JP4354758B2 - 単結晶引上装置 - Google Patents
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Description
シリコン単結晶の引上げを行い、従来例と比較した。
m(従来例ではR1mm)、但し、シールド主体と水平部間の内側コーナはR2
0mm、外径φ700mm、内径φ350mm、高さ500mmの截頭円錐形状
結果:(1) 従来例(内側コーナR1mm)は、水平部と立上部間の内側コーナにクラック
が発生した。これに対して、実施例には、クラックの発生が認められなかった。
2 チャンバ
3 石英ガラスルツボ
4 黒鉛ルツボ
5 ヒータ
6 底部
7 ルツボ回転軸
8 シード
9 シードチャック
10 引上げ用ワイヤ
11 輻射シールド
11a シールド主体
11a1 開口部
11ab 屈曲部
11ab1 内側コーナ
11ad 屈曲部
11ad1 内側コーナ
11b 水平部
11bc 屈曲部
11bc1 内側コーナ部
11c 立上部
11d 取付部
11e 断熱部材
12 不活性ガス供給口
13 不活性ガス排出口
Ig 単結晶
M 融液
Claims (3)
- チャンバ内に設置されたルツボと、このルツボに充填された原料を加熱して融液にするヒータと、ルツボの上方の引上げ領域を囲むように設置され不活性ガスの流れを整流する輻射シールドとを有し、不活性ガスをチャンバに供給しチャンバに設けられた排気孔から排気しつつ種結晶を融液に浸漬し単結晶を引上げる単結晶引上装置において、
前記輻射シールドは、炭化珪素を被覆した黒鉛基材で形成され、かつ、この黒鉛基材に形成される屈曲部は、単結晶を囲うように配置され中空筒状のシールド主体とこのシールド主体から内方に延びるリング形状の水平部との間の第1屈曲部と、この水平部とこの水平部から前記単結晶に沿って上方にリング形状に立上がる立上部との間の第2屈曲部と、前記シールド主体とこのシールド主体から外方に延びリング形状の取付部との間の第3屈曲部とを有し、前記第1屈曲部の内側コーナは楕円弧を有する曲面で形成され、その曲率半径が100mm以上であり、前記第2及び第3屈曲部の内側コーナは円弧を有する曲面で形成され、その曲率半径が5mm以上であることを特徴とする単結晶引上装置。 - 請求項1に記載の単結晶引上装置において、上記水平部には、リング形状の断熱部材が載置され、この断熱部材は、立上部により支持されていることを特徴とする単結晶引上装置。
- 請求項2に記載の単結晶引上装置において、上記断熱部材は、熱伝導率が異なる材質で複数のリング状に分割可能に形成された覆体により覆われることを特徴とする単結晶引上装置。
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