TWI664326B - 熱遮蔽構件、單結晶提拉裝置及單結晶矽鑄錠的製造方法 - Google Patents

熱遮蔽構件、單結晶提拉裝置及單結晶矽鑄錠的製造方法 Download PDF

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Abstract

[課題]提出熱遮蔽構件、單結晶提拉裝置及使用該單結晶提拉裝置的單結晶矽鑄錠的製造方法，其能夠放大可獲致無缺陷的單結晶矽的結晶的提拉速度之界限。 [解決手段]為設置在從被配置於石英坩堝的周圍之加熱器加熱並貯留在石英坩堝的矽融液提拉單結晶矽鑄錠I的單結晶提拉裝置之熱遮蔽構件1，該熱遮蔽構件1具有包圍單結晶矽鑄錠之外周面的圓筒狀的筒部2、及在筒部2下部的環狀的膨出部3，膨出部2具有上壁3a、底壁3b及2個縱壁3c、3d，在由這些壁所圍成的空間中有環狀的隔熱材H，熱遮蔽構件1的開口徑Rs 和隔熱材H的開口徑Rh 之差為15mm以上。

Description

熱遮蔽構件、單結晶提拉裝置及單結晶矽鑄錠的製造方法
本發明係關於熱遮蔽構件、單結晶提拉裝置及使用該單結晶提拉裝置之單結晶矽鑄錠的製造方法。
一般而言，使用對於用丘克拉斯基(Czochralski,CZ)法育成的單結晶矽鑄錠施以晶圓加工處理而得到的矽晶圓，作為半導體裝置的基板。
圖1顯示用CZ法育成單結晶矽鑄錠的一般的單結晶提拉裝置之一例。該圖所示的單結晶提拉裝置100，在反應室51內設置用以容納單結晶矽鑄錠I的原料物質的坩堝52，該圖所示之坩堝52由石英坩堝52a和石墨坩堝52b構成。在該坩堝52的下部安裝了坩堝回轉升降軸53，使坩堝52於圓周方向回轉，同時使坩堝52於垂直方向升降。另外，在坩堝52的周圍配置了加熱器54，將容納於坩堝52內的原料物質加熱成為矽融液M。
在反應室51的上部設置了用以提拉單結晶矽鑄錠I的提拉軸55，在固定於其前端的種結晶保持器56上固持了種結晶S。另外，在反應室51的上部及下部，分別設置了氣體導入口57及氣體排出口58，其構成為，在單結晶矽鑄錠I育成時，將惰性氣體從氣體導入口57供給到反應室51內，使其沿著鑄錠I的外周面通過再從氣體排出口58排出。
再者，在反應室51內，設置了包圍育成中的鑄錠I之外周面的圓筒形的熱遮蔽構件60。圖2顯示過去的熱遮蔽構件60之構成的一例。該圖所示的熱遮蔽構件60具備：包圍單結晶矽鑄錠I的外周面的圓筒狀之筒部61、再及筒部61之下部的膨出部62(例如，參照專利文獻1)。在此，筒部61有內壁61a及外壁61b。另外，膨出部62有上壁62a和底壁62b及2個縱壁62c、62d。而且，在這些壁所圍成的空間中設有隔熱材(蓄熱構件)H。
此種熱遮蔽構件60，遮蔽來自加熱器54或矽融液M、坩堝52的側壁的輻射熱，促進提拉的單結晶矽鑄錠I的冷卻，並藉由被加熱器54或矽融液M加熱的膨出部62的隔熱材H以使得鑄錠I的外周面保溫，抑制單結晶矽鑄錠I的中心部和外周部之結晶軸方向的溫度梯度之差變大。
