JPH10259100A - ＧａＡｓ単結晶の製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓ単結晶の製造方法Info
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- JPH10259100A JPH10259100A JP6421997A JP6421997A JPH10259100A JP H10259100 A JPH10259100 A JP H10259100A JP 6421997 A JP6421997 A JP 6421997A JP 6421997 A JP6421997 A JP 6421997A JP H10259100 A JPH10259100 A JP H10259100A
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- silicon
- crystal
- gaas
- single crystal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液体封止剤であるＢ2 Ｏ3 を使用したＶＧＦ
法及びＶＢ法において、シリコンのドープ量を精度よく
制御することができ、例えばシリコンのドープ量が１０
18cm-3以上のｎ型低転位密度ＧａＡｓ単結晶を歩留り良
く製造することができるＧａＡｓ単結晶の製造方法を提
供する。 【解決手段】 所定量のシリコンが添加されたＧａＡｓ
原料融液５を、予めシリコン濃度に換算して総量で５重
量％を超える量のシリコン酸化物やケイ酸化合物が添加
されたＢ2 Ｏ3 よりなる液体封止剤６で封止しながら、
結晶を成長させる。
法及びＶＢ法において、シリコンのドープ量を精度よく
制御することができ、例えばシリコンのドープ量が１０
18cm-3以上のｎ型低転位密度ＧａＡｓ単結晶を歩留り良
く製造することができるＧａＡｓ単結晶の製造方法を提
供する。 【解決手段】 所定量のシリコンが添加されたＧａＡｓ
原料融液５を、予めシリコン濃度に換算して総量で５重
量％を超える量のシリコン酸化物やケイ酸化合物が添加
されたＢ2 Ｏ3 よりなる液体封止剤６で封止しながら、
結晶を成長させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＡｓ単結晶の
製造方法さらにはＧａＡｓの原料融液を冷却して垂直方
向に単結晶を成長させる垂直グラジェントフリージング
法（以下、ＶＧＦ法とする）や垂直ブリッジマン法（以
下、ＶＢ法とする）に関し、例えばシリコン（Ｓｉ）濃
度が５×１０17cm-3以上のｎ型低転位密度ＧａＡｓ単結
晶の製造に適用して有用な方法に関する。
製造方法さらにはＧａＡｓの原料融液を冷却して垂直方
向に単結晶を成長させる垂直グラジェントフリージング
法（以下、ＶＧＦ法とする）や垂直ブリッジマン法（以
下、ＶＢ法とする）に関し、例えばシリコン（Ｓｉ）濃
度が５×１０17cm-3以上のｎ型低転位密度ＧａＡｓ単結
晶の製造に適用して有用な方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、ＧａＡｓ単結晶基板を使用したレ
ーザーダイオード( ＬＤ) や発光ダイオード( ＬＥＤ)
等の素子の製作には、導電性ＧａＡｓ単結晶よりなる基
板が用いられる。導電性ＧａＡｓ単結晶の製造方法とし
て、液体封止チョクラルスキー法（以下、ＬＥＣ法とす
る）、水平ブリッジマン法（以下、ＨＢ法とする）、Ｖ
ＧＦ法及びＶＢ法が知られている。
ーザーダイオード( ＬＤ) や発光ダイオード( ＬＥＤ)
等の素子の製作には、導電性ＧａＡｓ単結晶よりなる基
板が用いられる。導電性ＧａＡｓ単結晶の製造方法とし
て、液体封止チョクラルスキー法（以下、ＬＥＣ法とす
る）、水平ブリッジマン法（以下、ＨＢ法とする）、Ｖ
ＧＦ法及びＶＢ法が知られている。
【０００３】ＬＥＣ法には、液体封止剤（Ｂ2 Ｏ3 ）を
使用しているため高純度化し易いという長所と、大口径
で円形のウェハーが得られるという長所がある反面、結
晶育成中の結晶成長方向の温度勾配が大きいため、素子
を作製した時の電気的な特性劣化（特にレーザダイオー
ド素子の場合、その寿命が縮まる）を招く原因となる転
位の密度が高いという短所がある。
使用しているため高純度化し易いという長所と、大口径
で円形のウェハーが得られるという長所がある反面、結
晶育成中の結晶成長方向の温度勾配が大きいため、素子
を作製した時の電気的な特性劣化（特にレーザダイオー
ド素子の場合、その寿命が縮まる）を招く原因となる転
位の密度が高いという短所がある。
【０００４】ＨＢ法には、結晶育成中の結晶成長方向の
温度勾配が小さいため、低転位密度の結晶が得られると
いう長所がある反面、るつぼ（ボート）内で原料融液を
固化させるため大口径化が困難であるだけでなくるつぼ
形状に依存した形状（かまぼこ形）のウェハーしか得ら
れない、という短所がある。
温度勾配が小さいため、低転位密度の結晶が得られると
いう長所がある反面、るつぼ（ボート）内で原料融液を
固化させるため大口径化が困難であるだけでなくるつぼ
形状に依存した形状（かまぼこ形）のウェハーしか得ら
れない、という短所がある。
【０００５】ＶＧＦ法やＶＢ法は、ＬＥＣ法及びＨＢ法
のそれぞれの長所を活かした結晶製造方法であり、有底
円筒形のるつぼの使用により円形のウェハーが得られ
る、結晶成長方向の温度勾配が小さいため低転位密度化
が容易である、という利点を有している。しかし、ＶＧ
Ｆ法やＶＢ法には、炉内の温度勾配が小さいため、わず
かな温度変動の影響や、るつぼ壁の凹凸や異物の影響を
受け易く、双晶や多結晶が発生し易いという欠点があ
る。それらの欠点に対して、近時、温度調節技術の進歩
により炉内温度変動を制御することができるようにな
り、また液体封止剤（Ｂ2 Ｏ3 ）の使用によりるつぼ壁
からの双晶及び多結晶の発生を防ぐことができるように
なってきている。従って、ＶＧＦ法やＶＢ法によるＧａ
Ａｓ単結晶の製造歩留りは改善されてきている。
のそれぞれの長所を活かした結晶製造方法であり、有底
円筒形のるつぼの使用により円形のウェハーが得られ
る、結晶成長方向の温度勾配が小さいため低転位密度化
が容易である、という利点を有している。しかし、ＶＧ
Ｆ法やＶＢ法には、炉内の温度勾配が小さいため、わず
