抵抗を測定した結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】単結晶６のシード側からテール側（図では
下側から上側）にかけて、Ｃ濃度は４．２〜３．５×１
０15ｃｍ-3であり、比抵抗は５〜４．５×１０7 Ωｃｍ
であった。またＳｉ濃度は１×１０15ｃｍ-3以下であっ
た。
下側から上側）にかけて、Ｃ濃度は４．２〜３．５×１
０15ｃｍ-3であり、比抵抗は５〜４．５×１０7 Ωｃｍ
であった。またＳｉ濃度は１×１０15ｃｍ-3以下であっ
た。
【００２６】本装置は、アンプル封入方式を用いている
ので廉価であり、予め石英アンプル３中にＣＯガスを封
入し、そのＣＯガスの量を制御することにより、単結晶
６中のＣ濃度を容易に制御することができる。
ので廉価であり、予め石英アンプル３中にＣＯガスを封
入し、そのＣＯガスの量を制御することにより、単結晶
６中のＣ濃度を容易に制御することができる。
【００２７】（比較例１）石英アンプル３内にＣＯガス
を添加しないで上述した実施の形態と同じ条件で成長し
た時の結果も表１に示す。Ｃ濃度がシード側及びテール
側共に１×１０15ｃｍ-3以下であり、比抵抗も１×１０
5 Ωｃｍ以下で不安定であった。
を添加しないで上述した実施の形態と同じ条件で成長し
た時の結果も表１に示す。Ｃ濃度がシード側及びテール
側共に１×１０15ｃｍ-3以下であり、比抵抗も１×１０
5 Ωｃｍ以下で不安定であった。
【００２８】（比較例２）Ｂ2 Ｏ3 を使用しないで上述
した実施の形態と同じ条件で成長させた時の結果も表１
に示す。Ｃは５．０〜２．０×１０15ｃｍ-3ドープされ
たが、同時にＳｉも５．０〜７．０×１０15ｃｍ-3混入
したため、比抵抗は１×１０2 Ωｃｍ以下の低抵抗結晶
になった。
した実施の形態と同じ条件で成長させた時の結果も表１
に示す。Ｃは５．０〜２．０×１０15ｃｍ-3ドープされ
たが、同時にＳｉも５．０〜７．０×１０15ｃｍ-3混入
したため、比抵抗は１×１０2 Ωｃｍ以下の低抵抗結晶
になった。
【００２９】図２は本発明の単結晶の製造方法を適用し
た単結晶製造装置に用いられる石英アンプルの他の実施
の形態を示す概念図である。
た単結晶製造装置に用いられる石英アンプルの他の実施
の形態を示す概念図である。
【００３０】ＰＢＮるつぼ４の上部にグラファイト製の
キャップ９を置き、内部にＯ2 ガスを約０．５×１０-1
Ｔｏｒｒ導入して封入した石英アンプル３を用いて、図
１に示した実施の形態と同じ条件で結晶成長を行った結
果、略同様の特性の半絶縁性結晶が得られた。
キャップ９を置き、内部にＯ2 ガスを約０．５×１０-1
Ｔｏｒｒ導入して封入した石英アンプル３を用いて、図
１に示した実施の形態と同じ条件で結晶成長を行った結
果、略同様の特性の半絶縁性結晶が得られた。
【００３１】以上において本発明によれば、比較的装置
が廉価なアンプル封入方式のＶＢ法を用いることによ
り、Ｃ濃度の制御されたアンドープ半絶縁性結晶を得る
ことができる。また、アンプル内のＣＯ濃度を変化させ
るという簡便な方法により、結晶中のＣ濃度を容易に制
御することができる。
が廉価なアンプル封入方式のＶＢ法を用いることによ
り、Ｃ濃度の制御されたアンドープ半絶縁性結晶を得る
ことができる。また、アンプル内のＣＯ濃度を変化させ
るという簡便な方法により、結晶中のＣ濃度を容易に制
御することができる。
【００３２】尚、炭素ドープ用のガスとしてはＣＯガス
以外にＣＯ2 ，ＣＨ4 等を用いてもよい。また、グラフ
ァイトキャップの代わりにＣを含有し、酸素と反応して
ＣＯガスを生成できるものであれば他のものを用いても
よい。またグラファイトが存在すればよいため、形状は
キャップ形状でなくてもよい。
以外にＣＯ2 ，ＣＨ4 等を用いてもよい。また、グラフ
ァイトキャップの代わりにＣを含有し、酸素と反応して
ＣＯガスを生成できるものであれば他のものを用いても
よい。またグラファイトが存在すればよいため、形状は
キャップ形状でなくてもよい。
【００３３】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３４】アンプル封入方式を用いると共に、予めア
ンプル中に一酸化炭素、二酸化炭素、メタン等の炭素化
合物のガス状物質を一定量封入することにより、単結晶
中の炭素濃度の制御が容易でしかも廉価な単結晶の製造
方法の提供を実現することができる。
ンプル中に一酸化炭素、二酸化炭素、メタン等の炭素化
合物のガス状物質を一定量封入することにより、単結晶
中の炭素濃度の制御が容易でしかも廉価な単結晶の製造
方法の提供を実現することができる。
【図１】本発明の単結晶の製造方法を適用した単結晶製
造装置の一実施の形態を示す概念図である。
造装置の一実施の形態を示す概念図である。
【図２】本発明の単結晶の製造方法を適用した単結晶製
造装置に用いられる石英アンプルの他の実施の形態を示
す概念図である。
造装置に用いられる石英アンプルの他の実施の形態を示
す概念図である。
３ 石英アンプル ５ 種結晶（シード） ６ａ 多結晶 ６ 単結晶
Claims (6)
- 【請求項１】 種結晶と半導体の多結晶とを収容したる
つぼをアンプル内に封入し、鉛直に保持したまま加熱し
て上記多結晶を溶かした後、その融液を上記種結晶側か
ら徐々に固化して単結晶を成長させる単結晶の製造方法
において、予めアンプル中に炭素化合物のガス状物質を
一定量封入し、成長後の結晶中に必要量の炭素をドープ
することを特徴とする単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 種結晶と半導体の多結晶とを収容したる
つぼをアンプル内に封入し、鉛直に保持したまま加熱し
て上記多結晶を溶かした後、その融液を上記種結晶側か
ら徐々に固化して単結晶を成長させる単結晶の製造方法
において、予めアンプル中に炭素或いは固体炭素化合物
のいずれか又は両方と必要量の酸素ガスとを一定量封入
し、昇温過程でアンプル内に炭酸ガスを生成させ、成長
後の結晶中に必要量の炭素をドープすることを特徴とす
る単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 上記アンプル内に収容された半導体の多
結晶がＧａＡｓであって、そのＧａＡｓ多結晶を高温下
で溶かしたＧａＡｓ融液の表面をＢ2 Ｏ3 で覆いなが
ら、単結晶を成長させる請求項１又は２に記載の単結晶
の製造方法。 - 【請求項４】 上記炭素化合物が一酸化炭素又は二酸化
炭素である請求項１に記載の単結晶の製造方法。 - 【請求項５】 上記炭素化合物がメタンである請求項１
に記載の単結晶の製造方法。 - 【請求項６】 上記固体炭素化合物がグラファイトであ
る請求項２に記載の単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30874897A JPH11147785A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30874897A JPH11147785A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11147785A true JPH11147785A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=17984824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30874897A Pending JPH11147785A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11147785A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005343752A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の製造方法 |
| USRE40662E1 (en) | 1998-03-25 | 2009-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing a compound semiconductor crystal |
| JP2009149519A (ja) * | 2009-04-03 | 2009-07-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の製造方法 |
| JP2011148694A (ja) * | 2011-03-03 | 2011-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶基板 |
| JP2011148693A (ja) * | 2011-03-03 | 2011-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶基板 |
| JP2014185080A (ja) * | 2009-01-09 | 2014-10-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶製造装置、単結晶の製造方法 |
| WO2023221667A1 (zh) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 山西中科晶电信息材料有限公司 | 一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置 |
-
1997
- 1997-11-11 JP JP30874897A patent/JPH11147785A/ja active Pending
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