單結晶矽鑄錠I的育成係使用上記裝置100，如下述般進行。首先，將反應室51內維持於減壓下的Ar氣體等的惰性氣體環境的狀態下，用加熱器54將容納在坩堝52內的多結晶矽等的原料物質加熱並熔融，使之成為矽融液M。繼之，使提拉軸55下降，將種結晶S浸漬於矽融液M中，使坩堝52及提拉軸55於特定的方向回轉，一邊使提拉軸55向上方提拉。如此一來，能夠在種結晶S的下方育成單結晶矽鑄錠I。
在使用上記裝置100育成的單結晶矽鑄錠I中，形成裝置形成工程中造成問題的各種種類的Grown-in缺陷。已知該Grown-in缺陷之鑄錠I的徑方向面內的分布依存於2個要因，亦即，結晶的提拉速度V及固液界面中的單結晶內的提拉方向之溫度梯度G(例如，參照非專利文獻1)。
圖3為表示提拉速度V相對於固液界面中的溫度梯度G之比V/G和構成單結晶矽鑄錠I的結晶區域之關係的圖。如此圖所示，單結晶矽鑄錠，在V/G的值大的情況下，被做為形成了空孔並檢出起因於結晶的粒子(Crystal Originated Particles,COP)的結晶區域COP發生區域71所支配。
若使V/G的值變小、施以特定的氧化熱處理，則形成稱之為氧化誘起積層缺陷(OSF：Oxidation Induced Stacking Fault)的環狀分布的OSF潛在核區域72，在此OSF區域72中無檢出COP。
若再使V/G的值變小，則形成作為存在有氧析出物且無檢出COP的結晶區域的氧析出促進區域(以下亦稱之為「Pv區域」)73、接著形成作為難以發生氧析出且無檢出COP的結晶區域之氧析出抑制區域(以下亦稱之為「Pi區域」)74，並形成做為檢出差排團的結晶區域的差排團區域75。
在從對應於V/G而顯示此種缺陷分布的單結晶矽鑄錠I取得的矽晶圓中，COP發生區域71及差排團區域75以外的結晶區域，一般為視為無缺陷的無缺陷區域的結晶區域，一般來說，從這些結晶區域取得的矽晶圓作為無缺陷的矽晶圓。 先行技術文獻
專利文獻： 專利文獻1：日本特開2004-107132號公報
非專利文獻： 非專利文獻1：The Mechanism of Swirl Defects Formation in Silicon", Journal of Crystal Growth, Vol. 59, 1982, pp.625-643
[發明欲解決的問題]
對於上記COP發生區域71的V/G的值、與對於差排團區域75的V/G的值之差非常小，因此，為了育成無缺陷的單結晶矽鑄錠I，必須要嚴格管理提拉速度V。但是，此種提拉速度V的管理非常地困難，亟需要有能夠放寬可獲致無缺陷的單結晶矽鑄錠I之結晶的提拉速度V的範圍(界限)之方法的提案。
因此，本發明之目的為提出熱遮蔽構件、單結晶提拉裝置及使用該單結晶提拉裝置的單結晶矽鑄錠的製造方法，其能夠放大可獲致無缺陷的單結晶矽的結晶的提拉速度之界限。 [解決問題的手段]
解決上記課題的本發明之要旨構成如下。 [1]熱遮蔽構件，其係為設置在從被配置於石英坩堝周圍的加熱器加熱並貯留於前記石英坩堝的矽融液提拉單結晶矽鑄錠的單結晶提拉裝置的熱遮蔽構件， 該熱遮蔽構件具有：包圍前記單結晶矽鑄錠之外周面的圓筒狀的筒部、及在前記筒部的下部之環狀的膨出部， 在熱遮蔽構件中， 前記膨出部具有上壁、底壁及2個縱壁，在被這些壁所圍成的空間具有環狀的隔熱材， 前記熱遮蔽構件的開口徑和前記隔熱材的開口徑之差為15mm以上。
