JP5446277B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5446277B2 JP5446277B2 JP2009005002A JP2009005002A JP5446277B2 JP 5446277 B2 JP5446277 B2 JP 5446277B2 JP 2009005002 A JP2009005002 A JP 2009005002A JP 2009005002 A JP2009005002 A JP 2009005002A JP 5446277 B2 JP5446277 B2 JP 5446277B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- silicon single
- silicon
- melt
- liquid surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 198
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 198
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 197
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 155
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 100
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 9
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims description 8
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 claims description 5
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/203—Controlling or regulating the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/26—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using television detectors; using photo or X-ray detectors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1012—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with a window or port for visual observation or examination
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
すなわち、本発明のシリコン単結晶の製造方法は、ルツボに収容した多結晶シリコンを溶融して前記ルツボにシリコン融液を形成する溶融工程と、チョクラルスキー法により前記シリコン融液からシリコン単結晶を引上げる引上工程とを有するシリコン単結晶の製造方法であって、
前記引上工程において、前記シリコン融液の融液面と、該融液面の一部を覆うように配された遮熱部材との間隔を測定する測定工程と、
該測定工程で得られた前記融液面と前記遮熱部材との間隔に応じて、前記シリコン単結晶の結晶中心部における固液界面近傍の結晶温度勾配(Gc)、および前記シリコン単結晶の結晶周辺部における固液界面近傍の結晶温度勾配(Ge)をそれぞれ制御する制御工程と、
を備え、
前記引上工程において、撮像装置を用いて前記シリコン融液と前記シリコン単結晶との固液界面近傍に生じる高輝度帯を撮像する撮像工程と、
前記高輝度帯の画像データを円近似、または楕円近似させて中心位置を特定する中心位置特定工程と、
該中心位置に基づいて前記シリコン融液の液面位置を算出する液面位置算出工程と、
算出された該シリコン融液の液面位置と前記遮熱部材との間隔に応じて、前記ルツボを上昇させて前記シリコン融液の液面位置を調節する液面位置調節工程と、
を更に備え、
前記中心位置特定工程は、前記高輝度帯の画像データを、前記撮像装置の光軸方向と鉛直方向との成す角度に基づいて簡易補正し、該簡易補正を行った補正後の高輝度帯の画像データを円近似させて中心位置を算出する工程であり、
前記液面位置算出工程は、予め求めたシリコン単結晶の中心位置とシリコン融液の液面位置との関係を表す校正曲線を用いて、シリコン単結晶の中心位置をシリコン融液の液面位置に換算することによって、前記シリコン融液の液面位置を算出する工程であり、
前記液面位置算出工程は、メニスカス角度が30°以上50°以下の範囲となる前記高輝度帯の一領域を用いて前記シリコン単結晶の中心位置を特定してシリコン単結晶の直径変動により変化する固液界面の高さ変動の影響を少なくし、該中心位置に基づいて前記シリコン融液の液面位置を算出する工程であり、
前記液面位置調節工程は、前記シリコン単結晶の直胴領域における引上開始時点でのシリコン融液の液面位置を基準にして、前記液面位置算出工程によって引上進行後のシリコン融液の液面位置の相対変化を検出し、該液面位置の相対変化に基づいて、前記ルツボを上昇させて前記シリコン融液の液面位置を調節し、前記シリコン融液の融液面が、ヒータに対して常に同じ位置に保つ工程であることを特徴とする。
本発明は、高輝度帯の輝度ピーク位置では、引上中のシリコン単結晶の直径が減少に対応して固液界面の位置が降下することに対応して、前記制御部は、直胴領域の直径を一定に保つように制御することが可能である。
本発明は、ルツボに収容した多結晶シリコンを溶融して前記ルツボにシリコン融液を形成する溶融工程と、チョクラルスキー法により前記シリコン融液からシリコン単結晶を引上げる引上工程とを有するシリコン単結晶の製造方法であって、前記引上工程において、前記シリコン融液の融液面と、該融液面の一部を覆うように配された遮熱部材との間隔を測定する測定工程と、該測定工程で得られた前記融液面と前記遮熱部材との間隔に応じて、前記シリコン単結晶の結晶中心部における固液界面近傍の結晶温度勾配(Gc)、および前記シリコン単結晶の結晶周辺部における固液界面近傍の結晶温度勾配(Ge)をそれぞれ制御する制御工程と、を備えたことができる。
シリコン単結晶の引上にあたっては、単結晶引上装置10を構成する、例えば石英からなるルツボ11にポリシリコンを投入し、ルツボ支持体16を介してルツボ11を取り巻くように配されたヒータ12によってルツボ11を加熱する。そして、ポリシリコンを溶融し、ルツボ11内にシリコン融液13を形成する(溶融工程)。
x’=(x−x0)
y’=(y−y0)/((h/v)cosθ)
なお、上記式中のxは画像中横方向での検出位置、x0は使用する画像素子の横方向画素数の1/2、x’は簡易補正後の横方向位置、またyは画像中縦方向での検出位置、y0は使用する画像素子の縦方向画素数の1/2、y’は簡易補正後の縦方向位置を示す。
Claims (2)
- ルツボに収容した多結晶シリコンを溶融して前記ルツボにシリコン融液を形成する溶融工程と、チョクラルスキー法により前記シリコン融液からシリコン単結晶を引上げる引上工程とを有するシリコン単結晶の製造方法であって、
前記引上工程において、前記シリコン融液の融液面と、該融液面の一部を覆うように配された遮熱部材との間隔を測定する測定工程と、