かな温度変動の影響や、るつぼ壁の凹凸や異物の影響を
受け易く、双晶や多結晶が発生し易いという欠点があ
る。それらの欠点に対して、近時、温度調節技術の進歩
により炉内温度変動を制御することができるようにな
り、また液体封止剤（Ｂ2 Ｏ3 ）の使用によりるつぼ壁
からの双晶及び多結晶の発生を防ぐことができるように
なってきている。従って、ＶＧＦ法やＶＢ法によるＧａ
Ａｓ単結晶の製造歩留りは改善されてきている。
【０００６】しかし、ＶＧＦ法やＶＢ法において、ｎ型
不純物であるシリコンをドーピングしてｎ型のＧａＡｓ
単結晶を製造する際に、ＧａＡｓ単結晶の歩留りを向上
させるためにＢ2 Ｏ3 を使用すると、原料中に添加した
シリコンのほとんどがＢ2 Ｏ3 中に取り込まれてしまう
ので、育成したＧａＡｓ単結晶中のシリコンのドーピン
グ量を制御することができないという問題点がある。
不純物であるシリコンをドーピングしてｎ型のＧａＡｓ
単結晶を製造する際に、ＧａＡｓ単結晶の歩留りを向上
させるためにＢ2 Ｏ3 を使用すると、原料中に添加した
シリコンのほとんどがＢ2 Ｏ3 中に取り込まれてしまう
ので、育成したＧａＡｓ単結晶中のシリコンのドーピン
グ量を制御することができないという問題点がある。
【０００７】Ｂ2 Ｏ3 を用いて結晶育成を行った場合
に、原料中に添加したシリコンがＧａＡｓ中から失われ
る機構については、種々提案されている。それらをまと
めると以下のようになる。すなわち、Ｂ2 Ｏ3 によりＧ
ａＡｓを封止してシリコンドープＧａＡｓ単結晶を育成
する場合、その反応系内に存在する物質はＧａＡｓ、Ｂ
2 Ｏ3 、Ｓｉ（シリコン）及びＯ（酸素）である。Ｏ
（酸素）はＢ2 Ｏ3 中に不純物として存在している。図
２には、温度と各種酸化物の標準生成自由エネルギーΔ
Ｇとの関係が示されているが、同図より、ＧａＡｓの融
点（１２３８℃）近傍の温度において生成され得る酸化
物の中では、ＳｉＯ2 が熱力学的に最も安定であること
がわかる（ΔＧの値が小さいほど安定している）。従っ
て、ＧａＡｓ中に添加されたＳｉ（シリコン）は、次の
（１）式及び（２）式で表される反応により、ＳｉＯ2
となってＢ2 Ｏ3 中に取り込まれてしまう。 ３Ｓｉ＋２Ｂ2 Ｏ3 ＝３ＳｉＯ2 ＋４Ｂ‥‥（１） Ｓｉ＋２Ｈ2 Ｏ＝ＳｉＯ2 ＋２Ｈ2 ‥‥（２） 上述した熱力学的考察によれば、ＧａＡｓ中からＳｉ
（シリコン）が殆ど失われてしまうことになるが、実際
には反応速度も関与するため、ＧａＡｓ中にいくらかの
量のシリコンが残存することになる。
に、原料中に添加したシリコンがＧａＡｓ中から失われ
る機構については、種々提案されている。それらをまと
めると以下のようになる。すなわち、Ｂ2 Ｏ3 によりＧ
ａＡｓを封止してシリコンドープＧａＡｓ単結晶を育成
する場合、その反応系内に存在する物質はＧａＡｓ、Ｂ
2 Ｏ3 、Ｓｉ（シリコン）及びＯ（酸素）である。Ｏ
（酸素）はＢ2 Ｏ3 中に不純物として存在している。図
２には、温度と各種酸化物の標準生成自由エネルギーΔ
Ｇとの関係が示されているが、同図より、ＧａＡｓの融
点（１２３８℃）近傍の温度において生成され得る酸化
物の中では、ＳｉＯ2 が熱力学的に最も安定であること
がわかる（ΔＧの値が小さいほど安定している）。従っ
て、ＧａＡｓ中に添加されたＳｉ（シリコン）は、次の
（１）式及び（２）式で表される反応により、ＳｉＯ2
となってＢ2 Ｏ3 中に取り込まれてしまう。 ３Ｓｉ＋２Ｂ2 Ｏ3 ＝３ＳｉＯ2 ＋４Ｂ‥‥（１） Ｓｉ＋２Ｈ2 Ｏ＝ＳｉＯ2 ＋２Ｈ2 ‥‥（２） 上述した熱力学的考察によれば、ＧａＡｓ中からＳｉ
（シリコン）が殆ど失われてしまうことになるが、実際
には反応速度も関与するため、ＧａＡｓ中にいくらかの
量のシリコンが残存することになる。
【０００８】本発明者らが過去に行った実験（ＶＧＦ法
によるシリコンドープＧａＡｓ結晶の育成実験）によれ
ば、シリコンの添加量が１０19cm-3の場合にＧａＡｓ結
晶のシリコン濃度は約１０17cm-3であった。そこで、シ
リコンの添加量を１０20cm-3としたところ、ＧａＡｓ結
晶中にシリコンを１０18cm-3の濃度でドーピングするこ
とができたが、育成した結晶の表面やＢ2 Ｏ3 中にスカ
ム状の異物、すなわち浮遊物が発生し、育成結晶は多結
晶化してしまった。
によるシリコンドープＧａＡｓ結晶の育成実験）によれ
ば、シリコンの添加量が１０19cm-3の場合にＧａＡｓ結
晶のシリコン濃度は約１０17cm-3であった。そこで、シ
リコンの添加量を１０20cm-3としたところ、ＧａＡｓ結
晶中にシリコンを１０18cm-3の濃度でドーピングするこ
とができたが、育成した結晶の表面やＢ2 Ｏ3 中にスカ
ム状の異物、すなわち浮遊物が発生し、育成結晶は多結
晶化してしまった。
【０００９】シリコンが１０18cm-3の濃度でドーピング
されてなるＧａＡｓ結晶の育成方法として、特公平３−
５７０７９号公報に開示された方法がある。この方法
は、シリコン酸化物またはケイ酸等のシリコン化合物
が、シリコン濃度に換算して０．００１〜５重量％の濃
度で添加されたＢ2 Ｏ3 を液体封止剤として用いて、Ｌ
ＥＣ法によりシリコン濃度が１０18cm-3程度のＧａＡｓ
結晶を育成するものである。この方法によれば、ＧａＡ
ｓ中のシリコンの損失が殆どなく、かつスカム（浮遊
物）も発生しないという効果が得られるとされている。
されてなるＧａＡｓ結晶の育成方法として、特公平３−
５７０７９号公報に開示された方法がある。この方法
は、シリコン酸化物またはケイ酸等のシリコン化合物
が、シリコン濃度に換算して０．００１〜５重量％の濃
度で添加されたＢ2 Ｏ3 を液体封止剤として用いて、Ｌ
ＥＣ法によりシリコン濃度が１０18cm-3程度のＧａＡｓ
結晶を育成するものである。この方法によれば、ＧａＡ
ｓ中のシリコンの損失が殆どなく、かつスカム（浮遊
物）も発生しないという効果が得られるとされている。
【００１０】また、上記特公平３−５７０７９号の発明
者らは、日本結晶成長学会バルク成長分科会第１８回研
究会資料集の第１６頁〜第２２頁の中で、ＶＧＦ法にお
いて、上記特公平３−５７０７９号の発明と同様にシリ
コン酸化物であるＳｉＯ2 が添加されたＢ2 Ｏ3 を液体
封止剤として用いたところ（同研究会資料集第１９頁右
上の表の「液体封止材」の項目を参照）、シリコン濃度
が１０18cm-3程度のＧａＡｓ結晶（同研究会資料集第１
９頁下の「結晶中のＳｉ濃度とＢ濃度の関係」及び「成
長軸方向のＳｉ濃度分布」をそれぞれ表す特性図中のCr
ystal Ｂ 及びCrystal Ｃ ）が得られた旨、報告して
いる。
者らは、日本結晶成長学会バルク成長分科会第１８回研
究会資料集の第１６頁〜第２２頁の中で、ＶＧＦ法にお
いて、上記特公平３−５７０７９号の発明と同様にシリ
コン酸化物であるＳｉＯ2 が添加されたＢ2 Ｏ3 を液体
封止剤として用いたところ（同研究会資料集第１９頁右
上の表の「液体封止材」の項目を参照）、シリコン濃度
が１０18cm-3程度のＧａＡｓ結晶（同研究会資料集第１
９頁下の「結晶中のＳｉ濃度とＢ濃度の関係」及び「成
長軸方向のＳｉ濃度分布」をそれぞれ表す特性図中のCr
ystal Ｂ 及びCrystal Ｃ ）が得られた旨、報告して
いる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
公平３−５７０７９号に開示された技術は、ＬＥＣ法の
改良技術であり、そのままではＶＧＦ法やＶＢ法に応用
することは極めて困難である。実際に、本発明者らは、
特公平３−５７０７９号に開示された技術をそのままＶ
ＧＦ法に応用し、Ｂ2 Ｏ3 （含有水分量：９０ppm ）に
ＳｉＯ2 をシリコン濃度に換算して５重量％添加して、
シリコンドープＧａＡｓ結晶の育成を試みた。その結
果、スカム（浮遊物）の発生量が少なく単結晶が得られ
たが、育成結晶中にドーピングされたシリコンの濃度は
５×１０17cm-3に到達せず、Ｂ2 Ｏ3中に添加したシリ
コンの半分以上が失われていた。このことからも、上記
特公平３−５７０７９号の発明をそのままＶＧＦ法やＶ
Ｂ法に応用することは不可能であることがわかる。
公平３−５７０７９号に開示された技術は、ＬＥＣ法の
改良技術であり、そのままではＶＧＦ法やＶＢ法に応用
することは極めて困難である。実際に、本発明者らは、
特公平３−５７０７９号に開示された技術をそのままＶ
ＧＦ法に応用し、Ｂ2 Ｏ3 （含有水分量：９０ppm ）に
ＳｉＯ2 をシリコン濃度に換算して５重量％添加して、
シリコンドープＧａＡｓ結晶の育成を試みた。その結
果、スカム（浮遊物）の発生量が少なく単結晶が得られ
たが、育成結晶中にドーピングされたシリコンの濃度は
５×１０17cm-3に到達せず、Ｂ2 Ｏ3中に添加したシリ
コンの半分以上が失われていた。このことからも、上記
特公平３−５７０７９号の発明をそのままＶＧＦ法やＶ
Ｂ法に応用することは不可能であることがわかる。
【００１２】また、日本結晶成長学会バルク成長分科会
第１８回研究会資料集の第１６頁〜第２２頁の中に報告
された結晶の育成方法はＶＧＦ法の改良技術であるが、
Ｂ2Ｏ3 中のＳｉＯ2 の添加量が明示されていない。従
って、同研究会資料集に開示された内容だけでは、実際
には、シリコン濃度が１０18cm-3程度のＧａＡｓ結晶を
得ることはできない。これは、ＶＧＦ法と原理的に同じ
であるＶＢ法においても同様である。
第１８回研究会資料集の第１６頁〜第２２頁の中に報告
された結晶の育成方法はＶＧＦ法の改良技術であるが、
Ｂ2Ｏ3 中のＳｉＯ2 の添加量が明示されていない。従
って、同研究会資料集に開示された内容だけでは、実際
には、シリコン濃度が１０18cm-3程度のＧａＡｓ結晶を
得ることはできない。これは、ＶＧＦ法と原理的に同じ
であるＶＢ法においても同様である。
【００１３】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、液体封止剤であるＢ2 Ｏ3 を使用したＶＧＦ法及び
ＶＢ法において、シリコンのドープ量を精度よく制御す
ることができ、例えばシリコンのドープ量が５×１０17
cm-3以上のｎ型低転位密度ＧａＡｓ単結晶を歩留り良く
製造することができるＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供
することを目的とする。
で、液体封止剤であるＢ2 Ｏ3 を使用したＶＧＦ法及び
ＶＢ法において、シリコンのドープ量を精度よく制御す
ることができ、例えばシリコンのドープ量が５×１０17
cm-3以上のｎ型低転位密度ＧａＡｓ単結晶を歩留り良く
製造することができるＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供
することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、ＶＧＦ法において、ＳｉＯ2 を５重
量％（シリコン濃度に換算した量）添加し、ＧａＡｓ原
料中にシリコンを２×１０19cm-3の濃度となるように添
加して、ＧａＡｓ結晶の育成実験を行った。しかし、ス
カムが少し発生し、単結晶の歩留まりが低下してしまっ
た。
に、本発明者らは、ＶＧＦ法において、ＳｉＯ2 を５重
量％（シリコン濃度に換算した量）添加し、ＧａＡｓ原
料中にシリコンを２×１０19cm-3の濃度となるように添
加して、ＧａＡｓ結晶の育成実験を行った。しかし、ス
カムが少し発生し、単結晶の歩留まりが低下してしまっ
た。
【００１５】この実験結果に基づいて検討を行った結
果、本発明者らは、単結晶の歩留りを低下させずに、シ
リコンのドープ量を５×１０17cm-3以上に精度良く制御
してＧａＡｓ単結晶を製造するためには、Ｂ2 Ｏ3 中に
添加するシリコン酸化物やケイ酸化合物の濃度をシリコ
ン濃度に換算して５重量％よりも多くするのが有効であ
るとの結論を得た。
果、本発明者らは、単結晶の歩留りを低下させずに、シ
リコンのドープ量を５×１０17cm-3以上に精度良く制御
してＧａＡｓ単結晶を製造するためには、Ｂ2 Ｏ3 中に
添加するシリコン酸化物やケイ酸化合物の濃度をシリコ
ン濃度に換算して５重量％よりも多くするのが有効であ
るとの結論を得た。
【００１６】しかし、本発明者らが実験したところ、Ｂ
2 Ｏ3 中のシリコン酸化物やケイ酸化合物の添加量が５
重量％（シリコン濃度に換算した量）を超えると、本来
無色透明であるＢ2 Ｏ3 が均一にガラス化せずにその一
部が濁ったり、全体が不透明になってしまう。このこと
は、上記特公平３−５７０７９号公告公報中でも指摘さ
れている。ＬＥＣ法では、一般に、種付け状態や育成結