[2]如前記[1]所記載的熱遮蔽構件，與前記單結晶矽鑄錠鄰接之側的縱壁和前記隔熱材之間有空隙。
[3]如前記[1]記載的熱遮蔽構件，與前記單結晶矽鑄錠鄰接之側的縱壁的前記隔熱材側的表面和前記隔熱材接觸。
[4]如前記[1]~[3]中任1項所記載的熱遮蔽構件，與前記單結晶矽鑄錠鄰接之側的縱壁和前記底壁形成為一體。
[5]如前記[1]~[4]中任1項所記載的熱遮蔽構件，與前記單結晶矽鑄錠鄰接之側的縱壁有碳材料。
[6]具有如前記[1]~[5]中任一項記載的熱遮蔽構件的單結晶提拉裝置。
[7]單結晶矽鑄錠之製造方法，其特徵在於，使用前記[6]所記載的單結晶提拉裝置。 [發明效果]
依據本發明，能夠放寬可獲致無缺陷的單結晶矽鑄錠的結晶之提拉速度的界限。
以下，參照圖面說明本發明的實施形態。依據本發明的熱遮蔽構件，係為設置在從被配置於石英坩堝周圍的加熱器加熱並貯留於前記石英坩堝的矽融液提拉單結晶矽鑄錠的單結晶提拉裝置的熱遮蔽構件，該熱遮蔽構件具有：包圍前記單結晶矽鑄錠之外周面的圓筒狀的筒部、及在前記筒部的下部之環狀的膨出部。在此，前記膨出部具有上壁、底壁及2個縱壁，在被這些壁所圍成的空間具有環狀的隔熱材，前記熱遮蔽構件的開口徑和前記隔熱材的開口徑之差為15mm以上。
如上述，單結晶矽鑄錠I內的結晶缺陷之徑方向分布，係依存於提拉速度V對於溫度梯度G之比V/G。在此，提拉速度V決定對於鑄錠I的格子間矽和空孔的導入量。相對於此，溫度梯度G決定格子間矽和空孔的擴散速度。
可獲致無缺陷的單結晶矽鑄錠I之結晶的提拉速度V之界限(以下亦僅稱為「提拉速度界限」)，可以藉由將鑄錠I內的結晶缺陷之徑方向分布拉平(平坦)而放寬。可以由空孔濃度和格子間矽的濃度變成相等的條件而理論地求出實現該結晶缺陷的徑方向分布之平坦化的臨界(V/G)cri ，由以下式(1)得出(例如，參照K. Nakamura, R. Suewaka and B. Ko, ECS Solid State Letters, 3 (3) N5-N7 (2014))。 [數1](1) 在此，σmean 為結晶內的任意位置的應力。
由式(1)可知，格子間矽濃度和空孔濃度變成相等的(V/G)cri 係依存於結晶內的應力。可以藉由傳熱計算等求出結晶內的應力分布而得出上記(V/G)cri 。另外，由於提拉速度V在鑄錠I的徑方向是一定的，所以可以由上記式(1)，求出實現結晶缺陷的徑方向分布的平坦化之理想的溫度梯度(以下亦稱為「理想溫度梯度Gideal 」)。 [數2](2)
圖4(a)表示結晶內的應力分布之一例，圖4(b)表示理想溫度梯度之一例。若能實現如圖4(b)所示的理想溫度梯度Gideal ，則可以藉由對應的提拉速度V提拉單結晶矽鑄錠I，而拉平鑄錠I內的結晶缺陷的徑方向分布，以將提拉速度界限最大化。
單結晶矽鑄錠I的溫度梯度G依存於熱遮蔽構件60的構成。本發明人仔細調查了要實現上記理想溫度梯度Gideal 之熱遮蔽構件60的構成和溫度梯度G的關係。結果得知，藉由加大熱遮蔽構件60中被鑄錠I插通的開口部O之徑(以下亦稱之為「開口徑」)Rs ，使得溫度梯度G接近Gideal 。再者，上記開口徑Rs 為膨出部62中的開口徑。
