JP2006306723A - ガリウム砒素単結晶 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】るつぼ収納容器3内に設けたるつぼ4に種結晶5とGaAs原料を装入し、その上にSi酸化物を予めドープした封止材(B2O3)8を置き、ヒーター17で加熱して原料を溶融し、温度制御により原料融液7からGaAs結晶6を晶出育成させる際、上記封止剤よりもSi濃度が低い第2の封止剤9を結晶成長時の適正な時期にるつぼ内に流入させ、上部ロッド12を攪拌板10で攪拌することにより、結晶中のキャリア濃度を制御する。
【選択図】図1
Description
3Si(GaAs Melt 中)+2B2O3=3SiO2(B2O3へ)+4B(GaAs Meltへ)
上記反応は単結晶育成開始時にはほぼ平衡状態に達し、単結晶育成中はノーマルフリージングによる偏析現象によるSiのGaAs融液への濃縮がおこっているものと考えられる。
これらの結果からSi濃度のより小さい第2の封止剤を併用して用いること、さらにこれらを攪拌することにより結晶中のキャリア濃度を制御することが可能である。
以下実施例により詳細に説明する。
2 気密シール
3 るつぼ収納容器(サセプタ)
4 るつぼ
5 種結晶
6 化合物半導体結晶
7 原料融液
8 封止剤
9 第2の封止剤
10 攪拌板
11 気密容器
12 上部ロッド
13 化合物原料GaAs
14 ドーパント
15 上部封止剤収納容器
16 断熱材
17 ヒーター
Claims (2)
- キャリア濃度が0.1×1018cm-3〜3×1018cm-3であり、かつ結晶尾部(固化率0.8)でのキャリア濃度が結晶肩部(固化率0.1)でのキャリア濃度の2倍以内であることを特徴とするSiドープガリウム砒素単結晶。
- 結晶中のキャリア濃度が結晶肩部(固化率0.1)で0.1×1018cm-3〜3×1018cm-3の範囲にあり、かつ結晶尾部(固化率0.8)でのキャリア濃度は結晶肩部の2倍以内であり、さらにこの間の結晶位置(固化率0.1〜0.8)でもキャリア濃度が結晶肩部のキャリア濃度以上かつ結晶尾部のキャリア濃度以下である請求項1記載のSiドープガリウム砒素単結晶。
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