晶の状態を目視観察する必要があるため、Ｂ2 Ｏ3 が透
明であることは必要不可欠な条件である。従って、ＬＥ
Ｃ法の改良技術である上記特公平３−５７０７９号の発
明においては、Ｂ2 Ｏ3 が濁っていたり不透明であるこ
とは考えられず、よってＢ2 Ｏ3 中のシリコン酸化物や
ケイ酸化合物の添加量の上限は５重量％（シリコン濃度
に換算した量）となっている。
2 Ｏ3 中のシリコン酸化物やケイ酸化合物の添加量が５
重量％（シリコン濃度に換算した量）を超えると、本来
無色透明であるＢ2 Ｏ3 が均一にガラス化せずにその一
部が濁ったり、全体が不透明になってしまう。このこと
は、上記特公平３−５７０７９号公告公報中でも指摘さ
れている。ＬＥＣ法では、一般に、種付け状態や育成結
晶の状態を目視観察する必要があるため、Ｂ2 Ｏ3 が透
明であることは必要不可欠な条件である。従って、ＬＥ
Ｃ法の改良技術である上記特公平３−５７０７９号の発
明においては、Ｂ2 Ｏ3 が濁っていたり不透明であるこ
とは考えられず、よってＢ2 Ｏ3 中のシリコン酸化物や
ケイ酸化合物の添加量の上限は５重量％（シリコン濃度
に換算した量）となっている。
【００１７】それに対して、ＶＧＦ法やＶＢ法では、種
付け部や育成結晶の状態を目視観察する必要がないの
で、Ｂ2 Ｏ3 中にシリコン濃度に換算して５重量％を超
えるシリコン酸化物やケイ酸化合物を添加しても不都合
が生じないと推察される。
付け部や育成結晶の状態を目視観察する必要がないの
で、Ｂ2 Ｏ3 中にシリコン濃度に換算して５重量％を超
えるシリコン酸化物やケイ酸化合物を添加しても不都合
が生じないと推察される。
【００１８】本発明は、上記考察に基づきなされたもの
で、予めＢ2 Ｏ3 に、シリコン酸化物もしくはケイ酸化
合物を、シリコン濃度に換算して５重量％を超える量、
またはシリコン酸化物及びケイ酸化合物を、それら両方
を合わせてシリコン濃度に換算して５重量％を超える量
を添加してなる液体封止剤を作製し、該液体封止剤をＧ
ａＡｓ原料と、ＳｉまたはＳｉを構成元素として含む化
合物よりなる所定量のドーパントとともにるつぼに入
れ、そのるつぼを気密容器内に封入し、その気密容器を
縦型の加熱炉内に設置して前記液体封止剤、前記原料及
び前記ドーパントをヒータにより加熱して融液とした
後、その融液を所定の温度勾配下で徐々に冷却して固化
させることにより所定濃度のシリコンがドープされてな
るＧａＡｓ単結晶を成長させるものである。この発明に
よれば、結晶育成中に、ＧａＡｓ中のシリコンがＢ2 Ｏ
3 中に取り込まれるのが抑制されるので、ＧａＡｓ原料
中のドーパント（シリコン）の添加量が従来よりも少な
くても、シリコンを高濃度でかつ精度良く制御してドー
ピングすることができる。
で、予めＢ2 Ｏ3 に、シリコン酸化物もしくはケイ酸化
合物を、シリコン濃度に換算して５重量％を超える量、
またはシリコン酸化物及びケイ酸化合物を、それら両方
を合わせてシリコン濃度に換算して５重量％を超える量
を添加してなる液体封止剤を作製し、該液体封止剤をＧ
ａＡｓ原料と、ＳｉまたはＳｉを構成元素として含む化
合物よりなる所定量のドーパントとともにるつぼに入
れ、そのるつぼを気密容器内に封入し、その気密容器を
縦型の加熱炉内に設置して前記液体封止剤、前記原料及
び前記ドーパントをヒータにより加熱して融液とした
後、その融液を所定の温度勾配下で徐々に冷却して固化
させることにより所定濃度のシリコンがドープされてな
るＧａＡｓ単結晶を成長させるものである。この発明に
よれば、結晶育成中に、ＧａＡｓ中のシリコンがＢ2 Ｏ
3 中に取り込まれるのが抑制されるので、ＧａＡｓ原料
中のドーパント（シリコン）の添加量が従来よりも少な
くても、シリコンを高濃度でかつ精度良く制御してドー
ピングすることができる。
【００１９】この発明において、使用されるドーパント
の量は、シリコン酸化物及びケイ酸化物のうちいずれか
一方が含まれ他方が含まれていない場合、及びシリコン
酸化物とケイ酸化物の両者が含まれているいずれの場合
でもシリコン濃度に換算して、２０重量％以下の方が好
ましい。その理由は、この濃度以上となると、液体封止
剤全体の軟化点が上がり、ＧａＡｓ原料を融解時の封止
が不十分となる可能性があるためである。
の量は、シリコン酸化物及びケイ酸化物のうちいずれか
一方が含まれ他方が含まれていない場合、及びシリコン
酸化物とケイ酸化物の両者が含まれているいずれの場合
でもシリコン濃度に換算して、２０重量％以下の方が好
ましい。その理由は、この濃度以上となると、液体封止
剤全体の軟化点が上がり、ＧａＡｓ原料を融解時の封止
が不十分となる可能性があるためである。
【００２０】また、上記発明において、具体的には、前
記シリコン酸化物はＳｉＯ2 であり、前記ケイ酸化合物
は（ＳｉＯ2 ）m ・（Ｈ2 Ｏ）n （ただし、ｍ、ｎは整
数である）であってもよい。
記シリコン酸化物はＳｉＯ2 であり、前記ケイ酸化合物
は（ＳｉＯ2 ）m ・（Ｈ2 Ｏ）n （ただし、ｍ、ｎは整
数である）であってもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
について説明する。図１には、本発明をＶＧＦ法に適用
した際に使用される結晶成長炉の概略が示されている。
について説明する。図１には、本発明をＶＧＦ法に適用
した際に使用される結晶成長炉の概略が示されている。
【００２２】本発明に係る単結晶製造方法の実施にあた
っては、図１に示すように、結晶育成部１ａ、蒸気圧制
御部（砒素だめ）１ｂ及び封止用キャップ１ｃを有する
気密容器（石英アンプル）１を使用し、該気密容器１内
でＧａＡｓ単結晶の育成を行う。
っては、図１に示すように、結晶育成部１ａ、蒸気圧制
御部（砒素だめ）１ｂ及び封止用キャップ１ｃを有する
気密容器（石英アンプル）１を使用し、該気密容器１内
でＧａＡｓ単結晶の育成を行う。
【００２３】使用する縦型加熱炉のヒータ２は、少なく
とも結晶育成部加熱用ヒータ２ａ、種結晶部加熱用ヒー
タ２ｂ及び蒸気圧制御部加熱用ヒータ２ｃを有する円筒
状の多段構成のものであり、炉内の温度プロファイルを
任意に制御することができるようになっている。
とも結晶育成部加熱用ヒータ２ａ、種結晶部加熱用ヒー
タ２ｂ及び蒸気圧制御部加熱用ヒータ２ｃを有する円筒
状の多段構成のものであり、炉内の温度プロファイルを
任意に制御することができるようになっている。
【００２４】結晶育成を行うにあたっては、まず、るつ
ぼ３の種結晶設置部３ａ内に種結晶４を入れるととも
に、るつぼ３内にＧａＡｓ原料と、Ｓｉ単体もしくはＳ
ｉを構成元素として含む化合物（例えば、ＳｉＡｓ）よ
りなるドーパントと、ＳｉＯ2等のシリコン酸化物及び
（ＳｉＯ2 ）m ・（Ｈ2 Ｏ）n （ただし、ｍ、ｎは整数
である）等のケイ酸化合物の一方または両方をシリコン
濃度に換算した総量で５重量％を超えて２０重量％以下
の濃度となるようにＢ2 Ｏ3 中に添加してなる封止剤と
を入れる。そして、気密容器１の蒸気圧制御部１ｂ内に
蒸気圧制御用の砒素７を入れるとともに、気密容器１の
結晶育成部１ａ内のサセプタ９上にるつぼ３を設置し、
気密容器１内を真空排気してキャップ１ｃにより封止す
る。
ぼ３の種結晶設置部３ａ内に種結晶４を入れるととも
に、るつぼ３内にＧａＡｓ原料と、Ｓｉ単体もしくはＳ
ｉを構成元素として含む化合物（例えば、ＳｉＡｓ）よ
りなるドーパントと、ＳｉＯ2等のシリコン酸化物及び
（ＳｉＯ2 ）m ・（Ｈ2 Ｏ）n （ただし、ｍ、ｎは整数
である）等のケイ酸化合物の一方または両方をシリコン
濃度に換算した総量で５重量％を超えて２０重量％以下
の濃度となるようにＢ2 Ｏ3 中に添加してなる封止剤と
を入れる。そして、気密容器１の蒸気圧制御部１ｂ内に
蒸気圧制御用の砒素７を入れるとともに、気密容器１の
結晶育成部１ａ内のサセプタ９上にるつぼ３を設置し、
気密容器１内を真空排気してキャップ１ｃにより封止す
る。
【００２５】その気密容器１を縦型加熱炉の所定位置に
設置し、ヒータ２により加熱して原料及びＢ2 Ｏ3 を融
解させる。各ヒータ２ａ，２ｂ，２ｃの出力を調整し
て、種結晶４側から原料融液５及びＢ2 Ｏ3 融液よりな
る液体封止剤６の上方に向かって徐々に高温となるよう
な所定の温度勾配を維持するとともに、Ａｓの蒸気圧制
御を行いながら、徐々に原料融液５を下部から融点以下
の温度に冷却することにより、単結晶１０を上方に向か
って成長させる。
設置し、ヒータ２により加熱して原料及びＢ2 Ｏ3 を融
解させる。各ヒータ２ａ，２ｂ，２ｃの出力を調整し
て、種結晶４側から原料融液５及びＢ2 Ｏ3 融液よりな
る液体封止剤６の上方に向かって徐々に高温となるよう
な所定の温度勾配を維持するとともに、Ａｓの蒸気圧制
御を行いながら、徐々に原料融液５を下部から融点以下
の温度に冷却することにより、単結晶１０を上方に向か
って成長させる。
【００２６】上記実施形態によれば、所定量のシリコン
が添加されたＧａＡｓ原料融液５を、予め所定濃度のシ
リコン酸化物やケイ酸化合物が添加されたＢ2 Ｏ3 より
なる液体封止剤６で封止しながら、ＶＧＦ法により固化
させるようにしたため、結晶育成中に、ＧａＡｓ中のシ
リコンがＢ2 Ｏ3 中に取り込まれるのを抑制することが
できるので、従来よりもＧａＡｓ原料中のドーパント
（シリコン）の添加量を少なくしてスカム（浮遊物）の
発生を防ぎながら、シリコンを高濃度でかつ精度良く制
御してドーピングすることができる。従って、例えばシ
リコンのドープ量が５×１０17cm-3以上のｎ型低転位密
度ＧａＡｓ単結晶を歩留り良く製造することができる。
が添加されたＧａＡｓ原料融液５を、予め所定濃度のシ
リコン酸化物やケイ酸化合物が添加されたＢ2 Ｏ3 より
なる液体封止剤６で封止しながら、ＶＧＦ法により固化
させるようにしたため、結晶育成中に、ＧａＡｓ中のシ
リコンがＢ2 Ｏ3 中に取り込まれるのを抑制することが
できるので、従来よりもＧａＡｓ原料中のドーパント
（シリコン）の添加量を少なくしてスカム（浮遊物）の
発生を防ぎながら、シリコンを高濃度でかつ精度良く制
御してドーピングすることができる。従って、例えばシ
リコンのドープ量が５×１０17cm-3以上のｎ型低転位密
度ＧａＡｓ単結晶を歩留り良く製造することができる。
【００２７】なお、上記実施形態においては、本発明を
ＶＧＦ法に適用した場合について説明したが、本発明は
ＶＢ法にも適用可能である。
ＶＧＦ法に適用した場合について説明したが、本発明は
ＶＢ法にも適用可能である。
【００２８】
【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明の
特徴とするところを明らかとする。以下の各例では、育
成したＧａＡｓ単結晶のキャリア濃度（シリコン濃度）
を１．０×１０18cm-3〜４．０×１０18cm-3の範囲内の
濃度にすることを目標とした。なお、本発明は、以下の
実施例により何ら制限されるものではない。 （実施例）図１に示す構成のＶＧＦ炉を用いた。まず、
直径約３インチで厚さ３mmのｐＢＮ（熱分解窒化ホウ
素）製るつぼの種結晶設置部にＧａＡｓ単結晶よりなる
種結晶を入れた。さらに、その上からるつぼ内に、原料
として約３kgのＧａＡｓ多結晶と、ドーパントとして
０．１９ｇのシリコン単体（シリコンメタル）と、含有
水分量が９０ppm でかつシリコン濃度に換算して１０重
量％のＳｉＯ2 が予め添加されたＢ2 Ｏ3 よりなる５０
ｇの封止剤とを入れた。
特徴とするところを明らかとする。以下の各例では、育
成したＧａＡｓ単結晶のキャリア濃度（シリコン濃度）
を１．０×１０18cm-3〜４．０×１０18cm-3の範囲内の
濃度にすることを目標とした。なお、本発明は、以下の
実施例により何ら制限されるものではない。 （実施例）図１に示す構成のＶＧＦ炉を用いた。まず、
直径約３インチで厚さ３mmのｐＢＮ（熱分解窒化ホウ
素）製るつぼの種結晶設置部にＧａＡｓ単結晶よりなる
種結晶を入れた。さらに、その上からるつぼ内に、原料
として約３kgのＧａＡｓ多結晶と、ドーパントとして
０．１９ｇのシリコン単体（シリコンメタル）と、含有
水分量が９０ppm でかつシリコン濃度に換算して１０重
量％のＳｉＯ2 が予め添加されたＢ2 Ｏ3 よりなる５０
ｇの封止剤とを入れた。
【００２９】続いて、気密容器である石英アンプルの蒸
気圧制御部に８ｇの砒素をチャージし、原料、ドーパン
ト及び封止剤を入れたるつぼを石英アンプル内のサセプ
タ上に設置した後、石英アンプルをキャップにより真空
封止した。その真空封止した気密容器を３段ヒータ構成
の縦型加熱炉内に設置した。なお、原料としてＧａＡｓ
多結晶を用いる代わりに、るつぼ３内にＧａとＡｓを入
れてそれらを直接合成させるようにしてもよい。
気圧制御部に８ｇの砒素をチャージし、原料、ドーパン
ト及び封止剤を入れたるつぼを石英アンプル内のサセプ
タ上に設置した後、石英アンプルをキャップにより真空
封止した。その真空封止した気密容器を３段ヒータ構成
の縦型加熱炉内に設置した。なお、原料としてＧａＡｓ
多結晶を用いる代わりに、るつぼ３内にＧａとＡｓを入
れてそれらを直接合成させるようにしてもよい。
【００３０】結晶育成部加熱用ヒータ及び種結晶部加熱
用ヒータにより、種結晶の上端と原料が１２３８℃〜１
２５５℃の温度となるようにるつぼを加熱して原料、ド
ーパント及び封止剤を融解させるとともに、蒸気圧制御
部加熱用ヒータにより蒸気圧制御部を６０５℃となるよ
うに加熱した。
用ヒータにより、種結晶の上端と原料が１２３８℃〜１
２５５℃の温度となるようにるつぼを加熱して原料、ド
ーパント及び封止剤を融解させるとともに、蒸気圧制御
部加熱用ヒータにより蒸気圧制御部を６０５℃となるよ
うに加熱した。
【００３１】この状態で、結晶の育成速度が毎時１．５
mmとなるように加熱炉の設定温度を連続的に下げてＧａ
Ａｓ単結晶の育成を開始した。
mmとなるように加熱炉の設定温度を連続的に下げてＧａ
Ａｓ単結晶の育成を開始した。
【００３２】結晶育成開始から約８０時間経過した時点
で原料融液はすべて固化した。その後、加熱炉全体を毎
時１００℃の降温速度で冷却した。室温近くまで冷えた
時点で加熱炉内から気密容器を取り出し、その気密容器
を壊して結晶を取り出した。
で原料融液はすべて固化した。その後、加熱炉全体を毎
時１００℃の降温速度で冷却した。室温近くまで冷えた
時点で加熱炉内から気密容器を取り出し、その気密容器
を壊して結晶を取り出した。
【００３３】得られた結晶は直径約３インチで全長約１
２cmのＧａＡｓ単結晶であり、その結晶性を調べたとこ
ろ双晶や多結晶は全く発生していなかった。また、Ｂ2
Ｏ3中やＧａＡｓ単結晶表面にスカム（浮遊物）は観察
されなかった。
２cmのＧａＡｓ単結晶であり、その結晶性を調べたとこ
ろ双晶や多結晶は全く発生していなかった。また、Ｂ2
Ｏ3中やＧａＡｓ単結晶表面にスカム（浮遊物）は観察
されなかった。
【００３４】この単結晶インゴットを切断して転位密度
を調べたところ、結晶のどの領域においても転位密度は
５００cm-2以下であった。また、得られた結晶の電気特
性を測定したところ、キャリア濃度（シリコン濃度）は
１．０×１０18cm-3〜３．０×１０18cm-3であり、所望
の範囲内（１．０×１０18cm-3〜４．０×１０18cm-3）
に精度良く制御されていることがわかった。
を調べたところ、結晶のどの領域においても転位密度は
５００cm-2以下であった。また、得られた結晶の電気特
性を測定したところ、キャリア濃度（シリコン濃度）は
１．０×１０18cm-3〜３．０×１０18cm-3であり、所望
の範囲内（１．０×１０18cm-3〜４．０×１０18cm-3）
に精度良く制御されていることがわかった。
【００３５】同様にして、シリコンドープＧａＡｓ単結
晶の育成を１０回行ったところ、１０回とも転位密度が
５００cm-2以下でキャリア濃度（シリコン濃度）が１．
０×１０18cm-3〜３．０×１０18cm-3のＧａＡｓ単結晶
が得られた。すなわち、低転位密度で、所望量のシリコ
ンが再現性よくドーピングされたＧａＡｓ単結晶が得ら
れることがわかった。 （比較例１）Ｂ2 Ｏ3 のＳｉＯ2 の添加量をシリコン濃
度に換算して５重量％とした以外は、上記実施例と同じ
条件でＧａＡｓ単結晶の育成を行った。得られた結晶は
単結晶であり、その転位密度は結晶のどの領域において
も５００cm-2以下であったが、キャリア濃度（シリコン
濃度）は１．５×１０17cm-3〜４．５×１０17cm-3であ
った。すなわち、シリコンのドープ量を所望の範囲内
（１．０×１０18cm-3〜４．０×１０18cm-3）に精度良
く制御することができなかった。また、Ｂ2 Ｏ3中には
スカム（浮遊物）が少し発生していた。
晶の育成を１０回行ったところ、１０回とも転位密度が
５００cm-2以下でキャリア濃度（シリコン濃度）が１．
０×１０18cm-3〜３．０×１０18cm-3のＧａＡｓ単結晶
が得られた。すなわち、低転位密度で、所望量のシリコ
ンが再現性よくドーピングされたＧａＡｓ単結晶が得ら
れることがわかった。 （比較例１）Ｂ2 Ｏ3 のＳｉＯ2 の添加量をシリコン濃
度に換算して５重量％とした以外は、上記実施例と同じ
条件でＧａＡｓ単結晶の育成を行った。得られた結晶は
単結晶であり、その転位密度は結晶のどの領域において
も５００cm-2以下であったが、キャリア濃度（シリコン
濃度）は１．５×１０17cm-3〜４．５×１０17cm-3であ
った。すなわち、シリコンのドープ量を所望の範囲内
（１．０×１０18cm-3〜４．０×１０18cm-3）に精度良
く制御することができなかった。また、Ｂ2 Ｏ3中には
スカム（浮遊物）が少し発生していた。
【００３６】同様にして、シリコンドープＧａＡｓ単結
晶の育成を５回行ったところ、双晶が１回発生し、その
他の４回は転位密度が５００cm-2以下でキャリア濃度
（シリコン濃度）が１．０×１０17cm-3〜４．８×１０
17cm-3のＧａＡｓ単結晶であった。 （比較例２）Ｂ2 Ｏ3 のＳｉＯ2 の添加量をシリコン濃
度に換算して５重量％とし、かつドーパントであるシリ
コン単体（シリコンメタル）の量を０．３８ｇとした以
外は、上記実施例と同じ条件でＧａＡｓ単結晶の育成を
行った。得られた結晶の表面及びＢ2 Ｏ3 中にはスカム
（浮遊物）が発生しており、結晶表面のスカム付着部分
から双晶が発生していた。また、転位密度は双晶の発生
のため測定不可能であった。キャリア濃度（シリコン濃
度）は３．０×１０17cm-3〜１．０×１０18cm-3であ
り、所望の範囲（１．０×１０18cm-3〜４．０×１０18
cm-3）から一部逸脱していた。
晶の育成を５回行ったところ、双晶が１回発生し、その
他の４回は転位密度が５００cm-2以下でキャリア濃度
（シリコン濃度）が１．０×１０17cm-3〜４．８×１０
17cm-3のＧａＡｓ単結晶であった。 （比較例２）Ｂ2 Ｏ3 のＳｉＯ2 の添加量をシリコン濃
度に換算して５重量％とし、かつドーパントであるシリ
コン単体（シリコンメタル）の量を０．３８ｇとした以