而且還得知，若使用開口徑Rs 較過去更大的熱遮蔽構件育成單結晶矽鑄錠I，則結晶缺陷的徑方向分布更拉平，而放寬提拉速度界限。
如此一來，藉由加大開口徑Rs ，雖然能夠放寬提拉速度界限，但又新產生了結晶彎曲或結晶變形等的問題。這是因為，當開口徑Rs 變大時，從矽融液M看得到的單結晶提拉裝置100內的冷溫部分變多，矽融液M被冷卻而使矽融液M的溫度不穩定。對於矽融液M的溫度之穩定化而言，縮小開口徑Rs 是有效的。
像這樣，為了要放寬提拉速度界限，把熱遮蔽構件60的膨出部62的開口徑Rs 加大是有效的，但就抑制結晶彎曲或結晶變形的觀點而言，使開口徑Rs 縮小是有效的，由此得知，提拉速度界限的放寬、與結晶彎曲或結晶變形的抑制係為權衡的關係。
因此，本發明人認真探討，在不產生結晶彎曲或結晶變形的情況下，放寬提拉速度界限的方法。結果想到了，不改變熱遮蔽構件60的開口徑Rs ，但將隔熱材H的開口徑Rh 加大的方法。
如上述，單結晶矽鑄錠I的溫度梯度G依存於熱遮蔽構件60的構成，但決定溫度梯度G的是控制熱流入單結晶矽鑄錠I表面的隔熱材H。相對於此，為了矽融液M溫度的穩定化，將流過單結晶矽鑄錠I和熱遮蔽構件60之間的Ar氣體等的惰性氣體的流速提高是有效的，惰性氣體的流速依存於熱遮蔽構件60的外形。
據此，本案發明人想到不改變熱遮蔽構件60的開口徑RS ，而將隔熱材H的開口徑Rh 加大，藉此能夠抑制結晶彎曲或結晶變形，同時使溫度梯度G接近理想溫度梯度Gideal 以放寬提拉速度界限，進而完成本發明。
圖5表示依據本發明的熱遮蔽構件之一例。該圖所示的熱遮蔽構件1具備：包圍單結晶矽鑄錠I的外周面的圓筒狀之筒部2、及在筒部2之下部的膨出部3。在此，筒部2具有內壁2a和外壁2b、在其間設置隔熱材H。另外，膨出部3具有上壁3a和底壁3b和2個縱壁3c、3d，在這些壁所圍成的空間中設有環狀的隔熱材H。另外，上記熱遮蔽構件1構成為縱壁3c和鑄錠I鄰接。
在圖5所示的熱遮蔽構件1中，在縱壁3c和隔熱材H之間設有空隙(空間)V。藉此，能夠將隔熱材H的開口徑Rh 加大以使得結晶I的溫度梯度G接近理想溫度梯度Gideal ，放寬提拉速度界限。另外，熱遮蔽構件1的開口徑Rs 與過去的相同，藉此，維持流過鑄錠I和熱遮蔽構件1之間的惰性氣體的流速，藉此，能夠抑制結晶彎曲或結晶變形。
在過去的熱遮蔽構件60中，覆蓋隔熱材H的壁，僅為用以防止隔熱材H的一部分落入矽融液M的覆蓋構件，本發明所述之不改變熱遮蔽構件60的開口徑Rs ，而將隔熱材H的開口徑Rh 加大，設置上記開口徑的差異的發明內容，係為前所未有。
另外，如圖5所示，熱遮蔽構件1的開口徑Rs 為，從鑄錠I的中心軸A(亦即，提拉裝置的提拉軸)到縱壁3c之鑄錠I側的表面為止的距離，隔熱材H的開口徑Rh 為，從鑄錠I的中心軸A到隔熱材H的內壁面為止的距離。
依據本發明的熱遮蔽構件1中，熱遮蔽構件1的開口徑Rs 、與隔熱材H的開口徑Rh 之差Rd 為15mm以上。如上述，圖2中例示的過去的熱遮蔽構件60中，壁62a~62d只不過是用以防止隔熱材H的一部分落入矽融液M中的覆蓋構件，隔熱材無縫隙地填充於這些壁所圍成的空間中。而且，這些壁分別構成為大約10mm左右之厚度。
