CN104419978A - 单晶炉的导流筒 - Google Patents
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Abstract
本发明属于太阳能光伏领域，具体是一种用于拉晶硅的单晶炉的导流筒，它应用于单晶炉。它包括一个至上而下直径渐渐缩小的筒体，该筒体由多层复合的碳纤维材料制成，筒体下端口边缘通过若干调节部件设有若干可转动的气体调节装置，筒体外周面上设有外筒，外筒与筒体之间设有保温空间，该保温空间内设有保温材料层。本发明的优点是通过调节部件控制气体调节装置进行对筒体内气体进行导向调节，能有效控制晶体固液界面结晶潜热的挥发，从而有效保持固液界面的平坦性，同时提高了导流筒的保温效果。
Description
技术领域
本发明属于太阳能光伏领域，具体是一种用于拉晶硅的单晶炉的导流筒，它应用于单晶炉。
背景技术
单晶炉拉制单晶硅棒时，盛装多晶硅块等原料的石英坩埚放入位于埚托之上的石墨坩埚托内，在保护性气氛中加热融化，调控到工艺温度后，籽晶经导流筒插入溶融多晶硅液中，与坩埚作逆向旋转并向上提升，使多晶硅液按籽晶的硅原子排列顺序结晶凝固成单晶硅棒。
目前单晶炉的导流筒的结构为逐渐减小直径的圆筒状结构，起高温气体导流的作用，高温气体为氩气流，在氩气流动过程中，不断的从晶体表面带走热量，因此，氩气流对晶体表面的吹拂对于晶体中的径向和纵向温度分布有着重要的影响，而温度梯度又对晶体中的杂质状况，原生缺陷的形成以及电阻率和氧含量的径向分布，有着密切的关系。另外氩气流过溶硅液面，除了与融硅有对流换热外，还带走挥发的SiO，它在溶硅表面的流动与流速对溶硅表面的流动图样也有一定影响，通过影响熔体中温度与杂质的分布来影响晶体中杂质的引入。
但现有的这种结构，因为高温气体在导流筒中流动的速度快，流动阻力小，所以晶体生长过程中固液界面凹向固体的一侧，如果凹陷过大，就会引起径向含氧量、电阻率、原生缺陷的起伏过大，使硅片的响应参数均匀性变差。
发明内容
本发明要解决的问题是怎样控制导流筒中气体的流速以及导流筒的保温，本发明提出了一种单晶炉的导流筒。
本发明为了解决上述技术问题，提出了以下技术方案：
单晶炉的导流筒，它包括一个至上而下直径渐渐缩小的筒体，该筒体由多层复合的碳纤维材料制成，筒体下端口边缘通过若干调节部件设有若干可转动的气体调节装置，筒体外周面上设有外筒，外筒与筒体之间设有保温空间，该保温空间内设有保温材料层。
所述的调节部件包括设于筒体内的油缸以及与气体调节装置连接的连杆，连杆也和油缸的缸杆连接。
所述的气体调节装置为调节板。
本发明的优点是通过调节部件控制气体调节装置进行对筒体内气体进行导向调节，能有效控制晶体固液界面结晶潜热的挥发，从而有效保持固液界面的平坦性，同时提高了导流筒的保温效果。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，单晶炉的导流筒，它包括一个至上而下直径渐渐缩小的筒体1，该筒体1由多层复合的碳纤维材料制成，筒体1下端口边缘通过若干调节部件设有若干可转动的气体调节装置，筒体外周面上设有外筒2，外筒2与筒体1之间设有保温空间，该保温空间内设有保温材料层3。
所述的调节部件包括设于筒体内的油缸4以及与气体调节装置连接的连杆5，连杆5也和油缸4的缸杆连接。
所述的气体调节装置为调节板6。
Claims (3)
1.单晶炉的导流筒，其特征在于：它包括一个至上而下直径渐渐缩小的筒体，该筒体由多层复合的碳纤维材料制成，筒体下端口边缘通过若干调节部件设有若干可转动的气体调节装置，筒体外周面上设有外筒，外筒与筒体之间设有保温空间，该保温空间内设有保温材料层。
2.根据权利要求1所述的单晶炉的导流筒，其特征在于：所述的调节部件包括设于筒体内的油缸以及与气体调节装置连接的连杆，连杆也和油缸的缸杆连接。
3.根据权利要求1所述的单晶炉的导流筒，其特征在于：所述的气体调节装置为调节板。
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Family Applications (1)
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| CN201310382923.3A Pending CN104419978A (zh) | 2013-08-28 | 2013-08-28 | 单晶炉的导流筒 |
Country Status (1)
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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| CN111519241A (zh) * | 2019-02-01 | 2020-08-11 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种半导体晶体生长装置 |
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2013
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Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| CN105603511A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-05-25 | 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 | 一种用于单晶炉的导流筒 |
| CN111519241A (zh) * | 2019-02-01 | 2020-08-11 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种半导体晶体生长装置 |
| CN111519241B (zh) * | 2019-02-01 | 2021-12-17 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种半导体晶体生长装置 |
| JP2022518858A (ja) * | 2019-02-01 | 2022-03-16 | ヅィング セミコンダクター コーポレーション | 半導体結晶成長装置 |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150318 |