外は、上記実施例と同じ条件でＧａＡｓ単結晶の育成を
行った。得られた結晶の表面及びＢ2 Ｏ3 中にはスカム
（浮遊物）が発生しており、結晶表面のスカム付着部分
から双晶が発生していた。また、転位密度は双晶の発生
のため測定不可能であった。キャリア濃度（シリコン濃
度）は３．０×１０17cm-3〜１．０×１０18cm-3であ
り、所望の範囲（１．０×１０18cm-3〜４．０×１０18
cm-3）から一部逸脱していた。
【００３７】同様にして、シリコンドープＧａＡｓ単結
晶の育成を５回行ったところ、単結晶が得られたのは１
回だけであり、他の４回はいずれも双晶が発生してい
た。また、キャリア濃度（シリコン濃度）は２．０×１
０17cm-3〜１．５×１０18cm-3であり、大きくばらつい
ていた。
晶の育成を５回行ったところ、単結晶が得られたのは１
回だけであり、他の４回はいずれも双晶が発生してい
た。また、キャリア濃度（シリコン濃度）は２．０×１
０17cm-3〜１．５×１０18cm-3であり、大きくばらつい
ていた。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、予めＢ2 Ｏ3 に、シリ
コン酸化物もしくはケイ酸化合物を、シリコン濃度に換
算して５重量％を超える量、またはシリコン酸化物及び
ケイ酸化合物を、それら両方を合わせてシリコン濃度に
換算して５重量％を超える量を添加してなる液体封止剤
を作製し、該液体封止剤をＧａＡｓ原料と、Ｓｉまたは
Ｓｉを構成元素として含む化合物よりなる所定量のドー
パントとともにるつぼに入れ、そのるつぼを気密容器内
に封入し、その気密容器を縦型の加熱炉内に設置して前
記液体封止剤、前記原料及び前記ドーパントをヒータに
より加熱して融液とした後、その融液を所定の温度勾配
下で徐々に冷却して固化させることにより所定濃度のシ
リコンがドープされてなるＧａＡｓ単結晶を成長させる
ようにしたため、スカムの発生を防ぎながら、結晶育成
中に、ＧａＡｓ中のシリコンがＢ2Ｏ3 中に取り込まれ
るのを抑制することができるので、例えばシリコンのド
ープ量が５×１０17cm-3以上のｎ型低転位密度ＧａＡｓ
単結晶を歩留り良く製造することができる。
コン酸化物もしくはケイ酸化合物を、シリコン濃度に換
算して５重量％を超える量、またはシリコン酸化物及び
ケイ酸化合物を、それら両方を合わせてシリコン濃度に
換算して５重量％を超える量を添加してなる液体封止剤
を作製し、該液体封止剤をＧａＡｓ原料と、Ｓｉまたは
Ｓｉを構成元素として含む化合物よりなる所定量のドー
パントとともにるつぼに入れ、そのるつぼを気密容器内
に封入し、その気密容器を縦型の加熱炉内に設置して前
記液体封止剤、前記原料及び前記ドーパントをヒータに
より加熱して融液とした後、その融液を所定の温度勾配
下で徐々に冷却して固化させることにより所定濃度のシ
リコンがドープされてなるＧａＡｓ単結晶を成長させる
ようにしたため、スカムの発生を防ぎながら、結晶育成
中に、ＧａＡｓ中のシリコンがＢ2Ｏ3 中に取り込まれ
るのを抑制することができるので、例えばシリコンのド
ープ量が５×１０17cm-3以上のｎ型低転位密度ＧａＡｓ
単結晶を歩留り良く製造することができる。
【図１】本発明をＶＧＦ法に適用した際に使用される結
晶成長炉の概略図である。
晶成長炉の概略図である。
【図２】温度と各種酸化物の標準生成自由エネルギーΔ
Ｇとの関係を示す特性図である。
Ｇとの関係を示す特性図である。
１ 気密容器 ２ ヒータ ３ るつぼ ５ 原料融液 ６ 液体封止剤（Ｂ2 Ｏ3 ） １０ ＧａＡｓ単結晶
Claims (3)
- 【請求項１】 予めＢ2 Ｏ3 に、シリコン酸化物もしく
はケイ酸化合物を、シリコン濃度に換算して５重量％を
超える量、またはシリコン酸化物及びケイ酸化合物を、
それら両方を合わせてシリコン濃度に換算して５重量％
を超える量を添加してなる液体封止剤を作製し、該液体
封止剤をＧａＡｓ原料と、ＳｉまたはＳｉを構成元素と
して含む化合物よりなる所定量のドーパントとともにる
つぼに入れ、そのるつぼを気密容器内に封入し、その気
密容器を縦型の加熱炉内に設置して前記液体封止剤、前
記原料及び前記ドーパントをヒータにより加熱して融液
とした後、その融液を所定の温度勾配下で徐々に冷却し
て固化させることにより所定濃度のシリコンがドープさ
れてなるＧａＡｓ単結晶を成長させることを特徴とする
ＧａＡｓ単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 前記ドーパントの量は、シリコン濃度換
算で５重量％を超え２０重量％以下であることを特徴と
する請求項１記載のＧａＡｓ単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 前記シリコン酸化物はＳｉＯ2 であり、
前記ケイ酸化合物は（ＳｉＯ2 ）m ・（Ｈ2 Ｏ）n （た
だし、ｍ、ｎは整数である）であることを特徴とする請
求項１または２記載のＧａＡｓ単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6421997A JPH10259100A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6421997A JPH10259100A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10259100A true JPH10259100A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13251780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6421997A Pending JPH10259100A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10259100A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006306723A (ja) * | 2006-06-22 | 2006-11-09 | Dowa Mining Co Ltd | ガリウム砒素単結晶 |