本發明中，較此種過去的熱遮蔽構件60中的隔熱材H的開口徑更大，將結晶缺陷的徑方向分布拉平，放寬提拉速度界限。基於使提拉速度界限更放寬的觀而言，上記開口徑之差Rd 為25mm以上為佳，為70mm以上尤佳。另外，基於由於去除隔熱材而造成石英坩堝之熱負荷的增加、伴隨於此的提拉結晶的有差排化防止的觀點而言，開口徑的差Rd 為200mm以下為佳、為150mm以下尤佳。
構成熱遮蔽構件1的外形的壁當中，為了將來自矽融液M的輻射熱良好地傳遞到單結晶矽鑄錠I的外周面，至少縱壁3c是以熱傳導率高的材料構成為佳。另外，底壁3b也用熱傳導率高的材料構成尤佳。
可以用石墨等的碳材料或鉬(Mo)等的金屬作為上記熱傳導率高的材料。其中，由於汙染較少，所以用上記碳材料構成壁較佳。
熱遮蔽構件1的膨出部的開口徑為340mm以上460mm以下為佳。藉此，能夠提高流過單結晶矽鑄錠I和熱遮蔽構件之間的Ar氣體等的惰性氣體的流速，提高矽融液M的溫度之穩定性。其為350mm以上450mm以下尤佳。
另外，隔熱材H的開口徑為355mm以上475mm以下為佳。藉此，能夠提高流過單結晶矽鑄錠I和熱遮蔽構件之間的Ar氣體等的惰性氣體的流速，提高矽融液M的溫度之穩定性。其為365mm以上465mm以下尤佳。
圖6表示依據本發明的熱遮蔽構件的其他例。另外，對於與圖5所示的熱遮蔽構件1相同的構成則標示以相同符號。在此圖所示的熱遮蔽構件10中，與圖5所示的熱遮蔽構件1不同，在縱壁3c和隔熱材H之間未設置空隙(空間)V。取而代之的是，其構成為縱壁3c的厚度較過去的還大，並構成為使得縱壁3c和隔熱材H接觸。藉此，和熱遮蔽構件1一樣，使得隔熱材H的開口徑Rh 較過去還大，能夠在抑制結晶彎曲或結晶缺陷的同時，放寬可以獲致無缺陷結晶矽的提拉速度的界限。
另外，如圖7所示的熱遮蔽構件20，與單結晶矽鑄錠I鄰接之側的縱壁3c和底壁3b形成為一體為佳。藉此，能夠使得來自底壁3b的輻射熱更容易傳遞到鑄錠I，能夠使得溫度梯度G更接近理想溫度梯度Gideal 。關於圖5所示的熱遮蔽構件1也是如此。
另外，圖5~7所示的熱遮蔽構件1、10及20中，膨出部3膨出到筒內，但膨出部3膨出到筒外的熱遮蔽構件亦包含於本發明中。
(單結晶提拉裝置) 依據本發明的單結晶提拉裝置，其特徵在於具備如上述的依據本發明的熱遮蔽構件。因此，熱遮蔽構件以外的構成並不限定，能夠適當構成為可以育成所欲的單結晶矽鑄錠。
例如，圖1所示的單結晶提拉裝置100中，使用圖5~圖7中例示的依據本發明的熱遮蔽構件1、10及20以取代熱遮蔽構件60，即可成為依據本發明的單結晶提拉裝置。而且，使用依據本發明的單結晶提拉裝置，能夠在抑制結晶變形的同時，育成無缺陷的單結晶矽鑄錠。
(單結晶矽的製造方法) 另外，依據本發明的單結晶矽的製造方法，其特徵在於使用如上述的依據本發明的單結晶提拉裝置來製造矽結晶。因此，對於除了使用上述的依據本發明的單結晶提拉裝置以外的部分並不限定，能夠適當構成以育成所欲的單結晶矽鑄錠。
例如，圖1所示的單結晶提拉裝置100中，可以使用運用了圖5例示的依據本發明之熱遮蔽構件1、或圖6例示的依據本發明的熱遮蔽構件10的裝置，以取代熱遮蔽構件60，如下述般製造單結晶矽鑄錠。首先，將反應室51內維持於減壓下的Ar氣體等的惰性氣體環境之狀態下，藉由加熱器54將收容於坩堝52內的多結晶矽等的原料物質加熱使之熔融成為矽融液M。繼之，使提拉軸55下降將種結晶S浸漬於矽融液M，使坩堝52及提拉軸55向著特定方向回轉，同時將提拉軸55向上方提拉。如此一來，能夠抑制結晶彎曲或結晶變形以育成無缺陷的單結晶矽鑄錠。
[實施例]
以下，說明本發明的實施例，但本發明並不限定於實施例。
<單結晶矽鑄錠的育成>
(發明例1)
按照依據本發明的單結晶矽的製造方法，進行單結晶矽的製造。具體言之，在圖1所示的單結晶提拉裝置100中，使用運用了圖5所示的熱遮蔽構件1以取代熱遮蔽構件60的裝置，作為單結晶提拉裝置。該熱遮蔽構件1的上壁3a、底壁3b及縱壁3c、3d係使用表面施以SiC被覆的石墨材，上壁3a的厚度為7mm、底壁3b的厚度為5mm、縱壁3c的厚度為5mm、3d的厚度為7mm。另外，縱壁3c和隔熱材H之間的空隙之徑方向的寬度為100mm。
(發明例2)
和發明例1一樣，進行單結晶矽的製造。但是，在圖1所示的單結晶提拉裝置100中，使用運用了圖6所示的熱遮蔽構件10以取代熱遮蔽構件60的裝置，作為單結晶提拉裝置。而且，縱壁3c的厚度為50mm。其他條件和發明例1完全相同。
(比較例) 使用圖1所示的單結晶提拉裝置100製造單結晶矽。其他條件與發明例完全相同。
＜溫度梯度的評價＞ 圖8表示使用具備圖5所示的熱遮蔽構件1的單結晶提拉裝置所育成的單結晶矽鑄錠之溫度梯度G和理想溫度梯度Gideal 的關係。為了比較，亦顯示使用圖1所示之裝置育成的情況。為了評價溫度梯度G從理想溫度梯度Gideal 的偏離，針對圖8所示的溫度梯度圖之41個取樣點，求出溫度梯度G和理想溫度梯度Gideal 的差，並求出其平均值及標準偏差。
[表1]
圖9表示使用具備圖6所示的熱遮蔽構件10的單結晶提拉裝置所育成的單結晶矽鑄錠的溫度梯度G和理想溫度梯度Gideal 的關係。為了比較，亦顯示使用圖1所示的裝置育成的情況。對於圖6所示的熱遮蔽構件10的情況，進行與上記圖5所示的熱遮蔽構件1的情況之相同的評價。得到的結果如表1所示。
由表1可知，圖5所示的熱遮蔽構件1及圖6所示的熱遮蔽構件10兩者，其標準偏差的值均較比較例小，相較於比較例，其溫度梯度G更接近理想溫度梯度Gideal 。
＜結晶變形的評價＞ 在發明例1、2及比較例中，都能夠育成無缺陷的單結晶矽鑄錠。具體言之，使用作為表示由發明例及比較例所得到的單結晶矽鑄錠的變形的程度之指標的變形率，對變形進行評價(例如，參照特開平09-87083號公報)。變形率係為如後定義之值，對於單結晶矽鑄錠的直徑，其為((最大直徑-最小直徑)/最小直徑)×100(%)，就發明例1而言為0.10~0.13%、就發明例2而言為0.11~0.15%、就比較例而言為0.09~0.16%，滿足了品質標準。
＜提拉速度界限的評價＞ 針對發明例1、2及比較例，測定可獲致無缺陷的結晶矽的提拉速度V之界限。其結果為，就發明例1而言為0.019mm/分、就發明例2而言為0.018mm/分、就比較例而言為0.016mm/分。如此可知，依據本發明，能夠放寬可獲致無缺陷的結晶矽的提拉速度之界限。