該測定工程で得られた前記融液面と前記遮熱部材との間隔に応じて、前記シリコン単結晶の結晶中心部における固液界面近傍の結晶温度勾配(Gc)、および前記シリコン単結晶の結晶周辺部における固液界面近傍の結晶温度勾配(Ge)をそれぞれ制御する制御工程と、
を備え、
前記引上工程において、撮像装置を用いて前記シリコン融液と前記シリコン単結晶との固液界面近傍に生じる高輝度帯を撮像する撮像工程と、
前記高輝度帯の画像データを円近似、または楕円近似させて中心位置を特定する中心位置特定工程と、
該中心位置に基づいて前記シリコン融液の液面位置を算出する液面位置算出工程と、
算出された該シリコン融液の液面位置と前記遮熱部材との間隔に応じて、前記ルツボを上昇させて前記シリコン融液の液面位置を調節する液面位置調節工程と、
を更に備え、
前記中心位置特定工程は、前記高輝度帯の画像データを、前記撮像装置の光軸方向と鉛直方向との成す角度に基づいて簡易補正し、該簡易補正を行った補正後の高輝度帯の画像データを円近似させて中心位置を算出する工程であり、
前記液面位置算出工程は、予め求めたシリコン単結晶の中心位置とシリコン融液の液面位置との関係を表す校正曲線を用いて、シリコン単結晶の中心位置をシリコン融液の液面位置に換算することによって、前記シリコン融液の液面位置を算出する工程であり、
前記液面位置算出工程は、メニスカス角度が30°以上50°以下の範囲となる前記高輝度帯の一領域を用いて前記シリコン単結晶の中心位置を特定してシリコン単結晶の直径変動により変化する固液界面の高さ変動の影響を少なくし、該中心位置に基づいて前記シリコン融液の液面位置を算出する工程であり、
前記液面位置調節工程は、前記シリコン単結晶の直胴領域における引上開始時点でのシリコン融液の液面位置を基準にして、前記液面位置算出工程によって引上進行後のシリコン融液の液面位置の相対変化を検出し、該液面位置の相対変化に基づいて、前記ルツボを上昇させて前記シリコン融液の液面位置を調節し、前記シリコン融液の融液面が、ヒータに対して常に同じ位置に保つ工程であることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 高輝度帯の輝度ピーク位置では、引上中のシリコン単結晶の直径が減少に対応して固液界面の位置が降下することに対応して、前記制御部は、直胴領域の直径を一定に保つように制御することを特徴とする請求項1記載のシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009005002A JP5446277B2 (ja) | 2009-01-13 | 2009-01-13 | シリコン単結晶の製造方法 |
US12/683,515 US8414701B2 (en) | 2009-01-13 | 2010-01-07 | Method for manufacturing silicon single crystal in which a crystallization temperature gradient is controlled |
KR1020100001658A KR101289400B1 (ko) | 2009-01-13 | 2010-01-08 | 실리콘 단결정의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009005002A JP5446277B2 (ja) | 2009-01-13 | 2009-01-13 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010163297A JP2010163297A (ja) | 2010-07-29 |
JP5446277B2 true JP5446277B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=42318119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009005002A Active JP5446277B2 (ja) | 2009-01-13 | 2009-01-13 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8414701B2 (ja) |
JP (1) | JP5446277B2 (ja) |
KR (1) | KR101289400B1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5302556B2 (ja) | 2008-03-11 | 2013-10-02 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法 |
JP5047227B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2012-10-10 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶引き上げ装置 |
JP5708171B2 (ja) | 2010-04-26 | 2015-04-30 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法 |
JP5678635B2 (ja) | 2010-12-13 | 2015-03-04 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造装置、シリコン単結晶の製造方法 |
CN104136665B (zh) * | 2011-12-31 | 2016-12-14 | 株式会社Sumco | 支援氧化硅玻璃坩埚的制造条件的设定的装置、支援制造氧化硅玻璃坩埚用模具的制造条件的设定的装置、支援使用氧化硅玻璃坩埚的硅单晶提拉的条件设定的装置 |
JP6078974B2 (ja) * | 2012-04-04 | 2017-02-15 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
JP5924090B2 (ja) * | 2012-04-12 | 2016-05-25 | 株式会社Sumco | 単結晶引き上げ方法 |
WO2015001591A1 (ja) * | 2013-06-30 | 2015-01-08 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボの検査方法 |
JP6304424B1 (ja) | 2017-04-05 | 2018-04-04 | 株式会社Sumco | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法 |
US11618971B2 (en) | 2020-09-29 | 2023-04-04 | Sumco Corporation | Method and apparatus for manufacturing defect-free monocrystalline silicon crystal |
KR102575399B1 (ko) * | 2021-11-12 | 2023-09-06 | 아즈텍 주식회사 | 사파이어 단결정 성장장치 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5653799A (en) * | 1995-06-02 | 1997-08-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling growth of a silicon crystal |