| JP2009522201A (ja) * | 2006-01-04 | 2009-06-11 | アポロン、ソーラー | 結晶性物質のブロックを製造するための装置および方法 |
| WO2012160781A1 (ja) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ＧａＡｓ単結晶の製造方法およびＧａＡｓ単結晶ウェハ |
| CN102859050A (zh) * | 2010-03-29 | 2013-01-02 | 住友电气工业株式会社 | 制造半导体单晶的方法 |
| KR20190013223A (ko) * | 2017-08-01 | 2019-02-11 | 한국과학기술연구원 | GaAs 단결정 성장 장치 |
| CN109881253A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-06-14 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 半导体晶体的生长装置及方法 |
| CN111455460A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-07-28 | 中南大学 | 一种金属砷单晶的制备方法 |
| US11624129B1 (en) * | 2022-04-18 | 2023-04-11 | Shanxi China Crystal Technologies Co., Ltd. | Gallium arsenide single crystal and preparation method thereof |
| WO2023221667A1 (zh) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 山西中科晶电信息材料有限公司 | 一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置 |
-
1997
- 1997-03-18 JP JP6421997A patent/JPH10259100A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2009522201A (ja) * | 2006-01-04 | 2009-06-11 | アポロン、ソーラー | 結晶性物質のブロックを製造するための装置および方法 |
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| US10533265B2 (en) | 2010-03-29 | 2020-01-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Growth container |
| US9797068B2 (en) | 2010-03-29 | 2017-10-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing semiconductor single crystal |
| CN102859050A (zh) * | 2010-03-29 | 2013-01-02 | 住友电气工业株式会社 | 制造半导体单晶的方法 |
| US9469916B2 (en) | 2011-05-25 | 2016-10-18 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Method of producing GaAs single crystal and GaAs single crystal wafer |
| CN103703172B (zh) * | 2011-05-25 | 2016-08-31 | 同和电子科技有限公司 | GaAs单晶的制造方法和GaAs单晶晶片 |
| CN103703172A (zh) * | 2011-05-25 | 2014-04-02 | 同和电子科技有限公司 | GaAs单晶的制造方法和GaAs单晶晶片 |
| TWI582277B (zh) * | 2011-05-25 | 2017-05-11 | Dowa Electronics Materials Co | GaAs single crystal and GaAs single crystal wafer |
| JP2012246156A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | ＧａＡｓ単結晶の製造方法およびＧａＡｓ単結晶ウェハ |
| WO2012160781A1 (ja) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ＧａＡｓ単結晶の製造方法およびＧａＡｓ単結晶ウェハ |
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| CN109881253A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-06-14 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 半导体晶体的生长装置及方法 |
| CN109881253B (zh) * | 2019-01-30 | 2021-04-16 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 半导体晶体的生长装置及方法 |
| CN111455460A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-07-28 | 中南大学 | 一种金属砷单晶的制备方法 |
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| WO2023221667A1 (zh) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 山西中科晶电信息材料有限公司 | 一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置 |
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