[產業上的利用可能性] 依據本發明，能夠放寬可獲致無缺陷的單結晶矽的結晶提拉速度的界限，因此在半導體產業中有用。
1、10、20、60‧‧‧熱遮蔽構件
2、61‧‧‧筒部
2a、61a‧‧‧內壁
2b、61b‧‧‧外壁
3、62‧‧‧膨出部
3a、62a‧‧‧上壁
3b、62b‧‧‧底壁
3c、3d、62c、62d‧‧‧縱壁
51‧‧‧反應室
52‧‧‧坩堝
52a‧‧‧石英坩堝
52b‧‧‧石墨坩堝
53‧‧‧坩堝回轉升降軸
54‧‧‧加熱器
55‧‧‧提拉軸
56‧‧‧種結晶保持器
57‧‧‧氣體導入口
58‧‧‧氣體導出口
71‧‧‧COP發生區域
72‧‧‧OSF潛在核區域
73‧‧‧氧析出促進區域(Pv區域)
74‧‧‧氧析出抑制區域(Pi區域)
75‧‧‧差排團區域
100‧‧‧單結晶提拉裝置
A‧‧‧鑄錠的中心軸
H‧‧‧隔熱材
I‧‧‧單結晶矽鑄錠
M‧‧‧矽融液
O‧‧‧開口部
Rs‧‧‧熱遮蔽構件的開口徑
Rh‧‧‧隔熱材的開口徑
S‧‧‧種結晶
[圖1]表示一般的單結晶提拉裝置之一例的圖。 [圖2]表示熱遮蔽構件之一例的圖。 [圖3]表示提拉速度對固液界面中的溫度梯度之比與構成單結晶矽鑄錠的結晶區域之關係的圖。 [圖4](a)表示單結晶矽鑄錠內的應力分布之一例的圖、(b)表示理想溫度梯度Gideal 之一例的圖。 [圖5]表示依據本發明的熱遮蔽構件之一例的圖。 [圖6]表示依據本發明的熱遮蔽構件之其他例的圖。 [圖7]表示縱壁與底壁形成為一體的熱遮蔽構件之圖。 [圖8]表示使用具備圖5所示的熱遮蔽構件的單結晶提拉裝置所育成之單結晶矽鑄錠的溫度梯度的圖。 [圖9]表示具備使用圖6所示的熱遮蔽構件單結晶提拉裝置所育成之單結晶矽鑄錠的溫度梯度的圖。

Claims (5)

  1. 一種熱遮蔽構件，其係為設置在從被配置於石英坩堝周圍的加熱器加熱並貯留於前記石英坩堝的矽融液提拉單結晶矽鑄錠的單結晶提拉裝置的熱遮蔽構件，該熱遮蔽構件具有：包圍前記單結晶矽鑄錠之外周面的圓筒狀的筒部、及在前記筒部的下部之環狀的膨出部，在熱遮蔽構件中，前記膨出部具有上壁、底壁及2個縱壁，在被這些壁所圍成的空間具有環狀的隔熱材，與前記單結晶矽鑄錠鄰接之側的縱壁和前記隔熱材之間有空隙，其中前記熱遮蔽構件的開口徑和前記隔熱材的開口徑之差為15mm以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的熱遮蔽構件，與前記單結晶矽鑄錠鄰接之側的縱壁和前記底壁形成為一體。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載的熱遮蔽構件，與前記單結晶矽鑄錠鄰接之側的縱壁有碳材料。
  4. 一種單結晶提拉裝置，其具備如如申請專利範圍第1到3項中任一項所記載的熱遮蔽構件。
  5. 一種單結晶矽鑄錠之製造方法，其特徵在於，使用申請專利範圍第4項記載的單結晶提拉裝置進行製造。
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