JP3460551B2 (ja) | 1997-11-11 | 2003-10-27 | 信越半導体株式会社 | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 |
JP4035924B2 (ja) * | 1999-07-12 | 2008-01-23 | 株式会社Sumco | 単結晶直径の制御方法及び結晶成長装置 |
US6203611B1 (en) * | 1999-10-19 | 2001-03-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of controlling growth of a semiconductor crystal to automatically transition from taper growth to target diameter growth |
JP2001342097A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | シリコン単結晶引上げ装置及び引上げ方法 |
JP4089500B2 (ja) * | 2003-05-06 | 2008-05-28 | 株式会社Sumco | 単結晶引き上げ装置内の融液の液面位置測定方法 |
JP2005015313A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法及び単結晶 |
JP4277681B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2009-06-10 | 株式会社Sumco | 単結晶引上げ装置の融液表面位置検出装置及びその単結晶引上げ装置 |
US7427325B2 (en) * | 2005-12-30 | 2008-09-23 | Siltron, Inc. | Method for producing high quality silicon single crystal ingot and silicon single crystal wafer made thereby |
JP4929817B2 (ja) | 2006-04-25 | 2012-05-09 | 信越半導体株式会社 | 基準反射体と融液面との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びにシリコン単結晶の製造装置 |
JP5145721B2 (ja) * | 2007-02-01 | 2013-02-20 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法および製造装置 |
JP4918897B2 (ja) | 2007-08-29 | 2012-04-18 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引上方法 |
JP2009292654A (ja) | 2008-06-02 | 2009-12-17 | Sumco Corp | シリコン単結晶引上げ方法 |
US8163083B2 (en) | 2008-07-09 | 2012-04-24 | Japan Super Quartz Corporation | Silica glass crucible and method for pulling up silicon single crystal using the same |
-
2009
- 2009-01-13 JP JP2009005002A patent/JP5446277B2/ja active Active
-
2010
- 2010-01-07 US US12/683,515 patent/US8414701B2/en active Active
- 2010-01-08 KR KR1020100001658A patent/KR101289400B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8414701B2 (en) | 2013-04-09 |
JP2010163297A (ja) | 2010-07-29 |
KR20100083717A (ko) | 2010-07-22 |
US20100175611A1 (en) | 2010-07-15 |
KR101289400B1 (ko) | 2013-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5446277B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP4929817B2 (ja) | 基準反射体と融液面との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びにシリコン単結晶の製造装置 | |
US9708731B2 (en) | Method of producing silicon single crystal | |
JP4918897B2 (ja) | シリコン単結晶引上方法 | |
JP5167651B2 (ja) | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、及びその距離の制御方法 | |
JP5708171B2 (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法 | |
CN109750352B (zh) | 单晶的制造方法及装置 | |
KR101729472B1 (ko) | 차열부재 하단면과 원료 융액면 사이의 거리 측정 방법 및 제어 방법, 그리고 실리콘 단결정의 제조 방법 | |
JP2016121023A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
TWI770661B (zh) | 單結晶製造裝置及單結晶的製造方法 | |
JP4930487B2 (ja) | 融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 | |
JP6627739B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP6645406B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP6477356B2 (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP5924090B2 (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
JP6447537B2 (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP2019214486A (ja) | 融液面と種結晶の間隔測定方法、種結晶の予熱方法、及び単結晶の製造方法 | |
TWI782726B (zh) | 單結晶的製造方法 | |
JP6090501B2 (ja) | 単結晶引き上げ方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5446277 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |